SU1480116A1 - Mds-transistor-built logic element - Google Patents

Mds-transistor-built logic element Download PDF

Info

Publication number
SU1480116A1
SU1480116A1 SU874315611A SU4315611A SU1480116A1 SU 1480116 A1 SU1480116 A1 SU 1480116A1 SU 874315611 A SU874315611 A SU 874315611A SU 4315611 A SU4315611 A SU 4315611A SU 1480116 A1 SU1480116 A1 SU 1480116A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
type
transistors
transistor
bus
output
Prior art date
Application number
SU874315611A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Ефимович Заболотный
Владимир Алексеевич Максимов
Ярослав Ярославович Петричкович
Original Assignee
Организация П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8466 filed Critical Организация П/Я В-8466
Priority to SU874315611A priority Critical patent/SU1480116A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1480116A1 publication Critical patent/SU1480116A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано в МПД-интегральных схемах в качестве многофункционального логического элемента. Целью изобретени   вл етс  упрощение элемента за счет уменьшени  числа МПД-транзисторов. Элемент содержит шесть МПД-транзисторов 1-6 первого типа и п ть МДП-транзисторов 7-11 второго типа. Входные сигналы двух переменных подаютс  на входные шины 16 и 17, а выходные снимаютс  с выходных шин 12-15, на которых соответственно реализуютс  функции отрицани  конъюнкции и дизъюнкции, сравнени  и инверсии. Упрощение элемента достигаетс  за счет многофункционального использовани  МДП-транзисторов с учетом их свойства двусторонней проводимости. 1 ил.The invention relates to computing and can be used in MTD integrated circuits as a multifunctional logic element. The aim of the invention is to simplify the element by reducing the number of MTD transistors. The element contains six MTD transistors 1-6 of the first type and five MOS transistors 7-11 of the second type. The input signals of two variables are fed to the input buses 16 and 17, and the output signals are removed from the output buses 12-15, on which, respectively, the functions of negative conjunction and disjunction, comparison, and inversion are implemented. Simplification of the element is achieved due to the multifunctional use of MOSFETs taking into account their property of two-sided conductivity. 1 il.

Description

JJ

0000

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано в МДП-интегральных схемах в качестве многофункционального логн- ческого элемента.The invention relates to computing and can be used in MIS integrated circuits as a multifunctional logic element.

Целью изобретени   вл етс  упрощение устройства за счет уменьшени  числа ВДП-транэисторов путем применени  как потенциальных затворных св зей между транзисторами, так и токовых, многофункционального использовани  МДП-транзисторов с учетом их свойства двусторонней проводимости, благодар  чему достигаетс  уменьше- ние числа транзисторов, приход щихс  на выполнение одной логической функции .The aim of the invention is to simplify the device by reducing the number of VDP transistors by applying both potential gate links between transistors and current, multifunctional use of MOS transistors taking into account their bi-directional conductivity properties, thereby reducing the number of transistors arriving to perform a single logical function.

На чертеже приведена принципиальна  схема логического элемента на МДП-транзисторах с индуцированным каналом.The drawing is a schematic diagram of a logic element on MOS transistors with an induced channel.

Логический элемент на МДП-транзисторах содержит шесть транзисторов 1-6 первого типа и п ть транзисторов 7-11 второго типа.The logic element on MOSFETs contains six transistors 1-6 of the first type and five transistors 7-11 of the second type.

Ксток второго транзистора 2 первого типа, стоки третьего 9 и четвертого 10 и исток п того 11 транзисторов второго типа подключены к пер- вой выходной шине 12. Исток второго транзистора 8 второго типа, стоки третьего 3, четвертого 4 и затвор п того 5 транзисторов первого типа, а также затвор п того транзистора 11 второго типа подключены к второй выходной шине 13.The path of the second transistor 2 of the first type, the drains of the third 9 and fourth 10 and the source of the first 11 transistors of the second type are connected to the first output bus 12. The source of the second transistor 8 of the second type, the drains of the third 3, fourth 4 and gate of the fifth 5 transistors of the first type, as well as the gate n of the second transistor 11 of the second type are connected to the second output bus 13.

Стоки п того 5 и шестого 6 транзисторов первого типа и сток п того транзистора 11 второго типа подключе ны к третьей выходной шине 14.The drains of the fifth and sixth six transistors of the first type and the drain of the second transistor 11 of the second type are connected to the third output bus 14.

Стоки первого 1 и второго 3, исто шестого 6 транзисторов первого типа и стоки первого 7 и второго 8 транзисторов второго типа подключены к четвертой выходной шине 15.The drains of the first 1 and second 3, the source of the sixth 6 transistors of the first type and the drains of the first 7 and second 8 transistors of the second type are connected to the fourth output bus 15.

