JPS6227603A - 変位の光学的測定装置 - Google Patents

変位の光学的測定装置

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JPS6227603A
JPS6227603A JP60167287A JP16728785A JPS6227603A JP S6227603 A JPS6227603 A JP S6227603A JP 60167287 A JP60167287 A JP 60167287A JP 16728785 A JP16728785 A JP 16728785A JP S6227603 A JPS6227603 A JP S6227603A
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polarization
displacement
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は測定対象物に光を当ててその測定対象物の移動
質イ仏量を光学的に測定する装置に係り。
特に光ファイバによって光を被測定物まで導くようにし
た光学的測定装置疋関する。
〔従来の技術〕
この種の従来の技術は、第4図に示されており、レーザ
発振器1から出射したレーザ光すをビームスプリッタ2
によって2つの光b1とす、とに分け、光b1は反射面
3で反射されて光検出器4に入射し、一方ビームスブリ
ツタ2を透過した光b2はレンズ5、光ファイバ6、レ
ンズ7を経て被測定物80表面で反射して再びレンズ7
、光ファイバ6、レンズ5を経てビームスプリッタ2に
よって光検出器4に入射されるようになっている。光検
出器4では光す、とb2とが干渉し、干渉光の明るさは
被測定物8の変位量によって変化するので、この干渉光
の明るさを光検出器4によって電気信号に変換したのち
、測定回路9で測定し、これによって被測定物8の変位
量を知ることができるようになっている。なお符号10
はディスプレーで、第5図に示されるような信号が表示
され、この信号の波の数nから被測定物8の変位量δ(
δ=nλ)が測定されるようになっている。
また特開昭58−151509$号公報に示されるよう
に1表面粗さの光学的測定方法であって。
光路途中に1/4波長板を複数備えた技術も知られてい
る。
〔発明の解決しようとする問題点〕
前記した2つの従来の技術では、光路を異にする二つの
光の一方の光だけが光フアイバ内を通るようになってい
る。そのため光ファイバの周囲の温度変化、気圧変化あ
るいは光ファイバに与えられる振動などによって光ファ
イバの屈折率が変化し、このため測定回路9によって検
出される被測定物8の変位量に測定誤差として表われる
という問題点があった。
また第4図に示す従来の技術では、被測定物8の変位に
応じて第5図に示すような信号が表われるが、被測定物
8の変位方向までも判別できるようにはなっておらず、
これがため変位量は知れてもどちらの方向に変位したか
を検出することはできなかった。
本発明は前記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、
光ファイバの屈折率が各種外乱によって変化したとして
もその影響を受けることのない変位の光学的測定装置を
提供することにある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明に係る構成の最も大きな特徴点は、測定媒体であ
る干渉光の全てが光ファイバを通るようにするとともに
、変位測定の基準面を光ファイバの被測定物側出射端と
被測定物との間に設置したことであり、本発明に係る変
位の光学的測定装置は、直線偏光を発するレーザ発振器
と、電源によって駆動され前記レーザ発振器から出た光
の位相を変調する電気光学結晶と、前記電気光学結晶か
ら出射された光が入射され、被測定物側に出射するとと
もに、被測定物側からの反射光を導き他端側から出射す
る、入射光の偏光面を保持する作用のある偏光面保存光
ファイバと、前記光ファイバの被測定物側端部と被測定
物との間に位置し、測定基準面となる入射表面上で透過
光と反射光に分離し、透過光が偏光方向を変えずに逆方
向から入射すると光の偏光方向を入射した時点と90°
変わるようになした1/4波長板と、前記光ファイバの
電気光学結晶側端部から出射された反射光を偏光面によ
って2分割する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビー
