SE463764B - Plant glas med en tennoxidbelaeggning - Google Patents

Description

Det har hittills ansetts fördelaktigt för att erhålla enhet- liga optiska egenskaper, att beläggningen väsentligen måste bestå av små kristaller. För att befordra bildningen av små kristaller under pyrolytisk avsättning av ett tennoxidskikt. är det känt att bilda tennoxidbeläggningsskiktet från ångfasen på ett tunt fortfarande varmt förbildat beläggningsskikt av titandioxid, som har en liknande kristallografisk struktur som tennoxid. Tenntitandioxidunderskiktet tenderar att bildas av ett stort antal mycket små kristaller och ger sålunda ett stort antal nära intill varandra belägna gropunkter för till- växt av ett stort antal mycket små tennoxidkristaller.

Föreliggande uppfinning är baserad på den överraskande upp- täckten att undvikandet eller minskandet av synliga kontrast- effekter faktiskt bäst kan befordras genom att bilda tennoxid- beläggningen med stora kristaller.

Enligt uppfinningen avses plant glas som uppbär ett tennoxid- skikt, utmärkt av att sådant tennoxidskikt är åtminstone 200 nm tjockt och att den förväntade kornytan på ett representa- tivt prov av tennoxidbeläggningskristallerna mätt i enheter av 2 . . . 10 um är numeriskt lika med ett värde av åtminstone 0.4 gånger skiktets tjocklek mätt i nm.

En tennoxídbeläggning uppbygges av kristaller vilka tenderar att växa mer eller mindre vinkelrätt mot glasets yta (vare sig de växer från själva glasytan eller från kristaller redan bildade på glaset) för att uppnå erforderlig beläggningstjock- lek. Detta utseende kan lätt igenkännas från elektronmikro- foton tagna på den belagda ytan. En mätning av de relativa ytorna på beläggningskristallerna kan därmed erhållas från ett elektronmikrofoto taget i planvy där konturerna av de enskilda kristallerna lätt är synliga. Även om beläggningen har polerats för att så eliminera eventuell veckning och sålunda gör kristallkonturerna obestämda, kan kristallkonturerna lätt åter framkallas medelst en etsningsteknik. Det är lämpligt att ta den yta som upptas på ett sådant mikrofoto av en kristall som en indikering på kristallstorleken uttryckt i dess kornyta. 3 -.-.I rv/ 1 .L .

-Fa För att bestäma kornytorna på ett representativt prov av kristaller har vi använt följande förfarande. Ett elektron- mikrofoto i en skala av 100 000 gånger tages, i planvy. av vart och ett ett antal slumpvis utvalda ställen över den be- lagda skivans yta. Varje kristalls kontur i en slumpmässigt vald grupp av 750 kristaller, som visas på dessa mikrofoton spåras med en plotter ansluten till en databehandlare program- merad att härleda kristallyta Xi för varje kristall (i) från plotterns data. Olika beräkningar utföres sedan för att ana- lysera storleksfördelningen inom kristallbebyggelsen. För detta ändamål uppdelas det potentiella området av kristallytor . . -4 2 . 1 intervaller på 50 x 10 um och kristallerna som faller inom varje intervall räknas.

DEFINITIONER Den förväntade kornytan, även ibland känd som medelytan gives av uttrycket Summan av alla individuella kornytor Förväntad kornyta = Antal kristaller SUM[X_] 1 eller ul = --š-- Standardavvikelsen gives av uttrycket 2 SUM[Xí - ul] Standardavvikelse kvadrerad (o) = --;-f-ï-"- Det tredje centrala momentet ges av uttrycket 3 SUM[Xi - ul] Tredje centrala moment (u) 3 = n Lutningskoefficienten ges av uttrycket “3 Lutningskoefficíent (n) = ~í o , _ , 4 . 75th. 3 j I '_ Lr..

C C Vi har funnit att en stor förväntad kornyta i beläggnings- kristallerna av belagt skivglas enligt uppfinningen i hög grad överensstämmer med en låg synlig kontrast och att produkten sålunda har mera acceptabelt synligt utseende. Detta står i markerad kontrast till tidigare teorier som hänför sig till optiska tennoxidbeläggningar. vi har faktiskt funnit att given en hög förväntad kornyta såsom ovan angetts tenderar för- hållandet mellan de förväntade kornytorna på olika prov att vara närmare enhet än som hör samman med låg kontrast.

