JPH07159319A - センサ装置 - Google Patents
センサ装置Info
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- JPH07159319A JPH07159319A JP34173093A JP34173093A JPH07159319A JP H07159319 A JPH07159319 A JP H07159319A JP 34173093 A JP34173093 A JP 34173093A JP 34173093 A JP34173093 A JP 34173093A JP H07159319 A JPH07159319 A JP H07159319A
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- cylindrical lens
- temperature
- state image
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- sensor device
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
- G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光励起表面プラズマ共鳴振動を利用したセンサ
装置において、センサヘッドの小型構成を維持しつつ、
被検試料の温度変化に拘わらず正しい測定結果が得られ
るように温度補正を簡易に実現すると共に、温度に依存
しない実時間の連続測定を可能にし、さらには機能性の
向上と共に測定精度の向上を図ること。 【構成】点状光源１からの光路に沿って、コリメータレ
ンズ２と、第１のシリンドリカルレンズ３と、被検試料
２１,２２,…を接触させる表面プラズモン励起用金属薄
膜４ｂを一面に設けた高屈折率のプリズム４と、第２の
シリンドリカルレンズ５とを備え、この第２のシリンド
リカルレンズ５の後側焦平面上に設けられる固体撮像素
子を２次元固体撮像素子６としたことを特徴とするセン
サ装置。
装置において、センサヘッドの小型構成を維持しつつ、
被検試料の温度変化に拘わらず正しい測定結果が得られ
るように温度補正を簡易に実現すると共に、温度に依存
しない実時間の連続測定を可能にし、さらには機能性の
向上と共に測定精度の向上を図ること。 【構成】点状光源１からの光路に沿って、コリメータレ
ンズ２と、第１のシリンドリカルレンズ３と、被検試料
２１,２２,…を接触させる表面プラズモン励起用金属薄
膜４ｂを一面に設けた高屈折率のプリズム４と、第２の
シリンドリカルレンズ５とを備え、この第２のシリンド
リカルレンズ５の後側焦平面上に設けられる固体撮像素
子を２次元固体撮像素子６としたことを特徴とするセン
サ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光励起表面プラズマ
共鳴振動を利用したセンサ装置に関する。
共鳴振動を利用したセンサ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】光励起による表面プラズマ
共鳴振動（以下、ＳＰＲと略記する）を利用したセンサ
装置のセンサヘッドに関し、フィールドユースやバイオ
プロセスユース、各種プラントのインプロセスに利用可
能なきわめてコンパクト化した高精度なセンサヘッド
を、実願平１−２６３４７号(実開平２−１１８２４７
号公報)として先に提案している。
共鳴振動（以下、ＳＰＲと略記する）を利用したセンサ
装置のセンサヘッドに関し、フィールドユースやバイオ
プロセスユース、各種プラントのインプロセスに利用可
能なきわめてコンパクト化した高精度なセンサヘッド
を、実願平１−２６３４７号(実開平２−１１８２４７
号公報)として先に提案している。
【０００３】ＳＰＲセンサは、光を用いて表面プラズマ
振動を励起し、その励起の観測によって試料の屈折率を
知り、それを介して試料の濃度などの情報を得るもので
ある。ところが、試料の屈折率は、試料の温度によって
その密度が変化することから温度変化によって屈折率が
変わる。従って、例えば屈折率測定を利用するＳＰＲセ
ンサでは、温度の変化が測定結果(例えば濃度、同一濃
度の試料でも温度が異なれば別の結果を与える)に誤差
を生じさせる。そこで、ＳＰＲセンサにおいて、この温
度変化の影響を補正する手段をとる必要がある。従来
は、例えば濃度情報だけを正確に得たいということで、
センサヘッド部を同一の温度に制御して液体もしくは気
体の測定を行っていた。しかしながら、実際にセンサと
して広範な分野に用いる場合には温度を一定に保つこと
は現実的ではなく、温度をモニタしてその影響を補正す
るようにすべきである。
振動を励起し、その励起の観測によって試料の屈折率を
知り、それを介して試料の濃度などの情報を得るもので
ある。ところが、試料の屈折率は、試料の温度によって
その密度が変化することから温度変化によって屈折率が
変わる。従って、例えば屈折率測定を利用するＳＰＲセ
ンサでは、温度の変化が測定結果(例えば濃度、同一濃
度の試料でも温度が異なれば別の結果を与える)に誤差
を生じさせる。そこで、ＳＰＲセンサにおいて、この温
度変化の影響を補正する手段をとる必要がある。従来
は、例えば濃度情報だけを正確に得たいということで、
センサヘッド部を同一の温度に制御して液体もしくは気
体の測定を行っていた。しかしながら、実際にセンサと
して広範な分野に用いる場合には温度を一定に保つこと
は現実的ではなく、温度をモニタしてその影響を補正す
るようにすべきである。
【０００４】この温度補正の手法として、補正用テーブ
ルを利用する方法が考えられている。即ち、事前に被検
物質Ｍ(ｍ)(ｍ＝１，２，３，……)の各点温度Ｔ（ｎ）
（ｎ＝１，２，３，………）における各既知濃度Ｄ
（ｋ）（ｋ＝１，２，３，……）の試料の励起角(高屈
折率プリズムからのエバネッセント波によって金属薄膜
に表面プラズモンを共鳴励起する光の入射角)を測定し
ておき、それをコンピュータ内メモリに補正用テーブル
としておき、実際の測定に際しては、別の方法で被検試
料の温度も同時に測定し、得られた励起角のデータに対
し、測定した被検試料温度と補正用テーブルを用いてコ
ンピュータ内でテーブル・ルックアップ処理により補正
を行うというものである。
ルを利用する方法が考えられている。即ち、事前に被検
物質Ｍ(ｍ)(ｍ＝１，２，３，……)の各点温度Ｔ（ｎ）