ムスプリッタで分割されたそれぞれの光の明るさが最大
または最小となるときの前記電気光学結晶への印加電圧
を検出し、この印加電圧差から被測定物の変位量を算出
する測定部と、を備えたことを特徴とするものである。
〔作用〕
次に本発明の作用を本発明の実施例の全体概要図である
第1図を参照して説明する。
偏光面保存光ファイバ16の出射端であるファイバ端部
16B前方に測定基準面22を設け、この基準面22で
の反射光も被測定物18の表面での反射光と同様に光フ
アイバ16内を通るので、偏光ビームスプリッタ26で
分離された二つの光I、、I、の光路差に光ファイバ1
6の存在が影響を与えなくなり、その結果光ファイバ1
6の屈折率の変化によって測定誤差が生ずることがなく
なる。
〔実施例〕
次に本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の実施例の全体概要図であり、この図に
おいて、符号11はレーザ発振器で、このレーザ発振器
11によって出射されるレーザ光の光軸上には、高周波
電源13によって駆動され、入射光の位相を変調するた
めの電気光学結晶12が設置されている。電気光学結晶
12を経た光の光軸上寥は光の一部を反射し、一部を透
過させるビームスプリッタ14が配置されている。ビー
ムスプリッタ14の透過光Bの光軸上には、入射光の偏
光面をそのままの状態で光を導く偏光面保存光ファイバ
16の一端16Aが配置され、透過光Bはこの光ファイ
バ16に導かれてファイバ他端部16Bから被測定物1
8に向って出射されるようになっている。偏光面保存光
ファイバ16は、第3図に示されるように、中央のコア
16A、その外周にあるクラッド16B、その外周の楕
円ジャケラ)16C1最外周にあるサポート管16Dか
ら構成されており、コア16Aに集光された光はクラッ
ド16Bとの境界面で全反射をくり返しながらコア16
Aの中を進行するようになっている。
光ファイバ160両端部16A、16B近傍にはレンズ
20(20A、20B)が配置されており、光ファイバ
16の入射端への集光および光7アイパ16からの出射
光の平行化をおこなうようになっている。レンズ20B
の前方には測定基憔面22となる表面上で入射光Bを反
射光B1と透過光B2とに分離し、透過光B2が偏光方
向を変えずに逆方向から入射すると光の偏波面を入射し
た時点と90°変える作用のある1/4波長板24が設
置されており、この1/4波長板24表面の測定基準面
22で反射した光Blおよび1/4波長板24を透過し
て被測定物18表面で反射し、1/4波長板を透過した
光B、は光ファイバ16を通って再びビームスプリッタ
14に入射されるようになっている。
ビームスプリッタ14によって分離される反射光Iの光
軸上には偏光面の違いによって二つの光Il、I2に分
離する偏光ビームスプリッタ26が設けられており、こ
の偏光ビームスプリッタ26で分離された光11.I、
のそれぞれの光軸上には光電変換によって光を電気信号
に変換する光検出器28,29、これらの光検出器28
.29によって検出される電気信号の最大値(又は最小
値)を検出する極大(又は極小)検出回路30,31、
これらの検出回路30.31によって検出されたンプル
ホールド回路32.33が順次設けられており、サンプ
ルホールド回路32.33は引算回路34に接続されて
、サンプルホールド回路32゜33でそれぞれ記憶され
た電圧v1.v2の差を算出するようになっている。す
なわち光検出器28゜29、極大(又は極小)検出回路
30,31、サンプルホールド回路32.33、引算回
路34によって偏光ビームスプリッタ26で分離された
2つの光Il、I2の明るさの最大(又は最小)値の差
から被測定物18の変位量を測定する測定部40が構成
されている。
さらに、本実施例による被測定物18の変位測定につい
て説明する。
電気光学結晶12は第2図に示すような直交3軸X、Y
、Zを有し、光重の入射方向にleなる長さを有してい
る。いまXz平面に平行な面を偏光面とする直線偏光I
xiOJ″−Z方向に進行するときの結晶の屈折率をn
x、同様にYZ面に平行な面を偏光面とする直線偏光エ
アが2方向に進行するときの結晶の屈折率をエアとする
と、 nx、 nyは次式で示される。
nx=nKo+Kxv           ・・・(
1)ny ==jly0+に、V          
  ・(21但し、■は電気光学結晶12への印加電圧
