SU1287267A1 - One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors - Google Patents
One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors Download PDFInfo
- Publication number
- SU1287267A1 SU1287267A1 SU853880126A SU3880126A SU1287267A1 SU 1287267 A1 SU1287267 A1 SU 1287267A1 SU 853880126 A SU853880126 A SU 853880126A SU 3880126 A SU3880126 A SU 3880126A SU 1287267 A1 SU1287267 A1 SU 1287267A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- gates
- type
- bus
- sources
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике. Может быть использовано при разработке универсальных ЦВМ. Целью изобретени вл етс повьшение надежности за счет упрощени . Введены 1/овые функциональные св зи, что позволило достичь поставленную цель. Эффективность устройства по сравнению с прототипом заключаетс в том, что он содержит на два транзистора меньше. Кроме того, предлагаемое устройство разв зывает электрически входные и выходные сигналы, т.е. не использует двунаправленных ключевых элементов, что повышает нагрузочную способность. 1 ил.The invention relates to a pulse technique. It can be used in the development of universal digital computers. The aim of the invention is to increase reliability by simplifying. Introduced 1 / new functional relationships, which allowed to achieve the goal. The efficiency of the device in comparison with the prototype lies in the fact that it contains two transistors less. In addition, the proposed device dissolves electrically input and output signals, i.e. does not use bidirectional key elements, which increases the load capacity. 1 il.
Description
(Л(L
сwith
N)N)
0000
slsl
N9N9
Од Od
1one
128128
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано при разработке универсальных ЦВМ.The invention relates to a pulse technique and can be used in the development of universal digital computers.
Целью изобретени вл етс повышение надежности за счет упрощени .The aim of the invention is to increase reliability by simplifying.
На чертеже представлена принципиальна схема за вленного устройства .The drawing shows a schematic diagram of the device.
Одноразр дный компаратор на МДП- ранзисторах содержит последовательую цепочку первого и второго транзисторов 1,2 первого типа, к стоку торого транзистора подключены стоки ретьего и четвертого транзисторов 3, 4 второго типа соответственно,п тый5A one-bit comparator on MIS-transistors contains a successive chain of the first and second transistors 1.2 of the first type, to the drain of the second transistor are connected the drain of the retigo and the fourth transistors 3, 4 of the second type, respectively, fifth in 5
естой транзисторы 5, 6 первого типа соединены последовательно,сток шестого транзистора 6 подключен к стокам седьмого, восьмого транзисторов 7, 8 второго типа, истоки первого, п того транзисторов 1, 5 подключены к первой шине 9 питани , истоки третьего , восьмого транзисторов 3, 8 подключены к второй шине 10 питани , стоки второго и шестого транзисторов 2, 6 подключены к первой и второй выходным шинам 11, 12 соответ- ственно, затворы первого, четвертого транзисторов 1s подключены к первой входной шине 13, затворы п того ,, седьмого транзисторов 5, 7 подключены к второй выходной шине 14, затворы второгоJ третьего и шестого, восьмого транзисторов 2, Зэ 6, 8 попарно соединены истоки дев того 15, дес того 16 транзисторов второго типа подключены к второй шине 10 питани , затворы дев того и дес того транзисторов 15; 16 подключены к первой к второй входным шинам 13, 14, а стоки дев того и дес того транзисторов i5j 16 подключены к истокам четвертого и седьмого транзисторов 4, 7 соответственно, треть выходна шина 17 подключена к затворам шестого , восьмого транзисторов 6, 8, истокам первогоJ дев того транзисторов 1, 15, четверта выходна шина 18 подютючена к затворам второго, третьего транзисторов 2, 3 и стокам п того, дес того транзисторов 5,16,the first transistors 5, 6 of the first type are connected in series, the drain of the sixth transistor 6 is connected to the drains of the seventh, eighth transistors 7, 8 of the second type, the sources of the first, fifth transistors 1, 5 are connected to the first power line 9, the sources of the third, eighth transistors 3, 8 are connected to the second power supply bus 10, the drains of the second and sixth transistors 2, 6 are connected to the first and second output buses 11, 12, respectively, the gates of the first, fourth transistor 1s are connected to the first input bus 13, the gates of the fifth, seventh transistors 5, 7 podkl Yucheny to the second output bus 14, the second jets of the third and sixth, eighth transistors 2, Ze 6, 8 are connected in pairs to the sources of the ninth 15, the ten of the 16 transistors of the second type are connected to the second bus 10 of the power transistors 15; 16 are connected to the first to the second input buses 13, 14, and the drains of the ninth and tenth transistors i5j 16 are connected to the sources of the fourth and seventh transistors 4, 7, respectively, the third output bus 17 is connected to the gates of the sixth, eighth transistors 6, 8, sources The first 9 ninth transistors 1, 15, the fourth output bus 18 podtyuchena to the gates of the second, third transistors 2, 3 and drains of the fifth and ten transistors 5.16,
