SU1569530A1 - Способ измерени толщины тонких диэлектрических пленок - Google Patents
Способ измерени толщины тонких диэлектрических пленок Download PDFInfo
- Publication number
- SU1569530A1 SU1569530A1 SU874389637A SU4389637A SU1569530A1 SU 1569530 A1 SU1569530 A1 SU 1569530A1 SU 874389637 A SU874389637 A SU 874389637A SU 4389637 A SU4389637 A SU 4389637A SU 1569530 A1 SU1569530 A1 SU 1569530A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thickness
- electromagnetic radiation
- gap
- Prior art date
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике и может использоватьс в электронной промышленности при неразрушающем контроле толщины тонких пленок. Целью изобретени вл етс повышение точности измерени за счет определени толщины пленки по ширине щели в энергетическом спектре поверхностных пол ритонов подложки, на которую нанесена пленка. Сущность способа заключаетс в том, что измер емую пленку, нанесенную на подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучени , которое направл ют на призму под различными углами, в услови х нарушенного полного внутреннего отражени регистрируют спектр поглощени поверхностных пол ритонов подложки и определ ют толщину пленки по формуле D=2Δ2λ3, где D - толщина пленки
Δ - ширина щели в энергетическом спектре пол ритонов
λ - длина волны электромагнитного излучени .
Description
Иэобретение относитс к измерительной технике и может использоватьс в электронной промышленности при неразрушающем контроле толщины тонких пленок.
Целью изобретени вл етс повышение точности измерени за счет определени толщины пленки по ширине щели в энергетическом спектре поверх-- ностных пол ритонов подложки, на которую нанесена пленка.
В основе способа лежит резонансное взаимодействие элементарных возбуждений пленки и поверхностных пол ритонов подложки.
Сущность способа заключаетс в следующем.
Измер емую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучени , которое направл ют на призму под различными углами, регистрируют спектр поглощени поверхностных пол ритонов подложки в успо- ви х нарушенного полного внутреннесо сл
00
го отражени , толщину пленки опреде.- л ют по ширине щели в энергетическом спектре в соответствии с формулой
d -
. т
где d - толщина измер емой пленки; и - ширина щели энергетического
спектра;
А - длина волны электромагнитного излучени .
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ измерени толщины тонких диэлектрических пленок на диэлектрических подложках, заключающийс в том, что линейно пол ризованное5электромагнитное излучение направл ют под различными углами на подложку с измер емой пленкой, регистрируют отраженное излучение и определ ют толщину пленки, отличающий- с тем, что, с целью повышени точности измерени , подложку с измер емой пленкой прижимают к призме с зазором , близким к длине волны электромагнитного излучени , регистрируют спектр поглощени поверхностных пот л ритоиов подложки в услови х нарушенного полного внутреннего отражени и толщину пленки определ ют по величине щели в энергетическом спектре поверхностных пол ритонов подложки при резонансе с уровнем энергии тонкой плёнки.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874389637A SU1569530A1 (ru) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Способ измерени толщины тонких диэлектрических пленок |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874389637A SU1569530A1 (ru) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Способ измерени толщины тонких диэлектрических пленок |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1569530A1 true SU1569530A1 (ru) | 1990-06-07 |
Family
ID=21360158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874389637A SU1569530A1 (ru) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Способ измерени толщины тонких диэлектрических пленок |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1569530A1 (ru) |
-
1987
- 1987-12-28 SU SU874389637A patent/SU1569530A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Бабаджанов Л.С., Джорбенадзе Н.Н., Николаишвили Ю.Н. Расчетно- экспериментальный метод учета неплоскостности подл ожки по аттестации мер толщины покрытий. - Измерительна техника, 1977, } 2, с. 24. Свешникова Г.В., Кольцов С.И. Эллипсометри - метод исследовани поверхности твердых веществ: Уч.пособие. - Л., 1975, с. 20-25. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0246846B1 (en) | Method and apparatus for assaying a species in a sample | |
| EP0278577B1 (en) | A process for determining thicknesses of layers, application thereof in determining certain interactions and a means for carrying out this process | |
| GB2069130A (en) | Thin film thickness monitor | |
| US4695162A (en) | Film thickness measuring apparatus | |
| US4701052A (en) | Dew point hygrometer | |
| Trivedi et al. | Measurement of large electro‐optic coefficients in thin films of strontium barium niobate (Sr0. 6Ba0. 4Nb2O6) | |
| SU1569530A1 (ru) | Способ измерени толщины тонких диэлектрических пленок | |
| JPH07159319A (ja) | センサ装置 | |
| Krokstad et al. | Scattering of light by ultrasonic surface waves in quartz | |
| US6687015B1 (en) | Method and device for measuring the thickness of a layer | |
| EP0019724B1 (en) | Method of monitoring the thickness of thin dielectric films and performance of the method | |
| SU815484A1 (ru) | Устройство дл контрол тонкихплЕНОК | |
| SU1193459A1 (ru) | Способ определени параметров диэлектрической пленки | |
| SU1210091A1 (ru) | Способ определени параметров диэлектрических материалов | |
| SU1681279A1 (ru) | Способ измерени диэлектрической проницаемости жидкостей | |
| JP3321886B2 (ja) | 減衰全反射型薄膜評価装置 | |
| SU1280311A1 (ru) | Способ измерени толщины тонких пленок,нанесенных на подложку | |
| JPS6179142A (ja) | 赤外吸収分析法 | |
| SU1116364A1 (ru) | Способ определени оптических констант ферромагнетиков | |
| SU694774A1 (ru) | Бесконтактный способ измерени температуры полупроводников | |
| Tsukahara et al. | An instrument for layer thickness measurement using pseudo-Sezawa waves | |
| RU2133956C1 (ru) | Способ эллипсометрического исследования тонких пленок на плоских подложках | |
| SU1126849A1 (ru) | Измерительна чейка дл исследовани диэлектрических параметров жидкостей | |
| SU1051476A1 (ru) | Способ измерени периода страйп-структуры в доменосодержащих пленках | |
| SU1168871A1 (ru) | Способ измерени поверхностного сопротивлени высокоомного покрыти на диэлектрической подложке |