SU1223223A1 - Carry generator - Google Patents

Carry generator Download PDF

Info

Publication number
SU1223223A1
SU1223223A1 SU843824913A SU3824913A SU1223223A1 SU 1223223 A1 SU1223223 A1 SU 1223223A1 SU 843824913 A SU843824913 A SU 843824913A SU 3824913 A SU3824913 A SU 3824913A SU 1223223 A1 SU1223223 A1 SU 1223223A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
type
transfer
mos transistor
transistor
formation
Prior art date
Application number
SU843824913A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Алексеевич Максимов
Ярослав Ярославович Петричкович
Валерий Николаевич Филатов
Иван Дмитриевич Якушев
Original Assignee
Организация П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8466 filed Critical Организация П/Я В-8466
Priority to SU843824913A priority Critical patent/SU1223223A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1223223A1 publication Critical patent/SU1223223A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении многоразр дных сумматоров на МДП-транзисторах в качестве схемы ускоренного переноса. Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  за счет уменьшени  емкостей, перезар жаемых в процессе переключени . В формирователь, содер- жаший четное число эл.ементов формировани  поразр дного переноса, каждый из которых содержит первый, второй и третий МДП-транзисторы р-типа, первый, второй и третий МДП-транзисторы п-типа, введены четвертый МДП-транзистор р-типа, четвертый МДП-транзистор п-типа и четное число элементов сравнени . Каждый элемент формировани  поразр дного переноса может работать в двух режимах; режиме формировани  поразр дного переноса и в режиме формировани  сквозного переноса. Соот- ветствуюший режим обусловливаетс  комбинацией сигналов на входах соответствующих разр дов слагаемых. I ил. ю ю со ю ГчЭ соThe invention relates to computing and can be used in the construction of multi-bit adders on MOS transistors as an accelerated transfer circuit. The aim of the invention is to increase the speed by reducing the capacities recharged during the switching process. A shaper containing an even number of bits of formation of bitwise transfer, each of which contains the first, second, and third p-type MOSFETs, the first, second, and third M-type transistors of the P-type -type, fourth n-type MOSFET, and an even number of reference elements. Each element of the formation of bitwise transfer can operate in two modes; the mode of formation of bitwise transfer and in the mode of formation of through transfer. The corresponding mode is determined by the combination of the signals at the inputs of the corresponding bits of the terms. I il. YO YO SO SO YOU GCHE SO

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и электронике и может быть использовано при построении арифметико- логических устройств обработки цифровой информации, в частности при построении многоразр дных сумматоров в качестве формировател  ускоренного переноса.The invention relates to computing and electronics and can be used in the construction of arithmetic logic devices for processing digital information, in particular in the construction of multi-digit adders as a driver for accelerated transfer.

Цель изобретени  - повышение быстродействи  формировател  переноса.The purpose of the invention is to increase the speed of the transfer former.

На чертеже представлена функциональна  схема формировател  переноса.The drawing shows the functional diagram of the transfer driver.

Формирователь переноса содержит в каждом разр де первый, второй и третий МДП- транзисторы 1-3 р-типа, первый, второй, третий МДП-транзисторы 4-6 п-типа, четвертый МДП-транзистор 7 р-типа, четвертый МДП-транзистор 8 п-типа, образующие элемент 9 формировани  поразр дного переноса , элементы 10 сравнени , выходы И элементов 9 формировани  поразр дного переноса , шину 12 питани , шину 13 нулевого потенциала, входы 14 соответствующих разр дов первого слагаемого, входы 15 соответствующих разр дов второго слагаемого, инверсные входы 16 соответствующих разр дов первого слагаемого, инверсные входы 17 соответствующих разр дов второго слагаемого , входы 18 переноса элементов 9 формировани  поразр дного переноса.The transfer driver contains the first, second and third MOSFET transistors 1-3 of p-type, the first, second, third MOSFET transistors of 4-6 p-type, the fourth MOSFET transistor of 7 p-type, the fourth MIS transistor 8 of the p-type, which form the unit of formation of bitwise transfer, the elements of 10 comparison, the outputs and elements of the formation of bitwise transfer, the power supply line 12, the zero potential bus 13, the inputs 14 of the corresponding bits of the first term, the inputs of the 15 corresponding bits of the second term , inverse inputs of 16 corresponding ra The views of the first term, the inverse inputs 17 of the corresponding bits of the second term, the transfer inputs 18 of the elements 9 of the formation of bitwise transfer.

