SU1287267A1 - One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors - Google Patents

One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors Download PDF

Info

Publication number
SU1287267A1
SU1287267A1 SU853880126A SU3880126A SU1287267A1 SU 1287267 A1 SU1287267 A1 SU 1287267A1 SU 853880126 A SU853880126 A SU 853880126A SU 3880126 A SU3880126 A SU 3880126A SU 1287267 A1 SU1287267 A1 SU 1287267A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
gates
type
bus
sources
Prior art date
Application number
SU853880126A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Вадимович Быков
Лев Николаевич Корягин
Олег Иванович Гусаков
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2892
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2892 filed Critical Предприятие П/Я В-2892
Priority to SU853880126A priority Critical patent/SU1287267A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1287267A1 publication Critical patent/SU1287267A1/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Может быть использовано при разработке универсальных ЦВМ. Целью изобретени   вл етс  повьшение надежности за счет упрощени . Введены 1/овые функциональные св зи, что позволило достичь поставленную цель. Эффективность устройства по сравнению с прототипом заключаетс  в том, что он содержит на два транзистора меньше. Кроме того, предлагаемое устройство разв зывает электрически входные и выходные сигналы, т.е. не использует двунаправленных ключевых элементов, что повышает нагрузочную способность. 1 ил.The invention relates to a pulse technique. It can be used in the development of universal digital computers. The aim of the invention is to increase reliability by simplifying. Introduced 1 / new functional relationships, which allowed to achieve the goal. The efficiency of the device in comparison with the prototype lies in the fact that it contains two transistors less. In addition, the proposed device dissolves electrically input and output signals, i.e. does not use bidirectional key elements, which increases the load capacity. 1 il.

Description

(L

сwith

N)N)

0000

slsl

N9N9

Од Od

1one

128128

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при разработке универсальных ЦВМ.The invention relates to a pulse technique and can be used in the development of universal digital computers.

Целью изобретени   вл етс  повышение надежности за счет упрощени .The aim of the invention is to increase reliability by simplifying.

На чертеже представлена принципиальна  схема за вленного устройства .The drawing shows a schematic diagram of the device.

Одноразр дный компаратор на МДП- ранзисторах содержит последовательую цепочку первого и второго транзисторов 1,2 первого типа, к стоку торого транзистора подключены стоки ретьего и четвертого транзисторов 3, 4 второго типа соответственно,п тый5A one-bit comparator on MIS-transistors contains a successive chain of the first and second transistors 1.2 of the first type, to the drain of the second transistor are connected the drain of the retigo and the fourth transistors 3, 4 of the second type, respectively, fifth in 5