Затворы первых 1, 7 и третьих 3, 9 транзисторов обоих типов соединены с первой входной шиной 16, а затворы вторых 2, 8 и четвертых 4, 10 транзи торов обоих типов и затвор шестого транзистора 6 первого типа соединены с второй входной шиной 17. Истоки не первого 1, третьего 3, четвертого 4 и п того 5 транзисторов первого типа соединены с шиной 18 питани , а истоки первого 7, третьего 9 и четвертого 10 транзисторов второго типа соединены с общей шиной 19.The gates of the first 1, 7 and third 3, 9 transistors of both types are connected to the first input bus 16, and the gates of the second 2, 8 and fourth 4, 10 transistors of both types and the gate of the sixth transistor 6 of the first type are connected to the second input bus 17. Origins not the first 1, third 3, fourth 4, and fifth five transistors of the first type are connected to the power bus 18, and the sources of the first 7, third 9, and fourth 10 transistors of the second type are connected to a common bus 19.

Логический элемент функционирует следующим образом.The logical element operates as follows.

На входные шины 16 и 17 подаютс  логические сигналы XI и Х2. На перво выходной шине 12 реализуетс  функци  конъюнкции дополн ющих входных логических сигналов Y1 XI Х2. На второ выходной шине 13 реализуетс  функци  дизъюнкции тех же сигналов Y2 XI + + Х2, На третьей выходной шине 14 реализуетс  функци  сравнени  Y3 XI Х2 + XI Х2, а на четвертой вы- ходной шине 15 - функци  отрицани  Y4 XI.Logic signals XI and X2 are supplied to the input buses 16 and 17. On the first output bus 12, the conjunction function of the auxiliary input logic signals Y1 XI X2 is implemented. On the second output bus 13, the disjunction function of the same signals Y2 XI + + X2 is implemented. On the third output bus 14, the comparison function Y3 XI X2 + XI X2 is implemented, and on the fourth output bus 15, the negation function Y4 XI.

При подаче на входные шины набора 0,0 первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4 и шестой 6 транзисторы первого типа открыты, а первый 7, второй 8, третий 9 и четвертый 10 транзисторы второго типа закрыты. При этом на всех выходных шинах 12-15 устанавливаетс  сигнал 1.When applied to the input bus sets of 0.0 first 1, second 2, third 3, fourth 4 and sixth 6 transistors of the first type are open, and the first 7, second 8, third 9 and fourth 10 transistors of the second type are closed. In this case, a signal 1 is set on all output buses 12-15.

При подаче на входные шины набора 1,1 все указанные транзисторы измен ют свое состо ние проводимости на противоположное и на первойWhen applied to the input buses of the set 1.1, all of the above transistors change their state of conduction to the opposite and on the first

12,второй 13 и четвертой 15 выходных шинах устанавливаетс  сигнал О а на третьей выходной шине 14 за счет открытого п того транзистора 5 первого типа - сигнал 1.12, the second 13 and the fourth 15 output lines are set by the signal O and on the third output line 14 by means of an open fifth transistor 5 of the first type — signal 1.

При подаче набора 0,1 открыты .первый-1 и третий 3 транзисторы первого типа и второй 8, четвертый 10 и п тый 11 транзисторы второго типа. При этом на первой 12 и третьи 14 выходных шинах устанавливаетс  сигнал О, а на второй 13 и четвертой 15 выходных шинах - сигнал 1.When a set of 0.1 is applied, the first-1 and third 3 transistors of the first type and the second 8, the fourth 10 and fifth 11 transistors of the second type are opened. At the same time, on the first 12 and third 14 output buses, the signal O is set, and on the second 13 and fourth 15 output tires - the signal 1.

При подаче на входные шины 1G и 17 логического набора 1,0 на всех выходных шинах, кроме второй шиныWhen fed to the input tires 1G and 17 logical set 1.0 on all output tires, except the second bus

13,устанавливаютс  сигналы О. Таким образом, предлагаемое уст- 13, the signals O are set. Thus, the proposed

ройство содержит 11 КДП-транзисторов и выполн ет четыре логические функции , т.е. обладает лучшим показателем , чем у устройства-прототипа, что повышает надежность и технологичность устройства.The device contains 11 KDP transistors and performs four logic functions, i.e. has a better performance than the prototype device, which increases the reliability and manufacturability of the device.

Подключение к третьей выходной шине 14 инвертора, например выполненного на МДП-транзисторах дополнительного типа, позвол ет дополнительно реализовать еще одну функцию сравнени  Y5 X1 X2+XI Х2, что расшир ет функциональные возможности логического элемента при сохранении преимущества перед устройством-прототипом по сложности.Connecting to the third output bus 14 of the inverter, for example, made on additional type of MOSFETs, additionally allows to implement another comparison function Y5 X1 X2 + XI X2, which expands the functionality of the logic element while maintaining the advantage over the prototype device in complexity.