（ｎ＝１，２，３，………）における各既知濃度Ｄ
（ｋ）（ｋ＝１，２，３，……）の試料の励起角(高屈
折率プリズムからのエバネッセント波によって金属薄膜
に表面プラズモンを共鳴励起する光の入射角)を測定し
ておき、それをコンピュータ内メモリに補正用テーブル
としておき、実際の測定に際しては、別の方法で被検試
料の温度も同時に測定し、得られた励起角のデータに対
し、測定した被検試料温度と補正用テーブルを用いてコ
ンピュータ内でテーブル・ルックアップ処理により補正
を行うというものである。
【０００５】しかしながらこの補正用テーブルを利用す
る方法は、たしかに、広い濃度範囲、広い温度範囲にお
いて精密な測定を可能にし保証するものである反面、コ
ンピュータ内メモリに予めきわめて膨大な量の既知デー
タ(このデータを採取するのも難があるが、測定系例え
ば光学系の構成により必ずしも一定のデータとなるとは
限らない問題もある)を記憶させておかねばならず、そ
して実際の測定に際しこの膨大なデータの検索というコ
ンピュータでは時間を要する手順を踏まねばならない。
これは、例えば濃度等の経時変化のリアルタイム測定を
考える場合、きわめてなじみ難い手法であり問題が多
い。
る方法は、たしかに、広い濃度範囲、広い温度範囲にお
いて精密な測定を可能にし保証するものである反面、コ
ンピュータ内メモリに予めきわめて膨大な量の既知デー
タ(このデータを採取するのも難があるが、測定系例え
ば光学系の構成により必ずしも一定のデータとなるとは
限らない問題もある)を記憶させておかねばならず、そ
して実際の測定に際しこの膨大なデータの検索というコ
ンピュータでは時間を要する手順を踏まねばならない。
これは、例えば濃度等の経時変化のリアルタイム測定を
考える場合、きわめてなじみ難い手法であり問題が多
い。
【０００６】他方、上記の実願平１−２６３４７号の提
案後において、検出精度のより精密化実現の要請や機能
性向上の要望、例えばさらなるコンパクト化、また、機
械的駆動部をもつ場合には(ＳＰＲはＰ偏光とのみ結合
するので、基本的には偏光子が用いられるが、例えばこ
の偏光子を回転させる乃至は光路上に進退させる機構な
ど)、これの完全排除の要望などである。
案後において、検出精度のより精密化実現の要請や機能
性向上の要望、例えばさらなるコンパクト化、また、機
械的駆動部をもつ場合には(ＳＰＲはＰ偏光とのみ結合
するので、基本的には偏光子が用いられるが、例えばこ
の偏光子を回転させる乃至は光路上に進退させる機構な
ど)、これの完全排除の要望などである。
【０００７】
【発明の課題】この発明は、上記の問題点を踏まえ、リ
アルタイム測定に適合した形で被検試料の温度補正を可
能にするセンサ装置を提供することを基本的な課題とす
る。
アルタイム測定に適合した形で被検試料の温度補正を可
能にするセンサ装置を提供することを基本的な課題とす
る。
【０００８】他の課題は、センサヘッドのコンパクト化
を推進させつつ、測定精度のより一層の向上を図るとと
もに、機能性も一層の向上を図ることである。
を推進させつつ、測定精度のより一層の向上を図るとと
もに、機能性も一層の向上を図ることである。
【０００９】
【課題を達成するための手段】本発明は、点状光源から
の光路に沿って、コリメータレンズと、第１のシリンド
リカルレンズと、被検試料を接触させる表面プラズモン
励起用金属薄膜を一面に設けた高屈折率のプリズムと、
第２のシリンドリカルレンズと、この第２のシリンドリ
カルレンズの後側焦平面上に設けられる固体撮像素子と
を備え、この固体撮像素子からの信号を処理するデータ
処理手段を有するセンサ装置において、前記固体撮像素
子を２次元固体撮像素子としたことを基本的な特徴とし
ている。
の光路に沿って、コリメータレンズと、第１のシリンド
リカルレンズと、被検試料を接触させる表面プラズモン
励起用金属薄膜を一面に設けた高屈折率のプリズムと、
第２のシリンドリカルレンズと、この第２のシリンドリ
カルレンズの後側焦平面上に設けられる固体撮像素子と
を備え、この固体撮像素子からの信号を処理するデータ
処理手段を有するセンサ装置において、前記固体撮像素
子を２次元固体撮像素子としたことを基本的な特徴とし
ている。
【００１０】好ましくは、前記第２のシリンドリカルレ
ンズと前記２次元固体撮像素子との間に偏光分離素子を
設ける。
ンズと前記２次元固体撮像素子との間に偏光分離素子を
設ける。
【００１１】
【作用】上記第１のシリンドリカルレンズにより上記高
屈折率プリズムの金属薄膜上に収束した線状像(センシ
ング域)に、濃度が既知の参照試料とともに、少なくと
も１つの被検試料を接触させ、そのそれぞれからの反射
光を２次元固体撮像素子で同時に検出し、参照試料と被
検試料の励起角の特性曲線(Ｒ−θ曲線；反射率Ｒの入
射角θ依存曲線)を同時に測定する。そして、参照試料
の励起角と被検試料の励起角との差を求める。この両者
が同一温度にあり、かつ両者の温度係数がほぼ同一であ
れば、それぞれで得られる励起角の差は温度に依存しな
いため、この両励起角の差を用いることにより温度の影
響を受けない測定が可能となる。
屈折率プリズムの金属薄膜上に収束した線状像(センシ
ング域)に、濃度が既知の参照試料とともに、少なくと
も１つの被検試料を接触させ、そのそれぞれからの反射
光を２次元固体撮像素子で同時に検出し、参照試料と被
検試料の励起角の特性曲線(Ｒ−θ曲線；反射率Ｒの入
射角θ依存曲線)を同時に測定する。そして、参照試料
の励起角と被検試料の励起角との差を求める。この両者
が同一温度にあり、かつ両者の温度係数がほぼ同一であ
れば、それぞれで得られる励起角の差は温度に依存しな
いため、この両励起角の差を用いることにより温度の影
響を受けない測定が可能となる。
【００１２】実際には、測定試料の濃度の範囲があまり
広くない場合、試料の温度係数は測定領域においてほぼ
一定とみなせるので実用上の支障はない。尚、実際の測
定に際しては、予め求めた検量線によりこれを参照しつ
つリアルタイム測定を行なえる。
広くない場合、試料の温度係数は測定領域においてほぼ
一定とみなせるので実用上の支障はない。尚、実際の測
定に際しては、予め求めた検量線によりこれを参照しつ
つリアルタイム測定を行なえる。
【００１３】上記の偏光分離素子を用いると、この偏光
分離素子は、第２のシリンドリカルレンズからの光をＰ
偏光光とＳ偏光光に分離する。分離されたＰ偏光光とＳ
偏光光は、２次元固体撮像素子に同時に検出される。表
