JPH06256091A - 無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ３単結晶およびその製造方法 - Google Patents
無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ３単結晶およびその製造方法Info
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- JPH06256091A JPH06256091A JP6751293A JP6751293A JPH06256091A JP H06256091 A JPH06256091 A JP H06256091A JP 6751293 A JP6751293 A JP 6751293A JP 6751293 A JP6751293 A JP 6751293A JP H06256091 A JPH06256091 A JP H06256091A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】クラックや双晶を含まない（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇａ
Ｏ3単結晶製造を可能とする組成（Ｌａ／Ｎｄ比）を明
確にし、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の引上げ法によ
る育成技術において育成中にもまた育成後の冷却中にも
クラックや双晶が入らない単結晶製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）であ
る無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶と、引上げ軸方
向の温度勾配を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直上
において４５℃／ｃｍ以下とし、引上げ中の（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−６０）℃を越えて冷却さ
せず、上記引上げ工程終了後、無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で室温まで
冷却する、次いで任意にアニールすることを特徴とする
製造方法である。
Ｏ3単結晶製造を可能とする組成（Ｌａ／Ｎｄ比）を明
確にし、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の引上げ法によ
る育成技術において育成中にもまた育成後の冷却中にも
クラックや双晶が入らない単結晶製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）であ
る無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶と、引上げ軸方
向の温度勾配を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直上
において４５℃／ｃｍ以下とし、引上げ中の（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−６０）℃を越えて冷却さ
せず、上記引上げ工程終了後、無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で室温まで
冷却する、次いで任意にアニールすることを特徴とする
製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶およびその製造方法、さらに詳細には酸化
物超伝導薄膜成長の基板材料等として使用する（Ｎｄ，
Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を無双晶単結晶として製造せしめ
得る混合組成および製造方法に関するものである。
ａＯ3単結晶およびその製造方法、さらに詳細には酸化
物超伝導薄膜成長の基板材料等として使用する（Ｎｄ，
Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を無双晶単結晶として製造せしめ
得る混合組成および製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬａＧａＯ3、ＮｄＧａＯ3を代表
とするガレート酸化物は酸化物超伝導体薄膜用格子整合
基板としての有効性が報告されている（例えば、Sandst
rom等、Applied Physics Letters 53(1988)1874）。こ
れらのガレート酸化物単結晶基板上に酸化物超伝導体を
エピタキシャル成長させて成膜する際、そのガレート基
板と酸化物超伝導体薄膜の成膜温度における格子整合性
が成膜時の薄膜の成長様式、膜質に影響を及ぼす。理想
的には成膜温度における格子不整合率が０％であれば、
それは成膜時に疑似的なホモエピタキシャル成長条件を
満足し、良質膜を成膜せしめる望ましい基板である。
とするガレート酸化物は酸化物超伝導体薄膜用格子整合
基板としての有効性が報告されている（例えば、Sandst
rom等、Applied Physics Letters 53(1988)1874）。こ
れらのガレート酸化物単結晶基板上に酸化物超伝導体を
エピタキシャル成長させて成膜する際、そのガレート基
板と酸化物超伝導体薄膜の成膜温度における格子整合性
が成膜時の薄膜の成長様式、膜質に影響を及ぼす。理想
的には成膜温度における格子不整合率が０％であれば、
それは成膜時に疑似的なホモエピタキシャル成長条件を
満足し、良質膜を成膜せしめる望ましい基板である。
【０００３】酸化物超伝導体をＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxとした
場合、上記ＬａＧａＯ3、ＮｄＧａＯ3ガレート酸化物の
成膜温度における格子整合率は、それぞれ−０．１０
％、０．２６％であり、疑似的なホモエピタキシャル成
長条件を満足するまでに至らない（格子整合率は、式
（ａf−ａs）／｛（ａf＋ａs）／２｝より計算した。こ
こで、ａfおよびａsは、それぞれ薄膜および基板の格子
定数を示す）。しかし、上記格子不整合率を詳しく見る
と、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxを基準として各々のガレート酸化
物の格子定数は、それぞれＬａＧａＯ3が僅かに大き
く、ＮｄＧａＯ3が僅かに小さい。したがって、これら
二つのガレート酸化物を混晶とすれば、格子不整合率０
％の単結晶基板を製造することが可能である。このよう
に酸化物超伝導体薄膜基板としてガレート酸化物の混晶
材料を用いることの報告は、１９８９年にKoen等によっ
てApplied Physics Letters Ｖｏｌ．５４の１０５６頁
に記述されたＬａ0.95Ｇｄ0.05ＧａＯ3単結晶が最初で
ある。（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3ガレート酸化物混晶に関
しては、１９９１年に大石等によって特開平３−２７９
２５０号に報告されているのが最初である。しかし、基
板用単結晶には上述の格子整合性に加えて、成膜した薄
膜の膜質に影響を及ぼすクラックや双晶等の結晶欠陥を
含まない単結晶であることが重要であり、上記（Ｎｄ，
Ｌａ）ＧａＯ3ガレート酸化物混晶を酸化物超伝導体薄
膜用基板として用いる際にはその（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ
3ガレート混晶をクラックや双晶を含まない単結晶とし
て育成製造し基板として用いることを目的とした、組成
の明確化や製造方法の確率が重要である。（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3混晶単結晶の一構成要素であるＬａＧａＯ3
は、室温から融点までの間に二つの構造相変態点を有し
ており（小林等、Journal of Material Science 6(199
1)97）、この構造相変態が単結晶作製時に発生するクラ
ックや双晶の原因となっている。したがって、構造相変
態を有せずクラックや双晶を含まない単結晶の作製が可
能なＮｄＧａＯ3とクラックや双晶を含んだ単結晶しか
作製できないＬａＧａＯ3を構成要素とする（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3混晶は、そのＬａ／Ｎｄ比に依存してクラ
ックや双晶のない単結晶を製造できる組成範囲が限られ
ることは容易に推測できる。しかし、上記発明（特開平
３−２７９２５０号）では、これらの点について何ら言
及をしていない。
場合、上記ＬａＧａＯ3、ＮｄＧａＯ3ガレート酸化物の
成膜温度における格子整合率は、それぞれ−０．１０
％、０．２６％であり、疑似的なホモエピタキシャル成
長条件を満足するまでに至らない（格子整合率は、式
（ａf−ａs）／｛（ａf＋ａs）／２｝より計算した。こ
こで、ａfおよびａsは、それぞれ薄膜および基板の格子
定数を示す）。しかし、上記格子不整合率を詳しく見る
と、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxを基準として各々のガレート酸化
物の格子定数は、それぞれＬａＧａＯ3が僅かに大き
く、ＮｄＧａＯ3が僅かに小さい。したがって、これら
二つのガレート酸化物を混晶とすれば、格子不整合率０
％の単結晶基板を製造することが可能である。このよう
に酸化物超伝導体薄膜基板としてガレート酸化物の混晶
材料を用いることの報告は、１９８９年にKoen等によっ
てApplied Physics Letters Ｖｏｌ．５４の１０５６頁
に記述されたＬａ0.95Ｇｄ0.05ＧａＯ3単結晶が最初で
ある。（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3ガレート酸化物混晶に関
しては、１９９１年に大石等によって特開平３−２７９
２５０号に報告されているのが最初である。しかし、基
板用単結晶には上述の格子整合性に加えて、成膜した薄
膜の膜質に影響を及ぼすクラックや双晶等の結晶欠陥を
含まない単結晶であることが重要であり、上記（Ｎｄ，
Ｌａ）ＧａＯ3ガレート酸化物混晶を酸化物超伝導体薄
膜用基板として用いる際にはその（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ
3ガレート混晶をクラックや双晶を含まない単結晶とし
て育成製造し基板として用いることを目的とした、組成
の明確化や製造方法の確率が重要である。（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3混晶単結晶の一構成要素であるＬａＧａＯ3
は、室温から融点までの間に二つの構造相変態点を有し
ており（小林等、Journal of Material Science 6(199
1)97）、この構造相変態が単結晶作製時に発生するクラ
ックや双晶の原因となっている。したがって、構造相変
態を有せずクラックや双晶を含まない単結晶の作製が可
能なＮｄＧａＯ3とクラックや双晶を含んだ単結晶しか
作製できないＬａＧａＯ3を構成要素とする（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3混晶は、そのＬａ／Ｎｄ比に依存してクラ
ックや双晶のない単結晶を製造できる組成範囲が限られ
ることは容易に推測できる。しかし、上記発明（特開平
３−２７９２５０号）では、これらの点について何ら言
及をしていない。
【０００４】上記ＮｄＧａＯ3ガレート単結晶の製造方
法に関しては、１９５６年フラックス法を用いて初めて
試みられたが、フラックスに用いる鉛酸化物の混入によ
る品質の低下と得られる単結晶の小ささ（５ｍｍ角程
度）が報告されている（Remeika, Journal of American
Chemical Society 78(1956)4259）。これらの問題を解
決すべく、シリコン単結晶等の製造において一般的な単
結晶製造法である引上げ法の適用が１９７５年より試み
られているが、熱応力によるクラックや双晶発生のた
め、アフターヒーターを用いない一般的な引上げ装置で
は直径１０ｍｍ程度の小さい無双晶単結晶しか得ること
ができなかった（Ruse等，Journal of Crystal Growth
29(1975)305）。また、ＬａＧａＯ3ガレート単結晶に関
しては、引上げ法により製造されているが、現在のとこ
ろ、無双晶の単結晶は得られていない。
法に関しては、１９５６年フラックス法を用いて初めて
試みられたが、フラックスに用いる鉛酸化物の混入によ
る品質の低下と得られる単結晶の小ささ（５ｍｍ角程
度）が報告されている（Remeika, Journal of American
Chemical Society 78(1956)4259）。これらの問題を解
決すべく、シリコン単結晶等の製造において一般的な単
結晶製造法である引上げ法の適用が１９７５年より試み
られているが、熱応力によるクラックや双晶発生のた
め、アフターヒーターを用いない一般的な引上げ装置で
は直径１０ｍｍ程度の小さい無双晶単結晶しか得ること
ができなかった（Ruse等，Journal of Crystal Growth
29(1975)305）。また、ＬａＧａＯ3ガレート単結晶に関
しては、引上げ法により製造されているが、現在のとこ
ろ、無双晶の単結晶は得られていない。
【０００５】図５に従来一般的に使用されている高周波
誘導加熱式の引上げ装置の図面を示す。図中、１はイリ
ジウム製ルツボ、３は高周波加熱コイル、４は保温筒、
５は融液、６は石英管、７は熱電対である。母原料とな
る焼結体をイリジウム製ルツボ１に充填し、高周波加熱
コイル３で融解し、種結晶を融液につけて回転させなが
ら引上げて（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3を育成する。
誘導加熱式の引上げ装置の図面を示す。図中、１はイリ
ジウム製ルツボ、３は高周波加熱コイル、４は保温筒、
５は融液、６は石英管、７は熱電対である。母原料とな
る焼結体をイリジウム製ルツボ１に充填し、高周波加熱
コイル３で融解し、種結晶を融液につけて回転させなが
ら引上げて（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3を育成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５に示した方法で種
々のＬａ／Ｎｄ比を持つ（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
を育成したところ、育成中において単結晶にクラックや
双晶が入り、良質な単結晶を得ることができなかった。
また、クラックや双晶が少ない単結晶でも引上げ工程終
了後の冷却工程や単結晶引上げ装置から取り出した後の
放置中に単結晶にクラックや双晶が入ることがあった。
このため、従来の方法で育成した単結晶からは直径２０
ｍｍ程度の大きな直径の単結晶基板を得ることは不可能
であった。また、直径１０ｍｍ程度の小さい径の単結晶
基板でも歩留まりは非常に低伊という問題点があった。