Vi har kort hänvisat till problemet med disighet varierande över den belagda skivytan. Det är ofta önskvärt att ha en låg absolut nivå av diffus ljusgenomsläppning och detta har varit föremål för mycken forskning tidigare. Disighet, den synliga sidan av diffus ljusgenomsläppning har tillskrivits tre huvud- orsaker. Defekter vid skiljeytan glas-beläggning, ibland för- orsakad av reaktioner mellan glaset och tennoxiden i belägg- ningen; defekter inom beläggningens tjocklek och som kan till- skrivas dess struktur; och defekter i beläggningens yta. De- fekter i skiljeytan mellan glas-beläggning kan mildras genom lämpligt val av beläggningssätt. genom att använda ett under- skikt. och/eller genom att använda dealkalíserat glas. Ytde- fekter kan mildras genom lämpligt val av beläggningssätt eller de kan avlägsnas genom polering av beläggningen. Defekter inom beläggningens tjocklek kan endast mildras genom lämpligt val av beläggningssätt, eftersom de beror på beläggningsskiktets fysikaliska struktur. Lämpliga sätt för att uppnå beläggnings- skikt med en intern struktur, som är gynnsam för en låg abso- lut disig ljusgenomsläppning beskríves och görs anspråk på i brittiska patentansökningarna 85 31 423. 85 31 424 och 85 31 425.

Man har tidigare trott att det är önskvärt att ha en belägg- ning uppbyggd av kristaller med en enhetlig kornyta. Vi har funnit att låga disighetsnivåer uppnås i en produkt enligt föreliggande uppfinning. ej så mycket då kristallpopulationen har en jämn kornyta som då det finns en särskild fördelning av kornytor i den totala kristallpopulationen. Vid föredragna ut- föringsformer av uppfinningen, då en populationstäthetskurva upprättats genom att avsätta antalet kristaller hos ett re- presentativt prov av tennoxidkristaller med en kornyta inom ett givet intervall på ordinatan och kornyta på abskissan har den kurvan en positiv lutningskoeffícient och företrädesvis en lutningskoefficient av åtminstone 1. Kornyteintervallet som vi använde för detta ändamål är 50 x 10-4 umz. Vi har funnit att sådana fördelningar av kornytor står i väl överens- stämmelse med en låg absolut disig ljusgenomsläppning och så- lunda har en låg disighetsnivå.

Ett annat problem som uppstår med hänsyn till belagt glas är förhållandet med produktens åldring. Särskilt beläggningen bör vara i stånd att motstå förhållandena för vilka den utsättes under dess livslängd. Beläggningen bör t.ex. ha tillräcklig mekanisk motståndsförmåga och vidhäftning för att motstå nöt- ning under rengöring. Vi har funnit att tennoxidbeläggningens mekaniska motstånd befordras om populationstäthetskurvan har en positiv lutningskoefficient såsom omnämnts ovan och det finns en bred variation i kristallernas storlek som bygger upp beläggningen. Vid föredragna utföringsformer av uppfinningen kombineras den positiva lutningsfaktorn med särdraget att standardavvikelsen för kornytan i ett representativt prov av tennoxidbeläggningskristallerna är åtminstone halva det för- väntade värdet och är företrädesvis åtminstone O,7 gånger det förväntade värdet.

Den förväntade kornytan hos ett representativt prov av tenn- oxidbeläggningskristallerna mätt i enheter av 10-4 umz är med fördel numeriskt lika med ett värde av åtminstone 0,5 gånger skikttjockleken mätt i nm. vid vissa föredragna ut- föringsformer är den åtminstone 0,6 gånger sådan tjocklek. Vi har funnit att belagt glas vars beläggningskristallpopulation har denna egenskap erbjuder ett synligt utseende. som är av ytterligare minskad kontrast, särskilt när det gäller belägg- ningar med en tjocklek av åtminstone 300 nm. f rv I* Å-.Ü ~ l/ (_: Ch .fm Det är en viktig fördel med föreliggande uppfinning att den medger bildning av beläggningar med hög synlig jämnhet trots en väsentlig tjocklek på beläggningen. Hitintills har ju större beläggningstjockleken varit ju större har svårigheten varit att undvika synliga kontraster i beläggningens utseende. vid föredragna utföringsformer av uppfinningen har tennoxid- skiktet en tjocklek av åtminstone 300 nm och ännu mer före- draget är skiktet åtminstone 700 nm tjockt. Beläggningsskikt med en tjocklek av 300 nm eller mera och särskilt beläggningar som är åtminstone 700 nm tjocka tenderar att bli mera meka- niskt och kemiskt motståndskraftiga och om ledande är de lättare att göra med mindre resistivitet, uttryckt i ohm per kvadrat, vilket förbättrar deras värde som elektriskt ledande beläggningar och deras möjlighet att minska den belagda ytans strålning med avseende på infrarödstrålning.

Då tennoxidbeläggningsskiktet har en tjocklek av åtminstone 700 nm såsom vanligen är fallet. t.ex., med beläggningar med den lägsta strålningen. t.ex. en tjocklek av mellan 700 nm och 1200 nm har vi funnit att fördelarna som erbjuds av före- liggande uppfinning uttryckt i låg kontrast i synligt utseende är störst då den förväntade kornytan hos ett representativt prov av tennoxidbeläggningskristallerna ligger mellan 350 x 10-4 umz och till och med 700 x 10-4 umz.