Kx、にアは電気光学結晶の種類によって定まる定数、
”!Os ”70は結晶への印加電圧がOのときの屈折
率である。
屈折率nxとエアとの差をΔnとすると、Δn = n
 、 −n x =n、0−nx0+(K、−Kx)V   ・(3)レ
ーザ光の偏光面は電気光学結晶12のX軸に対して45
°傾斜したX 2面に平行となるように電気光学結晶が
設置されており、レーザ光は電気光学結晶のX2面に平
行な偏光面を持つ光I工とYZ面に平行な偏光面を持つ
光■2とに分解される。ここで■X、■Yがそれぞれ電
気光学結晶12を出射するときの位相をφXc、φyc
とすると次式が得られる。
2π φxc””   n・l・        ・・・(4
)λ 但し、lcは電気光学結晶の長さ、λはレーザ発振器1
1から発せられるレーザ光の波長である。
ビームスプリッタ12を通過した光IX、IYは偏光面
保存光ファイバ16に集光(符号Bで示す)されるが、
光ファイバ16は、第3図に示されるように、第2図に
示す電気光学結晶12のY軸と光ファイバ16のY軸と
が一致するように配置されており、光ファイバ16に入
射される光重Xの偏光面は第3図XZ面、光■Yの偏、
L面は第3図YZ面にそれぞれ平行な面となっている。
このとき、光’X+”Yが光フアイバ16中を進行する
ことKよる位相の変化φxF、φア、は次式で示される
ここでφ工F、φアFはそれぞれ光IX* IYが受け
る位相の変化である。
但し、nzpは光ファイバ16の光IYに対する屈折率
、nxyは光ファイバ16の光IXに対する屈折率、l
)−は光ファイバの長さである。
光ファイバ16を出射した光はレンズ20Bを経て1/
4波長板24表面に形成されている測定基準面22に入
射する。1/4波長板24と光ファイバ16の出射端1
6Aとの配置関係は、光ファイバ160X−Y軸と17
4波長板24の結晶軸X−Y軸とが相対的に45°傾斜
した状態となるように配置されている。すなわち、光フ
ァイバ16からの出射光IXの偏光面が1/4波長板の
結晶軸Xと45°傾斜した状態となるように光ファイバ
16と1/4波長板24とが配置されている。レンズ2
0Bを出た光Bの一部は、第1図符号Blで示されるよ
うに、基準面24で反射され、残りは符号B、で示され
るように1/4波長板24を透過して被測定物18の表
面で反射する。
すなわち基準面22への2種類の入射光重xとIYがそ
れぞれ基準面22と被測定物18の表面で反射し、基準
面22からレンズ20Bに向つ光は4種類の反射光とな
っている。この4種類の反射光の偏光面を考えると、 (1)光IXの一部は基準面22で反射するが、この反
射光の偏光面は変化せず、光IXの偏光面と同じである
。この光をI(X−λ/4)Xトおき、その位相変化を
φlとする。
(2)光IYの一部は基準面22で反射するが、この反
射は光の偏光面も変化せず、光IYの偏光面と同じであ
るOこの光をI(y・λ/4)Yとおき、その位相変化
は前記光I(X−λ/4)Xの位相変化と同様にφ!で
ある。
(3)光IXは1/4波長板24を通過し、被測定物1
8の表面で反射し、再び1/4波長板24を通過すると
偏光面が90°変化する。すなわち、光重Yと同じ偏光
面となる。この光をI (X−M)Yとおき、その位相
変化をφ。とすると、次式が得られる。
但し、1.は1/4波長板22の出射側の面から被測定
物18の表面までの距離、nlは空気の屈折率、φ2は
光IXが1/4波長板24を通過するときに受ける位相
変化と被測定物18の表面で反射するときに受ける位相
変化の和である。
(4)光IYは1/4波長板22を通過し、被測定物1
8の表面で反射し、再び1/4波長板24を通過すると
偏光面が90°変化する。すなわち、光重Yは光重Xと
同じ偏光面となる。この光を工(Y−M)Xとおき、そ
の位相変化は前記(8)式と同じφ、となる。
以上4種類の反射光I(X・λ/4)Xs I(Y・λ
/4)yt工(X−M)Y t I(Y−M)Xは再び
レンズ20B、光ファイバ16、レンズ20Aを通過し
、ビームスプリッタ14で一部反射し、偏光ビームスプ
リッタ26に入射する。偏光ビームスプリッタ26にお
いて、光重Xと同じ偏光面をもつ光は透過し、光IYと
同じ偏光面をもつ光は反射するようになっており、偏光
ビームスプリッタ26を透過した光をI8、ここで反射
した光をI2とすると、光Le IYは次式で示される
■ I+=I’(x−λ/4)x+I(y−m)x+2
1′(x・λ/4)X−IICY−M)X−CO5φX
