SU1064470A1 - Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors - Google Patents
Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors Download PDFInfo
- Publication number
- SU1064470A1 SU1064470A1 SU823493429A SU3493429A SU1064470A1 SU 1064470 A1 SU1064470 A1 SU 1064470A1 SU 823493429 A SU823493429 A SU 823493429A SU 3493429 A SU3493429 A SU 3493429A SU 1064470 A1 SU1064470 A1 SU 1064470A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- type
- transistor
- drain
- information
- bus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ, содержащий первый, второй и третий информационные транзисторы п-типа, включенные последовательно, четвертый , п тый и шестой информационные транзисторы п-типа, включенные после-, довательно, четыре входные шины, шины пр мого и инверсного сигнала управлени , о т.пл ичающийс тем, что, с целью повышени надеж .ности, первый, второй и третий информационные транзисторы включены между выходной и общей шинами четвертый , п тый и шестой информационные транзисторы включены между выходной и общей шинами, первый, второй и третий нагрузочные транзисторы р-типа включены последовательно между шиной источника питани и выходной шиной, четвертый, п тый и шестой нагрузрчныё; транзисторы р-типа включены последовательно между шиной источника питани и выходной шиной, сток первого блокирующего транзистора р-тйпа соединен с шиной источника питани , а исток подключён к стоку третьего .нагрузочг ного транзистора р-типа, сток первого коммутирующего транзистора р-типа подключен к стоку второго на рузоч- ного транзистора р-типа, а исток соединен со стоком шестого нагрузочного транзистора р-типа,сток второго коммутирующего транзистора р-типа подключен к стоку п того нагрузочного транзистора р-типа, а исток соединен с выходной шиной, сток второго блокирующего транзисГтора п-типа соединен с общей шиной, а исток подключен к стоку первого информационного транзистора п-типа, сток третьего коммутирующего транзистора п-типа подключен к стоку второго информационного транзистора п-типа, а исток - к стоку четвертого информационного транзистора п-типа, сток четвертого коммутирующего транзистора .п-типа подключен к стоку п того нагрузочно-го транзистора р-типа, а исток соединен с выходной шиной, сток второго блокирующего транзистора п-типа . соединен с общей шиной, а исток подключен к стоку первого информаен ционного транзистора п-типа, сток третьего коммутирующего транзистора п-типа подключен к стоку второго информационного транзистора ,п-типа, а исток - к стоку четвертого информационного транзистора п-типа , сток четвертого коммутирующего транзистора п-типа подключен к стоку п того информацнон ного транзистора п-типа, а исток соединен с выходнойпшиной, затворы 4i первого нагрузочного транзистора vl р-типа и третьего информационного транзистора п-типа соединены с первой входной шиной, затворы второго нагрузочного транзистора р-типа и второго информационного тра нзистора .п-типа соединены- с второй входной шиной , затворы п того нагрузочного транзистора р-типа .и п того информа-ционного транзисшрра гт-типа соединены с третьей входной шиной, затворы шестого нагрузочного транзистора р-типа и четвер.того информационного транзистора п-типа соединены с четвертой входной шиной, затворы первого и шестого информационных тран зисторов п-типа и третьего и четверMULTIFUNCTIONAL LOGICAL ELEMENT ON MDP-TRANSISTORS, containing the first, second and third information transistors of n-type, connected in series, fourth, fifth and sixth information transistors of the n-type, connected sequentially, four, four input buses, direct and inverse buses control signal, i.e., in order to increase reliability, the first, second and third information transistors are connected between the output and common buses, the fourth, fifth and sixth information transistors are included between Khodnev and general tires, the first, second and third load transistors are p-type are connected in series between the power supply bus and an output bus, the fourth, fifth and sixth nagruzrchnyo; p-type transistors are connected in series between the power supply bus and the output bus, the drain of the first p-type blocking transistor is connected to the power supply bus, and the source is connected to the drain of the third p-type load transistor, the drain of the first p-type switching transistor is connected to the second is a p-type ruler transistor, and the source is connected to the sixth p-type load transistor, the second p-type switching transistor is connected to the pin of the fifth p-type load transistor, and the