々のＬａ／Ｎｄ比を持つ（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
を育成したところ、育成中において単結晶にクラックや
双晶が入り、良質な単結晶を得ることができなかった。
また、クラックや双晶が少ない単結晶でも引上げ工程終
了後の冷却工程や単結晶引上げ装置から取り出した後の
放置中に単結晶にクラックや双晶が入ることがあった。
このため、従来の方法で育成した単結晶からは直径２０
ｍｍ程度の大きな直径の単結晶基板を得ることは不可能
であった。また、直径１０ｍｍ程度の小さい径の単結晶
基板でも歩留まりは非常に低伊という問題点があった。
【０００７】したがって、本発明はクラックや双晶を含
まない（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶製造を可能とする
組成（Ｌａ／Ｎｄ比）を明確にし、良質な格子整合基板
を提供することを目的とする。また、（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶の引上げ法による育成技術において育成中
にもまた育成後の冷却中にもクラックや双晶が入らない
単結晶製造方法を提供することを目的とする。さらに、
本発明は引上げ法で製造した（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単
結晶が放置中にクラックや双晶が入ることを防止する方
法を提供することも目的とする。
まない（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶製造を可能とする
組成（Ｌａ／Ｎｄ比）を明確にし、良質な格子整合基板
を提供することを目的とする。また、（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶の引上げ法による育成技術において育成中
にもまた育成後の冷却中にもクラックや双晶が入らない
単結晶製造方法を提供することを目的とする。さらに、
本発明は引上げ法で製造した（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単
結晶が放置中にクラックや双晶が入ることを防止する方
法を提供することも目的とする。
【０００８】
【問題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明による無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
は、Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）であるこ
とを特徴とする。
め、本発明による無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
は、Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）であるこ
とを特徴とする。
【０００９】また本発明による無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶の製造方法は、単結晶製造用引上げ炉中で
種結晶を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液に接触させ、引上
げた後、冷却する無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
の製造方法において、前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液
はＮｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶とな
るための組成を有し、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸
方向の温度勾配は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直
上において４５℃／ｃｍ以下であり、引上げ中の（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−６０）℃を越えて
冷却させないよう調整するとともに、無双晶（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶の上記引上げ工程終了後、無双晶
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷
却速度で室温まで冷却することを特徴とする。
ａＯ3単結晶の製造方法は、単結晶製造用引上げ炉中で
種結晶を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液に接触させ、引上
げた後、冷却する無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
の製造方法において、前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液
はＮｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶とな
るための組成を有し、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸
方向の温度勾配は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直
上において４５℃／ｃｍ以下であり、引上げ中の（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−６０）℃を越えて
冷却させないよう調整するとともに、無双晶（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶の上記引上げ工程終了後、無双晶
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷
却速度で室温まで冷却することを特徴とする。
【００１０】また本発明による無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶の製造方法は、単結晶製造用引上げ炉中で
種結晶を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液に接触させ、引上
げた後、冷却する無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
の製造方法において、前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液
はＮｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶とな
るための組成を有し、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸
方向の温度勾配は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直
上において４５℃／ｃｍ以下であり、引上げ中の（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−６０）℃を越えて
冷却させないよう調整するとともに、無双晶（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶の上記引上げ工程終了後、無双晶