Tillämpningen av detta särdrag föredrages därmed.

Uppfinningen kommer nu att beskrivas mera detaljerat med hän- visning till de bifogade schematiska ritningarna av olika föredragna utföringsformer av anordning och som exempel på specifika sätt lämpliga för tillverkning av belagt glas enligt uppfinningen.

På ritningarna visar var och en av fig. 1, 2, 4 och 5 en tvär- sektions sidovy av en utföringsform av en beläggningsanordning och fig. 3 är en sektion utmed linjen III-III i fig. 2. fig. 6 visar slutligen en populationstäthetskurva uttryckt í kristallyta. 7 ftflïï' 7-1”. ¿-.°7=' 16%" \r' ljisflrll I fig. 1 omfattar en anordning för pyrolytisk bildning av en metallföreningsbeläggning på en övre yta av ett varmt glassub- strat 1 i skiv- eller bandform, transportanordningar såsom rullar 2 för att transportera substratet i en nedströmsrikt- ning 3 utmed en väg även betecknad med hänvisningsbeteckningen 1. Vägen 1 leder genom en beläggningsstation 4 omfattande en takkonstruktion 5 begränsande en beläggningskammare 6, som öppnar sig nedåt över till substratvägen 1 och ett duschmunstycke schematiskt representerat vid 7 för att duscha en ström av beläggningslösning in i kammaren 6 i riktning 8 nedåt mot substratet 1.

Duschmunstycket 7 är placerat för att duscha strömmen av beläggningslösning in i en duschningszon 9 i belâggnings- kammaren 6 från en höjd av åtminstone 75 cm ovanför substrat- vägen 1. vid den visade utföringsformen är duschmunstycket 7 placerat för att duscha beläggningsmaterial från åtminstone 1 m och företrädesvis åtminstone 1,2 m. ovanför substratvägen 1 och är av en typ väl känd i och för sig. Munstycket är anord- nat att duscha beläggningslösningen i riktningen 8 ledande nedåt mot substratet l och i nedströmsriktningen 3 och är rör- lig fram och tillbaka utmed ett spår (ej visat) tvärs över substratvägens bredd.

Uppvärmningsanordningar finnes för att tillföra värme till duschningszonen. Vid den visade utföringsformen omfattar sådana värmningsanordningar nedåt riktade strålningsvärmare 10 anordnade i duschningszonens 9 tak. Som ytterligare värmnings- anordning finnes ledning 11 för att utmata en ström av för- värmd gas in i duschningszonen 9 i en riktning som skär ström- men av beläggningsmaterial. Ledningen ll har sitt utmatnings- munstycke 12 placerat i den övre halvan av höjden mellan duschmunstycket 7 och substratet l och är anordnad att utmata den gasströmmen uppströms om duschutmatningsaxeln 8 för be- läggningsmaterial. Munstycket 12 sträcker sig horisontellt över hela bredden på substratvägen 1 och vertikalt över den -f-:áš övre tredjedelen av duschmunstyckets 7 höjd över glassubstra- tet. Gas utmatad från munstycket 12 riktas från början i huvudsak horisontellt, tvärs över strömmens 7 av små droppar tvärgående väg för att upprätthålla en cirkulation av gas inom duschningszonen 9.

Den utmatade gasen förvärmes lämpligen, t.ex. till en genom- snittstemperatur i området 300°C till 500°C. Värmarna 10 be- fordrar förångning av lösningsmedel från de små dropparna under deras väg mot substratet l, som sedan kan medbringas i den varma utmatade gasen. vid en valfri variant av utföringsform är ledningen ll upp- delad i två ledningar som slutar i lika stora övre och nedre munstycken, som upptar läget för munstycket 12, så att gas- strömmar med olika temperaturer, t.ex. 300°C och 500°C kan ut- matas vid olika nivåer där.

Takkonstruktionen 5 begränsar en passagedel 13 i beläggnings- kammaren 6, som leder nedströms från duschningszonen 9 och ger beläggníngskammaren 6 en total längd av åtminstone 2 m och företrädesvis en längd av åtminstone 5 m. Vid den visade ut- föringsformen inbegriper takkonstruktionen 5 en bryggvägg 14 över substratvägen. som går ned i huvudsak vertikalt för att begränsa en utträdessprínga 15 i nedströmsänden på duschnings- zonen, som skiljer den zonen från passagen och passagen 13 har en höjd väsentligen lika med den hos duschníngszonen 9. Höjden på utträdesspringan 15 är mindre än hälften av höjden mellan duschningsmunstycket 7 och substratet 1.