source connected to the output bus, the drain of the second n-type blocking transistor, is connected to the common bus, and the source is connected to the drain of the first n-type information transistor, the drain of the third n-type switching transistor is connected to the drain of the second n-type information transistor, and the source to the drain of the fourth n-type information transistor, the drain of the fourth switching transistor .n-type is connected to the drain of the p-type fifth load transistor, and the source is connected to the output bus, the drain of the second n-type blocking transistor. connected to a common bus, and the source is connected to the drain of the first n-type information transistor, the drain of the third n-type switching transistor is connected to the drain of the second information transistor, n-type, and the source is connected to the drain of the fourth n-type information transistor the n-type switching transistor is connected to the drain of the n-type information transistor, and the source is connected to the output pin, the gates 4i of the first load transistor vl of the p-type and the third information transistor of the p-type are connected to the first by the input bus, the gates of the second p-type load transistor and the second information transistor of the p-type are connected to the second input bus, the gates of the fifth p-type load transistor and the fifth information transistor of the rm type are connected to the third input bus, the gates of the sixth p-type load transistor and the fourth n-type information transistor are connected to the fourth input bus, the gates of the first and sixth n-type information transistors and the third and fourth
Description
того нагрузочных транзисторов р-типа соединены с шиной пр мого сигнала управлени , затворы коммутирующихIn addition, p-type load transistors are connected to a direct control signal bus, commuting gates
и блокирующих транзисторов соединены с шиной инверсного сигнала управлени .and the blocking transistors are connected to the inverse control signal bus.
1one
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при разработке универсальных и специализированных цифровых вычислительных машин.The invention relates to computing and can be used in the development of universal and specialized digital computers.
Известен многофункциональный логический элемент, содержащий два элeмe тa равнозначности и элемент И элемент НЕ, причем каждый .элемент равнозначности имеет один информационный и один управл ющий входы-, входы элементов равнозначности подключены к входам элемента И, выход которого соединен с пр мым выходом логического элемента и с входом элемента НЕ, выход которого св зан инверсным выходом логического элемента Cl 3.A multifunctional logic element is known, containing two elements of equivalence and element AND element, NOT, each element of equivalence having one informational and one controlling input-, the inputs of elements of equivalence are connected to the inputs of the element I, the output of which is connected to the direct output of the logical element and with the input element NOT, the output of which is connected with the inverse output of the logic element Cl 3.
Недостатком известного устройства вл етс , низка надежность схемы в виду большого числа аппаратных средств, что определ етс избыточной -функциональной возможностью данного устройства.A disadvantage of the known device is the low reliability of the circuit due to the large number of hardware, which is determined by the redundant functionality of this device.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс многофункциональный логический элемент на МДП-транзисторах, содержащий первый, второй и третий информационные транзисторы п-типа, включенные последовательно, четвертый , п тый и шестой информационные транзисторы п-типа, включенные последовательно .четыре входные шины .шиныClosest to the proposed is a multifunctional logic element on MOS transistors, containing the first, second and third information transistors of n-type, connected in series, the fourth, fifth, and sixth information transistors of n-type, connected in series with four input buses.
пр мого и инверсного сигнала управлени 2 .direct and inverse control signal 2.
Недостаток указанного элемента низка надежность в виду большого числа компонентов схемы.The disadvantage of this element is low reliability due to the large number of circuit components.
Цель изобретени - повышение надежности.The purpose of the invention is to increase reliability.
