SU367377A1 - Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах - Google Patents
Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалахInfo
- Publication number
- SU367377A1 SU367377A1 SU1435975A SU1435975A SU367377A1 SU 367377 A1 SU367377 A1 SU 367377A1 SU 1435975 A SU1435975 A SU 1435975A SU 1435975 A SU1435975 A SU 1435975A SU 367377 A1 SU367377 A1 SU 367377A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- concentration
- measuring
- mobility
- semiconductor materials
- destructive method
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Изобретение относитс к области оптических методов контрол электрофизических свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано при исследовании влений , св занных с малыми изменени ми оптических свойств веществ.
Известны оптические методы определени концентрации и подвижности носителей зар да в полупроводниковых материалах, основанные на влении плазменного резонанса носителей зар да и заключающиес в исследовании спектральных зависимостей коэффициента отражени этих материалов.
Однако известные способы при измерени х в миллиметровой и сантиметровой област х спектра и в щироком диапазоне измерени параметров полупроводниковых приборов достаточно сложны по методике и дают относительно малую точность при измерении концентрации и подвижности носителей в низколегированных материалах (10-20%).
Цель изобретени - сдвинуть рабочий диапазон анализирующего излучени в сторону коротких волн, расширить диапазон концентраций носителей зар да на фиксированной длине волны; повысить точность и упростить процесс измерени параметров низколегированных полупроводниковых материалов.
И
Цель достигаетс использованием влени нарущенного полного внутреннего отражени (НПВО) и применением в качестве материала призмы полного внутреннего отражени того
же, что н исследуемый, материала, только со значительно меньшей (по крайней мере, на пор док) концентрацией носнтелей зар да.
Предлагаемый способ заключаетс в следующем .
На исследуемый образец накладывают призму из того же материала, что и исследуемый , но со значительно меньшей концентрацией носителей зар да. На боковую грань призмы направл ют анализирующее излучение и измер ют коэффициент отражени от границы раздела призма - исследуемый образец .
Дл раздельного онределени концентрации и подвижности носителей зар да необходимо
провесги два измерени коэффициента отражени : при двух углах падени одной из компонент пол ризованного излучени (возможно использование непол ризованного излучени ) или при одном угле падени с использованием обоих состо ний пол ризации.
Подставл экспериментально найденные значени двух коэффициентов отрал ;ени и двух углов падени в известные соотношени ,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1435975A SU367377A1 (ru) | 1970-05-04 | 1970-05-04 | Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1435975A SU367377A1 (ru) | 1970-05-04 | 1970-05-04 | Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU367377A1 true SU367377A1 (ru) | 1973-01-23 |
Family
ID=20452701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1435975A SU367377A1 (ru) | 1970-05-04 | 1970-05-04 | Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU367377A1 (ru) |
-
1970
- 1970-05-04 SU SU1435975A patent/SU367377A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS54151495A (en) | Nephelometric immuno-assay method | |
| EP0602070B1 (en) | Fiber optic probe and method for detecting optically active materials | |
| SU367377A1 (ru) | Неразрушающий способ измерения концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах | |
| JPS56154648A (en) | Measurement of semiconductor impurity concentration | |
| Hilton et al. | Measurement of epitaxial film thickness using an infrared ellipsometer | |
| US5621334A (en) | Method and apparatus for evaluating impurities in a liquid crystal device | |
| JP3465539B2 (ja) | 半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置 | |
| US6054870A (en) | Liquid crystal device evaluation method and apparatus | |
| JPS54110787A (en) | Method and apparatus for semiconductor element | |
| Ramasasstry et al. | A simple method for determining the dielectric constants of solids | |
| JPS54154265A (en) | Impurity doping amount evaluation method for semiconductor | |
| JPS5622938A (en) | Analyzing method for surface of transparent substance | |
| JPS55146040A (en) | Measuring method of concentration | |
| JPS5446829A (en) | Nephelometry | |
| SU145033A1 (ru) | Способ определени напр жений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах | |
| JPS6122896B2 (ru) | ||
| Kessler et al. | Interband faraday rotation in silicon | |
| SU1116364A1 (ru) | Способ определени оптических констант ферромагнетиков | |
| RU2021589C1 (ru) | Способ измерения параметров состояния среды | |
| SU864205A1 (ru) | Способ определени величины магнитного пол | |
| RU2157513C1 (ru) | Эллипсометрический датчик | |
| JPS54156584A (en) | Optical anisotropy measuring apparatus | |
| SU377610A1 (ru) | Способ измерения толщины окисной пленки | |
| JPS5235684A (en) | Method and apparatus for total reflection absorption measurement at lo w temperatures | |
| SU672549A1 (ru) | Способ измерени величины циркул рного дихроизма в кристаллах |