естой транзисторы 5, 6 первого типа соединены последовательно,сток шестого транзистора 6 подключен к стокам седьмого, восьмого транзисторов 7, 8 второго типа, истоки первого, п того транзисторов 1, 5 подключены к первой шине 9 питани , истоки третьего , восьмого транзисторов 3, 8 подключены к второй шине 10 питани , стоки второго и шестого транзисторов 2, 6 подключены к первой и второй выходным шинам 11, 12 соответ- ственно, затворы первого, четвертого транзисторов 1s подключены к первой входной шине 13, затворы п того ,, седьмого транзисторов 5, 7 подключены к второй выходной шине 14, затворы второгоJ третьего и шестого, восьмого транзисторов 2, Зэ 6, 8 попарно соединены истоки дев того 15, дес того 16 транзисторов второго типа подключены к второй шине 10 питани , затворы дев того и дес того транзисторов 15; 16 подключены к первой к второй входным шинам 13, 14, а стоки дев того и дес того транзисторов i5j 16 подключены к истокам четвертого и седьмого транзисторов 4, 7 соответственно, треть  выходна  шина 17 подключена к затворам шестого , восьмого транзисторов 6, 8, истокам первогоJ дев того транзисторов 1, 15, четверта  выходна  шина 18 подютючена к затворам второго, третьего транзисторов 2, 3 и стокам п того, дес того транзисторов 5,16,the first transistors 5, 6 of the first type are connected in series, the drain of the sixth transistor 6 is connected to the drains of the seventh, eighth transistors 7, 8 of the second type, the sources of the first, fifth transistors 1, 5 are connected to the first power line 9, the sources of the third, eighth transistors 3, 8 are connected to the second power supply bus 10, the drains of the second and sixth transistors 2, 6 are connected to the first and second output buses 11, 12, respectively, the gates of the first, fourth transistor 1s are connected to the first input bus 13, the gates of the fifth, seventh transistors 5, 7 podkl Yucheny to the second output bus 14, the second jets of the third and sixth, eighth transistors 2, Ze 6, 8 are connected in pairs to the sources of the ninth 15, the ten of the 16 transistors of the second type are connected to the second bus 10 of the power transistors 15; 16 are connected to the first to the second input buses 13, 14, and the drains of the ninth and tenth transistors i5j 16 are connected to the sources of the fourth and seventh transistors 4, 7, respectively, the third output bus 17 is connected to the gates of the sixth, eighth transistors 6, 8, sources The first 9 ninth transistors 1, 15, the fourth output bus 18 podtyuchena to the gates of the second, third transistors 2, 3 and drains of the fifth and ten transistors 5.16,

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

На пганы 9, 10 подключаютс  плюс и . минус источников питани  соответственно . Потенциалы плюса и VraHyca источника питани  принима72On ghans 9, 10 are connected plus and. minus power sources respectively. Potential plus and VraHyca power source accept72

ютс  соответственно за 1 и О. Входные сигналы подаютс  на шины 13 и 14. На транзисторах 1, 15 и 5, 16 образованы инверторы дл  этих сигна- лов с выходными шинами 17, 18. Одновременно транзисторы 1 и 5  вл ютс  транзисторами, вход щими в схемы элементов ИЛИ-НЕ с выходными шинами 11, 12. Транзисторы 4, 7 предназначены ДД1Я разв зки соответствующих инверторов и элементов ИЛИ-НЕ. Если прин ть сигналы, приход щие соответственно на шины 13 и 14, в логическом обозначении за сигнал А и Б, то на1 and O, respectively. Input signals are fed to buses 13 and 14. In transistors 1, 15 and 5, 16 inverters are formed for these signals with output buses 17, 18. At the same time, transistors 1 and 5 are transistors that enter into the circuit of the elements OR-NOT with the output buses 11, 12. The transistors 4, 7 are designed DD1Y isolation of the corresponding inverters and elements OR-NOT. If we take the signals coming respectively to buses 13 and 14, in logical designation for signal A and B, then

.. ..

шинах 11 и 12 будут выполн тьс  функции А.В и А Б. tires 11 and 12 will perform the functions of A. B. and A. B.

Предлагаемое устройство содержит два транзистора меньше чем известное . Кроме того, предлагаемое устройство разв зывает электрически входные и вьпсодные сигналы, т.е. не использует двунаправленных ключевых элементов, что повышает нагрузочную способность оThe proposed device contains two transistors less than known. In addition, the proposed device dissolves electrically input and output signals, i.e. does not use bidirectional key elements, which increases the load capacity of