Поставленна цель достигаетс тем, что в многофункциональном логическом элементе на МДЦ-рранзисторах , содержащем первый, второй и третий информационные транзисторы п-типа, включенные последовательно, четвертый, п тый и шестой информационные транзисторы п-типа, включенные последовательно, четыре .входные шины, шины пр мого и инверсного сигнала; управлени , первый, I второй и третий информационные транЬисторы включены между выходной и общей шинами, четвертый, п тый и шестой информационные транзисторы включены между выходной и общей, шинами , первый второй и третий нагрузочные транзисторы р-типа включены последовательно между шиной источника п-итани и выходной шиной, четвертый, п тыйи шестой нагрузочные транзисторы р-типа включены последовательно между шиной источника питани и выходной шиной, сток первого блокирующего транзистора р-типа соединен сThe goal is achieved by the fact that in a multifunctional logic element on MLC transistors containing first, second and third information transistors of n-type, connected in series, fourth, fifth and sixth information transistors of n-type, connected in series, four input buses, direct and inverse busbars; control, first, I second and third information transistors are connected between the output and common buses, fourth, fifth and sixth information transistors are connected between the output and common buses, the first second and third p-type load transistors are connected in series between the p-tus source bus and the output bus, the fourth, fifth, and sixth p-type load transistors are connected in series between the power supply bus and the output bus; the drain of the first p-type blocking transistor is connected to
0 шиной источника питани , а исток0 bus power source and source
подключен к стоку третьего нагрузочного транзистора р-типа, сток первого коммутирающего транзистора р-типа подключен к стоку второго нагрузочно5 го транзистора р-типа а исток соединен со стоком шестого нагрузочного транзистора р-типа,сток второго коммутирующего транзистора р-типа подключен к стоку п того нагрузочного транз-истора р-типа, а исток соединен с выходной шиной, сток второго блокирующего транзистора п-типа соединен с общей шиной, а исток подключен к cTOf ку первого информационного транзистора п-типа, сток третьего коммутирунадего транзистора п-типа подключен к . стоку второго информационного транзистора п -типа, -а исток - к стоку четвертого информационного транзистора п-типа, сток четвертогоthe p-type third load transistor is connected to the drain, the p-type first switching transistor is connected to the p-type second loading transistor, and the source is connected to the p-type sixth load transistor, the p-type second switching transistor is connected to the drain the p-type load transistor, and the source is connected to the output bus, the drain of the second n-type blocking transistor is connected to the common bus, and the source is connected to the cTOf of the first n-type information transistor, the drain of the third switch The n-type transistor is connected to. the drain of the second information transistor p-type, and the source to the drain of the fourth information transistor of n-type, the drain of the fourth
0 коммутирующего транзистора г -типа подключен к стоку п того нагрузочного транзистора р-типа, а исток соединен с вьаходной шиной, сток второго блокирующего транзистора п-типаThe g-type switching transistor 0 is connected to the drain of the p-type load transistor, and the source is connected to the external bus, the drain of the second blocking transistor of the n-type
5 соединен с общей шиной, а исток подключен к стоку первого информационного транзистора п-типа, сток третьш о коммутирующего транзистора л-типа подключен к стоку второго5 is connected to a common bus, and the source is connected to the drain of the first n-type information transistor, the third drain on the switching L-type transistor is connected to the drain of the second