面プラズモンを励起するのはＰ偏光光のみでありＳ偏光
光は励起には全く関与しない。従って、２次元固体撮像
素子で同時に検出するＰ偏光のデータをＳ偏光のデータ
で割り算することにより、用いている光源のむら、時間
的なゆらぎ、使用している光学系の部分的ないし局部的
な不整、さらには、２次元固体撮像素子の素子間の感度
むら等もこの割算処理により補正され、より精度の高い
励起角のデータを得ることができる。と同時に、通常よ
く行われる偏光子の回転等などの機械的駆動部を一切用
いずに測定の高精度化が実現できるものである。
分離素子は、第２のシリンドリカルレンズからの光をＰ
偏光光とＳ偏光光に分離する。分離されたＰ偏光光とＳ
偏光光は、２次元固体撮像素子に同時に検出される。表
面プラズモンを励起するのはＰ偏光光のみでありＳ偏光
光は励起には全く関与しない。従って、２次元固体撮像
素子で同時に検出するＰ偏光のデータをＳ偏光のデータ
で割り算することにより、用いている光源のむら、時間
的なゆらぎ、使用している光学系の部分的ないし局部的
な不整、さらには、２次元固体撮像素子の素子間の感度
むら等もこの割算処理により補正され、より精度の高い
励起角のデータを得ることができる。と同時に、通常よ
く行われる偏光子の回転等などの機械的駆動部を一切用
いずに測定の高精度化が実現できるものである。
【００１４】尚、上記の簡便な温度補正のために、固体
撮像素子に１次元固体撮像素子(リニアイメージセンサ)
を利用することが考えられるが、上記の如く、多チャン
ネルの同時測定を企図する場合、１次元固体撮像素子の
パッケージングが空間的に障害となり、仮にこれを並列
・並置すると、チャンネル数は必然的に少なく制約され
てしまうという欠点を招来してしまうと同時に、光電検
出部がセンサヘツドの形と容積を決めてしまう(大型化
する)問題があり、よりコンパクト化の実現という要請
に反することとなる。ここにも、２次元固体撮像素子を
適用した利点があり、コンパクト化とともに温度補正の
簡易化を含む多チャンネルの同時測定を可能にし、偏光
分離素子を用いる場合には、機械的駆動部を一切排除し
てＰ偏光とともにＳ偏光を同時に検出できることとな
り、測定精度の一層の向上に貢献できるものである。
撮像素子に１次元固体撮像素子(リニアイメージセンサ)
を利用することが考えられるが、上記の如く、多チャン
ネルの同時測定を企図する場合、１次元固体撮像素子の
パッケージングが空間的に障害となり、仮にこれを並列
・並置すると、チャンネル数は必然的に少なく制約され
てしまうという欠点を招来してしまうと同時に、光電検
出部がセンサヘツドの形と容積を決めてしまう(大型化
する)問題があり、よりコンパクト化の実現という要請
に反することとなる。ここにも、２次元固体撮像素子を
適用した利点があり、コンパクト化とともに温度補正の
簡易化を含む多チャンネルの同時測定を可能にし、偏光
分離素子を用いる場合には、機械的駆動部を一切排除し
てＰ偏光とともにＳ偏光を同時に検出できることとな
り、測定精度の一層の向上に貢献できるものである。
【００１５】
【実施例】図１に一実施例のセンサ装置のセンサヘッド
部を示す。１は準単色光源としての発光ダイオード(以
下、ＬＥＤと略記する)である。ＬＥＤ１からの光路・
光軸に沿って、コリメータレンズ２、第１のシリンドリ
カルレンズ３、一面４ａに表面プラズモン励起用の所定
膜厚の金属薄膜４ｂを形成した高屈折率の三角プリズム
４、第２のシリンドリカルレンズ５、２次元固体撮像素
子としての２次元ＣＣＤイメージセンサ６が配設されて
いる。２次元ＣＣＤイメージセンサ６は、第２のシリン
ドリカルレンズ５の後側焦平面上に設置され、フーリエ
変換光学系を形成している。２次元ＣＣＤイメージセン
サ６は適合するインターフェースを介してデータ処理部
(図示せず)と接続され、データ処理部には電子計算機た
とえばパーソナルコンピュータを含む。
部を示す。１は準単色光源としての発光ダイオード(以
下、ＬＥＤと略記する)である。ＬＥＤ１からの光路・
光軸に沿って、コリメータレンズ２、第１のシリンドリ
カルレンズ３、一面４ａに表面プラズモン励起用の所定
膜厚の金属薄膜４ｂを形成した高屈折率の三角プリズム
４、第２のシリンドリカルレンズ５、２次元固体撮像素
子としての２次元ＣＣＤイメージセンサ６が配設されて
いる。２次元ＣＣＤイメージセンサ６は、第２のシリン
ドリカルレンズ５の後側焦平面上に設置され、フーリエ
変換光学系を形成している。２次元ＣＣＤイメージセン
サ６は適合するインターフェースを介してデータ処理部
(図示せず)と接続され、データ処理部には電子計算機た
とえばパーソナルコンピュータを含む。
【００１６】上記第２のシリンドリカルレンズ５と２次
元ＣＣＤイメージセンサ６との間には、入射光をＰ偏光
光とＳ偏光光とに分離する偏光分離素子７、例えば方解
石の結晶が設けられている。
元ＣＣＤイメージセンサ６との間には、入射光をＰ偏光
光とＳ偏光光とに分離する偏光分離素子７、例えば方解
石の結晶が設けられている。
【００１７】図２(Ａ)に光軸を含む縦断面を同図(Ｂ)に
光軸に沿う横断面で示すように、ＬＥＤ１の発散光束は
コリメータレンズ２により平行光束になり、第１のシリ
ンドリカルレンズ３に入射する。第１のシリンドリカル
レンズは、入射平行光束を三角プリズム４の金属薄膜４
ｂを設けた一面４ａの中央部に線状に収束する。この収
束光束の入射角θは最も小さい入射角θminの光線がこ
こで全反射するように三角プリズム４の屈折率、臨界角
等が選定されている。
光軸に沿う横断面で示すように、ＬＥＤ１の発散光束は
コリメータレンズ２により平行光束になり、第１のシリ
ンドリカルレンズ３に入射する。第１のシリンドリカル
レンズは、入射平行光束を三角プリズム４の金属薄膜４
ｂを設けた一面４ａの中央部に線状に収束する。この収
束光束の入射角θは最も小さい入射角θminの光線がこ
こで全反射するように三角プリズム４の屈折率、臨界角
等が選定されている。
【００１８】三角プリズム４の一面４ａと金属薄膜４ｂ
との界面に収束した線状像１０(センシング域)の上に参
照試料２０、この参照試料２０と隣接する形で被検試料
２１、被検試料２２の例えば液体試料が滴下により表面
張力を維持した状態で金属薄膜４ｂ上に置かれている。
との界面に収束した線状像１０(センシング域)の上に参
照試料２０、この参照試料２０と隣接する形で被検試料
２１、被検試料２２の例えば液体試料が滴下により表面
張力を維持した状態で金属薄膜４ｂ上に置かれている。
