SU694774A1 - Бесконтактный способ измерени температуры полупроводников - Google Patents

Description

На фиг. 1 показаны температурные зависимости эллипсометрического угла А дл  образца GaAs/111/B дл  трех углов падени  светового пучка на поверхность образца при длине волны ,6328 мкм: экспериментальные кривые, измеренные при углах падени  65° и 77°40 соответственно; крива , рассчитанна  дл  этого же образца дл  угла падени  . Расчет проводилс  на вычислительной машине по точным уравнени м Друде дл  следующей модели отражающей поверхности образца: поглощающа  подложка (GaAs) - поглоо

щающа  пленка, толщиной 60 А, исход  из температурных зависимостей оптических констант GaAs и пленки, оцененных из двух угловых измерений (при и (р 77°40); на фиг. 2 представлены зависимости изменени  эллипсометрического угла А, 6А при увеличении Т от комнатной до 420°С от угла падени  светового пучка на поверхность образца GaAs /111/S, вычисленные по точным уравнени м Друде дл  разных состо ний поверхности образца: крива  1 - GaAs без поверхностной пленки , кривые 2 и 3 -GaAs+прозрачна  окисна  пленка с показателем преломлени 

О

,65 с толщинами 40 и 100 А соответственно , крива  4 - GaAs+поглощающа  пленка с ,65 и показателем поглощеО

ни  и 0,27, толщиной 60 А. Как видно, зависимости 5А(ф) проход т через максимум при , больщем главного угла,

который дл  GaAs дл  А равен ,5°С. Оцененна  из приведенных на фиг. 2 результатов точность измерени  Г

(при ) в зависимости от состо ни  поверхности образца, равна 1-2°.

Насто щее изобретение имеет преимущество в точности бесконтактного измерени  5 Т полупроводников. Использование изобретени  в технологии позвол ет проводить технологические процессы в строго заданном температурном интервале, диктуемом услови ми используемой технологии, что 1; повышает качество продуктов технологического процесса.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Бесконтактный способ измерени  температуры полупроводников, включающий измерени  эллипсометрического угла при отражении монохроматического пол ризованного излучени  от поверхности полупроводника при температуре Ть близкой к

   0 комнатной, и при более высокой температуре Т2 и определение температуры полупроводника по отклонению величины эллипсометрического угла от величины угла, измеренной при температуре Tj, отличаю щ и и с   тем, что, с целью повышени  точности измерени  температуры, измер ют изменение эллипсометрического угла А в интервале температур Т и Т, определ емого относительной разностью фаз компонентов отраженного пол ризованного излучени  с электрическим вектором, параллельным и перпендикул рным плоскости падени  соответственно, при таком угле падени , большем главного, при котором

   5 угол А имеет наибольший температурный коэффициент, причем этот угол предварительно определ ют экспериментальным или расчетным путем.

   о100200300ifOO500 гС

   (риг.1

   S3