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷
却速度で室温まで冷却したのち、製造された無双晶（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を１０００℃以上の温度でア
ニールすることを特徴とする。
ａＯ3単結晶の製造方法は、単結晶製造用引上げ炉中で
種結晶を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液に接触させ、引上
げた後、冷却する無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
の製造方法において、前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液
はＮｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶とな
るための組成を有し、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸
方向の温度勾配は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直
上において４５℃／ｃｍ以下であり、引上げ中の（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−６０）℃を越えて
冷却させないよう調整するとともに、無双晶（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶の上記引上げ工程終了後、無双晶
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷
却速度で室温まで冷却したのち、製造された無双晶（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を１０００℃以上の温度でア
ニールすることを特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る単結晶引上げ装置は、
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3の融液を溶融するルツボと、前
記ルツボ内の融液を加熱する加熱手段と、前記ルツボの
開口部から引上げられた単結晶の側面を取り囲みかつ引
上げ方向にテーパを有する中空体アフターヒーターと、
アフターヒーターの外側を取り囲む保温筒と、を含んで
なる単結晶引上げ装置であり、前述の（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶の引上げ軸方向の温度勾配を（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3融液の液面直上において４５℃／ｃｍ以下
とすること、かつ引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単
結晶を（融点−６０）℃を越えて冷却させないことを満
足するよう調整を加えてある。
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3の融液を溶融するルツボと、前
記ルツボ内の融液を加熱する加熱手段と、前記ルツボの
開口部から引上げられた単結晶の側面を取り囲みかつ引
上げ方向にテーパを有する中空体アフターヒーターと、
アフターヒーターの外側を取り囲む保温筒と、を含んで
なる単結晶引上げ装置であり、前述の（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇ
ａＯ3単結晶の引上げ軸方向の温度勾配を（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3融液の液面直上において４５℃／ｃｍ以下
とすること、かつ引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単
結晶を（融点−６０）℃を越えて冷却させないことを満
足するよう調整を加えてある。
【００１２】以下本発明の構成を説明する。
【００１３】本発明による無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ
3単結晶は、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3の混晶において、Ｎ
ｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）の組成を有して
いる。
3単結晶は、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3の混晶において、Ｎ
ｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）の組成を有して
いる。
【００１４】（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3混晶単結晶の一構
成要素であるＬａＧａＯ3は、室温から融点までの間に
二つの構造相変態点を有しており、この構造相変態が単
結晶作製時に発生するクラックや双晶の原因となってい
る。本発明者は詳細な（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3混晶に対
する熱分析の結果、Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3で表記される
組成０＜ｘ＜０．３において上述の構造相変態が存在せ
ず、クラックや双晶のない単結晶を製造できる組成範囲
であることを見い出した。図１はＬａ濃度と融点および
相変態温度との関係を示す図であり、図中、実線は融点
を示し、○、×は相変態温度の文献値、測定値をそれぞ
れ示す。この図より明らかなようにｘが０．３未満の組
成においては、室温から融点まで構造相変態が存在しな
い。すなわち上述の組成は、室温から融点までの温度領
域において構造相変態が存在しない組成であり、クラッ
クや双晶のない（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を製造し
得る組成範囲である。
成要素であるＬａＧａＯ3は、室温から融点までの間に
二つの構造相変態点を有しており、この構造相変態が単
結晶作製時に発生するクラックや双晶の原因となってい
る。本発明者は詳細な（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3混晶に対
する熱分析の結果、Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3で表記される
組成０＜ｘ＜０．３において上述の構造相変態が存在せ
ず、クラックや双晶のない単結晶を製造できる組成範囲
であることを見い出した。図１はＬａ濃度と融点および
相変態温度との関係を示す図であり、図中、実線は融点
を示し、○、×は相変態温度の文献値、測定値をそれぞ
れ示す。この図より明らかなようにｘが０．３未満の組
成においては、室温から融点まで構造相変態が存在しな
い。すなわち上述の組成は、室温から融点までの温度領
域において構造相変態が存在しない組成であり、クラッ
クや双晶のない（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を製造し
得る組成範囲である。
【００１５】次に、本発明の無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇａ
