SU1308829A1 - Способ определени толщины кристаллической пластины - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  измерени  толщины кристаллических пластин.

Цель изобретени  - повьшение точности измерени  за счет устранени  неоднозначности показател  преломлени  анизотропных кристаллов и повышени  контрастности интерференционной кар.тины, достигаемых благодар  предварительной взаимной ориентации испытуемой пластины и лазерного пучка, а также измерению углового положени  дополнительно третьего интерференционного максимума.

Способ осуществл етс  следующим образом.Способ определени  толщины крисНа обе стороны контр олируемой плас-таллической пластины, заключающийс 

тийы нанос т полупрозрачные покрыти .в том, что нанос т на обе стороны

Затем пластину освещают лазерным пуч- 20контролируемой пластины полупрозрачные покрыти , освещают ее сфокусированным пучком лазерного излучени , регистрируют интерференционную карти ну, образующуюс  на выходе пучка из пластины, измер ют угловое положение двух максимумов интерференционной картины и определ ют толщину пластины , отличающийс  тем, что, с целью повьшени  точности оп-

ком, сфокусированным, с помощью опти- ческой системы. При этом лучи, отразившиес  полупрозрачными покрыти ми, различное число раз взаимодействуют на выходе из пластины, образу  ин- терференционную картину, которую можно наблюдать на экране, установ- :ленном за пластиной. При непараллельности оси оптической индикатрисы пластинь и. плоскости пол ризации лазерного пучка, наблюдаютс  две системы концентрических эллипсов. Враща  пластину вокруг оси пучка, устанавливают ось индикатрисы пластины параллельно плоскости пол ризации, что соответствует моменту исчезновени  одной из систем эллиптических полос на. экране. В этом положении измер ют углы об, , с образуемые с осью освещающего пучка трем  интерференционными максимумами, попарно отличающимис  друг от друга на одинаковую величину разности пор дков интерференции. После этого толщину d пластины определ ют по фор-

-AJi

:.., ,

т|2( - , - )

где ) - длина волны излучени  лазера.

Указанна  ориентаци  контролируемой пластины перед измерени ми исклю- 5 чает возможность падени  контраста интерференционной картины, в резульВНИИПИ Заказ 1788/31

Произа.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4

тате наложени  друг на друга систем полос. Тем самым создаютс  услови  дл  повьшени  точности фиксации положени  интерференционных максимумов. Одновременно измерение положени  третьего интерференционного максимума ггозвол ет исключить из математической зависимости дл  определени  толщины пластины величину показател  преломлени  и, следовательно, уменьшить до нул  вли ние на результат измерени  неоднозначности показател  преломлени .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   20контролируемой пластины полупрозрач25

   45

   ные покрыти , освещают ее сфокусированным пучком лазерного излучени , регистрируют интерференционную картину , образующуюс  на выходе пучка из пластины, измер ют угловое положение двух максимумов интерференционной картины и определ ют толщину пластины , отличающийс  тем, что, с целью повьшени  точности оп-

   30 ределени  толщины, перед измерением углового положени  максимумов пластину ориентируют таким образом, что ось ее оптической индикатрисы параллельна вектору пол ризации излучени 

   35 лазера, измер ют угловое положение интерференционного максимума, пор док которого отличаетс  от пор дка второго из измер емых максимумов на величину равную разности пор дков ин40 терференциидвух первых измер емых максимумов , а толщину d пластины определ ют по формуле

   d

   Tip

   1 - sin1 , - sin

   3)

   где - длина волны излучени  лазера; 1 - разность пор дков интерференции между вторым и первым, третьим и вторым измер емьми максимумами;

   м 1

   -г

   значени  угловых положений соответственно первого, второго и третьего измер емых интерференционных максимумов. Тираж 678Подпис юе

   . Ужгород, ул. Проектна , 4