・・・(9) 但し、I’(X−λ/4)xは反射光I(X−2/4)
Xが偏光ビームスプリッタ26を透過したときの明るさ
で、I(x−λ/4)Xよりわずかに減光したものとな
っているo工′(Y−M)Xは反射光I (Y−M)X
が偏光ビームスズ11ツタ26を透過したときの明るさ
で、 I(Y−M)Xよりわずかに減光したものとなっ
ている。φXはI’(X・λ/4)XとI′(Y−M)
X  の位相差である・ ここでφXについて検討する。
まず、I ’(X−λ/4)Xの位相を電気光学結晶1
20入射端における位相を基準としてφ(X−λ/4]
x  とおくと、次式が得られる。
φ(X−λ/4)X”φxc+2φXF+φg   ”
(10)但し、I3は光■Xが電気光学結晶12の出射
端から光ファイバ】6の入射端まで進行するときの位相
変化と光ファイバ16の出射端から1/4波長板240
基準面22までの間を往復するときの位相変化と、光フ
ァイバ16の入射端から偏光ビームスプリッタ26の出
射端まで進行するときの位相変化の和である。
つぎにI ’(Y −M ) Xの位相をφ(Y−M)
Xとおくと一次式が得られる。
φ(Y−M)X :φFF+φxl+φ3+φyc+φ
m・・・(11) この(11)式と前記(10)式から次式−が得られる
φX:φCX−274)X−φ(Y@M)!=φxF−
φ、2+φxc−φYC−φm ”” (12)■ 同
様にして光重2は次式で示される。
・・・(13) 但し、l1y−λ/4)Yは反射光I(Y、λハ)Yが
偏光ビームスプリッタ26を透過したときの明るさで、
 I(Y−λ/4)Yよりわずかに減光したものとなっ
ているts  I ’(X 、M )Yは反射光I (
X−M)Yが偏光ビームスプリッタ26を透過したとき
の明るさで、I(X−M)Yよりわずかに減光したもの
となっている。IYは工′(Y、λ/4)Y と1′(
X−M)Y  の位相差である〇 ここでIYについて検討すると、前記のと同様に−”(
Y・λ/4)Y* ”(X*M)Yの位相を、電気光学
結晶12の入射端における位相を基準にしてそれぞれφ
(Y・λ/4)Y+φ(I4)yとおくと次式が得られ
る〇φ(Y−2/4)y=2φyF+φ3+φYC・・
・(14)φ(X−M)Y =φXF+φFP+φ3+
φxc十φ□・・・(15) 但し、(14) (15)式におけるI3はIYが電気
光学結晶12の出射端から光ファイバ16の入射端まで
進行するときの位相変化と、光ファイバ16の出射端か
ら1/4波長板24の基準面22までの間を往復すると
きの位相変化と、光フアイバ160入射端から偏光ビー
ムスプリッタ26の出射端まで進行するときの位相変化
の和であり、前記(10) (11)式におけるI3と
同一値となる。
また(14) (15)式からは次式が得られる。
φY:φ(y−λ/4)Y−φ(X−M)Y=φア、−
φXF+φyc−φxc−φm  ”’(16)また、
(31<41式からは次式が得られる。
・・・(17) ここで、 とおくと、(17)式は(19)式になる。
φxc−φYc=φKl+φに2V     −(19
)この(19)式を(12)式(16)式にそれぞれ代
入すると。
φX=φ8F−φFF+φに1+φに2V−<6   
= (20)φY=φFF−φ8F−φKl  ’fi
KzV  (I’m  = (21)この(20)、 
 (21)式において、φ工、−φyF=Δφ、とおく
と、(20) (21)式はそれぞれφX=ΔφF+φ
Kl+φに2V−φ、   ・・・(22)9Sy=−
Δ<6F−<I’に1−φに2V−4m   ・” (
23)となる。
電気光学結晶2は高周波電源13によって高周波電圧が
印加されているが、(22) (23)式かられかるよ
うに、電気光学結晶12を高周波電源13で駆動すると
、φX、φYが変化する。φXφYが変化すると、(9
)・(13)式から明らかなように、光11゜I、の明
るさが変化する。光Il、I、の明るさの変化を光検出
器28.29によって電気信号に交換すると、φX、φ
Yが φX=2πN 、  φY=2πN′ (但し、N、N’は整数である)  ・・・(24)と
なった瞬間に光11.I、の明るさが極大となり、また
、φX=π(1+2N)、  φY=π(1+2N’)
(但し、N、N’は整数である)   ・・・(25)
となった瞬間に光11mI2の明るさが極小となる。
極大(又は極小)検出回路30によってφx=2πN又
はπ(2N+1)、  どなる瞬間を検出し、このとき
電気光学結晶12に印加されている電圧をvxlとする