Ｏ3単結晶の製造方法を説明すると、本発明において
は、単結晶製造用引上げ炉中で種結晶を（Ｎｄ，Ｌａ）
ＧａＯ3融液に接触させ、引上げた後、冷却して無双晶
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を製造するに際し、まず
Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶となる
ための組成を有する前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液を
形成する。
Ｏ3単結晶の製造方法を説明すると、本発明において
は、単結晶製造用引上げ炉中で種結晶を（Ｎｄ，Ｌａ）
ＧａＯ3融液に接触させ、引上げた後、冷却して無双晶
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を製造するに際し、まず
Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶となる
ための組成を有する前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液を
形成する。
【００１６】本発明の単結晶製造法の融液の素原料は、
Ｎｄ2Ｏ3とＬａ2Ｏ3とＧａ2Ｏ3の粉末を使用することが
できる。これらの酸化物粉末は９９．９９％以上の高純
度品であることが好ましい。これらの酸化物を混合し直
ちにルツボで溶解することもできるが、混合粉を加圧成
型した後、焼結を行った焼結体原料を使用することが溶
解中の原料の蒸発などを少なくする上で好ましい。ま
た、焼結体原料は混合時より所望の組成比の（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3とすることも可能であるし、（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3は混晶酸化物であるから一旦その構成酸化
物であるＬａＧａＯ3とＮｄＧａＯ3を作製し、それらの
焼結体を所望の組成となるようルツボに充填することも
可能である。所望の組成に配合した焼結体原料をルツボ
に充填し、高周波熱または抵抗加熱で１５００〜１６０
０℃で融解して融液を形成する。
Ｎｄ2Ｏ3とＬａ2Ｏ3とＧａ2Ｏ3の粉末を使用することが
できる。これらの酸化物粉末は９９．９９％以上の高純
度品であることが好ましい。これらの酸化物を混合し直
ちにルツボで溶解することもできるが、混合粉を加圧成
型した後、焼結を行った焼結体原料を使用することが溶
解中の原料の蒸発などを少なくする上で好ましい。ま
た、焼結体原料は混合時より所望の組成比の（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3とすることも可能であるし、（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3は混晶酸化物であるから一旦その構成酸化
物であるＬａＧａＯ3とＮｄＧａＯ3を作製し、それらの
焼結体を所望の組成となるようルツボに充填することも
可能である。所望の組成に配合した焼結体原料をルツボ
に充填し、高周波熱または抵抗加熱で１５００〜１６０
０℃で融解して融液を形成する。
【００１７】次に、種結晶を取付けた引上げ棒を上部よ
り前記融液に接触させ、引上げ棒を回転させながら引上
げ、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を育成する。
り前記融液に接触させ、引上げ棒を回転させながら引上
げ、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を育成する。
【００１８】この時、引上げ炉の融液液面上の温度勾配
が二つの温度勾配条件を満たすことが必要である。すな
わち第一は、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸方向の温
度勾配を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直上におい
て４５℃／ｃｍ以下とすることである。
が二つの温度勾配条件を満たすことが必要である。すな
わち第一は、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸方向の温
度勾配を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直上におい
て４５℃／ｃｍ以下とすることである。
【００１９】本発明者らは図５に示すような従来の引上
げ炉内の温度勾配を測定したところ、約７０℃／ｃｍの
非常に高い温度勾配を有することを見い出した。この高
い温度勾配は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の育成にお
いては単結晶にクラックや双晶を発生させる程過度の熱
応力を誘起する原因であり、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融
液の液面直上において温度勾配をなだらかに設定するこ
と、かつ引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を過
度に冷却させず単結晶中に急激な温度勾配をつけないこ
とがクラックおよび双晶発生防止に有効であることを見
い出した。すなわち、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液直上
の温度勾配が４５℃／ｃｍを越えると、融液直上でクラ
ックや双晶を発生させる熱応力が発生し、クラックや双
晶の発生に至る。引上げ中の単結晶のある温度勾配を従
来より緩やかになるように制御する。従来法と本発明法
の温度勾配を上記区間で比較すると、従来法では区間全
体で温度勾配が急峻になっていた。
げ炉内の温度勾配を測定したところ、約７０℃／ｃｍの
非常に高い温度勾配を有することを見い出した。この高
い温度勾配は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の育成にお
いては単結晶にクラックや双晶を発生させる程過度の熱
応力を誘起する原因であり、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融
液の液面直上において温度勾配をなだらかに設定するこ
と、かつ引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を過
度に冷却させず単結晶中に急激な温度勾配をつけないこ
とがクラックおよび双晶発生防止に有効であることを見
い出した。すなわち、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液直上
の温度勾配が４５℃／ｃｍを越えると、融液直上でクラ
ックや双晶を発生させる熱応力が発生し、クラックや双
晶の発生に至る。引上げ中の単結晶のある温度勾配を従
来より緩やかになるように制御する。従来法と本発明法
の温度勾配を上記区間で比較すると、従来法では区間全
体で温度勾配が急峻になっていた。
【００２０】次に、第二の温度勾配を説明する。
【００２１】上述のような（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液
直上の温度勾配を４５℃／ｃｍ以下に設定しても、引上
げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶が（融点−６０）
℃を越えた温度勾配を持った場合、単結晶中にクラック
