SU1734206A1 - Mos-transistor-based gate - Google Patents
Mos-transistor-based gate Download PDFInfo
- Publication number
- SU1734206A1 SU1734206A1 SU904869990A SU4869990A SU1734206A1 SU 1734206 A1 SU1734206 A1 SU 1734206A1 SU 904869990 A SU904869990 A SU 904869990A SU 4869990 A SU4869990 A SU 4869990A SU 1734206 A1 SU1734206 A1 SU 1734206A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- type
- transistors
- transistor
- bus
- output bus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Назначение: использование в МДП-ин- тегральных схемах в качестве многофункционального логического элемента. Сущность изобретени : устройство содержит п ть транзисторов первого типа и четыре транзистора второго типа, четыре выходные шины и две входные шины. 1 ил.Purpose: use in MDP-integrated circuits as a multifunctional logic element. The essence of the invention: the device contains five transistors of the first type and four transistors of the second type, four output buses and two input buses. 1 il.
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике и можег быть использовано в МДП интегральных схемах в качестве многофункционального логического элемента.The invention relates to computing and can be used in MIS integrated circuits as a multifunctional logic element.
Известен логический элемент на МДП транзисторах, содержащий семь транзисторов первого типа и семь транзисторов второго типа.Known logic element on MOS transistors, containing seven transistors of the first type and seven transistors of the second type.
Недостатком такого устройства вл етс значительное количество транзисторов .The disadvantage of such a device is a significant number of transistors.
Наиболее близким по технической сущности к за вл емому устройству вл етс выбранный в качестве прототипа логический элемент на КМДП транзисторах , содержащий шесть транзисторов первого типа м п ть транзисторов второго типа.The closest in technical essence to the device claimed is a logic element selected as a prototype on CMPE transistors, containing six transistors of the first type and five transistors of the second type.
Недостатком известного устройства вл етс значительноэ число транзисторов, уменьшение числа которых в интегральном исполнении позволит уменьшить площадь устройства и, следовательно, повысить процент выхода годных ИС, а в дискретном исполнении - повысить надежность.A disadvantage of the known device is the significant number of transistors, reducing the number of which in integrated performance will reduce the area of the device and, consequently, increase the percentage of the yield of ICs, and in the discrete version increase reliability.
Цель изобретени - увеличение процента выхода годных ИС в случае интегрального исполнени и увеличение надежности в случае дискретного исполнени логического элемента на МДП транзисторах.The purpose of the invention is to increase the percentage of yield of IP in the case of an integrated design and increase reliability in the case of discrete execution of a logic element on MOS transistors.
Указанна цель достигаетс тем, что в логический элемент на МДП транзисторах, содержащий п ть транзисторов первого типа и четыре транзистора второго типа, истоки первого, третьего транзисторов первого типа подключены к шине питани , а истоки первого, третьего, четвертого транзисторов второго типа подключены к первой входной шине, затвор п того транзистора первого типа и затворы второго,четвертого, транзисторов второго типа подключены к второй входной шине, сток второго транзистора первого типа, стоки третьего, четвертого транзисторов второго типа подключены к первой выходной шине, стоки третьего и четвертого транзисторов первого типа подключены к второй выходной шине, сток п того транзистора первого типа подключен к третьей выходной шине, стоки первого транзистора первого типа и первого транзистора второго типа подключены к четвертой выходной шине, введены исток п того транзистора первого типа подключенный к первой входной шине, исток второго транзистора первого типа.This goal is achieved in that a logical element on MOS transistors containing five transistors of the first type and four transistors of the second type, sources of the first, third transistors of the first type are connected to the power bus, and sources of the first, third, fourth transistors of the second type are connected to the first the input bus, the gate of the first p transistor of the first type and the gates of the second, fourth, transistors of the second type are connected to the second input bus, the drain of the second transistor of the first type, the drains of the third, fourth transistors the second type is connected to the first output bus, the drains of the third and fourth transistors of the first type are connected to the second output bus, the drain of the fifth transistor of the first type is connected to the third output bus, the drains of the first transistor of the first type and the first transistor of the second type are connected the source of the first transistor of the first type connected to the first input bus, the source of the second transistor of the first type.
(Л(L
i соi with
JJ
N О JON O JO
подключенный к второй выходной шине, исток четвертого, затвор второго транзисторов первого типа и сток второго транзистора второго типа, подключенные к третьей выходной шине, затвор четвертого транзистора первого типа и исток второго транзистора второго типа, подключенные к четвертой выходной шинеconnected to the second output bus, the source of the fourth, the gate of the second transistor of the first type and the drain of the second transistor of the second type connected to the third output bus, the gate of the fourth transistor of the first type and the source of the second transistor of the second type connected to the fourth output bus
На чертеже представлена принципи- альна схема логического элемента на МПД транзисторах.The drawing shows a schematic diagram of a logic element on MTD transistors.
