JPS59116007A - 表面の測定方法 - Google Patents

表面の測定方法

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JPS59116007A
JPS59116007A JP58213422A JP21342283A JPS59116007A JP S59116007 A JPS59116007 A JP S59116007A JP 58213422 A JP58213422 A JP 58213422A JP 21342283 A JP21342283 A JP 21342283A JP S59116007 A JPS59116007 A JP S59116007A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、干渉計による表面測定法に関するものである
〔従来技ilT :1 多くの技(1′i的、r1学的用途て(−[、表面のト
ポグラフイ−と構造を、高い解像力で検査し評価しなけ
ればならない。特に重要なのは、マスク締部の位置を、
細分の1マイクロメートルまで精密に決定しなければな
らない、フォトリソグラフの用途である。
このように高い精度を必要とするため、この種の用途に
は光学的方法、とりわけ、干渉計による方法が、特に適
している。したかつて、例えばヨーロッパ特許出願明細
書第21148号には、縁部の位置を、より一般的にい
えば表面のトポグラフィ−を検査するのに使用できる干
渉計による測定法か記載されている。実際の測定信号は
、高感度位相測定法を用いて、互に干渉しあう重ね合わ
された光束から導かれる。しかしこの方法は、高ざの差
がなく、同一平面上の散乱能が構造体となる諸点として
表わされるような構造をもつ表面の試験には、不適当で
ある。ドイツ特許出願公開明細書第2518047号に
記載されている、もう一つの干渉計による表面♂11定
法についても、同じことがいえる。
平滑な表面を検査する場合、先行技術ては、反射光また
は散乱光の位相d1す定てはなくて、強度測定を行う。
かかる試験中に試験システムの光軸に体する各点の距離
または絶対位置を測定すべき場合、先行技術によれば、
試験光束と被験表面を相対的に、移動することが必要で
ある。
強度測定のもう一つの欠点は、評価の際の制度が限定さ
れていることである。強度信号の絶対値は、一方では、
多くの場合正確にはわがっていない複数のパラメータに
依存しており、他方ではこれらの信号が高度に非線形で
あることが多いということによって左右される。例えば
、縁部が交差する場合に反射または散乱される光線を測
定すると、出力信号は階段上であり、あるいは暗視野測
定器の場合にはパルスの形をとる。一般に、このように
して得られた曲線上の特定の点を用いて、その縁部の厳
密な位置を定義する。しかしこの点の位置は、正確には
決定出来ず、或は、後で信号処理を施した後でしが決定
できず、この点と縁部の実際の位置が一散するのは、理
想的な条件の場合だけである。
〔発明の目的及び概要〕 従って光学測定システムと被験表面を相対的に移動させ
ずに、平面上の散乱点の位置を極めて、正確にタリ定す
ることができる、上記の種類の新規な測定方法を提供す
ることが、本発明の目的である。ざらに、この方法を実
施するための、余り精巧でなく安価な装置か提供される
ここに提供するタリ定法によれば、散乱構造(たとえば
、光学特性の異なる二つの領域の間のパ縁部″)を光軸
に対照的に入射する二本の光束で照射する。二本の入射
光束によって散乱構造で形成される散乱波は散乱エレメ
ントの光軸からの距離に正比例する。相互位相差をもっ
ている。当該技術で知られている、二つの散乱波間の位
相差を測定するための高感度の測定方法を用いると、こ
の距離を極めて高い精度で決定することができる。
その結果得られる出力信号は、厳密に線形であり、した
かつて正確に解釈することができる。
この方法を実施するために使用される測定器は、暗視野
照射の原理にもとづいて動作し、(直接反射光ではなく
)散乱構造で散乱きれる光りのみを位相測定のために評
価するものである。この測定器の構造は比較的単純であ
る。
本発明の方法によれば、光学系と被タリ定表面蓚相対的
に移動きせることなく、散乱物体の光軸に対する絶対位
置を極めて正確に測定することが可能になる。この方法
の実施および測定器の製造にかかる費用は、僅かであり
、誤差発生源の影響もやはり僅かであり、しかも測定速
度は大きい。いくつかの光学的パラメーター(例えば使
用する光束の開口角度等)を変えるだけで、この測定器
を複数の測定作業に適合させることができる。制御シス