Uppströms om utmatníngsaxeln 8 för beläggningsmaterialdusch- munstycket 7 finnes ett gasstrålemunstycke schematiskt re- presenterat vid 16 för att utmata en gasstråle nedåt i när- heten av beläggningsmaterialströmmen, för att därigenom av- skärma beläggningsmaterialet. Gasstrålemunstycket 16 är sammankopplat med beläggningsduschmunstycket 7 för upprepad förflyttning därmed utmed tvärgående spåret. En huvudverkan av denna skärmande gasstråle är att förhindra medbringande av be- f. *J I7': /Öíf läggningsreaktíonsprodukter och andra föroreningar i det bakre av strömmen av förbeläggningsmaterial då den går mot sub- stratet 1.

Avgasledningen 17, 18, 19 är placerad utmed passagen 13 och avgasledningen 17 i nedströmsänden av beläggningskammaren har ett inlopp 20 placerat över substratvägen 1 och sträckande sig tvärs över åtminstone huvuddelen av dess bredd.

Skärmar såsom 21, som sticker inåt från sidovåggarna i belägg- ningskammaren 6 finnes för att förhindra flöde av atmosfäriskt material förbi substratvägens l sidor och mellan zoner verti- kalt ovanför och vertikalt nedanför den vägen över duschnings- zonens 9 längd, där atmosfären kommer att vara rikast på be- läggningsmaterial. Dessa skärmar kan monteras pâ leder på sidoväggarna av beläggningskammaren 6 och uppbäres t.ex. av gängade strävor, så att deras läge är justerbart för minimi- spel mellan dem och kanten på substratet 1.

Anordning 22 finnes för att utmata gas i omgivningen av sub- stratet 1 för att så bilda en kontinuerlig ström, som strömmar i nedströmsriktníngen 3 under varje kant på substratvägen 1 och utmed åtminstone del av våglängden som upptas av belägg- ningskammaren 6.

Utmatningsanordningarna för gas under bandet omfattar fyra samlingskammare 23 placerade två och två och sträckande sig tvärs över i huvudsak hela bredden på beläggníngsstationen 4.

I överdelen på varje samlingskammare 23 är en springa 24 ut- formad begränsad av en avböjningsläpp 25, så att gas som in- föres genom springorna 24 riktas i nedströmsriktningen 23 ut- med beläggningsstationen 4. springorna 24 sträcker sig över hela bredden på varje samlingskammare 23 tvärs över belägg- ningsstationen 24. Om så önskas skulle sådana springor kunna ersättas av ett flertal munstycken på avstånd från varandra.

Såsom visas i fig. 1 är en avböjningsplåt 26 placerad ovanför samlingskamrarna 23, så att den injicerade gasen ej utmatas direkt mot substratet l. Samlingskamrarna 23 kan matas med , ILO L. f'~'f íöê Cm C11 förvärmd gas från båda sidor om beläggningsstationen 4, t.ex. från värmeväxlare. Luft kan användas som den utmatade gasen och denna kan lätt uppvärmas genom värmeväxling med ugnsav- gaser. Sådan gas förvärmes företrädesvis till inom 50°C av temperaturen på substratet då det senare inträder i belägg- ningskammaren 6.

Gas utmatad under substratet 1 kan avlägsnas från substratets 1 omgivning genom valfri avgasledning (ej visad), som uppvisar en eller flera inlopp sträckande sig tvärs under substravägen t.ex. placerad rätt under avgasinloppet 20 ovanför vägen.

En barriärvägg 27 är anordnad ovanför substratvägen 1 och sträckande sig tvärs över fulla bredden på och i huvudsak tillstängande nedströmsänden på beläggningskammaren 6, för att så väsentligen förhindra flöde av atmosfäriskt material in i eller ut ur beläggningskammaren 6 i nedströmsänden på passagen 13.

Beläggningsstationen 4 är placerad mellan utträdet från en bandbildningsanläggning (ej visad) t.ex. en floatglasvanna och inträdet till en kylkanal 28.

En passage från bandbíldníngsanläggningen till beläggnings- kammaren 6 har ett tak 29 och beläggningskammarens uppströms- ände bestämmas av en skärmvägg 30, som hänger ned från passagetaket 29 och medger litet spel för substratet 1 att passera in i beläggningskammaren via en inträdesspringa 31.

Verkan av denna skärmvägg 30 är att begränsa flöde av atmos- färiskt material in i beläggningskammaren 6 från uppströms- riktningen så att atmosfäriska förhållanden inom det omrâdet lättare kan regleras.

Uppströms om skärmväggen 30, mellan den väggen och en andra skärmvägg 32 finnes en förkammare 33 i vilken värmare 34 är anordnade för att förvärma varje gas som drages in i belägg- ningskammaren 6 mellan skärmväggen ll och bandet l. ll -D c»- (N sn Cu \ $ figurerna 2 och 3 I fig. 2 och 3 har delar som tjänar analoga funktioner med dem i fig. l givits motsvarande hänvisningsbeteckningar.