Логический элемент на МПД транзисторах содержит первую выходную шину 1, к которой подключены сток второго транзи- стора 2 первого типа, стоки третьего 3 и четвертого 4 транзисторов второго типа, вторую выходную шину 5, к которой подключены стоки четвертого 6 и третьего 7, исток второго 2 транзисторов первого типа, третью выходную шину 8, к которой подключены сток п того 9, исток четвертого 6, затвор второго 2 транзисторов первого типа, сток второго 10 транзистора второго типа, четвертую выходную шину 11, к которой подключены сток первого 13, исток второго 10 транзисторов второго типа, первую входную шину 14, к которой подключены затворы третьего 7, первого 12, исток п того 9 транзисторов первого типа, затворы перво- го 13, третьего 3 транзисторов второго типа, вторую входную шину 15, к которой подключены затворы п того 9 транзистора первого типа, затвор второго 10, четвертого 4 транзисторов второго типа, шину питани 16, к которой подключены истоки первого 12, третьего 7 транзисторов первого типа, общую шину 17, к которой подключены истоки первого 13, третьего 3, четвертого 4 транзисторов второго типа.The logic element on the MTD transistors contains the first output bus 1, to which the drain of the second transistor 2 of the first type, the drains of the third 3 and fourth 4 transistors of the second type, the second output bus 5, to which the drains of the fourth 6 and third 7 are connected, the source of the second 2 transistors of the first type, the third output bus 8, to which the drain of the fifth 9 is connected, the source of the fourth 6, the gate of the second 2 transistors of the first type, the drain of the second 10 of the transistor of the second type, the fourth output bus 11, to which the drain of the first 13 is connected, the source of watts The first 10 transistors of the second type, the first input bus 14, to which the gates of the third 7, first 12, the source of the first 9 transistors of the first type, the gates of the first 13, third 3 transistors of the second type, the second input bus 15, to which the gates are connected, are connected An additional 9 transistor of the first type, the gate of the second 10, fourth 4 transistors of the second type, power supply bus 16, to which the sources of the first 12, third 7 transistors of the first type are connected, a common bus 17, to which the sources of the first 13, third 3, fourth 4 are connected transistors of the second type but.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
На входные шины 14 и 15 подаютс логические сигналы. На первой выходной шине 1 реализуетс функци конъюнкции дополн ющих входных логических сигналов Y1 Х1 Х2. На второй выходной шине 5 реализуетс функци дизъюнкции тех же сигналов Y2 Х1+Х2. На третьей выходной шине 8 реализуетс функци сравнени Y3 Х1Х2 + Х1Х2, а на четвертой выходной шине 11 - функци отрицани Y4 Х1.Logic signals are provided to the input buses 14 and 15. On the first output bus 1, the conjunction function of the complementary input logic signals Y1 X1 X2 is implemented. On the second output bus 5, the function of disjunction of the same signals Y2 X1 + X2 is implemented. On the third output bus 8, the comparison function Y3 X1X2 + X1X2 is implemented, and on the fourth output bus 11 - the negation function Y4 X1.
При подаче на входные шины набора 0,0 соответственно первый 12, второй 2, третий 7, п тый 9 транзисторы первого типа открыты, а четвертый 6 транзистор первого типа, первый 13, второй 10, третий 3, четвертый 4 транзисторы второго типа закрыты. При этом на первой 1, второй 5, и четвертойWhen applied to the input bus sets of 0.0, respectively, the first 12, second 2, third 7, fifth 9 transistors of the first type are open, and the fourth 6 are of the first type, the first 13, second 10, third 3, and the fourth are four transistors of the second type. At the same time on the first 1, second 5, and fourth
11 выходных шинах устанавливаетс сигнал 1, а на третьей 8 выходной шине - О.11 output buses set signal 1, and on the third 8 output bus - O.
При подаче на входные шины набора 1, 15 соответственно, первый 12, второй 2, третий 7, п тый 9 транзисторы первого типа закрыты, а четвертый 6 транзистор первого типа и первый 13, второй 10, третий 3, четвертый 4 транзисторы второго типа открыты . При этом на всех выходных шинах 1, 5, 8, 11 устанавливаетс сигнал О.When fed to the input bus sets 1, 15, respectively, the first 12, second 2, third 7, fifth 9 transistors of the first type are closed, and the fourth 6 transistor of the first type and the first 13, second 10, third 3, fourth 4 transistors of the second type are open . At the same time, on all output buses 1, 5, 8, 11, the signal O is set.