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
На пганы 9, 10 подключаютс плюс и . минус источников питани соответственно . Потенциалы плюса и VraHyca источника питани принима72On ghans 9, 10 are connected plus and. minus power sources respectively. Potential plus and VraHyca power source accept72
ютс соответственно за 1 и О. Входные сигналы подаютс на шины 13 и 14. На транзисторах 1, 15 и 5, 16 образованы инверторы дл этих сигна- лов с выходными шинами 17, 18. Одновременно транзисторы 1 и 5 вл ютс транзисторами, вход щими в схемы элементов ИЛИ-НЕ с выходными шинами 11, 12. Транзисторы 4, 7 предназначены ДД1Я разв зки соответствующих инверторов и элементов ИЛИ-НЕ. Если прин ть сигналы, приход щие соответственно на шины 13 и 14, в логическом обозначении за сигнал А и Б, то на1 and O, respectively. Input signals are fed to buses 13 and 14. In transistors 1, 15 and 5, 16 inverters are formed for these signals with output buses 17, 18. At the same time, transistors 1 and 5 are transistors that enter into the circuit of the elements OR-NOT with the output buses 11, 12. The transistors 4, 7 are designed DD1Y isolation of the corresponding inverters and elements OR-NOT. If we take the signals coming respectively to buses 13 and 14, in logical designation for signal A and B, then
.. ..
шинах 11 и 12 будут выполн тьс функции А.В и А Б. tires 11 and 12 will perform the functions of A. B. and A. B.
Предлагаемое устройство содержит два транзистора меньше чем известное . Кроме того, предлагаемое устройство разв зывает электрически входные и вьпсодные сигналы, т.е. не использует двунаправленных ключевых элементов, что повышает нагрузочную способность оThe proposed device contains two transistors less than known. In addition, the proposed device dissolves electrically input and output signals, i.e. does not use bidirectional key elements, which increases the load capacity of
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853880126A SU1287267A1 (en) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853880126A SU1287267A1 (en) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1287267A1 true SU1287267A1 (en) | 1987-01-30 |
Family
ID=21171640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853880126A SU1287267A1 (en) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1287267A1 (en) |
-
1985
- 1985-04-01 SU SU853880126A patent/SU1287267A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Титце У. и др. Полупроводникова схемотехника. М.: Мир, 1982, с. 330, рис. 19.23. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1287267A1 (en) | One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors | |
US4583013A (en) | Oscillator signal detect circuit | |
SU1734206A1 (en) | Mos-transistor-based gate | |
SU1285534A1 (en) | Storage based on complementary insulated-gate field-effect transistors | |
SU1365351A1 (en) | Comparison circuit with igfets | |
SU1471289A1 (en) | Level converter | |
SU1562967A1 (en) | Logic element with states on complementary mds-transisistors | |
SU597068A2 (en) | Single-phase inverse d-flip -flop | |
SU1707757A1 (en) | Ternary logic disjunction using metal-insulator-semiconductor transistors | |
JPH0431630Y2 (en) | ||
SU1072264A1 (en) | Exclusive or logic element | |
SU1269123A1 (en) | Carry generation unit in adder | |
SU1378047A1 (en) | Logical device | |
SU1676069A1 (en) | Multistable flip-flop | |
GB1177205A (en) | Interface Circuit for Interconnecting Four Phase Logic Systems on Separate Chips of an Integrated Circuit System | |
SU467403A1 (en) | Read amplifier | |
SU1223223A1 (en) | Carry generator | |
SU1140245A1 (en) | Amplifier-conditioner of output signals of read-only storages based on metal-oxide-semiconductor transistors | |
SU1674361A1 (en) | Pulse shaper | |
SU1411933A1 (en) | Flip-flop | |
SU1327283A1 (en) | Key element | |
JPS5911996B2 (en) | gate circuit | |
SU1492452A1 (en) | Compensating flip-flop using mutually complementing mis-transistors | |
SU1492454A1 (en) | Clocked e-flip-flop | |
SU1309267A1 (en) | D-flip-flop |