SU1347513A1

SU1347513A1 - Способ выращивани монокристаллов гадолиний-галлиевого граната

Info

Publication number: SU1347513A1
Application number: SU853981522A
Authority: SU
Inventors: Ю.Л. Бабокин; И.А. Иванов; А.М. Бульканов
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5476
Priority date: 1985-11-29
Filing date: 1985-11-29
Publication date: 1992-01-15

Abstract

Изобретение относитс к способам выращивани монокристаллов гадо лииий-гашшевого граната и позвол ет увеличить выход годных монокристаллов диаметром 105-110 мм с апот-; ностью дефектов кристаллической структуры i7 см . Монокристаллы выращивают из расплава на вращающуюс затравку. Коническую часть мон07 кристалла выт гивают со скоростью 3-7 мм/ч до изменени формы фронта кристаллизации. Затем скорость выт гивани уменьшают по закону , где V, V - скорости выт гивани конической части монокристалла до и после изменени формы фронта кристаллизации соответственно, мм/ч; L - длина конусной части монокристалла после изменени формы фронта кристаллизации, мм; об «0,01-0,12 - козффициент, подобранный экспери- , мм. 1 табл. S (Л со 4 сл

Description

11

Изобретение относитс к технологии получени изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промьшшейности.

Целью изобретени вл етс увеличение выхода годных монокристаллов гадолиний-галлиевого граната диаметром 105-110 мм с плотностью дефектов кристаллической структуры 7 см.

Пример. В тигель загружают шихту - смесь окислов галли и гадолини в соотношении 53,92 мас.% GdjO, и 46,08 мас.% ,. Шихту плав т посредством высокочастотного нагрева иридиевого тигл диаметром 150 мм. Азот подают к тепловому узлу перед началом нагрева тигл , кислород добавА ют при по влении рас- плава.

Затравку вращают со скоростью 24 об/мин. При касании затравкой расплава происходит затравливание, после чего начинают перемещение за- травки вверх со скоростью 7 мм/ч. Скорость выт гивани остаетс посто нной до изменени формы фронта кристаллизации от островыпуклого к плавновыпуклому. Далее скорость V выт гивани уменьшаетс в соответствии с фop fyлoй

-( мм/ч -0,11 мм L мм,

где L - текущее значение длины конуса , отсчитываемое от момента вменени формы фронта кристаллизации , мм.

Скорость выт гивани измен ют через каждые 5 мм длины до выхода кристалла на диаметр 110 мм. При этом мм, а скорость выт гивани 2,6 мм/ч. Цилиндрическую часть кристалла раст т с посто нной скоростью выт гивани 2,6 мм/ч. Кристаллы выращивают до массы 9-12 кг с плотностью дефектов 0-7 .

5

s

5 0

5

0

5

132

Результаты сведены в таблицу.

Как следует из таблицы, уменьшение скорости выт гивани по закону, указанному в формуле. Позвол ет увеличить выход монокристаллов диаметром 105-110 мм с плотностью дефектов кристаллической структуры i 7 см до 24-25%.

Claims

Формула изобретени

Способ выращивани монокристаллов гадолиний-галлиевого граната, включающий расплавление шихты, затравливание на вращающуюс затравку, выт гивание из расплава конической части кристалла со скоростью 3-7 мм/ч до изменени формы фронта кристаллизации и выт гивание с посто нной скоростью цилиндрической части кристалла в атмосфере инертного газа, содержащего кислород, отличающийс тем, что, с целью увеличени выхода годных монокристаллов диаметром 105-110 мм с плотностью дефектов кристаллической структуры 1 , после изменени формы фронта кристаллизации скорость выт гивани уменьшают до получени заданного диаметра монокристалла по закону

,

где V - скорость выт гивани конической части монокристалла, после изменени формы фронта кристаллизации, мм/ч; скорость выт гивани монокристалла до изменени формы фронта кристаллизации, мм/ч;

длина конусной части монокристалла после изменени формы фронта кристаллизаV . L ции , мм;

сС 0,01-0,12 - коэффициент, подобранный экспериментально,

.