SU1280311A1

SU1280311A1 - Способ измерени толщины тонких пленок,нанесенных на подложку

Info

Publication number: SU1280311A1
Application number: SU853939678A
Authority: SU
Inventors: Лев Исакович Альперович
Original assignee: Таджикский государственный университет им.В.И.Ленина
Priority date: 1985-08-02
Filing date: 1985-08-02
Publication date: 1986-12-30

Abstract

Изобретение относитс к области измерительной техники и может быть использовано дл измерени толщины пленок, прозрачных в ИК-области спектра и нанесенных на плоские йодложки . Целью изобретени вл етс повышение точности измерений путем повьшени контраста интерференционной картины. На контролируемую пленку 1 устанавливают клиновидную пластинку 3,. выполненную из материала, прозрачного в ИК-области спектра и имеклцего показатель преломлени , отличающийс от показател преломлени (Л

Description

пленки на столько же, на сколько показатель преломлени пленки отличаетс от показател преломлени подложки . Благодар этому вьфавниваютс коэффициенты отражени на верхней и нижней поверхносЧ х пленки и интерференционна картина, вл юща с результатом взаимодействи волновых фронтов, отраженных от верхней и нижней поверхностей подложки, оказываетс наиболее контрастной, а точность измерени повьшаетс , 1 ил.

1

Изобретение относитс к измерительной технике и может быть использовано дл измерени толщины пленок, прозрачных в инфракрасной области спектра и нанесенных на плоские подложки .

Цель изобретени - повьппение точности измерений путем повьппени контраста интерференционной картины в ре:зультате выравнивани разностей показателей преломлени сред, от границ раздела которых отражаютс интерферирующие пучки.

На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа.

На схеме обозначены контролируема пленка 1, нанесенна на подложку 2, клиновидна пластинка 3, устанавливаема на пленку 1, источник 4 излучени , совмещенные лучи 5, отраженные от верхней и нижней поверхностей пленки 1, и устройство 6 реrHCTfaluffl интерференционной картины.

Способ осуществл ют следующим образом .

На контролируемую пленку I устанавливают клиновидную пластинку 3, выполненную из натериала, прозрачного в ин факрасной области спектра и имеющего такой показатель преломлени , что разность показателей преломлени материалов пластинки 3 и пленки 1 равна разности показателей преломлени пленки 1 и подложки 2. С помощью источника 4 систему пластинки 3 - пленка - подложка 2 освещают инфракрасным излучением. Результат взаимодействи лучей, отраженных от верхней и нижней поверхностей пленки 1, регистрируетс устройством6. При; измерении измен ют длину волны интерферирующих лучей и фиксируют зна чени длин волн, соответствующие двум соседним максимумам или минимумам освещенности интерференционной картины. После этого определ ют толщину d пленки по формуле:

d--r-----V-- |-5.

2(п -sin9) (

где п - показатель преломлени пленки;

9 - угол падени лучей на пленку .

Л, и Л2 - зафиксированные значени

длин волн; о - поправка, обусловленна

дисперсией фазового сдвига на границе пленка-подложка. Вследствие использовани инфракрасного излучени воздушный зазор 0 между пластинкой и пленкой значительно меньще длины волны излучени , поэтому коэффициент отражени от верхней поверхности пленки определ етс , в основном , соотнощекием показателей прелом5 лени материалов пластинки и пленки. В результате указанного выбора материала пластинки коэффициенты отражени от верхней и нижней поверхностей пленки близки друг к другу и конт0 раст интерференционной картины оказываетс максимальным, что позвол ет увеличить точность измерений.

Выполнение пластинки клиновидной дает возможность исключить вли ние на результат измерений засветки, вызываемой отражением от верхней поверхности .

0 Фор мула изобретени

Способ измерени толщины тонких пленок, нанесенных на подложку, заключающийс в том, что освещают контролируемую пленку пучком инфра 5 красного излучени , наблюдают интер31-2803114

ференционную картину, образующуюс тем, что, с целью повышени точноспри взаимодействии волновых фронтов,ти измерений, перед началом измереотраженных от верхней и нижней по-ний на поверхность пленки устанавливерхностей пленки, измен ют длинувают клиновидную пластинку из проволны излучени , фиксируют значени 5зрачного дл диапазона изменени

длин волн, соответствующие двум сосед-длины волны материала с показателем

ним максимумам или минимумам осве-преломлени , имек цим такое значение,

ценности интерференционной картинычто разность показателей преломлени

и по разности зафиксированных значе-материалов пластинки и пленки- равна

ний длин волн определ ют толщину 0разности показателей преломлени ма-

пленки, отличающийс териалов пленки и подложки.

Claims

4Q) Фор мула изобретения Способ измерения толщины тонких пленок, нанесенных на подложку, заключающийся в том, что освещают контролируемую пленку пучком инфра45 красного излучения, наблюдают интер1280311 ференционную картину, образующуюся при взаимодействии волновых фронтов, отраженных от верхней и нижней поверхностей пленки, изменяют длину волны излучения, фиксируют значения 5 длин волн, соответствующие двум соседним максимумам или минимумам освещенности интерференционной картины и по разности зафиксированных значений длин волн определяют толщину пленки, отличающий ся тем, что, с целью повышения точности измерений, перед началом измерений на поверхность пленки устанавливают клиновидную пластинку из прозрачного для диапазона изменения длины волны материала с показателем преломления, имеющим такое значение, что разность показателей преломления материалов пластинки и пленки- равна разности показателей преломления материалов пленки и подложки.