I duschningszonen 9 vid uppströmsänden av beläggningskammaren 6 saknas gasutmatningsledning 11, men ersättes av ett par led- ningar 35 med utmatningsmunstycken 36, som är riktade mot var- andra för utmatning av förvärmd gas från motstående sidor om axeln 8 till strömmen av beläggningsmateríal. Ingen annan värmningsanordning för beläggningskammaren visas ovanför bandets 1 nivå. Utmatningsmunstyckena 36 sträcker sig tvärs över nästan hela bredden på beläggningskammaren 6 och de be- gränsas till den övre tredjedelen av duschmunstyckets 7 höjd ovanför substratet. Vid en variant har utmatningsmunstyckena 36 en mindre bredd och de förflyttas fram och tillbaka tvärs över duschningszonen i tandem med duschningsmunstycket 7.

På nedströmssidan om duschningszonen 9 är takkonstruktionen 5 lutad nedåt och bildar sedan en vertikal bryggvägg 14 i vilken ett inlopp 37 för avgasledning 38 med full bredd är placerat för avsugning av ångor från duschningszonen för att förhindra bildning av någon stagnerande zon däri.

Nedströms om utträdesspringan 15 under bryggväggen 14 fort- sätter takkonstruktionen 5 för att begränsa en passagedel 13 av beläggningskammaren 6, som har samma höjd som den utträdes- springan.

Utmed passagens 13 längd finnes avgasanordning på vardera sidan om beläggningskammaren under substratvâgens 1 nivå.

Denna avgasanordning omfattar ett flertal avgaslådor 39 öppna i överdelen, stående i förbindelse med sidoavgasledningar 40.

Av fíg. 2 framgår det att dessa avgaslådor 39 sträcker sig över fulla längden på substratvägen som upptas av passagen 13 och att uppströmsavgaslådan faktiskt är placerad under dusch- ningszonen 9. Skjutande upp och inåt från avgaslådorna finns skärmar 41, som sträcker sig under kanterna på substratvägen 12 och uppåt mellan transportrullarna 2. Detta arrangemang ger en effektiv separering av atmosfärerna vertikalt ovanför och vertikalt under substratvägen utmed passagen.

För att förhindra beläggningsmaterial och annat atmosfäriskt material att strömma ned förbi sidorna på substratvägen över ett område mera uppströms än duschningszonen 9 finnes fläktar 50 för att utmata förvärmd luft och upprätthålla ett uppåtgå- ende flöde av relativt ren gas mot sidoväggarna på belägg- ningskammaren där. Detta ger även viss grad av skydd för väggarna från korrosion beroende på atmosfären inom kammaren.

Figur 4 Som förut har delar som tjänar analoga funktioner med dem som visas i tidigare figurer givits motsvarande hänvisningsbeteck- ningar. vid utföringsformen enligt fig. 4 ersättes det enda fram- och återgående duschmunstycket 7 i de föregående figurerna av ett flertal sådana munstycken, ehuru endast ett är visat. Dessa munstycken 7 går fram och tillbaka utmed delar av ett spår (ej visat) som går mellan ett par gasutmatningsledningar 35, för- sedda med nedåt riktade utmatningsmunstycken 51. sträckande sig över fulla bredden på beläggningskammaren.

Takkonstruktionen 5 går nedåt i en kontinuerlig delvis krökt profil ovanför duschningszonen 9 och den fortsätter att gå nedåt så att passagen 13 har avtagande höjd i nedströmsrikt- ningen och underlättar ett jämnt allmänt nedströmsflöde av material inom beläggningskammaren 6.

Vid nedströmsänden av passagen 13 avsuges atmofäriskt material in i avgasledning 46 med ett inlopp 47 begränsat delvis av en krökt avgassamlare 48. som sträcker sig ovanför substratvägen 1 tvärs över passagens fulla bredd och väsentligen tillsluter dess nedströmsände. Sådan samlare 48 kan valfritt monteras vridbart så att den kan justeras för minimumspel i förhållande 13 i v, _,_, ,__, till substratet l. I halva nedströmsänden av passagen 13 av- suges även atmosfäriskt material in i avgasledning 49 placerad på vardera sidan om beläggningskammaren för att underlätta en sidospridning av det atmosfäriska materialet som strömmar ut- med beläggníngskammaren. Sådant material hindras även från att strömma under substratet medelst skärmar såsom 21, som skjuter ut från sidoväggarna på beläggningskammaren över substrat- kanterna utmed i huvudsak hela passagens längd och sträckande sig väl in i duschningszonen, nästan upp till dess uppströms- ände.

Sänkningen av taket 5 i passagen kompenserar för den minskade mängden material som strömmar utmed passagen beroende på denna ökade avsugning.