と、(22)式から次式が得られる。
同様にして極大(又は極小)検出回路31によってφY
=2πN′又はπ(2N’+1)となる瞬間の電圧をv
Ylとすると、(23)式から次式が得られる。
N=N’ ト1. テ(26) (27) 式テ示すf
L;b VXI 、 Vytヲ引算回路34で引算した
結果をvrnとすると。
Vnl=vxt−vyl= −φm      ”・(
28)φに2 ・°・φm:二vmφに2      = (29)す
なわち、電気光学結晶12に印加されている電圧V□を
測定することによってφ□が求まる。この結果を(8)
式に代入すると。
となる。この(30)式において、λ、n□φ2はいず
れも一定であるから、1/4波長板24の裏面からの距
離1m、すなわち被測定物18の変位量は、φ1の値、
すなわち電気光学結晶への印加電圧差v0によって求め
られることとなる。
〔発明の効果〕
このように本発明によれば、光ファイバを用いているの
で光路をわん曲させることができ、従来測定できなかっ
た位置での測定が可能となるとともに、光ファイバの特
性が周囲温度の変化、振動等の影響を受けて変化しても
測定精度には無関係であるので、高精度の測定が可能で
ある。さらに被測定物の変位方向も判別することができ
る。
また、本発明の実施例では、被測定物18の近傍に測定
基準面22を設けているので、測定媒体となる干渉光の
光路差の空気領域は被測定物18と174波長板24と
の間の距離1.lflだけとなって、空気の屈折率の影
響をほとんど受けずに高精度の測定が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例の全体概要図、第2図は本発
明の実施例に使用する電気光学結晶の斜視図、第3図は
本発明の実施例に使用する佃光面保存光ファイバの横断
面図、第4図は従来の変位測定装置の全体概要図、第5
図は従来の変位測定装置のディスプレイに表示される被
測定物の変位量と干渉光の明るさとの関係を示す図であ
る。 11・・・レーザ発振器、12・・・電気光学結晶、1
4・・・ビームスプリッタ、16・・・偏光面保存光フ
ァイバ、18・・・被測定物、22・・・測定基準面、
24・・・1/4波長板、26・・・偏光ビームスプリ
ッタ、28.29・・・光検出器、30.31・・・極
太(又は極小)検出回路、32.33・・・サンプルホ
−ルド回路、34・・・引算回路、40・・・被測定物
変位量測定部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)直線偏光を発するレーザ発振器と、電源によつて
    駆動され前記レーザ発振器から出た光の位相を変調する
    電気光学結晶と、前記電気光学結晶から出射された光が
    入射され、被測定物側に出射するとともに、被測定物側
    からの反射光を導き他端側から出射する、入射光の偏光
    面を保持する作用のある偏光面保存光ファイバと、前記
    光ファイバの被測定物側端部と被測定物との間に位置し
    、測定基準面となる入射表面上で透過光と反射光に分離
    し、透過光が偏光方向を変えずに逆方向から入射すると
    光の偏光方向を入射した時点と90°変わるようになし
    た1/4波長板と、前記光ファイバの前記電気光学結晶
    側端部から出射された反射光を偏光面によつて2分割す
    る偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタ
    で分割されたそれぞれの光の明るさが最大又は最小とな
    るときの前記電気光学結晶への印加電圧を検出し、この
    印加電圧差から被測定物の変位量を算出する測定部と、
    を備えたことを特徴とする変位の光学的測定装置。
JP60167287A 1985-07-29 1985-07-29 変位の光学的測定装置 Granted JPS6227603A (ja)

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JPS6227603A true JPS6227603A (ja) 1987-02-05
JPH0376845B2 JPH0376845B2 (ja) 1991-12-06

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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