テムを追加すると、この測定方法を例えばフォトリソグ
ラフ・マスク用など、極めて高精度の位置決めシステム
の基礎として用いることができる。
〔実施例〕
第1図は、物体の表面3にy軸(光学系の軸)θ に関して対称的に−の角度で入射する、互にコヒーレン
トな2つの平面波(光束1および2)を示すものである
。散乱点は、表面3上のy軸がら、距離Xの所に存在す
ると仮定する。二つの平面波1および2の相対位相位置
は、点0(x−y座標系の原点)で値がOとなるように
調整されているものと仮定する。散乱点Xから放射され
、光束1および2中の2本の光線S1およびS2によっ
て生成される球面波は、第1図に示した幾何学的条件に
もとづき、点Oでの位相と、下記の値だけ異なる。
である。) すなわち、X点で散乱される球面波の全位相差は、その
2倍、つまり下記の値になる。
二つの散乱された球面波では、この位相差は観察の方向
と場所には無関係となる。
位相差測定では、Δe=b・10−3πという高い解像
力をもつ高感度のタリ定方法が、先行技術で知られてい
る。二つの光束の重なり角がθ=7°のとき、λ=0.
63マイクロメートルの波長をもつヘリウム・ネオン・
レーザを使用するとすれば、y軸に対する散乱点Xの相
対位置を決定する際の測定精度は マイクロメ−1・ルとなる。
重なり角θを大きくすると、測定精度をざらに高めるこ
と力くできる。
互に垂直に偏光きれた二つの光束の位相差を正確に測定
する方法が、ヨーロッパ特許出願第1]708号に記載
されている。2本の光束(この場合は表面を照射するた
めに用いられる)が生成きれ複屈折光学素子によって再
結合される。位相差自体は、電気光学的補正によって求
められる。最新の動的干渉計による同様の位相差測定方
法も、知られている。
X値がπを上回らない限り、位相差Δeと光軸からの距
1−IItxの間には、一義的な従属関係が成立する。
X値がπを越える場合は、 λ の周期をもつ鋸歯状曲線(第5B図)が得られる。
多くの用途では、例えばフォトリソグラフィ・プロセス
におけるフ副トマスクおよび半導体ウェハの線幅測定に
は、この多値性は望ましくない。
表面を相対的に移動させることによって、鋸歯状曲線が
最初から得られる場合にのみ、光軸からの距離の一義的
な値を求めることがてきる。この望ましくない多値性は
、回折を抑制した光束径路を用いることによって除かれ
る。
第2図は、実際に好んで用いられる回折抑制光束径路を
示したものである。この径路中て、重ね合わされた光束
か収束され、その結果化じる重ね合ねされた視野(焦点
)の直径りは、方程式2の単−域より小きくなる。回折
理論によれ(fこの直径りの値は であり、従ってエアリ−の縁板を形成するので、このた
めに必要な条件は、開口角度Oの収束されたレーザ光線
の焦点で得られる(N、Aは光学系20の開口数である
)。
第2図に示した光束曲線の場合、互に垂直に偏光された
二つの部分光束21と22は光軸に沿って互に接し、両
部分光束の中心軸か角度Oをなして、開口角度Φで被試
験表面3上に収束される。
この光束は、比較的小きく、従って角度Φも比較的小ざ
いので、平面入射波にもとづく散乱された球面波の位相
差に関して第1図について行った説明が、この場合にも
あてはまる。
第2図にもとづり61j定器中で、焦点Oの中心での位
相差かOとなるように、光束か対照的に案内される場合
、回折円盤の縁部に反って測定した位相差は、それぞれ
−πおよび+πとなる。すなわち、焦点を横切って移動
する縁部は、二つの散乱波の位相差を直線的に一πから
+πへと変化させ、測定値△e−Oは焦点の縁部の中心
位置を極めて精確に示す。信号曲線(第5A図)が、直
線的であるため、この中心位置からの偏位は、極めて精
確に決定できる。即ち、技術的に検出されるカフ偉力は
約3・1O−3Dである。位相測定は極めて速< (0
,1ミリ秒以下)実施できるので、細度も」り定し平均
値を求めることによって、さらに高い精度を得ることが
できる。
光軸に関して対象的に伸びる二つの光束は、被験表面の
凹凸や高度差によって位相差か生じ、散乱球面波の結果
として生成される測定しんこうを偽造することを防止す
る。
第3A図は、実際に使用されている測定器の更正の概略
図である。位相差は、前述の電気光学的71u正法を用
いて、散乱光中てのみ測定される。被験表面3を照射す
るレーザー光30は、入/2板3】、偏光子32、電気
光学的位相変調器33とレンズ34を通ってウラストン
・プリズム35に入射し、ここで二つの互に垂直に偏光
された部分光束(粗いi:”を線部)に分割され、反射
ダイアフラム36と収斂レンズ37(例えば、顕微鏡対
物レンズ)を通って表面3に入射する。表面3の散乱構