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Одноразр дный компаратор на МДП- транзисторах, содержащий последова-- тельную цепочку первого и второго транзисторов первого типа, к стоку второго транзистора подключены стокиA one-bit comparator on MOS transistors, containing a series of first and second transistors of the first type, is connected to the drain of the second transistor третьего и четвертого транзисторов второго типа, п тый, шестой транзисторы первого типа соединены последовательно , сток шестого транзистора подключен к стокам седьмого, восьмого транзисторов второго типа, истоки третьего и восьмого транзисторов подключены к второй шине питани , стоки второго и шестого транзисторов подключены к первой и второй выходным шинам соответственно, затворы первого и четвертого транзисторов подключены к первой входной шине, затворы п того и седьмого транзисторов подключены к второй входной шине, затворы второго, третьего, шестого и восьмого транзисторов попарно соединены, истоки дев того и дес того транзисторов второго типа подключены к второй шине питани ,the third and fourth transistors of the second type, the fifth, sixth transistors of the first type are connected in series, the drain of the sixth transistor is connected to the drains of the seventh, eighth transistors of the second type, the sources of the third and eighth transistors are connected to the second power bus, the drains of the second and sixth transistors are connected to the first and the second output buses, respectively, the gates of the first and fourth transistors are connected to the first input bus, the gates of the fifth and seventh transistors are connected to the second input bus, the gates torogo, third, sixth and eighth transistors are connected in pairs, the sources of the ninth and tenth transistors of the second type are connected to a second power bus, затворы дев того и дес того транзисторов подключены к первой и второй входным шинам соответственно, отличающийс  тем, что, с целью повьшени  надежности, стокиThe gates of the ninth and tenth transistors are connected to the first and second input buses, respectively, characterized in that, in order to increase reliability, the drains дев того и дес того транзисторов подключены к истокам четвертого и седьмого транзисторов соответственно , треть  выходна  шина подключена к затворам шестого и восьмого транзисторов и стокам первого и дев того транзисторов, етверта  выходна  шина подключена к затворам второго и третьего транзисторов и стокам п того и дес того транзисторов.The ninth and tenth transistors are connected to the sources of the fourth and seventh transistors, respectively, a third output bus is connected to the gates of the sixth and eighth transistors and to the drain of the first and ninth transistors, and the output bus is connected to the gates of the second and third transistors and the drain of the fifth and tenth ones transistors.
SU853880126A 1985-04-01 1985-04-01 One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors SU1287267A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853880126A SU1287267A1 (en) 1985-04-01 1985-04-01 One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853880126A SU1287267A1 (en) 1985-04-01 1985-04-01 One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1287267A1 true SU1287267A1 (en) 1987-01-30

Family

ID=21171640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853880126A SU1287267A1 (en) 1985-04-01 1985-04-01 One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1287267A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Титце У. и др. Полупроводникова схемотехника. М.: Мир, 1982, с. 330, рис. 19.23. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1287267A1 (en) One-digit comparator based on insulated-gate field-effect transistors
US4583013A (en) Oscillator signal detect circuit
SU1734206A1 (en) Mos-transistor-based gate
SU1285534A1 (en) Storage based on complementary insulated-gate field-effect transistors
SU1365351A1 (en) Comparison circuit with igfets
SU1471289A1 (en) Level converter
SU1562967A1 (en) Logic element with states on complementary mds-transisistors
SU597068A2 (en) Single-phase inverse d-flip -flop
SU1707757A1 (en) Ternary logic disjunction using metal-insulator-semiconductor transistors
JPH0431630Y2 (en)
SU1072264A1 (en) Exclusive or logic element
SU1269123A1 (en) Carry generation unit in adder
SU1378047A1 (en) Logical device
SU1676069A1 (en) Multistable flip-flop
GB1177205A (en) Interface Circuit for Interconnecting Four Phase Logic Systems on Separate Chips of an Integrated Circuit System
SU467403A1 (en) Read amplifier
SU1223223A1 (en) Carry generator
SU1140245A1 (en) Amplifier-conditioner of output signals of read-only storages based on metal-oxide-semiconductor transistors
SU1674361A1 (en) Pulse shaper
SU1411933A1 (en) Flip-flop
SU1327283A1 (en) Key element
JPS5911996B2 (en) gate circuit
SU1492452A1 (en) Compensating flip-flop using mutually complementing mis-transistors
SU1492454A1 (en) Clocked e-flip-flop
SU1309267A1 (en) D-flip-flop