Claims (1)

Формула изобретени  Invention Formula Логический элемент на МДП-тран- зисторах, содержащий шесть транзисторов первого типа и п ть транзисторов второго типа, истоки первого,.треть- его и п того транзисторов первого типа подключены к шине питани , а истоки первого и третьего транзисторов второго типа - к общей шине, затворы первого и третьего транзисторов пер- вого типа и затвор третьего транзистора второго типа соединены с первой входной шиной, а затворы вторых и четвертых транзисторов обоих типов соединены с второй входной шиной, ис- токи п того и второго транзисторов второго типа соединены соответственно с первой и второй выходными шинами, стоки первого и второго, а также третьего и четвертого транзисторов второго типа попарно объединены, стоки третьего и четвертого и затвор п того транзисторов первого типа подключены к затвору п того транзистора второго типа, сток которого соединен со стоками п того и шестого транзисторов первого типа и подключен к третьей выходной шине, стоки первого и второго транзисторов первого типа .соединены с четвертой выходной шиной, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  устройства, затвор первого транзистора второго типа, сток которого соединен с четвертой выходной шиной, подключен к первой входной шине, исток второго транзис- тораллервого типа и сток четвертого транзистора второго типа подключены к первой выходной шине, затвор и исток шестого транзистора первого типа подключены соответственно к второй входной и четвертой выходной шинам , сток третьего транзистора первого типа соединен с второй выходной шиной, а истоки четвертых транзисторо первого и второго типов подключены . соответственно к шине питани  и к общей шине.A logic element on MIS transistors containing six transistors of the first type and five transistors of the second type, sources of the first, third and fifth transistors of the first type are connected to the power bus, and the sources of the first and third transistors of the second type the bus, the first and third transistor gates of the first type and the third transistor of the second type are connected to the first input bus, and the second and fourth transistors of both types are connected to the second input bus, the second and second transistors are connected to the second transistor. types are connected respectively with the first and second output buses, the drains of the first and second, as well as the third and fourth transistors of the second type are combined in pairs, the drains of the third and fourth and the gate of the first transistor of the first type are connected to the gate of the second transistor of the second type, the drain of which is connected to the drain of the fifth and sixth transistors of the first type and is connected to the third output bus, the drain of the first and second transistors of the first type are connected to the fourth output bus, characterized in that, in order to simplify the devices The gates of the first transistor of the second type, the drain of which is connected to the fourth output bus, are connected to the first input bus, the source of the second hinge type and the drain of the fourth transistor of the second type are connected to the first output bus, the gate and the source of the sixth transistor of the first type are connected respectively to the second input and fourth output buses, the drain of the third transistor of the first type is connected to the second output bus, and the sources of the fourth transistor of the first and second types are connected. respectively to the power rail and to the common tire.
SU874315611A 1987-10-12 1987-10-12 Mds-transistor-built logic element SU1480116A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874315611A SU1480116A1 (en) 1987-10-12 1987-10-12 Mds-transistor-built logic element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874315611A SU1480116A1 (en) 1987-10-12 1987-10-12 Mds-transistor-built logic element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1480116A1 true SU1480116A1 (en) 1989-05-15

Family

ID=21331450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874315611A SU1480116A1 (en) 1987-10-12 1987-10-12 Mds-transistor-built logic element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1480116A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка JP № 58-5611, кл. Н 03 К 19/21, 10.06.75. Авторское свидетельство СССР № 1295512, кл. Н 03 К 19/094, 20.03.85. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870001599A (en) Output buffer circuit of memory
JPH03192915A (en) Flip-flop
SU1480116A1 (en) Mds-transistor-built logic element
KR890005996A (en) Synchronous flip-flop circuit
KR940004833A (en) Latch-up Reduction Output Driver and Latch-up Reduction Method of CMOS Circuit
JPH05102312A (en) Semiconductor integrated circuit
SU1734206A1 (en) Mos-transistor-based gate
SU1019635A1 (en) Level converter
SU1688398A1 (en) Voltage comparator
SU1562967A1 (en) Logic element with states on complementary mds-transisistors
SU1182665A1 (en) Element having three states
SU1140245A1 (en) Amplifier-conditioner of output signals of read-only storages based on metal-oxide-semiconductor transistors
SU1631716A1 (en) Three-state element
SU1471289A1 (en) Level converter
SU818015A1 (en) Device for matching ttl-circuits with mds-integrated circuits
SU1327283A1 (en) Key element
SU1129739A1 (en) Converter of voltage levels based on complementary insulated-gate field-effect transistors
SU790330A1 (en) Quick-action level converter based on complementary insulated-gate field-effect transistors
SU1234952A1 (en) Flip-flop based on insulated-gate field-effect transistors
SU1051721A1 (en) Three-state element
SU919089A1 (en) Device for matching ttl-elements with insulated-gate field-effect elements
RU1774472C (en) Dinamic d-flip-flop with third output state
SU1406591A1 (en) Summer
SU1465999A1 (en) Electronic gate
KR970055483A (en) RS latch circuit