造から放射する光(密な1」線部の光束38a、38b
)は、反射ダイアフラム36を経て偏光子39および光
検出器40に向かい、そこでその位相差が周知の方法で
検査される。第3B図(平面図)および第3C図(側面
図)から分るように、反射ダイアフラム36は、入射光
および表面3h・らの主反射光を通す、楕円形開口部を
もつ。測定光は、斜線を施した反射面によって光検出器
40上に偏向きれる。第3A図にもとづく測定器は、こ
れで照射光から伺の干渉も受けずに暗視野観測を可能に
する。このような効果かえられるのは、反射ダイアフラ
ム36が収斂レンズ37の後方焦点面上に配置され、従
ってレンズ37と表面を経てそれ自身の上に結像される
場合である。
第4A図は、表面で散乱した光をどのようにすれば光検
出器40のみに当てることができるかについてのもう一
つの方法を示したものである。この目的のために、第4
B図および第4C図に拡大して示した相補ダイアフラム
50Aと50Bを使用する。斜線を施した部分は不透明
である。ダイアフラム50aは収斂レンズ37の後方焦
点面内の照射光束径路中に置き、ダイアフラム50bは
、第4図の反射ダイアフラム36の代りをする半反射鏡
51の後方の評価すべき光束の径路に置く。第5図にも
とづくθり定器は、反射ダイアフラムの楕円開口部を必
要としないが、分光鏡て光損失か起こる。
第5A図わよび第5B図は、上述の装置で得られた測定
曲線を示したものである。第5Δ図で使用した測定点は
、回折が制限きれていないので、光軸の下方て散乱点を
通る場合には、鋸歯状曲線が得られる。方程式(4)を
満足する回折制限測定器では、第5B図に概略的に示し
たような、位相差が光軸からの距離の関数として単調増
大する、一義的測定信号が得られる。こσ場合、敗乱体
の光軸からの距離の絶対値を、相対移動なしに決定する
ことかできる。そのための唯一の前提条件は、散乱要素
に収束光点か当たるということである。
線幅測定または二線間の距離の測定のためには、焦点の
下方て表面3を通過させる。二つの縁部の距離は、テー
ブルの移動距離と干渉計による位相III定信号との和
から導かれる。
位相感応性評価による上記の暗視野干渉法では、精巧な
手段を必要とせずに、平坦な表面上の散乱構造の絶対位
置を非常に大きな精度で測定することが可能である。こ
れらの利点は、−1i12的に使われている強度測定の
代わりに位相測定を初めて採用したことによるものであ
る。散乱要素の位置の測定精度は、光学系の解像力の3
00倍にも増大した。
ここに述べたd!す定力法は、散乱要素をもつ全ての表
面に適用できる。散乱要素としては縁部、粗面、光学的
に異なる表面間の境界領域等が含まれる。重要な応用分
野は、現代のフォトリソグラフィ工程で生じる、高度差
は僅かであるが強い散乱特性を示す2.いわゆるレジス
ト・エツジである。
上述の方法のもう一つの応用分野は、縁部および類似の
散乱構造の直線性試験である。このためには、表面をエ
ツジ方向に移動して、エツジでは、位相方向に影響を与
えるのみで光軸からの距離は変化しないようにする。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ここに提案する発明の詳細な説明するための
、散乱性表面上で重ね合わされた二つのコヒーレントな
平面波の概略図である。 第2図は、散乱表面の収束照射のための光束径路の概略
図である。 第3A図は、第1図にもとづく測定方法を実施するため
の測定器における、光束径路の原理を示したものである
。 第3B図、第3C図は、散乱光用の反射鏡の平面図およ
び側面図である− 第4Δ図、第4B図、第4c図は、第1図にもとづく測
定方法を実現するための測定器のもう一つの実施例およ
びそこで用いる相補ダイアフラムを示したものである。 第5A図、および第458図は、エツジ形構造の  。 操作中に本発明によって得られた線形出力信号の例であ
る。 1.2−・ 入射光束、sl、s2・ 光線、3・・・
被験表面、20・・・光学系、21.22・−・端光さ
れた部分光束、30・ ・レー/−131・−λ/2板
、32・・偏光学、33・・・・電気光学的位相変調器
、34・・・レンズ、35・・・ウラストン・プリズム
、36・・反射ダイアフラム、37・・収斂レンズ、3
8a、b・・・・反射光束、39  偏光学、40・・
・光検出器、42・ 楕円開口部、50a、b・・・・
相補ダイアフラム、51・・・半反射鏡。 出願人     インターナショナル・ビジヤス・マシ
ーンメ・コーポレーション代理人  弁、埋土  岡 
 1) 次  生(外1名) FIG、 3 A FIG、 3 C FIG、 4A FIG、 48 FIG、 4 C

