JP3508988B2 - 位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法 - Google Patents
位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
加工用位相シフト量測定方法に関し、特に、半導体素子
の製造におけるフォトリソグラフィー工程中に被投影原
板として用いられる位相シフトフォトマスクの中でも、
ガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマスク、ある
いは、ホログラムパターン加工用の原板となるガラス彫
り込み型クロムレス位相シフトマスク等における位相シ
フター加工工程中にガラス基板エッチング加工量、つま
り、位相差加工量を直接計測するための方法に関する。
加工用位相シフト量測定方法に関し、特に、半導体素子
の製造におけるフォトリソグラフィー工程中に被投影原
板として用いられる位相シフトフォトマスクの中でも、
ガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマスク、ある
いは、ホログラムパターン加工用の原板となるガラス彫
り込み型クロムレス位相シフトマスク等における位相シ
フター加工工程中にガラス基板エッチング加工量、つま
り、位相差加工量を直接計測するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、ガラス彫り込み型レベンソン型
位相シフトマスクの加工工程を示す。図３（ａ）に示す
ように、石英ガラス等の透明基板３１の表面にクロム等
の遮光膜３２を設け、その上にレジスト膜３３を成膜す
る。次いで、そのレジスト膜３３にラインアンドスペー
ス等の繰り返し開口パターンを露光して現像することに
より、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜３３に開口
部３４を形成し、開口部３４を通して露出した遮光膜３
２をエッチングすることにより、図３（ｃ）に示すよう
に、遮光膜３２に隣接して交互に繰り返す開口３６、３
６’が形成される。その後、レジスト膜３３を剥離して
図３（ｄ）に示すような遮光膜パターンが設けられたマ
スクが得られる。
位相シフトマスクの加工工程を示す。図３（ａ）に示す
ように、石英ガラス等の透明基板３１の表面にクロム等
の遮光膜３２を設け、その上にレジスト膜３３を成膜す
る。次いで、そのレジスト膜３３にラインアンドスペー
ス等の繰り返し開口パターンを露光して現像することに
より、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜３３に開口
部３４を形成し、開口部３４を通して露出した遮光膜３
２をエッチングすることにより、図３（ｃ）に示すよう
に、遮光膜３２に隣接して交互に繰り返す開口３６、３
６’が形成される。その後、レジスト膜３３を剥離して
図３（ｄ）に示すような遮光膜パターンが設けられたマ
スクが得られる。
【０００３】次に、図３（ｅ）に示すように、そのマス
クの遮光膜パターン上に第２レジスト膜３７を成膜し、
遮光膜パターンの１個おきの開口３６’上にパターン露
光３８を行い、現像することにより、図３（ｆ）に示す
ように、第２レジスト膜３７に開口部３９を形成し、次
に、図３（ｇ）に示すように、その開口部３９と遮光膜
パターンの１個おきの開口３６’とを通して露出した透
明基板３１を所定深さの彫り込み４０をエッチングし、
その後レジスト膜３７を剥離して図３（ｈ）に示すよう
なガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクが得
られる。
クの遮光膜パターン上に第２レジスト膜３７を成膜し、
遮光膜パターンの１個おきの開口３６’上にパターン露
光３８を行い、現像することにより、図３（ｆ）に示す
ように、第２レジスト膜３７に開口部３９を形成し、次
に、図３（ｇ）に示すように、その開口部３９と遮光膜
パターンの１個おきの開口３６’とを通して露出した透
明基板３１を所定深さの彫り込み４０をエッチングし、
その後レジスト膜３７を剥離して図３（ｈ）に示すよう
なガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクが得
られる。
【０００４】従来、図３（ｇ）に示すような基板彫り込
み加工においては、エッチング終点が存在しないため、
エッチングの方法に係わらずその終点を検出することは
不可能であった。
み加工においては、エッチング終点が存在しないため、
エッチングの方法に係わらずその終点を検出することは
不可能であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、このようなエッ
チング終点検出ができなかった基板彫り込み加工では、
基板を彫り込まなかった開口３６の領域と彫り込んだ開
口３６’の領域との位相差精度を向上させるためには、
図３（ｈ）に示すように、一旦位相マスクパターンが形
成された後、開口３６の領域と彫り込んだ開口３６’の
領域との位相差を検査し、エッチング不足分を、図３
（ｅ）〜（ｈ）の工程を再度追加して補う必要があっ
た。この方法では、位相シフター形成のためのフォトリ
ソグラフィー工程が１サイクル増すため、工程数の増
加、外観不良発生の誘発等問題があった。
チング終点検出ができなかった基板彫り込み加工では、
基板を彫り込まなかった開口３６の領域と彫り込んだ開
口３６’の領域との位相差精度を向上させるためには、
図３（ｈ）に示すように、一旦位相マスクパターンが形
成された後、開口３６の領域と彫り込んだ開口３６’の
領域との位相差を検査し、エッチング不足分を、図３
（ｅ）〜（ｈ）の工程を再度追加して補う必要があっ
た。この方法では、位相シフター形成のためのフォトリ
ソグラフィー工程が１サイクル増すため、工程数の増
加、外観不良発生の誘発等問題があった。
【０００６】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、ガラス彫り込み