【００１９】線状のセンシング域１０で反射(全反射)し
た光、その光束は第２のシリンドリカルレンズ５に入射
する。第２のシリンドリカルレンズ５は、その後側焦平
面上に受光面を位置させた２次元ＣＣＤイメージセンサ
６上に、三角プリズム４における入射角θを電子走査の
画素位置に対応付けたスペクトル光を投射する(フーリ
エ変換した光束を投影する)。
た光、その光束は第２のシリンドリカルレンズ５に入射
する。第２のシリンドリカルレンズ５は、その後側焦平
面上に受光面を位置させた２次元ＣＣＤイメージセンサ
６上に、三角プリズム４における入射角θを電子走査の
画素位置に対応付けたスペクトル光を投射する(フーリ
エ変換した光束を投影する)。
【００２０】偏光分離素子７が設けられる場合は、第２
のシリンドリカルレンズ５からの出射光束は、図２の
(Ｂ)に示されるように、この偏光分離素子７により、Ｐ
偏光光７ｐとＳ偏光光７ｓとに分離され、所定の分離量
(スプリットないしシャー量)を保持したまま両者独立し
て２次元ＣＣＤイメージセンサ６に入射する。従って、
線状のセンシング域１０上の任意の一点に対し、２次元
ＣＣＤイメージセンサ６上の入射角θに対応付けた走査
チャネルはＰ偏光とＳ偏光の２つのチャネルをもつこと
になる。
のシリンドリカルレンズ５からの出射光束は、図２の
(Ｂ)に示されるように、この偏光分離素子７により、Ｐ
偏光光７ｐとＳ偏光光７ｓとに分離され、所定の分離量
(スプリットないしシャー量)を保持したまま両者独立し
て２次元ＣＣＤイメージセンサ６に入射する。従って、
線状のセンシング域１０上の任意の一点に対し、２次元
ＣＣＤイメージセンサ６上の入射角θに対応付けた走査
チャネルはＰ偏光とＳ偏光の２つのチャネルをもつこと
になる。
【００２１】三角プリズム４の金属薄膜４ｂ上の参照試
料２０は、被検試料の温度変化に対応する温度補正を行
うために置かれるもので、予め濃度が既知の試料であ
る。被検試料２１，２２(あるいは、２３，２４，２
５，……と少なくとも１つ、一般に２以上の試料を同時
に置くことが可能である)は、濃度が未知の試料である。
料２０は、被検試料の温度変化に対応する温度補正を行
うために置かれるもので、予め濃度が既知の試料であ
る。被検試料２１，２２(あるいは、２３，２４，２
５，……と少なくとも１つ、一般に２以上の試料を同時
に置くことが可能である)は、濃度が未知の試料である。
【００２２】第１のシリンドリカルレンズ３によりセン
シング域１０に入射された光はここで全反射する。全反
射する際、エバネッセント波(縦波)を生じ金属薄膜４ｂ
の厚さ方向に伝播する。金属薄膜４ｂ上の試料２０，２
１，２２の濃度(屈折率)に応じて一定の入射角のＰ偏光
光のみ表面プラズモンを励起する。入射角θｓｐのＰ偏
光光のエネルギーが金属プラズマ中に移ったということ
であり、ここで全反射した反射光の角度スペクトルを２
次元ＣＣＤイメージセンサ６で検出することによりその
吸収ピーク位置が判り、この角度位置に基づき理論式を
適用した演算処理により試料の濃度が求められる。
シング域１０に入射された光はここで全反射する。全反
射する際、エバネッセント波(縦波)を生じ金属薄膜４ｂ
の厚さ方向に伝播する。金属薄膜４ｂ上の試料２０，２
１，２２の濃度(屈折率)に応じて一定の入射角のＰ偏光
光のみ表面プラズモンを励起する。入射角θｓｐのＰ偏
光光のエネルギーが金属プラズマ中に移ったということ
であり、ここで全反射した反射光の角度スペクトルを２
次元ＣＣＤイメージセンサ６で検出することによりその
吸収ピーク位置が判り、この角度位置に基づき理論式を
適用した演算処理により試料の濃度が求められる。
【００２３】ところで、上記の求められた角度スペクト
ルの吸収ピーク位置は、試料の温度が変化すると変化す
る。すなわち、試料の温度が変わると、密度が変化し屈
折率が変化するからである。吸収ピークが、温度によっ
てどのようにシフトするか、またどの程度シフトするか
を別に行った検証例を図３に示す。図３は、励起角θｓ
ｐの温度依存性を調べたもので、試料として水分を含ん
だエタノールを用い、水分濃度０.３％、１％、５％、
１０％の試料のそれぞれに対して、横軸に試料温度をと
り縦軸に励起角θｓｐをとりこれをプロットしたもので
ある。試料温度はディジタル温度計のプローブを試料中
に接触させて測定されている。図３より、例えば、温度
範囲２１℃から２５℃では、濃度０.３％から１０％の
試料に対する励起角の温度依存性はほぼ同じとみなすこ
とができ、差動検出により温度補正が行えることがわか
る。１％の水分を含むエタノールを参照試料とした場合
の検量線を図４に示す。測定は、２１.５℃、２３.５
℃、２４.５℃の３種類の温度が異なる試料について行
ったものである。異なる温度条件で得られた結果が同一
の検量線Ｔ上にあり、差動検出法による温度補正が有効
であることが確認できる。
ルの吸収ピーク位置は、試料の温度が変化すると変化す
る。すなわち、試料の温度が変わると、密度が変化し屈
折率が変化するからである。吸収ピークが、温度によっ
てどのようにシフトするか、またどの程度シフトするか
を別に行った検証例を図３に示す。図３は、励起角θｓ
ｐの温度依存性を調べたもので、試料として水分を含ん
だエタノールを用い、水分濃度０.３％、１％、５％、
１０％の試料のそれぞれに対して、横軸に試料温度をと
り縦軸に励起角θｓｐをとりこれをプロットしたもので
ある。試料温度はディジタル温度計のプローブを試料中
に接触させて測定されている。図３より、例えば、温度
範囲２１℃から２５℃では、濃度０.３％から１０％の
試料に対する励起角の温度依存性はほぼ同じとみなすこ
とができ、差動検出により温度補正が行えることがわか
る。１％の水分を含むエタノールを参照試料とした場合
の検量線を図４に示す。測定は、２１.５℃、２３.５
℃、２４.５℃の３種類の温度が異なる試料について行
ったものである。異なる温度条件で得られた結果が同一
の検量線Ｔ上にあり、差動検出法による温度補正が有効
であることが確認できる。
【００２４】上記の検証例を引用する形で第１図の実施
例における温度補正の仕方を説明する。参照試料２０を
水分が１％のエタノールとする。被検試料２０，２２は
水分は未知である。三角プリズム４を囲う環境温度は変
化し、三角プリズム４の温度もこの変化に応じて変わる
が、試料２０，２１，２２の温度は三角プリズム４自体
の温度で決まり、それぞれほぼ同じ温度であるとみなし
ても差し支えがない。図４に示した検量線Ｔを用いる。