При подаче на входные шины набора 1,0 соответственно, первый 12, второй 2, третий 7 транзисторы первого типа и второй 10, четвертый транзисторы второго типа закрыты , а четвертый 6, п тый 9 транзисторы первого типа и первый 13, третий 3 транзисторы второго типа открыты. При этом на первой 1 и четвертой 11 выходных шинах устанавливаетс сигнал О, а на второй 5 и третьей 8 выходных шинах устанавливаетс сигнал 1.When applied to the input bus sets of 1.0, respectively, the first 12, second 2, third 7 transistors of the first type and the second 10, fourth transistors of the second type are closed, and the fourth 6, fifth 9 transistors of the first type and the first 13, third third transistors of the second type open. In this case, the signal O is set on the first 1 and fourth 11 output buses, and the signal 1 sets on the second 5 and third 8 output tires.
При подаче на входные шины набора 0,1 соответственно, первый 12, третий 7 транзисторы первого типа и второй 10, четвертый 4 транзисторы второго типа открыты, а второй 2, четвертый 6, п тый 9 транзисторы первого типа и первый 13, третий 3 транзисторы второго типа закрыты. При этом на первой 1 выходной шине устанавливаетс сигнал О, а на второй 5 , третьей 8 и четвертой 11 выходных шинах устанавливаетс сигнал 1.When applied to the input bus sets of 0.1, respectively, the first 12, third 7 transistors of the first type and the second 10, fourth 4 transistors of the second type are open, and the second 2, fourth 6, fifth 9 transistors of the first type and the first 13, third 3 transistors the second type is closed. In this case, the signal O is set on the first 1 output bus, and the signal 1 is set on the second 5, third 8 and fourth 11 output buses.
Уменьшение количества транзисторов позволит уменьшить площадь устройства в интегральном исполнении, что в свою очередь повысит процент выхода годных ИС, а в дискретном исполнении позволит повысить надежность устройства.Reducing the number of transistors will reduce the area of the device in the integrated design, which in turn will increase the percentage of yield of IP, and in discrete design will increase the reliability of the device.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904869990A SU1734206A1 (en) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | Mos-transistor-based gate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904869990A SU1734206A1 (en) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | Mos-transistor-based gate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1734206A1 true SU1734206A1 (en) | 1992-05-15 |
Family
ID=21538179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904869990A SU1734206A1 (en) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | Mos-transistor-based gate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1734206A1 (en) |
-
1990
- 1990-08-13 SU SU904869990A patent/SU1734206A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1295512, кл. Н 03 К 19/094,1985. Авторское свидетельство СССР Ns 1480116, кл, Н 03 К 19/094, 1987. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2101559A1 (en) | Complementary logic input parallel (clip) logic circuit family | |
KR970031348A (en) | Exclusive Oa / Noargate Circuits | |
JPH03192915A (en) | Flip-flop | |
SU1734206A1 (en) | Mos-transistor-based gate | |
SU1480116A1 (en) | Mds-transistor-built logic element | |
KR880008535A (en) | 3-state complementary MOS integrated circuit | |
SU1562967A1 (en) | Logic element with states on complementary mds-transisistors | |
SU1051721A1 (en) | Three-state element | |
SU1764159A1 (en) | M o s f e t logical element | |
SU1064470A1 (en) | Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors | |
SU1287147A1 (en) | Carry generation unit of adder | |
SU1413722A1 (en) | Paraphase logical cmos circuit | |
SU1149399A1 (en) | Former with three output states | |
SU1019635A1 (en) | Level converter | |
SU1707757A1 (en) | Ternary logic disjunction using metal-insulator-semiconductor transistors | |
SU1492452A1 (en) | Compensating flip-flop using mutually complementing mis-transistors | |
RU1811002C (en) | Exclusive or gate | |
SU1631716A1 (en) | Three-state element | |
SU1370731A1 (en) | T-flip-flop | |
SU1287267A1 (en) | One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors | |
JPH0431630Y2 (en) | ||
SU1676069A1 (en) | Multistable flip-flop | |
SU1476599A1 (en) | Pulse shaper | |
SU1406591A1 (en) | Summer | |
SU1223349A2 (en) | Flip-flop based on insulated-gate field-effect transistors |