型レベンソン型位相シフトマスク等における位相シフタ
ー加工工程中に、レジストパターンを剥離することなく
位相差加工量を直接計測するための方法を提供すること
である。
みてなされたものであり、その目的は、ガラス彫り込み
型レベンソン型位相シフトマスク等における位相シフタ
ー加工工程中に、レジストパターンを剥離することなく
位相差加工量を直接計測するための方法を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法は、
透明基板の所定パターン部分をエッチングすることによ
り位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の
際、エッチングされない透明基板裏面より光ヘテロダイ
ンン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビ
ームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エ
ッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、一方の
干渉計の基準面からのその被エッチング面の変位量を計
測し、他方の干渉計の基準面からのその非エッチング面
の変位量を計測し、それらの変位量の差からエッチング
量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エ
ッチング部の間の位相差を求めることを特徴とする方法
である。
明の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法は、
透明基板の所定パターン部分をエッチングすることによ
り位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の
際、エッチングされない透明基板裏面より光ヘテロダイ
ンン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビ
ームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エ
ッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、一方の
干渉計の基準面からのその被エッチング面の変位量を計
測し、他方の干渉計の基準面からのその非エッチング面
の変位量を計測し、それらの変位量の差からエッチング
量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エ
ッチング部の間の位相差を求めることを特徴とする方法
である。
【０００８】
【０００９】この場合、２台のマイケルソン干渉計は、
共通の対物光学系を備え、その２台のマイケルソン干渉
計からの測定光ビームを相互に平行に近接させて前記透
明基板の裏面より入射させることが望ましい。
共通の対物光学系を備え、その２台のマイケルソン干渉
計からの測定光ビームを相互に平行に近接させて前記透
明基板の裏面より入射させることが望ましい。
【００１０】また、その対物光学系はその後側焦点面近
傍に絞りを備えていることが望ましい。
傍に絞りを備えていることが望ましい。
【００１１】
【００１２】本発明においては、従来、エッチング終点
検出ができなかった基板彫り込み加工に対し、加工中に
基板裏面より被エッチング面の変位量を非接触・非破壊
で直接正確に測定を行うことが可能になるため、加工精
度の向上、工程の短縮が可能となる。この方法をオフラ
インで使用すると、フォトリソグラフィー工程が短縮可
能でき、また、エッチング装置に組み込みインラインで
エッチング中に使用すると、変位量つまり位相差をリア
ルタイムで測定可能になるため、測定した位相差により
エッチング終点決定が可能になる。
検出ができなかった基板彫り込み加工に対し、加工中に
基板裏面より被エッチング面の変位量を非接触・非破壊
で直接正確に測定を行うことが可能になるため、加工精
度の向上、工程の短縮が可能となる。この方法をオフラ
インで使用すると、フォトリソグラフィー工程が短縮可
能でき、また、エッチング装置に組み込みインラインで
エッチング中に使用すると、変位量つまり位相差をリア
ルタイムで測定可能になるため、測定した位相差により
エッチング終点決定が可能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の位相シフトマスク加工用
位相シフト量測定方法は、加工途中の位相シフトマスク
を直接位相差測定を行うために、高精度・非接触型の変
位計である光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン
干渉計を２台同時に用いて、１台の干渉計の測定に用い
るレーザービームをエッチングされない基板裏面を経て
被エッチング面に入射させて基準面からのその被エッチ
ング面の変位量を計測し、残るもう１台の干渉計の測定
に用いるレーザービームを同じエッチングされない基板
裏面を経てこちらは非エッチング面に入射させて基準面
からのその非エッチング面の変位量を計測する。個々の
干渉計は、参照ミラーと被測定面の間の距離を計測して
おり、それぞれの変位量の差を求めることによりエッチ
ング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と
非エッチング部の間の位相差を求めるものである。
位相シフト量測定方法は、加工途中の位相シフトマスク
を直接位相差測定を行うために、高精度・非接触型の変
位計である光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン
干渉計を２台同時に用いて、１台の干渉計の測定に用い
るレーザービームをエッチングされない基板裏面を経て
被エッチング面に入射させて基準面からのその被エッチ
ング面の変位量を計測し、残るもう１台の干渉計の測定
に用いるレーザービームを同じエッチングされない基板