これは、予め作成されていてデータ処理部にもたれてい
るものである。図４において、水分濃度１％の検量線Ｔ
と交差したΔθの位置をΔθ＝０(ゼロ)とする。図１に
おける濃度１％の参照試料と濃度未知の被検試料２１，
２２の角度スペクトルを２次元ＣＣＤイメージセンサ６
で同時に検出し、データ処理部におけるデータ処理によ
って吸収角度位置(励起角)を求める。求められた被検試
料２１，２２の励起角と同じく求められた参照試料２０
の励起角との差Δθを求める。この差Δθを先に設定し
たΔθ＝０の点に増分又は減分した検量線Ｔにおける濃
度軸を参照する。その落ちた点の濃度値が被検試料２
１，２２の水分濃度を与えるものである。したがって、
検量線を用いるこの差動検出法は、基本的に温度計測が
必要ではなく、また膨大なデータ量のルックアップ・テ
ーブルを検索するという時間の掛かる処理(コンピュー
タ処理)も必要でないので、リアルタイム測定に適合
し、例えば、フローセルを設けて未知濃度の液体を流通
させ、この液体の濃度変化の経時変動を測定する場合な
どにはきわめて有効である。さらには、２次元ＣＣＤイ
メージセンサ６により、被検試料２１，２２，２３，２
４，……の励起角のデータが多チャンネルかつ同時に測
定できるので、機能上も大変優れたものとなっている。
例における温度補正の仕方を説明する。参照試料２０を
水分が１％のエタノールとする。被検試料２０，２２は
水分は未知である。三角プリズム４を囲う環境温度は変
化し、三角プリズム４の温度もこの変化に応じて変わる
が、試料２０，２１，２２の温度は三角プリズム４自体
の温度で決まり、それぞれほぼ同じ温度であるとみなし
ても差し支えがない。図４に示した検量線Ｔを用いる。
これは、予め作成されていてデータ処理部にもたれてい
るものである。図４において、水分濃度１％の検量線Ｔ
と交差したΔθの位置をΔθ＝０(ゼロ)とする。図１に
おける濃度１％の参照試料と濃度未知の被検試料２１，
２２の角度スペクトルを２次元ＣＣＤイメージセンサ６
で同時に検出し、データ処理部におけるデータ処理によ
って吸収角度位置(励起角)を求める。求められた被検試
料２１，２２の励起角と同じく求められた参照試料２０
の励起角との差Δθを求める。この差Δθを先に設定し
たΔθ＝０の点に増分又は減分した検量線Ｔにおける濃
度軸を参照する。その落ちた点の濃度値が被検試料２
１，２２の水分濃度を与えるものである。したがって、
検量線を用いるこの差動検出法は、基本的に温度計測が
必要ではなく、また膨大なデータ量のルックアップ・テ
ーブルを検索するという時間の掛かる処理(コンピュー
タ処理)も必要でないので、リアルタイム測定に適合
し、例えば、フローセルを設けて未知濃度の液体を流通
させ、この液体の濃度変化の経時変動を測定する場合な
どにはきわめて有効である。さらには、２次元ＣＣＤイ
メージセンサ６により、被検試料２１，２２，２３，２
４，……の励起角のデータが多チャンネルかつ同時に測
定できるので、機能上も大変優れたものとなっている。
【００２５】偏光分離素子７は、Ｐ偏光光７ｐとＳ偏光
光７ｓとに分離する。これを受光する２次元ＣＣＤイメ
ージセンサ６の受光面の模式図を図６に示す。参照試料
を含めて試料をｎ個設定する場合を示している。試料数
に対応してチャンネル数はｎで、電子走査の走査方向が
入射角θの方向に対応する。チャンネル１では、実線で
示されるＰ偏光の角度スペクトルθ1p、破線で示される
Ｓ偏光の角度スペクトルθ1sは、Ｐ偏光の角度スペクト
ルθ1pから若干の距離をおいた位置に形成される。２次
元ＣＣＤイメージセンサ６はこのＰ偏光，Ｓ偏光の角度
スペクトルの対θ1p，θ1s〜θnp，θnsを同時に検出す
ることができる。図７に示すように、例えば、ある１つ
のチャンネルのＰ，Ｓ偏光の検出波形が同図(Ａ)，(Ｂ)
のようであったとする。データ処理部において、Ｐ偏光
のデータをＳ偏光のデータで割り算する。すると、第７
図(Ｃ)に示すような、鋭い吸収ピークをもった角度スペ
クトルを得ることができる。これにより、励起角の位置
の決定(多くはコンピュータ内の演算でピーク位置を求
める)の精度を向上させることができる。
光７ｓとに分離する。これを受光する２次元ＣＣＤイメ
ージセンサ６の受光面の模式図を図６に示す。参照試料
を含めて試料をｎ個設定する場合を示している。試料数
に対応してチャンネル数はｎで、電子走査の走査方向が
入射角θの方向に対応する。チャンネル１では、実線で
示されるＰ偏光の角度スペクトルθ1p、破線で示される
Ｓ偏光の角度スペクトルθ1sは、Ｐ偏光の角度スペクト
ルθ1pから若干の距離をおいた位置に形成される。２次
元ＣＣＤイメージセンサ６はこのＰ偏光，Ｓ偏光の角度
スペクトルの対θ1p，θ1s〜θnp，θnsを同時に検出す
ることができる。図７に示すように、例えば、ある１つ
のチャンネルのＰ，Ｓ偏光の検出波形が同図(Ａ)，(Ｂ)
のようであったとする。データ処理部において、Ｐ偏光
のデータをＳ偏光のデータで割り算する。すると、第７
図(Ｃ)に示すような、鋭い吸収ピークをもった角度スペ
クトルを得ることができる。これにより、励起角の位置
の決定(多くはコンピュータ内の演算でピーク位置を求
める)の精度を向上させることができる。
【００２６】上記のようなＳ偏光の利用は、基本的に
は、ＳＰＲがＰ偏光とのみ結合するということに基づく
が、Ｐ偏光もＳ偏光も分離されるまでは同一の光学系を
同時に伝播しているから、光源のむら、時間的なゆら
ぎ、光学系の不整，不均一に基づく歪みを両偏光光は同
時にまた同程度に被っている。さらには２次元ＣＣＤイ
メージセンサ６の画素間の感度むらもある。検出精度に
大きな影響を与える上記各種の事象は、Ｐ／Ｓのデータ
処理によりすべてキャンセルされ、測定精度の一層の向
上を図り得る。
は、ＳＰＲがＰ偏光とのみ結合するということに基づく
が、Ｐ偏光もＳ偏光も分離されるまでは同一の光学系を
同時に伝播しているから、光源のむら、時間的なゆら
ぎ、光学系の不整，不均一に基づく歪みを両偏光光は同
時にまた同程度に被っている。さらには２次元ＣＣＤイ
メージセンサ６の画素間の感度むらもある。検出精度に
大きな影響を与える上記各種の事象は、Ｐ／Ｓのデータ
処理によりすべてキャンセルされ、測定精度の一層の向
上を図り得る。
【００２７】図５は他の実施例の一部を示すものであ
る。同図(Ａ)は、図１の三角プリズム４に替えて半円柱
プリズム４０を用いたもので、中心軸と直交する断面を
模式的に示し、同図(Ｂ)は平面図を示している。半円柱