Vid beläggningskammarens uppströmsände går ändväggen 3 ner till nära substratets 1 väg, i huvudsak tillstängande den änden på kammaren och just nedströms om den ändväggen finnes en hjälpgasutmatningsledning 52 för att utmata förvärmd gas in i kammaren intill substratet för att strömma i nedströmsrikt- ningen för att behandla atmosfären i kontakt med substratet, där det först kontaktas av beläggningsmaterial och för att förhindra ansamling av ånga mot uppströmsändväggen 43.

I duschningszonens nedströmsände finnes två horisontellt riktade inåt lutade gasstråleutmatningsmunstycken 53 för att medbringa beläggningsångan, som kommer att alstras inom dusch- ningszonen inåt bort från sidoväggarna på passagen och i ned- strömsriktningen.

Figur 5 I fig. 5 har delar som tjänar analoga funktioner med dem som visats i tidigare figurer återigen givits motsvarande hänvis- ningsbeteckningar.

Duschningszonen 9 är av liknande form som den som visats i fig. 1. Under uppströmsändväggen 43 av beläggningskammaren er- 14 ...Ps 76* sättes skärmväggen 30 som visas i fíg. l och 2 av en bryggvägg 44, som medger en relativt högre inträdesspringa 31, så att atmosfäriskt material kan dragas lättare utmed i kontakt med glaset och in i beläggningskammaren från förkammaren 33. Om så önskas kan bryggväggen 44 vara justerbar i höjd för att variera öppningen på inträdesspringan 31. Ytterligare gasut- matningsledning (ej visad) kan finnas för att utmata förvärmd gas nedåt in i förkammaren för reglering av skiktet av atmos- färiskt material omedelbart ovanför substratet 1 upp till åt- minstone zonen där beläggningsmaterial slår an mot glaset.

Såsom i fíg. 4 avtar passagen 13 i höjd bort från utträdes- springan.

I duschningszonen 9 vid uppströmsänden på beläggningskammaren 6 saknas utmatningsledning 35, men ersättes av ledning 54 med ett utmatningsmunstycke 55. som är riktat mot uppströmssidan av strömmen av beläggningsmaterial. Vid vissa utföringsformer har utmatníngsmunstycket 55 en mindre bredd än beläggnings- kammaren 6 och föres fram och tillbaka tvärs över duschnings- zonen i tandem med duschmunstycket 7. Vid andra utföríngs- former sträcker sig utmatningsmunstycket 55 tvärs över nästan hela bredden på beläggningskammaren 6.

Nedströms om utträdesspringan 15 under bryggväggen 14 fort- sätter takkonstruktionen 5 och begränsar en passagedel 13 i beläggningskammaren 6, som går nedåt i nedströmsríktningen.

Vid denna utföringsform är takkonstruktionen över passagen 13 emellertid bildad av ett flertal jalusíer 56, som är vridbart öppningsbara så att förvärmd luft kan bringas att strömma in i passagen och utmed dess tak för att öka temperaturen där och förhindra beläggningsavsättning eller kondensation på det taket.

Utmed den passagens 13 längd finnes avgasanordning på vardera sidan om beläggningskammaren under substratvägens 1 nivå såsom beskrives med hänvisning till fíg. 2 och 3. 15 $ Cx CN *Q Ö'\ Ä* Exempel 1 vid en särskild praktisk utföringsform av anordningen visad i fig. 1 är beläggningskammaren 6 något över 3 m bred för att upptaga glasband som har en bredd av upp till omkring 3 m.

Takkonstruktionen 5 ovanför duschningszonen 9 i beläggnings- kammaren befinner sig just över 1,5 m ovanför bandvägens 1 nivå och duschningsmunstycket till utmatningsmunstycket 7 för de små dropparna befinner sig nära det takets nivå. Det mun- stycket 7 är anordnat att utmata en konisk ström av små drop- par med en halvkonvinkel av l0° med sin axel 8 i en vinkel av 47° mot det horisontella: gasstrålemunstycket 16 har sitt ut- lopp 25 cm under och 7 cm nedströms om duschningsmunstycket 7 och är anordnat med sin axel 60° mot det horisontela. Gasut- matningsmunstycket 12 är 50 cm högt med sin övre del i nivå med munstycket 7. Bryggvägen 14 i nedströmsänden på dusch- ningszonen 9 är skild från gasströmutmatningsmunstycket 12 med ett avstånd av 2,8 m. Passagen 13 har samma höjd som dusch- ningszonen 9 och utträdesspringan 15 har en höjd av 50 cm ovanför bandvâgens 1 nivå. Längden på den passagen är 4 m.

Denna anordning är särskilt utlagd för avsättning av tennoxid- beläggningar med utgångspunkt från en lösning av tenn(II)- klorid som beläggningsmaterial.