裏面を経てこちらは非エッチング面に入射させて基準面
からのその非エッチング面の変位量を計測する。個々の
干渉計は、参照ミラーと被測定面の間の距離を計測して
おり、それぞれの変位量の差を求めることによりエッチ
ング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と
非エッチング部の間の位相差を求めるものである。
【００１４】本発明では、基板裏面より測定ビームを入
射させるため、基板裏面からの反射光がノイズとなる可
能性が大きい。この問題を解決するためには、共焦点光
学系を導入することによって、基板裏面からの反射光を
略遮断して被観察面の反射光のみを検出器に導き測定安
定性を向上させている。また、サンプル基板自身のガラ
ス越しに被エッチング箇所を観察するため、対物レンズ
にガラス厚補正を施す必要がある。
射させるため、基板裏面からの反射光がノイズとなる可
能性が大きい。この問題を解決するためには、共焦点光
学系を導入することによって、基板裏面からの反射光を
略遮断して被観察面の反射光のみを検出器に導き測定安
定性を向上させている。また、サンプル基板自身のガラ
ス越しに被エッチング箇所を観察するため、対物レンズ
にガラス厚補正を施す必要がある。
【００１５】以下、図面を参照にして、本発明の測定方
法実施するための１実施例の位相シフトマスク加工用位
相シフト量測定装置を説明する。図１はこの装置の光路
と被測定体を含む構成図である。この装置は、２台の光
ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計ＡとＢ
を用いており、その構成は直線Ｌに対して対称で同一で
あるので、図１には干渉計Ａの全体と干渉計Ｂの一部と
両者に共通の部分を図示してあり、干渉計Ｂの残りの部
分は図示を省いてあるが、その省いた部分は干渉計Ａの
説明から明らかになろう。なお、干渉計Ａの構成部品は
それを示す番号に“Ａ”を、干渉計Ｂの構成部品はそれ
を示す番号に“Ｂ”を付して区別してあるが、“Ａ”又
は“Ｂ”を除けば、番号が同じであれば干渉計Ａの構成
部品と干渉計Ｂの構成部品は同じである。
法実施するための１実施例の位相シフトマスク加工用位
相シフト量測定装置を説明する。図１はこの装置の光路
と被測定体を含む構成図である。この装置は、２台の光
ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計ＡとＢ
を用いており、その構成は直線Ｌに対して対称で同一で
あるので、図１には干渉計Ａの全体と干渉計Ｂの一部と
両者に共通の部分を図示してあり、干渉計Ｂの残りの部
分は図示を省いてあるが、その省いた部分は干渉計Ａの
説明から明らかになろう。なお、干渉計Ａの構成部品は
それを示す番号に“Ａ”を、干渉計Ｂの構成部品はそれ
を示す番号に“Ｂ”を付して区別してあるが、“Ａ”又
は“Ｂ”を除けば、番号が同じであれば干渉計Ａの構成
部品と干渉計Ｂの構成部品は同じである。
【００１６】この装置において、干渉計Ａと干渉計Ｂに
共通のレーザー光源１から発振された波長λm の平行光
は、ハーフミラー５１で２本に分割され、干渉計Ａ用の
平行光はミラー５４Ａを経て音響光学素子５Ａに入射す
るようになっている。相互に周波数がνだけ異なる２つ
の発振器２Ａ、３Ａからの信号が混合器４Ａで混合さ
れ、音響光学素子５Ａに駆動信号として入力されてい
る。このような音響光学素子５Ａにレーザー光源１から
の光が入射すると、ドップラー効果により周波数が相互
にνだけ異なり、偏光面が相互に９０°異なる直線偏光
であって、進行方向が相互にわずかに異なる２つの光２
１Ａ、２２Ａが音響光学素子５Ａから射出する。
共通のレーザー光源１から発振された波長λm の平行光
は、ハーフミラー５１で２本に分割され、干渉計Ａ用の
平行光はミラー５４Ａを経て音響光学素子５Ａに入射す
るようになっている。相互に周波数がνだけ異なる２つ
の発振器２Ａ、３Ａからの信号が混合器４Ａで混合さ
れ、音響光学素子５Ａに駆動信号として入力されてい
る。このような音響光学素子５Ａにレーザー光源１から
の光が入射すると、ドップラー効果により周波数が相互
にνだけ異なり、偏光面が相互に９０°異なる直線偏光
であって、進行方向が相互にわずかに異なる２つの光２
１Ａ、２２Ａが音響光学素子５Ａから射出する。
【００１７】この２つの光２１Ａ、２２Ａは、レンズ２
３Ａ1 で相互に平行なビームになり、無偏光ビームスプ
リッター６Ａに入射し、それぞれの光２１Ａ、２２Ａは
ここで２つに分割され、反射された光２１Ａ、２２Ａ
は、偏光板７Ａを経てレンズ２４Ａにより検出器８Ａ上
の同じ位置に入射する。
３Ａ1 で相互に平行なビームになり、無偏光ビームスプ
リッター６Ａに入射し、それぞれの光２１Ａ、２２Ａは
ここで２つに分割され、反射された光２１Ａ、２２Ａ
は、偏光板７Ａを経てレンズ２４Ａにより検出器８Ａ上
の同じ位置に入射する。
【００１８】一方、無偏光ビームスプリッター６Ａを透
過した光２１Ａ、２２Ａは、レンズ２３Ａ2 、２３Ａ3
を経て相互に平行なビームとして今度は偏光ビームスプ
リッター９Ａに入射し、一方の直線偏光光２１Ａは偏光
ビームスプリッター９Ａを直通し、他方の直線偏光光２
２Ａは偏光ビームスプリッター９Ａで反射される。偏光
ビームスプリッター９Ａで反射された光２２Ａは４分の
１波長板１３Ａを透過して円偏光に変換され、基準ミラ
ー１４Ａで反対方向に反射されて再び４分の１波長板１
３Ａを透過して入射のときの偏光方向と９０°異なる偏
光方向を持つ直線偏光になって偏光ビームスプリッター
９Ａに入射し、今度はそれを直通し偏光板１５Ａを経て
レンズ２５Ａにより検出器１６Ａ上に入射する。
過した光２１Ａ、２２Ａは、レンズ２３Ａ2 、２３Ａ3
を経て相互に平行なビームとして今度は偏光ビームスプ
リッター９Ａに入射し、一方の直線偏光光２１Ａは偏光
ビームスプリッター９Ａを直通し、他方の直線偏光光２
２Ａは偏光ビームスプリッター９Ａで反射される。偏光
ビームスプリッター９Ａで反射された光２２Ａは４分の
１波長板１３Ａを透過して円偏光に変換され、基準ミラ