プリズム４０の中心軸を含む平面には、表面プラズモン
励起用の金属薄膜４１が、例えば蒸着により被着されて
いる。なお、この膜厚は、数十ｎmであり、説明のため
見える形で厚く示してある。第１のシリンドリカルレン
ズ３による収束光４２は、半円柱の中心軸をねらって収
束され、半円柱の中心軸に沿って線状のセンシング域が
形成される。フローセル４３は、このセンシング域をカ
バーするように設けられ、導入管４３ａと流出管４３ｂ
とを備える。図５(Ｂ)の平面図に示すように、フローセ
ル４３はセンシング域に沿って複数設ける。その内の１
つを参照試料用に使用することができる。参照試料用の
フローセルは、好ましくは、中央部に位置するものを選
ぶとよい。
る。同図(Ａ)は、図１の三角プリズム４に替えて半円柱
プリズム４０を用いたもので、中心軸と直交する断面を
模式的に示し、同図(Ｂ)は平面図を示している。半円柱
プリズム４０の中心軸を含む平面には、表面プラズモン
励起用の金属薄膜４１が、例えば蒸着により被着されて
いる。なお、この膜厚は、数十ｎmであり、説明のため
見える形で厚く示してある。第１のシリンドリカルレン
ズ３による収束光４２は、半円柱の中心軸をねらって収
束され、半円柱の中心軸に沿って線状のセンシング域が
形成される。フローセル４３は、このセンシング域をカ
バーするように設けられ、導入管４３ａと流出管４３ｂ
とを備える。図５(Ｂ)の平面図に示すように、フローセ
ル４３はセンシング域に沿って複数設ける。その内の１
つを参照試料用に使用することができる。参照試料用の
フローセルは、好ましくは、中央部に位置するものを選
ぶとよい。
【００２８】上記のように、半円柱プリズム４０を適用
すると、入射光束４２及び全反射された出射光束４４の
いずれの光束を構成する光線も円柱表面で屈折すること
はないので、収差を大幅に低減でき、これによって測定
精度の向上が期待できる。
すると、入射光束４２及び全反射された出射光束４４の
いずれの光束を構成する光線も円柱表面で屈折すること
はないので、収差を大幅に低減でき、これによって測定
精度の向上が期待できる。
【００２９】上記の各実施例で使用する表面プラズモン
共鳴振動励起用の金属薄膜は、その材質が金、白金、
銀、銅、アルミニウムのいずれでもよいが、複素誘電率
の虚部が小さいもの、例えば銀とするのが好ましい。た
だし、銀の薄膜は、外気や被検試料、特殊な環境にさら
されると硫化されやすいので、ＭｇＦ2などの誘電体を
保護膜としてコーティングなどで被着しておくとよい。
なお、生化学やバイオ系で適用する場合、金属薄膜の上
へ抗体などを含む皮膜を被着するなどしておくとよい。
例えば抗原の検知の機能性とともに、保護膜としても作
用し都合がよい。また、金属薄膜を直接プリズムに被着
するほかに、薄いガラス板に形成したものを貼り付け、
センシング部を着脱自在、取り替え自在にすることも有
用である。汎用性を高める点で好ましい。
共鳴振動励起用の金属薄膜は、その材質が金、白金、
銀、銅、アルミニウムのいずれでもよいが、複素誘電率
の虚部が小さいもの、例えば銀とするのが好ましい。た
だし、銀の薄膜は、外気や被検試料、特殊な環境にさら
されると硫化されやすいので、ＭｇＦ2などの誘電体を
保護膜としてコーティングなどで被着しておくとよい。
なお、生化学やバイオ系で適用する場合、金属薄膜の上
へ抗体などを含む皮膜を被着するなどしておくとよい。
例えば抗原の検知の機能性とともに、保護膜としても作
用し都合がよい。また、金属薄膜を直接プリズムに被着
するほかに、薄いガラス板に形成したものを貼り付け、
センシング部を着脱自在、取り替え自在にすることも有
用である。汎用性を高める点で好ましい。
【００３０】実施例で用いた２次元固体撮像素子は２次
元ＣＣＤイメージセンサ６としてＣＣＤ形であったが、
ＭＯＳ形であっても勿論よい。また、実施例では２次元
ＣＣＤイメージセンサ６として素子の形で示したが、よ
り簡便には、ＣＣＤカメラとしてこれを設定することで
目的を十分に達成できる。これによれば、設計の繁雑さ
が大幅に軽減されて好ましい。
元ＣＣＤイメージセンサ６としてＣＣＤ形であったが、
ＭＯＳ形であっても勿論よい。また、実施例では２次元
ＣＣＤイメージセンサ６として素子の形で示したが、よ
り簡便には、ＣＣＤカメラとしてこれを設定することで
目的を十分に達成できる。これによれば、設計の繁雑さ
が大幅に軽減されて好ましい。
【００３１】また、実施例で用いた偏光分離素子７は、
方解石などの結晶系のもののほか、プリズム系のもの例
えば、サバール板、ウォラストンプリズム、グラムトム
ソンプリズムなどのいずれを適用してもよい。なおま
た、光源はＬＥＤのほか、レーザダイオードを適用する
ことができる。
方解石などの結晶系のもののほか、プリズム系のもの例
えば、サバール板、ウォラストンプリズム、グラムトム
ソンプリズムなどのいずれを適用してもよい。なおま
た、光源はＬＥＤのほか、レーザダイオードを適用する
ことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、フー
リエ変換用の第２のシリンドリカルレンズの後側焦平面
上に設けられる固体撮像素子を２次元固体撮像素子とし
たので、センサヘッドのコンパクトな構成を維持しなが
ら、参照試料を用いた被検試料の温度補正が、温度計測
が不要かつ簡便な形で測定可能となると共に、経時変化
のリアルタイム測定も可能となり、しかも、これらの測
定を多チャンネルで行うことができ、測定精度の向上と
ともに機能性を一段と向上させる効果がある。
リエ変換用の第２のシリンドリカルレンズの後側焦平面
上に設けられる固体撮像素子を２次元固体撮像素子とし
たので、センサヘッドのコンパクトな構成を維持しなが
ら、参照試料を用いた被検試料の温度補正が、温度計測
が不要かつ簡便な形で測定可能となると共に、経時変化
のリアルタイム測定も可能となり、しかも、これらの測
定を多チャンネルで行うことができ、測定精度の向上と
ともに機能性を一段と向上させる効果がある。
【図１】本発明の一実施例のセンサヘッド部を示す斜視
説明図である。
説明図である。
【図２】図１の断面図であり(Ａ)は縦断面を(Ｂ)は光軸
に沿う横断面を示す。
に沿う横断面を示す。
【図３】水分濃度が異なるエタノールの試料に対し、そ
のそれぞれの励起角の温度依存性によるシフトを調べた
一検証例のグラフである。
のそれぞれの励起角の温度依存性によるシフトを調べた
一検証例のグラフである。
【図４】異なる温度で検量線がほぼ一致することを示す