Формирователь переноса работает следующим образом.The transfer driver works as follows.

Каждый элемент формировани  поразр дного переноса 9 может находитьс  в двух режимах: в режиме формировани  собственного переноса и в режиме формировани  сквозного переноса. Соответствующий режим обуславливаетс  комбинацией сигналов на пр мых входах 14 и 15 слагаемых. При совпадении сигналов на указанных входах 14 и 15 (собственный перенос) элемент 10 сравнени  вырабатывает на своих пр мом и инверсном выходах; соответственно, высокий и низкий уровни, открывающие второй МДП- транзистор 5 п-типа, второй МДП-транзистор 2 р-типа и запирающие четвертый 7 и четвертый 8 МДП-транзисторы, соответственно , р-типа и п-типа элемента 9 формировани  поразр дного переноса. Если на входах 14 и 15 слагаемых установлены низкие уровни, открываетс  первый МДП-транзистор 1 р-типа и закрываетс  первый МДП-транзистор 4 п-типа , при этом образуетс  канал протекани  тока между шиной 12 питани  и выходом 11, обеспечивающий формиров ание на выходе 11 высокого уровн . Установка на входах 14 и 15 высоких уровней приводит к формированию противоположного (низкого) уровн  на выходе 11 через открытые первый МДП-транзистор 4 п-типа и второй МДП-транзистор 5 п-типа.Each element of the formation of bitwise transfer 9 can be in two modes: in the mode of forming its own transfer and in the mode of forming through transfer. The corresponding mode is determined by a combination of signals at the direct inputs 14 and 15 of the components. If the signals at the indicated inputs 14 and 15 (own transfer) coincide, the comparison element 10 generates at its forward and inverse outputs; respectively, high and low levels, opening the second MOSFET transistor 5 p-type, the second MOSFET transistor 2 p-type and locking the fourth 7 and fourth 8 MOSFET transistors, respectively, p-type and p-type bit 9 transfer. If low levels are set up at inputs 14 and 15, the first M-transistor 1 is p-type and the first MOS-transistor 4 is n-type, and a current flow channel is formed between the power bus 12 and the output 11, which ensures the formation of 11 high level Installation at the inputs 14 and 15 of high levels leads to the formation of the opposite (low) level at output 11 through the open first MOSFET 4 n-type and the second MOSFET 5 n-type.

При несовпадении сигналов на входах 14 и 15 (сквозной перенос) схема 10 сравнени  вырабатывает на своих пр мом и инверсном выходах, соответственно, низкий и высокий уровни, открывающие четвертый МДП-транзистор 7 р-типа и четве:ртый МДП- транзистор 8 п-типа и запирающие второй МДП-транзистор 2 р-типа, и второй МДП- транзистор 5 п-типа, что обеспечивает формирование на выходе 11 элемента 9 формировани  поразр дного переноса сигнала, инверсного по отношению к сигналу на входе 18 элемента 9. Таким образом, каждый 0 нечетный элемент формировани  поразр дного переноса 9 реализует логическую формулуIf the signals at inputs 14 and 15 (through transfer) do not coincide, the comparison circuit 10 generates at its forward and inverse outputs, respectively, low and high levels, which open the fourth MOSFET 7 of the p type and the fourth: the third MOSFET of 8 p- type and locking the second MOSFET transistor 2 is p-type, and the second MOSFET is 5 n-type, which ensures the formation at output 11 of element 9 of forming bitwise signal transfer inverse to the signal at input 18 of element 9. Thus, every 0 odd element of formation transference 9 implements the logical formula

,5УХ,4ЛХ,8УХ,5ЛХ,8,, 5УХ, 4ЛХ, 8УХ, 5ЛХ, 8,

5 гдеХм, Х|5 - логические значени  пр мых сигналов на входах слагаемых; Xi8 - логическое значение пр мого сигнала переноса из предыдущего разр да.5 where Хм, Х | 5 - logical values of direct signals at the inputs of the terms; Xi8 is the logical value of the forward carry signal from the previous bit.