ー１４Ａで反対方向に反射されて再び４分の１波長板１
３Ａを透過して入射のときの偏光方向と９０°異なる偏
光方向を持つ直線偏光になって偏光ビームスプリッター
９Ａに入射し、今度はそれを直通し偏光板１５Ａを経て
レンズ２５Ａにより検出器１６Ａ上に入射する。
【００１９】偏光ビームスプリッター９Ａを直通した直
線偏光光２１Ａはミラー２６Ａで光路が変換されて、次
に説明する干渉計Ｂの同様の直線偏光光２１Ｂと共に相
互に接近して平行に４分の１波長板１０に入射して共に
円偏光に変換され、レンズ２７で光２１Ａと光２１Ｂが
相互に交差するように屈折され、その交差位置に配置さ
れた絞り２８を経て対物レンズ１１に入射し、この対物
レンズ１１で光２１Ａと光２１Ｂは再び相互に平行にな
るように屈折され、被測定体１２である加工途中（図３
（ｇ））のガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマ
スクの基板３１の裏面から入射する。
線偏光光２１Ａはミラー２６Ａで光路が変換されて、次
に説明する干渉計Ｂの同様の直線偏光光２１Ｂと共に相
互に接近して平行に４分の１波長板１０に入射して共に
円偏光に変換され、レンズ２７で光２１Ａと光２１Ｂが
相互に交差するように屈折され、その交差位置に配置さ
れた絞り２８を経て対物レンズ１１に入射し、この対物
レンズ１１で光２１Ａと光２１Ｂは再び相互に平行にな
るように屈折され、被測定体１２である加工途中（図３
（ｇ））のガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマ
スクの基板３１の裏面から入射する。
【００２０】そして、２つの光２１Ａ、２１Ｂの中の一
方の光２１Ａは、基板３１のエッチング部４０に入射
し、他方の光２１Ｂは、基板３１の非エッチング部４１
に入射するように、２つの光２１Ａ、２１Ｂの間隔が設
定されている。
方の光２１Ａは、基板３１のエッチング部４０に入射
し、他方の光２１Ｂは、基板３１の非エッチング部４１
に入射するように、２つの光２１Ａ、２１Ｂの間隔が設
定されている。
【００２１】被測定体１２の基板３１のエッチング部４
０に入射した光２１Ａは、エッチング部４０の面でフレ
ネル反射され、入射のときの光路を逆にたどり、対物レ
ンズ１１、レンズ２７、４分の１波長板１０を経て入射
のときの偏光方向と９０°異なる偏光方向を持つ直線偏
光になって偏光ビームスプリッター９Ａに入射し、今度
はそれで反射されて偏光板１５Ａを経てレンズ２５Ａに
より検出器１６Ａ上の光２２Ａが入射する位置に入射す
る。
０に入射した光２１Ａは、エッチング部４０の面でフレ
ネル反射され、入射のときの光路を逆にたどり、対物レ
ンズ１１、レンズ２７、４分の１波長板１０を経て入射
のときの偏光方向と９０°異なる偏光方向を持つ直線偏
光になって偏光ビームスプリッター９Ａに入射し、今度
はそれで反射されて偏光板１５Ａを経てレンズ２５Ａに
より検出器１６Ａ上の光２２Ａが入射する位置に入射す
る。
【００２２】ここで、干渉計Ｂについても上記干渉計Ａ
と同様であるが、ハーフミラー５１で２本に分割された
他方の干渉計Ｂ用の平行光はミラー５２で反射され、こ
ちらの光は減光器（光量調節器）５３を経て、不図示の
ミラー５４Ｂを経て音響光学素子５Ｂに入射するように
なっている。
と同様であるが、ハーフミラー５１で２本に分割された
他方の干渉計Ｂ用の平行光はミラー５２で反射され、こ
ちらの光は減光器（光量調節器）５３を経て、不図示の
ミラー５４Ｂを経て音響光学素子５Ｂに入射するように
なっている。
【００２３】以下、干渉計Ａと同様に、相互に周波数が
νだけ異なる２つの発振器２Ｂ、３Ｂからの信号が混合
器４Ｂで混合され、音響光学素子５Ｂに駆動信号として
入力されており、音響光学素子５Ｂに入射した光は、周
波数が相互にνだけ異なり、偏光面が相互に９０°異な
る直線偏光であって、進行方向が相互にわずかに異なる
２つの光２１Ｂ、２２Ｂとなって音響光学素子５Ｂから
射出する。
νだけ異なる２つの発振器２Ｂ、３Ｂからの信号が混合
器４Ｂで混合され、音響光学素子５Ｂに駆動信号として
入力されており、音響光学素子５Ｂに入射した光は、周
波数が相互にνだけ異なり、偏光面が相互に９０°異な
る直線偏光であって、進行方向が相互にわずかに異なる
２つの光２１Ｂ、２２Ｂとなって音響光学素子５Ｂから
射出する。
【００２４】この２つの光２１Ｂ、２２Ｂは、レンズ２
３Ｂ1 で相互に平行なビームになり、無偏光ビームスプ
リッター６Ｂに入射し、それぞれの光２１Ｂ、２２Ｂは
ここで２つに分割され、反射された光２１Ｂ、２２Ｂ
は、偏光板７Ｂを経てレンズ２４Ｂにより検出器８Ｂ上
の同じ位置に入射する。
３Ｂ1 で相互に平行なビームになり、無偏光ビームスプ
リッター６Ｂに入射し、それぞれの光２１Ｂ、２２Ｂは
ここで２つに分割され、反射された光２１Ｂ、２２Ｂ
は、偏光板７Ｂを経てレンズ２４Ｂにより検出器８Ｂ上
の同じ位置に入射する。
【００２５】一方、無偏光ビームスプリッター６Ｂを透
過した光２１Ｂ、２２Ｂは、レンズ２３Ｂ2 、２３Ｂ3
を経て相互に平行なビームとして今度は偏光ビームスプ
リッター９Ｂに入射し、一方の直線偏光光２１Ｂは偏光
ビームスプリッター９Ｂを直通し、他方の直線偏光光２
２Ｂは偏光ビームスプリッター９Ｂで反射される。偏光
ビームスプリッター９Ｂで反射された光２２Ｂは４分の
１波長板１３Ｂを透過して円偏光に変換され、基準ミラ
ー１４Ｂで反対方向に反射されて再び４分の１波長板１
３Ｂを透過して入射のときの偏光方向と９０°異なる偏
光方向を持つ直線偏光になって偏光ビームスプリッター
９Ｂに入射し、今度はそれを直通し偏光板１５Ｂを経て
レンズ２５Ｂにより検出器１６Ｂ上に入射する。
過した光２１Ｂ、２２Ｂは、レンズ２３Ｂ2 、２３Ｂ3
を経て相互に平行なビームとして今度は偏光ビームスプ
リッター９Ｂに入射し、一方の直線偏光光２１Ｂは偏光
ビームスプリッター９Ｂを直通し、他方の直線偏光光２
２Ｂは偏光ビームスプリッター９Ｂで反射される。偏光
ビームスプリッター９Ｂで反射された光２２Ｂは４分の