グラフである。
グラフである。
【図５】他の実施例の一部を図解したもので(Ａ)は半球
プリズムの縦断面を模式的に示し(Ｂ)は平面図である。
プリズムの縦断面を模式的に示し(Ｂ)は平面図である。
【図６】２次元ＣＣＤイメージセンサのセンサ面の検出
態様を示す説明図である。
態様を示す説明図である。
【図７】ＣＣＤ画素位置に対応付けたＳ偏光とＰ偏光の
検出出力のデータ波形を示し、(Ａ)はＳ偏光、(Ｂ)はＰ
偏光、(Ｃ)はＰ偏光をＳ偏光で割算したデータ波形を示
す。
検出出力のデータ波形を示し、(Ａ)はＳ偏光、(Ｂ)はＰ
偏光、(Ｃ)はＰ偏光をＳ偏光で割算したデータ波形を示
す。
１ ＬＥＤ ２ コリメータレンズ ３ 第１のシリンドリカルレンズ ４ 高屈折率プリズム ４０ 半球プリズム ４ｂ、４１ 金属薄膜 ５ 第２のシリンドリカルレンズ ６ ２次元ＣＣＤイメージセンサ ７ 偏光分離素子 ７ｓ Ｓ偏光光 ７ｐ Ｐ偏光光 ２０ 参照試料 ２１、２２ 被検試料 ４３ フローセル
Claims (2)
- 【請求項１】点状光源からの光路に沿って、コリメータ
レンズと、第１のシリンドリカルレンズと、被検試料を
接触させる表面プラズモン励起用金属薄膜を一面に設け
た高屈折率のプリズムと、第２のシリンドリカルレンズ
と、この第２のシリンドリカルレンズの後側焦平面上に
設けられる固体撮像素子とを備え、この固体撮像素子か
らの信号を処理するデータ処理手段を有するセンサ装置
において、前記固体撮像素子を２次元固体撮像素子とし
たことを特徴とするセンサ装置。 - 【請求項２】前記第２のシリンドリカルレンズと前記２
次元固体撮像素子との間に偏光分離素子を設けた請求項
１記載のセンサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34173093A JP3437619B2 (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34173093A JP3437619B2 (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159319A true JPH07159319A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3437619B2 JP3437619B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=18348332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34173093A Expired - Lifetime JP3437619B2 (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3437619B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001242072A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 光吸収応答型ｓｐｒセンサーおよびその測定方法と装置 |
| WO2001069207A1 (fr) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Procede et instrument de mesure utilisant l'attenuation de la reflexion totale |
| JP2001330560A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 全反射減衰を利用した測定方法および装置 |
| JP2002048707A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 全反射減衰を利用した測定方法および装置 |
| JP2004020267A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定装置および該測定装置の使用方法 |
| WO2004095006A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Japan Science And Technology Agency | 差動式表面プラズモン共鳴現象測定装置及びその測定方法 |
| WO2007026582A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表面プラズモンセンサー |
| US7365853B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-04-29 | Fujifilm Corporation | Measuring method and measuring apparatus utilizing attenuated total reflection |
| JP2008521005A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロメートルサイズ深さフローチャンバ内のセンサを自己参照するためのシステム及び方法 |
| JP2009229196A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Shimadzu Corp | 導波モード共鳴格子を用いた屈折率測定方法及び屈折率測定装置 |
| WO2019093128A1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 横河電機株式会社 | 分光分析装置 |
| CN113466183A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 横河电机株式会社 | 光谱分析装置以及用于光谱分析装置的操作方法和程序 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292562A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Fujikura Ltd | 表面プラズモンセンサ |
-
1993