0 информационного транзистора п-типа, а исток - к CTORy четвертого информационного транзистора п-типа, сток четвертого коммутирующего транзистора п-типа подключен к стоку п того информационного транзистора п-типа/ а исток соединен с выходной шиной , затворы первого нагрузочного транзистора р-типа и третьего информационного транзистора п-типа соединены с первой входной шиной,,затворы второго нагрузочного транзистора р-типа и второго информационного транзистора п-типа соединены с второй входной шиной, затворы п того нагрузочного транзистора р-типа и п того информационного транзистора п-типа соединены с третьей входной йинрй, затворы шестого нагрузочного транзистора р-типа и четвертого информационного транзистора п-типа соединены с четвертой входной шиной затворы первого и шестого информацифнных транзисторов п-типа и третьего и четвертого -нагрузочных тран зисторов р-типа соединены с шиной пр мого сйЕ ала управлени ., затворыкоммутирующих .и блокирующих транзис торов соединены с шиной инверсного сигнала управлени . На ч«фтежеПредставлена принципиальна схема предлагаемого многофункционального логического элемент «а МДП-транзисторах. Транзисторы 1-3 п-типа включены последовательно между собой.транзис торы 4-6п -типа включены последовагельно между собой,транзисторы 7-9 п-типа включены последовательно меж ду собой, транзисторы 10-12 р -типа включены последовательно между, собо сток транзистора 13р -типа подключен к стоку транзистора 9, сток тоа аистбоа 14 р-типа подключен к стоку транзистора 8, а исток - к стоку транзистора IS, сток тоанзистооа 15 П-типа подключен к стоку, транзистор 11,исток транзистора 16 м-типа подключен к стоку транзистора 1, сток транзистора. Д7р-типа подключен к стоку транзистора 2, а исток - к ,стоку транзистора 4, сток транзистор 18п -типа подключен к стоку транзис0 of the information transistor is n-type, and the source is to the CTORy of the fourth information transistor of n-type, the drain of the fourth switching transistor of n-type is connected to the drain of the fifth information transistor of n-type / and the source is connected to the output bus, the gates of the first load transistor p- type and third n-type information transistor are connected to the first input bus, the gates of the second p-type load transistor and the second information transistor of n-type are connected to the second input bus, the gates of the fifth load transistor p-type stoppers and p-type information transistor are connected to the third input device, the gates of the sixth p-type load transistor and the fourth n-type information transistor are connected to the fourth input bus of the first and sixth n-type information transistors and the third and fourth p-type load transistors are connected to the control bus of the direct control unit., switching gates and blocking transistors are connected to the control inversion signal bus. On the “ftezhe”, a schematic of the proposed multifunctional logic element “and MOSFET transistors” is presented. Transistors 1-3 p-type are connected in series with each other. Transistors of 4-6p-type are connected sequentially between themselves, transistors 7-9 of p-type are connected in series between each other, transistors 10-12 p-type connected in series between, side the 13p-type transistor is connected to the drain of transistor 9, the p-type aistobo 14 drain is connected to the drain of transistor 8, and the source is connected to the drain of the IS transistor, the P-type toanzistooa 15 is connected to the drain, the transistor 11, the 16 m-type transistor connected to the drain of the transistor 1, the drain of the transistor. D7p-type connected to the drain of the transistor 2, and the source - to, the drain of the transistor 4, the drain of the transistor 18p -type connected to the drain transis
JJ
пP
2f тора 5, стоки транзисторов 3, б и 16 подключены к общей и;ине 19, истоки транзисторов 1, 4, 9, 12, 15 и 18 соединены с выходной шиной 20, стоки транзисторов 7, 10 и 13 подключены к шине 21 источника питани , затврры транзисторов 3 и 7 соединены с первой входной шиной 22, затворы транзисторов 2 и 8 - с второй входной шиной 23, затворы транзисторов 5 и 11 - с третьей входной шиной 24, затворы транзисторов 4 и 12 - с четвеото входной шиной 25, затворытранзисторов 1, 6, 9 и 10 подключены к шине 26 пр мого сигнала управлени , затворы транзисторов 13-18 подключены к шине 27 инверсного сигнала управлени . Устройство работает следующим образом. На шину 27 подаетс инверсный сигнал по отношению к сигналу на шине 26, поэтому г-руппы Транзисторов 1, 6, 13, 14, 15 и 9, 10, 16, 17, 18 работают в про ивофазе. Если включена Угерва группа транзис оров (сигнал На шине 26 равен 17; ), то многофункциональный элемент выполн ет логическую функцию И2-ИЛИ-НЕ2, если включена втора группа транзисторов, то выполн етс логическа функци ИЛИ2-1К-НЕ2. Технико-экономический