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 互に傾き、互に垂直な偏光方向をもつ2木の光束を表面
    に当て、該表面から放射される偏光方向の異なる光波の
    位相差を測定する表面の測定方法であって、上記位相差
    を上記表面で拡散散乱されり光の2つの惰先方向を測定
    することによって求める事を特徴とする表面の1jIl
    l定方法。
JP58213422A 1982-12-20 1983-11-15 表面の測定方法 Granted JPS59116007A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP82111809A EP0112399B1 (de) 1982-12-20 1982-12-20 Interferometrisches Messverfahren für Oberflächen
EP82111809.8 1982-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59116007A true JPS59116007A (ja) 1984-07-04
JPH0336164B2 JPH0336164B2 (ja) 1991-05-30

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ID=8189414

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JP58213422A Granted JPS59116007A (ja) 1982-12-20 1983-11-15 表面の測定方法

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US (1) US4764014A (ja)
EP (1) EP0112399B1 (ja)
JP (1) JPS59116007A (ja)
DE (1) DE3275657D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6227603A (ja) * 1985-07-29 1987-02-05 Hitachi Ltd 変位の光学的測定装置
JPS62235508A (ja) * 1986-03-03 1987-10-15 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ センタリングエラーの検出装置
CN106524903A (zh) * 2015-09-14 2017-03-22 株式会社三丰 光电式编码器

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0313681A1 (en) * 1987-10-30 1989-05-03 Ibm Deutschland Gmbh Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment
US5098190A (en) * 1989-08-07 1992-03-24 Optra, Inc. Meterology using interferometric measurement technology for measuring scale displacement with three output signals
CA2118110C (en) * 1992-05-05 2002-08-13 Donald K. Mitchell Apparatus for detecting relative movement
US5486923A (en) * 1992-05-05 1996-01-23 Microe Apparatus for detecting relative movement wherein a detecting means is positioned in the region of natural interference
US5317385A (en) * 1992-12-16 1994-05-31 Federal Products Corporation Portable extended life metrology system for measuring scale displacement with three output signals using a pulsed source
US5798829A (en) * 1996-03-05 1998-08-25 Kla-Tencor Corporation Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample
US6804009B2 (en) * 2000-05-03 2004-10-12 The Regents Of The University Of California Wollaston prism phase-stepping point diffraction interferometer and method
US7916308B2 (en) * 2003-04-01 2011-03-29 Seagate Technology Llc Method and optical profiler
US11287627B2 (en) * 2017-06-30 2022-03-29 Chrysanthe Preza Multi-focal light-sheet structured illumination fluorescence microscopy system
CN113547512B (zh) * 2021-08-04 2022-09-06 长春电子科技学院 一种钳体加工用的智能检测机械手

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3958884A (en) * 1974-04-24 1976-05-25 Vickers Limited Interferometric apparatus
SU520507A1 (ru) * 1975-03-03 1976-07-05 Предприятие П/Я В-8584 Устройство интерференционного измерени проекции вектора перемещени поверхности диффузно-отражающего обьекта
US4188122A (en) * 1978-03-27 1980-02-12 Rockwell International Corporation Interferometer
JPS567006A (en) * 1979-06-22 1981-01-24 Ibm Method of extending measurement range of interference
DE3071858D1 (en) * 1980-07-31 1987-01-22 Ibm Method and device for optical distance measurement

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6227603A (ja) * 1985-07-29 1987-02-05 Hitachi Ltd 変位の光学的測定装置
JPH0376845B2 (ja) * 1985-07-29 1991-12-06 Hitachi Ltd
JPS62235508A (ja) * 1986-03-03 1987-10-15 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ センタリングエラーの検出装置
CN106524903A (zh) * 2015-09-14 2017-03-22 株式会社三丰 光电式编码器
CN106524903B (zh) * 2015-09-14 2022-06-07 株式会社三丰 光电式编码器

Also Published As

Publication number Publication date
EP0112399A1 (de) 1984-07-04
EP0112399B1 (de) 1987-03-11
DE3275657D1 (en) 1987-04-16
US4764014A (en) 1988-08-16
JPH0336164B2 (ja) 1991-05-30

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