- 1993-12-09 JP JP34173093A patent/JP3437619B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2001242072A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 光吸収応答型ｓｐｒセンサーおよびその測定方法と装置 |
| WO2001069207A1 (fr) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Procede et instrument de mesure utilisant l'attenuation de la reflexion totale |
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| US6864984B2 (en) | 2000-03-16 | 2005-03-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Measuring method and apparatus using attenuation in total reflection |
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| JP2004020267A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定装置および該測定装置の使用方法 |
| EP1617203A4 (en) * | 2003-04-23 | 2008-02-20 | Japan Science & Tech Agency | DEVICE FOR DIFFERENTIAL SURFACE PLASMON RESONANCE MEASUREMENT AND MEASURING METHOD |
| WO2004095006A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Japan Science And Technology Agency | 差動式表面プラズモン共鳴現象測定装置及びその測定方法 |
| EP1617203A1 (en) * | 2003-04-23 | 2006-01-18 | Japan Science and Technology Agency | Differential surface plasmon resonance measuring device and its measuring method |
| US7365853B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-04-29 | Fujifilm Corporation | Measuring method and measuring apparatus utilizing attenuated total reflection |
| JP2008521005A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロメートルサイズ深さフローチャンバ内のセンサを自己参照するためのシステム及び方法 |
| US8021613B2 (en) | 2004-11-18 | 2011-09-20 | Corning Incorporated | System and method for self-referencing a sensor in a micron-sized deep flow chamber |
| JP4866364B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2012-02-01 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロメートルサイズ深さフローチャンバ内のセンサを自己参照するためのシステム及び方法 |
| WO2007026582A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表面プラズモンセンサー |
| JP2009229196A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Shimadzu Corp | 導波モード共鳴格子を用いた屈折率測定方法及び屈折率測定装置 |
| WO2019093128A1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 横河電機株式会社 | 分光分析装置 |
| CN111542747A (zh) * | 2017-11-10 | 2020-08-14 | 横河电机株式会社 | 光谱分析装置 |
| US11105737B2 (en) | 2017-11-10 | 2021-08-31 | Yokogawa Electric Corporation | Spectroscopic analysis device |
| EP3709002A4 (en) * | 2017-11-10 | 2021-11-10 | Yokogawa Electric Corporation | SPECTROSCOPIC ANALYSIS DEVICE |
| CN113466183A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 横河电机株式会社 | 光谱分析装置以及用于光谱分析装置的操作方法和程序 |
| EP3889583A1 (en) * | 2020-03-31 | 2021-10-06 | Yokogawa Electric Corporation | Spectroscopic analysis device and operation method and program for spectroscopic analysis device |
| CN113466183B (zh) * | 2020-03-31 | 2024-05-28 | 横河电机株式会社 | 光谱分析装置以及用于光谱分析装置的操作方法和程序 |
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|---|---|
| JP3437619B2 (ja) | 2003-08-18 |
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