Vid användning av sådan anordning bildades en tennoxidbelägg- ning 750 nm tjock på ett 6 mm tjockt band av glas. som för- flyttades med en hastighet av 8,5 m/min. Glaset inträdde i be- läggningskammaren vid en temperatur av 600°C och beläggnings- materialet som användes var en vattenlösning av tenn(II)- klorid innehållande ammoniumbifluorid för att tillhandahålla dopningsjoner i beläggningen. Denna lösning duschades från munstycket med en hastighet av 220 l/tim., under det att mun- stycket fördes fram och tillbaka tvärs över bandvägen med 22 cykler per minut.

Förkammaren 33 var i huvudsak stängd och atmosfären däri upp- värmdes av elektriska motståndsvärmare. ,-7 .- 16 ae: 764 Strålningsvärmare i taket på duschníngszonen påkopplades och gas utmatades genom munstycket 12 med en hastighet av 7000 3 .

Nm /min. och en temperatur av 400°C. Gas utmatades från samlingslådorna 23 under bandet vid en temperatur av 600°C. vid drift fann man att vid tiden då strömmen av beläggnings- material nådde bandets nivå hade en väsentlig del av lösnings- medlet förångats från strömmen. och lämnat mycket små droppar av flytande tenn(II)k1orid och tenn(II)klorid-ånga att kon- takta glaset för att påbörja beläggningsbildning. Duschníngs- zonen 9 ovanför bandet var fylld med en cirkulerande atmosfär bemängd med tenn(II)k1oridånga och denna drogs genom utträdes- springan 15 och in i passagen 13 genom sugkrafter alstrade i avgasledning 17, 18, 19. Man fann att atmosfären inom belägg- ningskammaren 6 var i huvudsak klar, med undantag av i när- heten av strömmen av små droppar, vilket antydde att väsent- ligen all tenn(II)klorid och lösningsmedel utanför strömmen befann sig i ångfas, så att över den större delen av belägg- ningskammarens 6 längd, i vilken glaset exponerades för be- läggningsmaterial, atmosfären i den kammaren var väsentligen fri från material i flytande fas. Givetvis innehöll passagen 13 även beläggningsreaktionsprodukter. Krafterna som alstrades och geometrin i passagen var sådana att atmofäriskt material som lämnar utträdesspringan 15 saktade ner och de ganska täta tenn(II)klorid-ångorna tenderade att bilda ett skikt i kontakt med beläggningen som bildades för att medge behandling av den beläggningen under det att mindre täta lösningsmedelångor och beläggningsreaktionsprodukter tenderade att strömma mera direkt mot avgasledningen. Som ett resultat av allt detta hade den bildade beläggningen en kristallstruktur vid skiljeytan glas/beläggning. som befordrade en högkvalitativ beläggnings- struktur och därmed goda och jämna optiska kvaliteter och inneslutningen av beläggningsreaktionsprodukter som skulle leda till defekter hade en tendens att undvikas.

Särskilt noterbart är den mycket låga disigheten och den mycket jämna disigheten som uppvisades av det belagda glaset. 17 ass 754 Den resulterande beläggningen fotograferades med en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna som upptogs därpå av ett representativt prov av tennoxidbe- läggningskristallerna. Efter analys noterades följande: Beläggningstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 492 x 10-4 um: Standardavvikelse 481 X 10-4 umz Lutningskoefficient 3,9 Vid detta exempel användes även uppfinningen som beskrivits i vår brittiska patentansökan nr 85 31 423 inlämnad 20 december 1985.

Exempel 2 Anordningen enligt fíg. 2 användes för att bilda en beläggning av samma tjocklek som exempel l med användning av samma be- läggningmaterial och på ett glasband av samma tjocklek och som rörde sig med samma hastighet. Duschningsmunstycket 7 reglera- des även som i exempel 1. Beläggníngskammaren 6 hade en total längd av 7,5 m.

Glaset inträdde i beläggningskammaren 6 vid en temperatur av 600°C och luft förvärmd till 500°C utmatades med en hastighet av 3600 Nm3/tim. från vart och ett av utmatningsmunstyckena 36. Som ett resultat förångades en huvuddel av materialet under dess väg mot bandet under det att en kvarvarande ström fortsatte och slog an direkt mot glaset.

Avsugningen av atmosfäriskt material under vägnivân utmed passagen tenderar att hålla ner ett skikt av atmosfär bemängd med beläggningsånga i kontakt med bandet för att befordra färdigställning av beläggningen. Sugningen utfördes med en total hastighet av omkring 70 000 m3/tim. vid en genom- snittstemperatur av omkring 350°C. -'r""? _ ses 764 Detta gav även utomordentliga resultat uttryckt i hög kvalitet på den bildade beläggningen, särskilt med hänsyn till dess låga och jämnt låga disighetsfaktor.

Den resulterande beläggningen fotograferades vid en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma de ytor som upptogs därpå av ett representativt prov av tennoxidbe- läggningskristaller. Efter analys noterades följande: Beläggníngstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 559 x 10-4 umz Standardavvikelse 473 x 10-4 umz Lutningskoefficient 1.3 vid detta exempel användes även uppfinningen som beskrives i vår brittiska patentansökan 85 31 423 inlämnad 20 december 1985.