１波長板１３Ｂを透過して円偏光に変換され、基準ミラ
ー１４Ｂで反対方向に反射されて再び４分の１波長板１
３Ｂを透過して入射のときの偏光方向と９０°異なる偏
光方向を持つ直線偏光になって偏光ビームスプリッター
９Ｂに入射し、今度はそれを直通し偏光板１５Ｂを経て
レンズ２５Ｂにより検出器１６Ｂ上に入射する。
【００２６】偏光ビームスプリッター９Ｂを直通した直
線偏光光２１Ｂはミラー２６Ｂで光路が変換されて、上
記の直線偏光光２１Ａと共に相互に接近して平行に４分
の１波長板１０に入射して共に円偏光に変換され、レン
ズ２７で光２１Ｂと光２１Ｂが相互に交差するように屈
折され、その交差位置に配置された絞り２８を経て対物
レンズ１１に入射し、この対物レンズ１１で光２１Ａと
光２１Ｂは再び相互に平行になるように屈折され、基板
３１の裏面から入射する。被測定体１２の基板３１の非
エッチング部４１に入射した光２１Ｂは、非エッチング
部４１のクロム等の遮光膜３２との境界面で反射され、
入射のときの光路を逆にたどり、対物レンズ１１、レン
ズ２７、４分の１波長板１０を経て入射のときの偏光方
向と９０°異なる偏光方向を持つ直線偏光になって偏光
ビームスプリッター９Ｂに入射し、今度はそれで反射さ
れて偏光板１５Ｂを経てレンズ２５Ｂにより検出器１６
Ｂ上の光２２Ｂが入射する位置に入射する。
線偏光光２１Ｂはミラー２６Ｂで光路が変換されて、上
記の直線偏光光２１Ａと共に相互に接近して平行に４分
の１波長板１０に入射して共に円偏光に変換され、レン
ズ２７で光２１Ｂと光２１Ｂが相互に交差するように屈
折され、その交差位置に配置された絞り２８を経て対物
レンズ１１に入射し、この対物レンズ１１で光２１Ａと
光２１Ｂは再び相互に平行になるように屈折され、基板
３１の裏面から入射する。被測定体１２の基板３１の非
エッチング部４１に入射した光２１Ｂは、非エッチング
部４１のクロム等の遮光膜３２との境界面で反射され、
入射のときの光路を逆にたどり、対物レンズ１１、レン
ズ２７、４分の１波長板１０を経て入射のときの偏光方
向と９０°異なる偏光方向を持つ直線偏光になって偏光
ビームスプリッター９Ｂに入射し、今度はそれで反射さ
れて偏光板１５Ｂを経てレンズ２５Ｂにより検出器１６
Ｂ上の光２２Ｂが入射する位置に入射する。
【００２７】ここで、上記検出器８Ａ、１６Ａは何れも
音響光学素子５Ａと共役な位置に、上記検出器８Ｂ、１
６Ｂは何れも音響光学素子５Ｂと共役な位置に配置され
ており、それぞれの光２１Ａ、２２Ａあるいは２１Ｂ、
２２Ｂが相互に検出器８Ａ、１６Ａあるいは８Ｂ、１６
Ｂの検出面の位置で交差して入射する。しかも、入射す
る前にそれぞれ偏光板７Ａ、７Ｂ、１５Ａ、１５Ｂを通
過することによって偏光面がそろえられているので、２
つの光２１Ａ、２２Ａあるいは２１Ｂ、２２Ｂは相互に
干渉して周波数νのビート信号が検出器８Ａ、１６Ａあ
るいは８Ｂ、１６Ｂから得られる。
音響光学素子５Ａと共役な位置に、上記検出器８Ｂ、１
６Ｂは何れも音響光学素子５Ｂと共役な位置に配置され
ており、それぞれの光２１Ａ、２２Ａあるいは２１Ｂ、
２２Ｂが相互に検出器８Ａ、１６Ａあるいは８Ｂ、１６
Ｂの検出面の位置で交差して入射する。しかも、入射す
る前にそれぞれ偏光板７Ａ、７Ｂ、１５Ａ、１５Ｂを通
過することによって偏光面がそろえられているので、２
つの光２１Ａ、２２Ａあるいは２１Ｂ、２２Ｂは相互に
干渉して周波数νのビート信号が検出器８Ａ、１６Ａあ
るいは８Ｂ、１６Ｂから得られる。
【００２８】ここで、光ヘテロダイン干渉法の原理か
ら、一方の干渉計例えばＡについて、検出器８Ａから得
られる信号Ｉref は、 Ｉref ＝Ｃ1 ＋Ｃ2 ｃｏｓ（２πν＋φr ） ・・・（１） と書け、検出器１６Ａから得られる信号Ｉmea は、 Ｉmea ＝Ｃ1'＋Ｃ2'ｃｏｓ｛２πν＋（４πＮm ｄ／λm ）＋φm ｝ ・・・（２） と書ける。ここで、φr 、φm はそれぞれ一定の位相項
であり、被測定体１２の相対位置、基準ミラー１４Ａ、
１４Ｂの位置を含めて干渉計Ａ、Ｂの光学配置を変えな
い限り一定である。Ｎm は測定波長λm での基板３１の
屈折率、ｄは被測定体１２の基板３１の測定位置の厚さ
（ビーム２１Ａについては、被測定体１２の基板３１の
裏面とエッチング部４０の面との間の距離、ビーム２１
Ｂについては、被測定体１２の基板３１の裏面と非エッ
チング部４１の面との間の距離）である。
ら、一方の干渉計例えばＡについて、検出器８Ａから得
られる信号Ｉref は、 Ｉref ＝Ｃ1 ＋Ｃ2 ｃｏｓ（２πν＋φr ） ・・・（１） と書け、検出器１６Ａから得られる信号Ｉmea は、 Ｉmea ＝Ｃ1'＋Ｃ2'ｃｏｓ｛２πν＋（４πＮm ｄ／λm ）＋φm ｝ ・・・（２） と書ける。ここで、φr 、φm はそれぞれ一定の位相項
であり、被測定体１２の相対位置、基準ミラー１４Ａ、
１４Ｂの位置を含めて干渉計Ａ、Ｂの光学配置を変えな
い限り一定である。Ｎm は測定波長λm での基板３１の
屈折率、ｄは被測定体１２の基板３１の測定位置の厚さ
（ビーム２１Ａについては、被測定体１２の基板３１の
裏面とエッチング部４０の面との間の距離、ビーム２１
Ｂについては、被測定体１２の基板３１の裏面と非エッ
チング部４１の面との間の距離）である。
【００２９】検出器８Ａ、１６Ａから得られたそれぞれ
式（１）、（２）で表される信号Ｉref 、Ｉmea は、増
幅器１７Ａ1 、１７Ａ2 を経てコンパレータ１８Ａ1 、
１８Ａ2 により、基準値より高い信号部分は１に、低い
部分は０と２値化され、位相比較器１９Ａに入力して、
信号Ｉref を基準にして信号Ｉmea の位相差（４πＮm
ｄ／λm ）＋φm −φr が求められる。ここで、干渉計
Ａの設定を適切にすることにより、φm −φr ＝０とす
ることができる。
式（１）、（２）で表される信号Ｉref 、Ｉmea は、増
幅器１７Ａ1 、１７Ａ2 を経てコンパレータ１８Ａ1 、
１８Ａ2 により、基準値より高い信号部分は１に、低い
部分は０と２値化され、位相比較器１９Ａに入力して、
信号Ｉref を基準にして信号Ｉmea の位相差（４πＮm
