1 Изобретение относитс к методам измерени оптических констант матери лов и может быть использовано дл измерени оптических констант ферромагнетиков путем р егистрации парамет ров отраженного от его поверхности света. Известен способ определени оптических констант, .основанный на измерении отношени коэффициентов отраже ни пол ризованного света при двух углах падени света 1. Однако этот способ имеет высокую погрешность в области слабого поглощени . Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс способ определени оптических констант ферромагнетиков, включаюрщй облучение поверхности образца ферромагнетика при различных углах падени света и регистрацию интенсивности отраженного света Д в области .слабого поглощени ,причем свет падает на границу раздела со стороны эле мента нарушенного полного внутреннего отражени (НПВО). По угловой зависимости интенсивности отраженного света определ ют оптические константы образца 2. Однако по этому способу необходи мо использование злемента НПВО (призмы или полусферы) с показателем преломлени (п) большим, чем показатель преломлени исследуемого вещества, а так как имеютс феррома нетики с большим показателем прелом лени , например гематит (ъ 2,9), то подобрать дл них соответствующи элемент НПВО в видимом диапазоне спектра затруднительно. Требуетс также высока чистота обработки поверхности исследуемого образца (глу бина неровностей поверхности должна быть меньше 1/10 длины волны света) кроме того, так как. реализащ высокой чувствительности метода предполагает использование многократных отражений, требуетс , чтобы размеры элемента НПВО и образца (fi) бьши Jxo таточно большими (2 1 см).Невыполнение этих требований ведет к сниже нию точности определени измер емых величин,в том числе прказател поглощени (К) . Цель изобретени - увеличение то ности измерени значени показател поглощени ферромагнетиков в област слабого поглощени . 42 Поставлен1{а цель достигаетс тем, что согласно способу опрелслени оптических констант ферромагнетиков, включающему облучение поверхности образца ферромагнетика при разных углах падени света и регистрацию интенсивности отраженного света :) в области слабого поглощени , образец помещают в переменное магнитное поле, измер ют интенсивность отраженного света 3 при наличии магнитного пол и по зависимости относительного . rJc изменени интенсивности от угла падени света определ ют оптические константы ферромагнетика по методу наименьших квадратов. На фиг. 1 изображено устройство, реализующее предлагаемыйспособ; на фиг. 2 - результаты измерени зависимости относительного изменени интенсивности отраженного света от угла падени света дл ортоферрита иттри (YFeO.). Способ осуществл етс следующим образом. Исследуемый образец, имеющий отражающую поверхность, помещают между полюсами электромагнита так, чтобы вектор магнитного пол бьи перпендикул рен плоскости падени света, имеющего Р - пол ризацию . Затем, измер интенсивность отраженного света J и в отличие от известного технического решени изменение интенсивности Э I вызванное перемагничиваниемобразца переменным магнитным пол ем, наход т отношение , этих величин Д Определ ют это отношение дл разных углов падени света V на образец . Далее, зна экспериментальную зависимость сЛ() и использу формулу дл магнитооптического экваториального эффекта Керра (ЭЭК): ( , () где « и Ъ - известные функции, завис щие от показателей преломлени h, поглощени К и угла tf; недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости вещестйа, вычисл ют значени и. К, Е и By , например , по методу наименьших квадратов, етс следующим образом. Пусть, д.-: - ( а- , t ЪЕ ) - отклонение экспериментального значени ЭЭК при Ч-г Ч, от кривой ЭЭК, рассчитанной по формуле (1). Тогда N есть сумма квадратов отклонений экс риментальных значений от расчетной кривой, где N - число эксперимента -ньгх точек. Из услови минимума сумм 5 по переменным { и б ( 35/сЗЕ, ()наход т вные выра ci LI жени дл С и , . которые подста , тт л ют.в формулу (2) дл 5 . Получен п тт п mnnMvnv t / l пп Q TlnnvTieu- ное выражение дл 5 вл етс функ цией переменных, пи t; : (п,1с С помощью ЭВМ проводитс расчет 5 дл различных пар г и V. Искомые л и k осуществл ют минимум S. Шаг изменени п и k определ етс тре буемой точностью. Устройство, реализующее способ, работает следующим образом. Монохроматический свет от источника Г (фиг.1) проходит через пол ризатор 2 и падает под углом f на . плоскую поверхность ферромагнитного обпазиа 3. наход щегос между полюс образца 3, наход щегос между полюс ми электромагнита 4. Отраженный от образца свет попадает на фотоприемник 5. Посто нньй ток в цепи фотоприемника, пропорциональный посто нной составл ющей интенсивности отраженного света, измер етс гальванометром 6, а переменный ток в цепи фотоприемника, пропорциональный изменению интенсивности света, вызванному перемагничи-вани . ем образца, измер етс с помощью резонансного усилител 7 и синхронд тс дл различных углов падени света. На фиг.2 приведены результаты измерени зависимости от угла падени света / на монокристалле YFeOj. Точки на фиг.2 соответствуют экспериментальным значени м tf- дл длины волны света 7i 0,44 мкм, кружки - мкм. Вычисленные значени оптических констант составл ют: t 2,6310,02; lc 0,36tO,01 дл л и -п 2,,02; V- л и 0,12tO,005 дл 712. Данные зна1с подставлены в формучени п и V подставлены в форму/ . (О, по которой произведен рас--7гг чет угловых зависимостей d( (крива и ) дл 7 и крива cf дл л2.Из фиг.2 видно, что указанные кривые соответствуют экспериментальным значени м. - Фиг.2 иллюстрирует также сильное вли ние изменени величины на вид угловой зависимости сГТаким образом, предлагаемый способ определени оптических констант ферромагнетиков характеризуетс высокой точностью определени малого показател поглощени (-5%), не предполагает высоких требований к размерам и качеству поверхности образца , как в методах НПВО, где несоблюдение упом нутых условий дл твердых тел позвол ет часто проводит лишь качественный анализ измерйемых величин (точность не превышает А/30%). Кроме того, реализаци предлагаемого способа не св зана с применением дорогосто щих элементов НПВО, что обуславливает экономическую эффективность предлагаемогоспособа .