Аналогично, каждый четный элемент 9 формировани  поразр дного переноса реализует логическую формулуSimilarly, each even element 9 of the formation of bitwise transfer implements the logical formula

Fn (X,4AX,5VX,4AX,5)V(X,4AX,5V хУХ|4ЛХ,5)АХ|бАХ,7,Fn (X, 4AX, 5VX, 4AX, 5) V (X, 4AX, 5V HOX | 4LH, 5) AH | BAH, 7,

где Х|б, Xi7 - логические значени  инверсных сигналов на входах слагаемыхwhere X | b, Xi7 - logical values of the inverse signals at the inputs of the terms

Учитыва , что , , получаемTaking into account that, we get

°Ри Х,4АХ,5УХмАХ,8УХ,5АХ,8.° Re X, 4АХ, 5УХмАХ, 8УХ, 5АХ, 8.

Таким образом, на выходах нечетных элементов 9 формировани  поразр дного переноса формируютс  инверсные поразр дные переносы, а на выходах четных элементов 9 формировани  поразр дного переноса - пр мые поразр дные переносы, причем, поскольку формирователь содержит четное число элементов 9 формировани  поразр дного переноса, на выходе формировател  - пр мой перенос.Thus, at the outputs of odd elements 9 of forming bitwise transfer, inverse bitwise transfers are formed, and at the outputs of even elements of bitwise formation 9 are direct bitwise transfers, and, since the shaper contains an even number of elements of 9 of bitwise transfer, Shaper Outlet - Direct Transfer.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Формирователь переноса, содержащий четное число элементов формировани  поразр дного переноса, каждый из которых содержит первый, второй и третий МДП- транзисторы р-типа и первый, второй и третий МДП-транзисторы п-типа, причем сток первого МДП-транзистора р-типа и сток первого МДП-транзистора п-типа соединены соответственно с истоком второго МДП-транзистора р-типа и истоком второго МДП-транзистора п-типа, исток первого МДП-транзистора р-типа соединен с шиной питани , ис- ток первого МДП-транзистора п-типа - с щи- ной нулевого потенциала, затворы первых МДП-транзисторов р-типа каждого нечетного элемента формировани  поразр дногоA transfer driver containing an even number of bitwise transfer elements, each of which contains the first, second and third MIS transistors of the p-type and the first, second and third MOS transistors of the p-type, and the drain of the first MOS transistor of the p-type and the drain of the first p-type MOSFET is connected respectively to the source of the second p-type MOSFET and the source of the second p-type MOSFET, the source of the first p-type MOSFET is connected to the power bus, the source of the first MOSFET n -type - with a zero potential potential, s creates the first MIS transistor of p-type element forming each odd bit-wise переноса соединены с входами соответствующих разр дов первого слагаемого формировател  переноса, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи , в него введены четвертый МДП-транзистор р-типа и четвертый МДП-транзистор п-ти- па и четное число элементов сравнени , входы которых соединены с входами соответствующих разр дов первого и второго слагаемых, четвертый МДП-транзистор р- типа и четвертый МДП-транзистор п-типа подключены истоками к шинам соответственно питани  и нулевого потенциала, а стоками к истокам соответственно третьего МДП-транзистора р-типа и третьего МДП-транзистора п-типа, затворы которых  вл ютс  входом данного элемента формировани  поразр дного переноса и соединены с выходом предыдушего элемента формировани  поразр дного переноса, затворы второго МДП-транзистора п-типа и четвертого МДП-транзистора р-типа соединены с пр мыми выходами элемента сравнени , затворы второго МДП-транзистора р-типа и четвертого МДП-транзистора п-типа соединены с инверсными выходами элемента сравнени , затворы первого МДП-транзистора р-типа и первого МДП-транзистора п-типа каждого четного элемента формировани  поразр дного переноса соединены с инверсными входами соответствующих разр дов слагаемых формировател  переноса, стоки второго и третьего МДП-транзисторов р-типа, второго и третьего МДП-транзистора п-типа  вл ютс  выходом данного элемента формировани  поразр дного переноса и соединены с входом последующего элемента формировани  поразр дного переноса.the transfer is connected to the inputs of the corresponding bits of the first addend of the transfer generator, characterized in that, in order to increase speed, a fourth p-type MOS transistor and a fourth p-type MOS transistor and an even number of comparison elements, whose inputs connected to the inputs of the corresponding bits of the first and second terms, the fourth p-type MOS transistor and the fourth p-type MOS transistor are connected by sources to buses, respectively, of power and zero potential, and drains to sources, respectively, tr the third p-type MOS transistor and the third p-type MOS transistor, the gates of which are the input of this bit transfer formation element and are connected to the output of the previous bit transfer formation element, the second n-type MOS transistor and the fourth MOS transistor the p-type transistor is connected to the direct outputs of the reference element, the gates of the second p-type MOS transistor and the fourth m-transistor of the n-type are connected to the inverse outputs of the reference element, the gates of the first MIS transistor The n-type sources of each even-numbered transfer unit are connected to the inverse inputs of the corresponding bits of the transfer driver, the drains of the second and third p-type MOSFETs, the second and third M-type np transistors transfer and connected to the input of the subsequent element of the formation of bitwise transfer. tii-ftii-f . I 1 Pi Р1„- 18. I 1 Pi Р1 „- 18 tl Л tl l ffff -LJ ага ff tak-Jb -Lj aha ff tak-jb
SU843824913A 1984-10-29 1984-10-29 Carry generator SU1223223A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843824913A SU1223223A1 (en) 1984-10-29 1984-10-29 Carry generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843824913A SU1223223A1 (en) 1984-10-29 1984-10-29 Carry generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1223223A1 true SU1223223A1 (en) 1986-04-07

