SU549686A1

SU549686A1 - Способ определени длины волны светофильтра

Info

Publication number: SU549686A1
Application number: SU1883838A
Authority: SU
Inventors: Юрий Иванович Урыский; Анатолий Николаевич Седов
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6707
Priority date: 1973-02-16
Filing date: 1973-02-16
Publication date: 1977-03-05

Description

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДЛИНЫ ВОЛНЫ СВЕТОФИЛЬТРА

1

Изобретение относитс к измерительной текнике и может быть использовано в частности в области экспериментальной физигки дл определени расчетной длины светофильтра эллипсометрическим способом.

Известен способ определени длины волны светофильтра путем сн ти и анализа его спектральной характеристики, основанный на пропускании через него света и сравнении его параметров с данными, полученными на эталонном образце. Измен дпину волны и измер каждый раз интенсивность света, падающего на светофильтр и прошедшего через него, подсчитывают, а затем стро т кривую зависимости коэффициента пропускани светофильтра от длины излучени .

Недостаток известного способа заключаетс в том, что он не обеспечивает точного определени длины волны светофильтра, поскольну необходимо строить спектральную характеристику и искомую длину волны находить по максимуму зависимости коэффициента пропускани светофильтра от длины водны . Кроме того, известный способ не позво-

л ет определ ть характеристики светофильтров в широком диапазоне длин волн.

Цель изобретени - повышение точности измерени .

Указанна цель достигаетс тем, что поле прохождени через образец света его эллиптически пол ризуют, направл ют на диэлектрическую пленку, нанесенную на полупроводниковую подложку, и по параметрам отраженного пол ризованного света суд т о длине светофильтра.

Предложенный способ позвол ет определ ть длину волны светофильтра непосредственно при измерении толщины диэлектрической пленки на полупроводниковой подложке с помощью эллипсометра. Значение длины волны светофильтра необходимо в процессе эллипсометрических измерений, поскольку очень часто приходитс использовать различные длины волн падающего света.

Claims

Кроме того, п редложенный способ может быть применен при определении характеристик светофильтров в широком диапазоне длин волн. На фиг. 1 показана оптическа схема эллипсометра, реализующа предложенный способ; на фиг. 2 - номограмма зависимостей показател преломлени л и фазовой толщины пленки d от фазового сдвига меж- ду компонентами электрического вектора Д и изменени отношени амплитуд компонент электрического вектора V Свет от источника 1, пройд монохроматический фильтр 2, параллельным пучком падает на линейный пол ризатор 3, выход из которого становитс линейно пол ризован ным. Компенсатор 4 превращает линейный пол ризованный свет в эллиптически пол ризованный , параметры которого после отраже НИИ от поверхности диэлектрической пленки 5 измен ютс . Эти изменени определ ют с помощью анализатора 6 и фотоприемника 7. Измерение параметров диэлектрической пленки на кремниевой подложке с помощью эллипсометра ведут на двух длинах волн Л, и Я. Дл этого свет от источника пропускают через два светофильтра 2 с известной длиной волны л и неизвестной Л наход т параметры пол ризованного света (у , Д , и Ш , д дл Аи Л которые на номограмм зависимостей показател преломлени и фазовой толщины пленки от параметров пол ри зованного света: (Ф Д) представлены двум точками 1 и 2 (фиг. 2). Найденные таким образом точки 1 и 2 соответствуют знач ни м параметров пленки П S Если значени длин волн Л и А близки (измерение ведут на одном участке светового диапазона, например, в видимой области спектра), то дисперси показател преломлени подложки и пленки пренебрежимо мала и при измерении Т) Известно, что фазова толщина пленки d и пинейна d св заны зависимостью: 560Nni-SiTi ф. где Ф| - угол падени света на образец. Поскольку d /А/ пленки посто нны, то искомую расчетную длину волны света можно определить из тождества: 1 2 360лг)-51-п2ф, 560-V-n2-5i-n Ф S ис определ ют по номограмме il(J f ( ) ДЛЯ двух длин волнА иЛ,. Формула изобретени Способ измерени длины волны светофильтра .основанный на пропускании через него света и сравнении его параметров с данными , полученными на эталонном образце, отличающийс тем, что, с целью повышени точности измерени , после прохождени через образец света его эллиптически пол ризуют, направл ют на диэлектрическую пленку, нанесенную на полупроводниковую подложку, и по параметрам отраженного пол ризованного света суд т о длине волны светофильтра.

i 60

gjf