эффект от использовани предлагаемого устройства заключаетс в повышении надежности вследствие увеличени выхода годных изделий, так как количество транзисторов в устройстве уменьшаетс . . Елит I2f of the torus 5, the drain of the transistors 3, b and 16 are connected to common and; not 19, the origins of transistors 1, 4, 9, 12, 15 and 18 are connected to the output bus 20, the drain of transistors 7, 10 and 13 are connected to the source bus 21 power, the gates of the transistors 3 and 7 are connected to the first input bus 22, the gates of transistors 2 and 8 to the second input line 23, the gates of transistors 5 and 11 to the third input line 24, the gates of transistors 4 and 12 to the fourth input line 25, the gate of the transistors 1, 6, 9 and 10 are connected to the bus 26 of the direct control signal, the gates of the transistors 13-18 are connected to the bus 27 of the inverse c controlling drove. The device works as follows. An inverse signal is applied to the bus 27 with respect to the signal on the bus 26, therefore, the g-groups of the Transistors 1, 6, 13, 14, 15 and 9, 10, 16, 17, 18 operate in phase mode. If the Uverv group of transistors is on (the signal on bus 26 is 17;), then the multifunctional element performs the logical function I2-OR-HE2, if the second group of transistors is turned on, then the logical function OR2-1K-HE2 is performed. The technical and economic effect of using the proposed device is to increase the reliability due to an increase in the yield of products, as the number of transistors in the device decreases. . Elit I
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823493429A SU1064470A1 (en) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823493429A SU1064470A1 (en) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1064470A1 true SU1064470A1 (en) | 1983-12-30 |
Family
ID=21029805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823493429A SU1064470A1 (en) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1064470A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2496227C1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-10-20 | Сергей Феофентович Тюрин | Functionally full tolerance element |
-
1982
- 1982-09-27 SU SU823493429A patent/SU1064470A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Авторское свидетельство СССР 851397, кл. Н 03 К 19/08, 1981. 2. Каталог элементов ХА3.487. 152ЭЗ. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2496227C1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-10-20 | Сергей Феофентович Тюрин | Functionally full tolerance element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1342099A (en) | Logic circuit using complementary type insulated gate field effect transistors | |
GB1397452A (en) | Threshold logic gate circuits employing field-effect transistors | |
US4749886A (en) | Reduced parallel EXCLUSIVE or and EXCLUSIVE NOR gate | |
SU1064470A1 (en) | Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors | |
KR880008535A (en) | 3-state complementary MOS integrated circuit | |
JPS61166223A (en) | Composition type switch circuit | |
JPH0431630Y2 (en) | ||
SU1129739A1 (en) | Converter of voltage levels based on complementary insulated-gate field-effect transistors | |
SU1072264A1 (en) | Exclusive or logic element | |
SU1064471A1 (en) | Polyfunctional logic element based on insulated-gate field-effect transistors | |
JPS62109429A (en) | C-mos circuit | |
SU1734206A1 (en) | Mos-transistor-based gate | |
SU1287267A1 (en) | One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors | |
JPS594890B2 (en) | digital circuit | |
SU1223349A2 (en) | Flip-flop based on insulated-gate field-effect transistors | |
SU919089A1 (en) | Device for matching ttl-elements with insulated-gate field-effect elements | |
SU875596A1 (en) | Flip-flop on mutually complimentary insulated-gate field-effect transistors | |
FR2286558A1 (en) | Programmable integrated logic cct. - has outputs of AND-matrix connected to inputs of OR-matrix via inverters | |
SU1148114A1 (en) | Logic element | |
SU1480116A1 (en) | Mds-transistor-built logic element | |
SU993479A1 (en) | Controllable majority element | |
SU1707757A1 (en) | Ternary logic disjunction using metal-insulator-semiconductor transistors | |
SU611298A1 (en) | Shift register | |
SU1465940A1 (en) | Flip-flop with mis-transistors | |
SU1034191A1 (en) | Controlled complementary igfet element |