Family

ID=21151470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843824913A SU1223223A1 (en) 1984-10-29 1984-10-29 Carry generator

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1223223A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 4357625, кл. G 06 F 7/50, 1982. Патент JP № 54-42573, кл. G 06 F 7/50, 1979. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH035692B2 (en)
EP0077912A1 (en) FET adder circuit
US3999081A (en) Clock-controlled gate circuit
SU1223223A1 (en) Carry generator
US4807176A (en) Manchester type carry propagation circuit
JP2944373B2 (en) Semiconductor integrated circuit
EP0224841A2 (en) Logic arithmetic circuit
US4259595A (en) Clocking system for MOS transistor logic circuit
US4745306A (en) Half adder having a pair of precharged stages
SU1291969A1 (en) Carry generation unit of adder
SU1413722A1 (en) Paraphase logical cmos circuit
SU1269123A1 (en) Carry generation unit in adder
SU1287147A1 (en) Carry generation unit of adder
SU1312567A1 (en) Carry information unit for adder
RU2164036C2 (en) Single-bit adder
SU1363189A1 (en) Carry-forming unit
SU1008909A1 (en) Insulated gate field-effect transistor based adder
SU1702361A1 (en) Carry generator
SU1707757A1 (en) Ternary logic disjunction using metal-insulator-semiconductor transistors
SU1492454A1 (en) Clocked e-flip-flop
SU997251A1 (en) Logic implication element
SU1406591A1 (en) Summer
SU1598160A1 (en) Three-way element
SU646441A1 (en) Mds-transistor-based inverter
SU1177809A1 (en) Carry generation unit in adder