ｄ／λm ）＋φm −φr が求められる。ここで、干渉計
Ａの設定を適切にすることにより、φm −φr ＝０とす
ることができる。
【００３０】予めＮm とλm が分かっており、パソコン
２０に記憶されているので、求められた位相差（４πＮ
m ｄ／λm ）から被測定体１２の基板３１の測定位置の
厚さｄが求まる。
２０に記憶されているので、求められた位相差（４πＮ
m ｄ／λm ）から被測定体１２の基板３１の測定位置の
厚さｄが求まる。
【００３１】干渉計Ａで求めたｄは、被測定体１２の基
板３１の裏面とエッチング部４０の面との間の距離であ
り、これをｄA とする。干渉計Ｂで求めたｄは、被測定
体１２の基板３１の裏面と非エッチング部４１の面との
間の距離であり、これをｄBとすると、ｄB −ｄA ＝Ｄ
が非エッチング部４１とエッチング部４０の距離の差で
あるエッチング量であり、パソコン２０において求めら
れる。
板３１の裏面とエッチング部４０の面との間の距離であ
り、これをｄA とする。干渉計Ｂで求めたｄは、被測定
体１２の基板３１の裏面と非エッチング部４１の面との
間の距離であり、これをｄBとすると、ｄB −ｄA ＝Ｄ
が非エッチング部４１とエッチング部４０の距離の差で
あるエッチング量であり、パソコン２０において求めら
れる。
【００３２】また、パソコン２０中には、測定対象のガ
ラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクを実際に
使用する波長λu とその波長λu での基板３１の屈折率
Ｎuも記憶されているので、求められたエッチング量Ｄ
と、 φu ＝２πＤ（Ｎu −１）／λu ・・・（３） の関係から、ガラス彫り込み型レベンソン型位相シフト
マスクの位相シフターの位相差φu を求めることができ
る。レベンソン型位相シフトマスクにおいてはこの位相
差φu を１８０°あるいはその奇数倍に設定する必要で
あるが、上記の測定の結果、この値から位相差φu がず
れていると判定された場合には、図３（ｇ）の工程で、
レジスト膜３７の開口部３９を通して透明基板３１をさ
らにエッチングし、位相差φu が１８０°あるいはその
奇数倍になるように加工をする。
ラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクを実際に
使用する波長λu とその波長λu での基板３１の屈折率
Ｎuも記憶されているので、求められたエッチング量Ｄ
と、 φu ＝２πＤ（Ｎu −１）／λu ・・・（３） の関係から、ガラス彫り込み型レベンソン型位相シフト
マスクの位相シフターの位相差φu を求めることができ
る。レベンソン型位相シフトマスクにおいてはこの位相
差φu を１８０°あるいはその奇数倍に設定する必要で
あるが、上記の測定の結果、この値から位相差φu がず
れていると判定された場合には、図３（ｇ）の工程で、
レジスト膜３７の開口部３９を通して透明基板３１をさ
らにエッチングし、位相差φu が１８０°あるいはその
奇数倍になるように加工をする。
【００３３】ここで、本発明の測定装置においては、個
々の干渉計Ａ、Ｂは被測定体１２までの光路中の温度・
湿度・気圧等の擾乱の影響を受けるが、測定するのは非
常に近接した２本の測定ビーム２１Ａ、２１Ｂの光路差
であるため、このような擾乱の影響は相殺され正確な測
定が可能となる。
々の干渉計Ａ、Ｂは被測定体１２までの光路中の温度・
湿度・気圧等の擾乱の影響を受けるが、測定するのは非
常に近接した２本の測定ビーム２１Ａ、２１Ｂの光路差
であるため、このような擾乱の影響は相殺され正確な測
定が可能となる。
【００３４】実際の測定いおいては、干渉計Ａ、Ｂの設
定誤差を相互に相殺させるために、まず、基準面として
非エッチング部４１の面を用いて、２本の測定ビーム２
１Ａ、２１Ｂ両方共非エッチング部４１の面に入射さ
せ、それぞれの干渉計Ａ、Ｂで非エッチング部４１の面
の変位量を求めてその差ｄ0 を求める（設定が完全であ
ればゼロになる。）。次に、１本の測定ビーム２１Ａで
エッチング部４０の変位量を、残る測定ビーム２１Ｂで
非エッチング部４１の変位量を求め、両者の変位量の差
ｄ1 を求め、ｄ1 とｄ0 の差からエッチング量Ｄ＝ｄ1
−ｄ0 が求められる。
定誤差を相互に相殺させるために、まず、基準面として
非エッチング部４１の面を用いて、２本の測定ビーム２
１Ａ、２１Ｂ両方共非エッチング部４１の面に入射さ
せ、それぞれの干渉計Ａ、Ｂで非エッチング部４１の面
の変位量を求めてその差ｄ0 を求める（設定が完全であ
ればゼロになる。）。次に、１本の測定ビーム２１Ａで
エッチング部４０の変位量を、残る測定ビーム２１Ｂで
非エッチング部４１の変位量を求め、両者の変位量の差
ｄ1 を求め、ｄ1 とｄ0 の差からエッチング量Ｄ＝ｄ1
−ｄ0 が求められる。
【００３５】ところで、このような装置を用いて位相差
を測定する際、図２に破線で示すように、被測定体１４
の基板３１の裏面から不要反射光が生じ、検出器１６
Ａ、１６Ｂに入射して測定のノイズの原因になり得る。
しかし、この装置においては、対物レンズ１１の後側焦
点面近傍に絞り２８が配置され、かつ、測定ビーム２１
Ａ、２１Ｂが被測定体１４の被測定面近傍に集光するよ
うに、レンズ２３Ａ1 〜２３Ａ3 、２３Ｂ1 〜２３
Ｂ3 、２７、１１が配置されているので、この不要反射
光は対物レンズ１１と基板３１の間の点Ｐから発散しな
がら対物レンズ１１に入射するので、絞り２８の位置で
は大きく広がり絞り２８でほとんど遮断されるので、検
出器１６Ａ、１６Ｂにはほとんど達せず、ノイズの少な
い測定ができる。
を測定する際、図２に破線で示すように、被測定体１４
の基板３１の裏面から不要反射光が生じ、検出器１６
Ａ、１６Ｂに入射して測定のノイズの原因になり得る。
しかし、この装置においては、対物レンズ１１の後側焦
点面近傍に絞り２８が配置され、かつ、測定ビーム２１
Ａ、２１Ｂが被測定体１４の被測定面近傍に集光するよ
うに、レンズ２３Ａ1 〜２３Ａ3 、２３Ｂ1 〜２３
Ｂ3 、２７、１１が配置されているので、この不要反射