や双晶を発生させる熱応力が発生し、クラックや双晶の
発生に至る。
直上の温度勾配を４５℃／ｃｍ以下に設定しても、引上
げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶が（融点−６０）
℃を越えた温度勾配を持った場合、単結晶中にクラック
や双晶を発生させる熱応力が発生し、クラックや双晶の
発生に至る。
【００２２】このクラックや双晶を発生させない温度勾
配を作り出すためには、ルツボ内の（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇａ
Ｏ3融液の加熱手段が高周波誘導コイルであるときは、
前述の従来の引上げ装置の構成物に加え、後述の図３に
示す単結晶引上げ装置に示すようにアフターヒーターの
付加、上記アフターヒーターの位置の調節、高周波誘導
コイルの位置調節等が必要である。さらに、抵抗加熱で
ルツボを加熱するときは多段ヒーターを設け、個々のヒ
ーターを調節することにより所定温度勾配を設定するこ
とができる。
配を作り出すためには、ルツボ内の（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇａ
Ｏ3融液の加熱手段が高周波誘導コイルであるときは、
前述の従来の引上げ装置の構成物に加え、後述の図３に
示す単結晶引上げ装置に示すようにアフターヒーターの
付加、上記アフターヒーターの位置の調節、高周波誘導
コイルの位置調節等が必要である。さらに、抵抗加熱で
ルツボを加熱するときは多段ヒーターを設け、個々のヒ
ーターを調節することにより所定温度勾配を設定するこ
とができる。
【００２３】次に、引き上げた（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3
単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で室温まで冷却す
る。
単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で室温まで冷却す
る。
【００２４】さらに、二つの温度勾配を設定した方法で
無双晶でクラックや双晶の発生を防止した際も双晶が僅
かに発生する場合があった。本発明者はこの原因は引上
げた無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を室温まで冷
却する際に単結晶中に発生する熱応力によることを発見
した。すなわち図２に示す臨界応力に対応する臨界冷却
速度を説明する図より明らかなように、６０℃／ｈｒ以
下の冷却速度で室温まで冷却することが冷却時に発生す
る双晶をより安定に防止することができることを見い出
した。引上げ後の冷却工程において、育成した単結晶に
クラックや双晶が発生しやすい冷却速度を緩やかにして
クラックや双晶の防止に有効である。
無双晶でクラックや双晶の発生を防止した際も双晶が僅
かに発生する場合があった。本発明者はこの原因は引上
げた無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を室温まで冷
却する際に単結晶中に発生する熱応力によることを発見
した。すなわち図２に示す臨界応力に対応する臨界冷却
速度を説明する図より明らかなように、６０℃／ｈｒ以
下の冷却速度で室温まで冷却することが冷却時に発生す
る双晶をより安定に防止することができることを見い出
した。引上げ後の冷却工程において、育成した単結晶に
クラックや双晶が発生しやすい冷却速度を緩やかにして
クラックや双晶の防止に有効である。
【００２５】上述の方法において、無双晶（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3単結晶を製造することができるが、本発明
においては育成されたインゴットに放置中にクラックや
双晶が発生することを防止するために、本発明の方法は
引上げ・冷却後に１０００℃以上の温度でアニールする
こともできる。
ａ）ＧａＯ3単結晶を製造することができるが、本発明
においては育成されたインゴットに放置中にクラックや
双晶が発生することを防止するために、本発明の方法は
引上げ・冷却後に１０００℃以上の温度でアニールする
こともできる。
【００２６】アニールは引上げ後インゴットに残存する
熱応力歪を少なくする手段である。この方法は従来法で
炉から取り出した後の放置中に発生するクラックや双晶
の防止に有効である。これにより、インゴットを全長お
よび全断面で均熱し、引上げ・冷却後インゴットに残っ
ている熱応力歪を取り除きクラックや双晶を少なくする
ことができる。アニールは引上げ炉とは独立したアニー
ル炉を使用してもよく、あるいは均熱のよい条件が得ら
れれば、引上げ炉内で引上げ後連続的にアニールしても
よい。
熱応力歪を少なくする手段である。この方法は従来法で
炉から取り出した後の放置中に発生するクラックや双晶
の防止に有効である。これにより、インゴットを全長お
よび全断面で均熱し、引上げ・冷却後インゴットに残っ
ている熱応力歪を取り除きクラックや双晶を少なくする
ことができる。アニールは引上げ炉とは独立したアニー
ル炉を使用してもよく、あるいは均熱のよい条件が得ら
れれば、引上げ炉内で引上げ後連続的にアニールしても
よい。
【００２７】次に、本発明の製造方法を実施するための
引上げ炉について説明する。
引上げ炉について説明する。
【００２８】すなわち、図３に示すように本発明を実施
するための引上げ炉は、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3の融液
を溶融するルツボ１と、前記ルツボ１内の融液５を加熱
する加熱手段３と、前記ルツボ１の開口部から引上げら
れた単結晶の側面を取り囲みかつ引上げ方向にテーパを
有する中空体アフターヒーター２と、アフターヒーター
２の外側を取り囲む保温筒４と、を含んでなる単結晶引
上げ装置であり、前述の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
の引上げ軸方向の温度勾配を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融
液の液面直上において４５℃／ｃｍ以下とすること、か
つ引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−
６０）℃を越えて冷却させないことを満足するよう調整
を加えてある。なお、符号６は石英管、７は熱電対であ
る。
するための引上げ炉は、（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3の融液
を溶融するルツボ１と、前記ルツボ１内の融液５を加熱
する加熱手段３と、前記ルツボ１の開口部から引上げら
れた単結晶の側面を取り囲みかつ引上げ方向にテーパを
有する中空体アフターヒーター２と、アフターヒーター
２の外側を取り囲む保温筒４と、を含んでなる単結晶引
上げ装置であり、前述の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶
の引上げ軸方向の温度勾配を（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融
液の液面直上において４５℃／ｃｍ以下とすること、か
つ引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶を（融点−
６０）℃を越えて冷却させないことを満足するよう調整
を加えてある。なお、符号６は石英管、７は熱電対であ
る。
【００２９】本発明者は引上げ炉構造を種々検討し、そ
