SU367377A1 - Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах - Google Patents

Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах

Info

Publication number
SU367377A1
SU367377A1 SU1435975A SU1435975A SU367377A1 SU 367377 A1 SU367377 A1 SU 367377A1 SU 1435975 A SU1435975 A SU 1435975A SU 1435975 A SU1435975 A SU 1435975A SU 367377 A1 SU367377 A1 SU 367377A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
concentration
measuring
mobility
semiconductor materials
destructive method
Prior art date
Application number
SU1435975A
Other languages
English (en)
Inventor
Б. А. Дворкин В. Шехтер Д. И. Биленко
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1435975A priority Critical patent/SU367377A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU367377A1 publication Critical patent/SU367377A1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области оптических методов контрол  электрофизических свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано при исследовании  влений , св занных с малыми изменени ми оптических свойств веществ.
Известны оптические методы определени  концентрации и подвижности носителей зар да в полупроводниковых материалах, основанные на  влении плазменного резонанса носителей зар да и заключающиес  в исследовании спектральных зависимостей коэффициента отражени  этих материалов.
Однако известные способы при измерени х в миллиметровой и сантиметровой област х спектра и в щироком диапазоне измерени  параметров полупроводниковых приборов достаточно сложны по методике и дают относительно малую точность при измерении концентрации и подвижности носителей в низколегированных материалах (10-20%).
Цель изобретени  - сдвинуть рабочий диапазон анализирующего излучени  в сторону коротких волн, расширить диапазон концентраций носителей зар да на фиксированной длине волны; повысить точность и упростить процесс измерени  параметров низколегированных полупроводниковых материалов.
И
Цель достигаетс  использованием  влени  нарущенного полного внутреннего отражени  (НПВО) и применением в качестве материала призмы полного внутреннего отражени  того
же, что н исследуемый, материала, только со значительно меньшей (по крайней мере, на пор док) концентрацией носнтелей зар да.
Предлагаемый способ заключаетс  в следующем .
На исследуемый образец накладывают призму из того же материала, что и исследуемый , но со значительно меньшей концентрацией носителей зар да. На боковую грань призмы направл ют анализирующее излучение и измер ют коэффициент отражени  от границы раздела призма - исследуемый образец .
Дл  раздельного онределени  концентрации и подвижности носителей зар да необходимо
провесги два измерени  коэффициента отражени : при двух углах падени  одной из компонент пол ризованного излучени  (возможно использование непол ризованного излучени ) или при одном угле падени  с использованием обоих состо ний пол ризации.
Подставл   экспериментально найденные значени  двух коэффициентов отрал ;ени  и двух углов падени  в известные соотношени ,
SU1435975A 1970-05-04 1970-05-04 Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах SU367377A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1435975A SU367377A1 (ru) 1970-05-04 1970-05-04 Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1435975A SU367377A1 (ru) 1970-05-04 1970-05-04 Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU367377A1 true SU367377A1 (ru) 1973-01-23

Family

ID=20452701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1435975A SU367377A1 (ru) 1970-05-04 1970-05-04 Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU367377A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS54151495A (en) Nephelometric immuno-assay method
EP0602070B1 (en) Fiber optic probe and method for detecting optically active materials
SU367377A1 (ru) Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах
JPS56154648A (en) Measurement of semiconductor impurity concentration
Hilton et al. Measurement of epitaxial film thickness using an infrared ellipsometer
US5621334A (en) Method and apparatus for evaluating impurities in a liquid crystal device
RU2610349C1 (ru) Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода
JP3465539B2 (ja) 半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置
US6054870A (en) Liquid crystal device evaluation method and apparatus
JPS54110787A (en) Method and apparatus for semiconductor element
US4011014A (en) Polarization rotation analyzer
Ramasasstry et al. A simple method for determining the dielectric constants of solids
JPS54154265A (en) Impurity doping amount evaluation method for semiconductor
JPS5622938A (en) Analyzing method for surface of transparent substance
JPS55146040A (en) Measuring method of concentration
JPS5446829A (en) Nephelometry
SU145033A1 (ru) Способ определени напр жений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах
JPS6122896B2 (ru)
Kessler et al. Interband faraday rotation in silicon
SU391173A1 (ru) Способ определения концентрации нормальных
SU1116364A1 (ru) Способ определени оптических констант ферромагнетиков
RU2021589C1 (ru) Способ измерения параметров состояния среды
SU864205A1 (ru) Способ определени величины магнитного пол
RU2157513C1 (ru) Эллипсометрический датчик
JPS54156584A (en) Optical anisotropy measuring apparatus