光は対物レンズ１１と基板３１の間の点Ｐから発散しな
がら対物レンズ１１に入射するので、絞り２８の位置で
は大きく広がり絞り２８でほとんど遮断されるので、検
出器１６Ａ、１６Ｂにはほとんど達せず、ノイズの少な
い測定ができる。
【００３６】なお、上記装置の場合、対物レンズ１３は
基板３１を裏面から被エッチング面を観察することにな
るため、対物レンズ１３としてはこの基板３１のガラス
厚を考慮し焦点距離を補正した対物レンズを使用する必
要がある。
基板３１を裏面から被エッチング面を観察することにな
るため、対物レンズ１３としてはこの基板３１のガラス
厚を考慮し焦点距離を補正した対物レンズを使用する必
要がある。
【００３７】ところで、図１の配置において、干渉計Ａ
は被測定体１２の基板３１のエッチング部４０の面でフ
レネル反射された相対的に弱い光を用いて測定をしてお
り、他方、干渉計Ｂは被測定体１２の基板３１の非エッ
チング部４１のクロム等の遮光膜３２との境界面で反射
された相対的に強い光を用いて測定をしており、両者の
測定光の強度比が極めて大きく、両干渉計Ａ、Ｂでダイ
ナミックレンジのバランスのとれた測定を行うために
は、反射率の大きい干渉計Ｂに入射するレーザー光の強
度を調節した方が望ましい。図１の配置のように、両干
渉計Ａ、Ｂに共通のレーザー光源１を用いる場合は、干
渉計Ｂの入射光路中に減光器５３を配置して所定の強度
までレーザー光の強度を調節できるようにすることが望
ましい。なお、両干渉計Ａ、Ｂで別々のレーザー光源を
用いる場合は、一方のレーザー光源の発振出力を調節す
るようにすればよい。
は被測定体１２の基板３１のエッチング部４０の面でフ
レネル反射された相対的に弱い光を用いて測定をしてお
り、他方、干渉計Ｂは被測定体１２の基板３１の非エッ
チング部４１のクロム等の遮光膜３２との境界面で反射
された相対的に強い光を用いて測定をしており、両者の
測定光の強度比が極めて大きく、両干渉計Ａ、Ｂでダイ
ナミックレンジのバランスのとれた測定を行うために
は、反射率の大きい干渉計Ｂに入射するレーザー光の強
度を調節した方が望ましい。図１の配置のように、両干
渉計Ａ、Ｂに共通のレーザー光源１を用いる場合は、干
渉計Ｂの入射光路中に減光器５３を配置して所定の強度
までレーザー光の強度を調節できるようにすることが望
ましい。なお、両干渉計Ａ、Ｂで別々のレーザー光源を
用いる場合は、一方のレーザー光源の発振出力を調節す
るようにすればよい。
【００３８】以上、本発明の位相シフトマスク加工用位
相シフト量測定装置を実施例に基づいて説明してきた
が、本発明はこの実施例に限定されず種々の変形が可能
である。
相シフト量測定装置を実施例に基づいて説明してきた
が、本発明はこの実施例に限定されず種々の変形が可能
である。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法による
と、従来、エッチング終点検出ができなかった基板彫り
込み加工に対し、加工中に基板裏面より被エッチング面
の変位量を非接触・非破壊で直接正確に測定を行うこと
が可能になるため、加工精度の向上、工程の短縮が可能
となる。この方法をオフラインで使用すると、フォトリ
ソグラフィー工程が短縮可能でき、また、エッチング装
置に組み込みインラインでエッチング中に使用すると、
変位量つまり位相差をリアルタイムで測定可能になるた
め、測定した位相差によりエッチング終点決定が可能に
なる。また、個々の干渉計は変位量計測対象物までの光
路中の温度・湿度・気圧等の擾乱の影響を受けるが、測
定対象は非常に近接したビーム間の光路差であるため、
これらの擾乱の影響は相殺され、また、加工部の変位量
を計測する干渉計と基準位置の変位量を計測する干渉計
が独立していることから、個別に光量調整が行え、反射
率の低いガラスサンプルに対しても安定にビート信号検
出が可能となり、正確な測定が可能となる。
の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法による
と、従来、エッチング終点検出ができなかった基板彫り
込み加工に対し、加工中に基板裏面より被エッチング面
の変位量を非接触・非破壊で直接正確に測定を行うこと
が可能になるため、加工精度の向上、工程の短縮が可能
となる。この方法をオフラインで使用すると、フォトリ
ソグラフィー工程が短縮可能でき、また、エッチング装
置に組み込みインラインでエッチング中に使用すると、
変位量つまり位相差をリアルタイムで測定可能になるた
め、測定した位相差によりエッチング終点決定が可能に
なる。また、個々の干渉計は変位量計測対象物までの光
路中の温度・湿度・気圧等の擾乱の影響を受けるが、測
定対象は非常に近接したビーム間の光路差であるため、
これらの擾乱の影響は相殺され、また、加工部の変位量
を計測する干渉計と基準位置の変位量を計測する干渉計
が独立していることから、個別に光量調整が行え、反射
率の低いガラスサンプルに対しても安定にビート信号検
出が可能となり、正確な測定が可能となる。
【図１】本発明によるの１実施例の位相シフトマスク加
工用位相シフト量測定装置の光路を含む構成図である。
工用位相シフト量測定装置の光路を含む構成図である。
【図２】図１の装置の測定部の拡大図である。
【図３】ガラス彫り込み型レベンソン型位相シフトマス
クの加工工程を示す図である。
クの加工工程を示す図である。
Ａ、Ｂ…干渉計
１…レーザー光源
２Ａ、３Ａ、２Ｂ、３Ｂ…発振器
４Ａ、４Ｂ…混合器
５Ａ、５Ｂ…音響光学素子
６Ａ、６Ｂ…無偏光ビームスプリッター
７Ａ、７Ｂ…偏光板
８Ａ、８Ｂ…検出器
９Ａ、９Ｂ…偏光ビームスプリッター
１０…４分の１波長板
１１…対物レンズ
１２…被測定体
１３Ａ、１３Ｂ…４分の１波長板
１４Ａ、１４Ｂ…基準ミラー
１５Ａ、１５Ｂ…偏光板
１６Ａ、１６Ｂ…検出器
１７Ａ1 、１７Ａ2 、１７Ｂ1 、１７Ｂ2 …増幅器
１８Ａ1 、１８Ａ2 、１８Ｂ1 、１８Ｂ2 …コンパレー
タ １９Ａ、１９Ｂ…位相比較器 ２０…パソコン ２１Ａ、２２Ａ、２１Ｂ、２２Ｂ…光 ２３Ａ1 、２３Ａ2 、２３Ａ3 、２３Ｂ1 、２３Ｂ2 、