の結果アフターヒーター２が少なくとも前記（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3融液の液面から２０ｍｍ以上の区間に存在
する構造にすることによりクラックや双晶を防止するこ
とができることを見い出した。また、高周波誘導コイル
の位置を調節することによりアフターヒーター内の温度
勾配を緩和し、引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結
晶にクラックや双晶の発生をより安定に防止することが
できることを見い出した。
の結果アフターヒーター２が少なくとも前記（Ｎｄ，Ｌ
ａ）ＧａＯ3融液の液面から２０ｍｍ以上の区間に存在
する構造にすることによりクラックや双晶を防止するこ
とができることを見い出した。また、高周波誘導コイル
の位置を調節することによりアフターヒーター内の温度
勾配を緩和し、引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結
晶にクラックや双晶の発生をより安定に防止することが
できることを見い出した。
【００３０】以下、図１を参照して実施例により本発明
をさらに詳しく説明する。
をさらに詳しく説明する。
【００３１】
【実施例１】等モル量のＮｄ2Ｏ3とＧａ2Ｏ3およびＬａ
2Ｏ3とＧａ2Ｏ3を混合し、それぞれ加圧成型後１２００
℃で焼結し、ＮｄＧａＯ3焼結体およびＬａＧａＯ3焼結
体を作製した。得られた焼結体を組成Ｎｄ0.8Ｌａ0.2Ｇ
ａＯ3となるよう、直径５０ｍｍのイリジウム製ルツボ
１にいれ、高周波コイル３による加熱により９７％窒素
と３％酸素の割合で混合した雰囲気中で１６００℃で融
解した。
2Ｏ3とＧａ2Ｏ3を混合し、それぞれ加圧成型後１２００
℃で焼結し、ＮｄＧａＯ3焼結体およびＬａＧａＯ3焼結
体を作製した。得られた焼結体を組成Ｎｄ0.8Ｌａ0.2Ｇ
ａＯ3となるよう、直径５０ｍｍのイリジウム製ルツボ
１にいれ、高周波コイル３による加熱により９７％窒素
と３％酸素の割合で混合した雰囲気中で１６００℃で融
解した。
【００３２】引上げ装置のイリジウム製ルツボ１の上方
にはイリジウム製アフターヒーター２を融液５の液面か
ら２０ｍｍ〜８０ｍｍの区間にテーパ角度約７０°をも
って設けた。その外側にはアルミナ製保温筒４を同軸上
に設けた。これらにより結晶引上げ区間の温度勾配を緩
やかにする。
にはイリジウム製アフターヒーター２を融液５の液面か
ら２０ｍｍ〜８０ｍｍの区間にテーパ角度約７０°をも
って設けた。その外側にはアルミナ製保温筒４を同軸上
に設けた。これらにより結晶引上げ区間の温度勾配を緩
やかにする。
【００３３】引上げ棒（図示せず）の先端に着けられた
種結晶（直径４ｍｍ）を融液５に接触させて、回転数２
０ｒｐｍ、引上げ速度１．０ｍｍ／ｈｒで引上げ、高周
波コイル３の出力をコントロールしながら単結晶を育成
した。
種結晶（直径４ｍｍ）を融液５に接触させて、回転数２
０ｒｐｍ、引上げ速度１．０ｍｍ／ｈｒで引上げ、高周
波コイル３の出力をコントロールしながら単結晶を育成
した。
【００３４】上記方法により得られた単結晶引上げ軸方
向の温度分布を図４に示す。融液直上の温度勾配は４５
℃／ｃｍであり、単結晶引上げ区間の温度は融点下６０
℃を越えて冷却されることはなかった。
向の温度分布を図４に示す。融液直上の温度勾配は４５
℃／ｃｍであり、単結晶引上げ区間の温度は融点下６０
℃を越えて冷却されることはなかった。
【００３５】冷却は６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で行な
った。
った。
【００３６】上記方法により４本のインゴットを製造し
たが単結晶育成中にも単結晶冷却中にもクラックや双晶
が発生しなかった。
たが単結晶育成中にも単結晶冷却中にもクラックや双晶
が発生しなかった。
【００３７】また、製造した無双晶Ｎｄ0.8Ｌａ0.2Ｇａ
Ｏ3単結晶の格子定数より成膜温度におけるＹＢａ2Ｃｕ
3Ｏxとの格子整合率を見積ったところ、０．００２％で
あり、従来の基板に比べて最もよい格子整合性を持つこ
とが明らかとなった。したがって、この単結晶は、クラ
ックや双晶がなく、成膜時に疑似的なホモエピタキシャ
ル成長条件を満足するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx酸化物超伝導体
薄膜成長用基板として有用な単結晶であるということが
できる。
Ｏ3単結晶の格子定数より成膜温度におけるＹＢａ2Ｃｕ
3Ｏxとの格子整合率を見積ったところ、０．００２％で
あり、従来の基板に比べて最もよい格子整合性を持つこ
とが明らかとなった。したがって、この単結晶は、クラ
ックや双晶がなく、成膜時に疑似的なホモエピタキシャ
ル成長条件を満足するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx酸化物超伝導体
薄膜成長用基板として有用な単結晶であるということが
できる。
【００３８】
【比較例】図５の装置により、アフターヒーターを付加
しないこと以外は実施例１と同じ方法によりインゴット
の引上げを行ったところ、単結晶引上げ区間の温度勾配
は７０℃／ｃｍであった。４本のインゴットは育成中に
クラックが発生し、３本のインゴットは放置中にクラッ
クおよび双晶が発生した。
しないこと以外は実施例１と同じ方法によりインゴット
の引上げを行ったところ、単結晶引上げ区間の温度勾配
は７０℃／ｃｍであった。４本のインゴットは育成中に
クラックが発生し、３本のインゴットは放置中にクラッ
クおよび双晶が発生した。
【００３９】
【実施例２】実施例１において育成中にクラックが発生
しなかったインゴット（育成後徐冷状態）を、直ちに均
熱性が優れたマッフル炉に入れ、酸素中で２０℃／ｈｒ
で昇温し１０００℃で１０時間保持し、２０℃／ｈｒで
降温するアニールを行ったところ、その後の放置中のク
ラックや双晶の増加は起こらなかった。
しなかったインゴット（育成後徐冷状態）を、直ちに均
熱性が優れたマッフル炉に入れ、酸素中で２０℃／ｈｒ
で昇温し１０００℃で１０時間保持し、２０℃／ｈｒで
降温するアニールを行ったところ、その後の放置中のク
ラックや双晶の増加は起こらなかった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の製造において、その組
成をＮｄ1-xＬａxＧａＯ3で表記される組成０＜ｘ＜
０．３に限って、単結晶育成中にもまた放置中にもクラ
ックや双晶の発生を防止することができるので、歩留ま
りの向上および大型基板の製造に寄与する。
（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の製造において、その組
成をＮｄ1-xＬａxＧａＯ3で表記される組成０＜ｘ＜
０．３に限って、単結晶育成中にもまた放置中にもクラ
ックや双晶の発生を防止することができるので、歩留ま
りの向上および大型基板の製造に寄与する。
【図１】Ｌａ濃度と融点および相変態温度との関係を示
す図。
す図。
【図２】臨界応力に対応する臨界冷却速度を説明する
図。
図。
【図３】本発明の製造方法を実施するための単結晶引上
げ装置の構造を示す断面図。
げ装置の構造を示す断面図。
【図４】実施例１における温度勾配を示す図。
【図５】従来の単結晶引上げ装置の断面図。
１ ルツボ ２ アフターヒーター ３ 高周波加熱コイル ４ 保温筒 ５ 融液 ６ 石英管 ７ 熱電対
Claims (3)
- 【請求項１】Ｎｄ1-xＬａxＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）
であることを特徴とする無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3
単結晶。 - 【請求項２】単結晶製造用引上げ炉中で種結晶を（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液に接触させ、引上げた後、冷却
する無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の製造方法に
おいて、前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液はＮｄ1-xＬａ
xＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶となるための組成を
有し、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸方向の温度勾配
は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直上において４５
℃／ｃｍ以下であり、引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ
3単結晶を（融点−６０）℃を越えて冷却させないよう
調整するとともに、無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結
晶の上記引上げ工程終了後、無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇａ
Ｏ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で室温まで冷
却することを特徴とする無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3
単結晶の製造方法。 - 【請求項３】単結晶製造用引上げ炉中で種結晶を（Ｎ
ｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液に接触させ、引上げた後、冷却
する無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の製造方法に
おいて、前記（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液はＮｄ1-xＬａ
xＧａＯ3（０＜ｘ＜０．３）単結晶となるための組成を
有し、前記単結晶引上げ炉内の引上げ軸方向の温度勾配
は（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3融液の液面直上において４５
℃／ｃｍ以下であり、引上げ中の（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ
3単結晶を（融点−６０）℃を越えて冷却させないよう
調整するとともに、無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結
晶の上記引上げ工程終了後、無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）Ｇａ
Ｏ3単結晶を６０℃／ｈｒ以下の冷却速度で室温まで冷
却したのち、製造された無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3
単結晶を１０００℃以上の温度でアニールすることを特
徴とする無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ3単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06751293A JP3152322B2 (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ３単結晶およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06751293A JP3152322B2 (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ３単結晶およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256091A true JPH06256091A (ja) | 1994-09-13 |
| JP3152322B2 JP3152322B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=13347115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06751293A Expired - Fee Related JP3152322B2 (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ３単結晶およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152322B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06321696A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＮｄＧａＯ３ 単結晶の製造方法 |
| WO2011130926A1 (zh) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 含有金属粒子的稀土离子掺杂镓酸镧盐发光材料及其制备方法 |
| CN102586875A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-18 | 苏州先端稀有金属有限公司 | 一种蓝宝石晶体生长热场用钨板筒 |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP06751293A patent/JP3152322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06321696A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＮｄＧａＯ３ 単結晶の製造方法 |
| WO2011130926A1 (zh) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 含有金属粒子的稀土离子掺杂镓酸镧盐发光材料及其制备方法 |
| US8821759B2 (en) | 2010-04-23 | 2014-09-02 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Rare earth ion doped lanthanum gallate luminous material containing metal particles and preparation method thereof |
| CN102586875A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-18 | 苏州先端稀有金属有限公司 | 一种蓝宝石晶体生长热场用钨板筒 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3152322B2 (ja) | 2001-04-03 |
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