２３Ｂ3 …レンズ ２４Ａ、２４Ｂ…レンズ ２５Ａ、２５Ｂ…レンズ ２６Ａ、２６Ｂ…ミラー ２７…レンズ ２８…絞り ３１…透明基板 ３２…遮光膜 ３３…レジスト膜 ３４…レジスト膜の開口部 ３６、３６’…遮光膜の開口 ３７…第２レジスト膜 ３８…パターン露光 ３９…第２レジスト膜の開口部 ４０…彫り込み（エッチング部） ４１…非エッチング部 ５１…ハーフミラー ５２…ミラー ５３…減光器（光量調節器） ５４Ａ、５４Ｂ…ミラー
タ １９Ａ、１９Ｂ…位相比較器 ２０…パソコン ２１Ａ、２２Ａ、２１Ｂ、２２Ｂ…光 ２３Ａ1 、２３Ａ2 、２３Ａ3 、２３Ｂ1 、２３Ｂ2 、
２３Ｂ3 …レンズ ２４Ａ、２４Ｂ…レンズ ２５Ａ、２５Ｂ…レンズ ２６Ａ、２６Ｂ…ミラー ２７…レンズ ２８…絞り ３１…透明基板 ３２…遮光膜 ３３…レジスト膜 ３４…レジスト膜の開口部 ３６、３６’…遮光膜の開口 ３７…第２レジスト膜 ３８…パターン露光 ３９…第２レジスト膜の開口部 ４０…彫り込み（エッチング部） ４１…非エッチング部 ５１…ハーフミラー ５２…ミラー ５３…減光器（光量調節器） ５４Ａ、５４Ｂ…ミラー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−117824（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−295878（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−281699（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−236905（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−268503（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−221032（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01B 9/00 - 11/30
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板の所定パターン部分をエッチン
グすることにより位相シフターを形成する位相シフトマ
スクの製造の際、エッチングされない透明基板裏面より
光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台
からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、そ
の一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射
させ、一方の干渉計の基準面からのその被エッチング面
の変位量を計測し、他方の干渉計の基準面からのその非
エッチング面の変位量を計測し、それらの変位量の差か
らエッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチ
ング部と非エッチング部の間の位相差を求めることを特
徴とする位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方
法。 - 【請求項２】 前記２台のマイケルソン干渉計は、共通
の対物光学系を備え、前記２台のマイケルソン干渉計か
らの測定光ビームを相互に平行に近接させて前記透明基
板の裏面より入射させることを特徴とする請求項１記載
の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法。 - 【請求項３】 前記対物光学系はその後側焦点面近傍に
絞りを備えていることを特徴とする請求項２記載の位相
シフトマスク加工用位相シフト量測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21681698A JP3508988B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21681698A JP3508988B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046518A JP2000046518A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3508988B2 true JP3508988B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=16694348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21681698A Expired - Lifetime JP3508988B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3508988B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002049143A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 |
| JP6030328B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2016-11-24 | アストロデザイン株式会社 | 距離計測システム |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP21681698A patent/JP3508988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000046518A (ja) | 2000-02-18 |
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