Exempel 3 Anordningen enligt fíg. 4 användes för att bilda en 400 nm tjock fluordopad tennoxidbeläggning på ett 4 mm tjockt glas- band, som rörde sig från en floatvanna med en hastighet av 8.5 m/min. för att komma in i beläggningsstationen med en tempera- tur av 600°C. Beläggningskammaren hade en total längd av 8 m.

Belägqningsmaterialet som användes var en vattenlösning av tenn(II)klorid innehållande ammoniumbifluorid för att till- handahâlla dopníngsjoner i beläggningen. Denna lösning duschades från munstyckena med en hastighet av 110 1/tim. Mun- styckena var alla parallella och lutade mot det horisontella 75°. De var placerade 1,5 m ovanför substratet.

Luft förvärmd till 550°C utmatades med en hastighet av 5000 Nm3/tim. från de två utmatningsmunstyckena 51 för att med- bringa förångad beläggningslösning och luften som utmatades från hjälpgasutmatningsledningen 52 förvärmdes även till 19 465 761%- 500°C. Sugning ovanför substratets nivå reglerades för att balansera mängden gas införd i eller bildad inom beläggnings- kammaren och för att befordra ett allmänt nedströmsflöde av material.

Luft förvärmd till 600°C utmatades med en hastighet av 3000 3 . . .

Nm /tim. från utmatningsanordningen 22 under substratvägen.

Detta sätt resulterade även i bildning av en högkvalitativ be- läggning, väsentligen fri från lokala defekter och med en mycket låg och jämnt låg disighetsfaktor.

Den resulterande beläggningen fotograferades i en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna som upptogs därpå av ett representativt prov av tennoxidbe- läggningskristallerna. Efter analys noterades följande: Beläggningstjocklek 400 nm Förväntad kornyta 270 x 10-4 umz Standardavvikelse 175 x 10-4 umz Lutningskoefficient 1,3 vid detta exempel användes även uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan nr 85 31 423 inlämnad 20 december 1985.

Exempel 4 Anordningen enligt fig. 5 användes för att bilda en dopad tennoxidbeläggning 750 nm tjock på ett 3 m brett band av 6 mm floatglas, som rörde sig med en hastighet av 8,5 m/min. och inträdde i beläggningskammaren med en temperatur av 600°C. Be- läggníngskammaren hade en total längd av 8 m. En vattenlösning av tenn(II§k1orid innehållande ammoníumbífluorid utmatades med en hastighet av omkring 220 1/tim. vid ett tryck av 25 bar från en höjd av 1,8 m ovanför glaset med användning av ett duschmunstycke lutat i nedströmsriktningen i en vinkel av 50° mot det horisontella och som fördes fram och tillbaka tvärs över bandvägen med en hastighet av 23 cykler per minut. 465 764 2° Den totala mängden atmosfäriskt material som sögs genom avgas- ledning 40 (jämför fig. 3) och 46 var omkring 100 000 m3/tim. vid en temperatur av omkring 300° till 350°C.

Strålningstakvärmare 10 hjälpte till att säkerställa förång- ning av den större delen av beläggningsmaterialet och lös- ningsmedlet före kontakt med glaset. Förvärmd luft drogs in i beläggningskammaren 6 från förkammaren 33 uppströms för att bidraga till det avsugna atmosfäriska materialet.

Utmatningsmunstycket 55 sträckte sig över hela bredden på be- läggningskammaren och användes för utmatning av luft uppvärmd . . . 3 , till 600°C vid en hastighet av 25 000 m /tim.

Som resultat hade den bildade beläggningen en hög kvalitets- struktur och jämn tjocklek över hela bredden på bandet och därmed goda och enhetliga optiska kvaliteter. Inneslutningen av beläggningsreaktionsprodukter. som skulle leda till de- fekter undveks i huvudsak.

Förvärmd luft drogs in i beläggningskammaren 6 från förkam- maren 33 genom inträdesspringan 31.

Den resulterande beläggningen fotograferades vid en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna som upptogs därpå av ett representativt exempel av tennoxidbe- läggningskristallerna. Efter analys noterades följande: Beläggningstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 627 x 10-4 nmz Standardavvikelse 549 x 10-4 umz Lutningsvinkel 1.3 Vid detta exempel användes uppfinningen beskriven i vår brit- tiska patentansökan 85 31 424 inlämnad 20 december 1985 och uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan 85 31 425, inlämnad 20 december 1985. 21 ,” ,¿ åbó 7Ö% vid en variant blåstes förvärmd luft direkt in i förkammaren 33.

Vid en annan variant av detta exempel befann sig glaset vid en temperatur av 620°C. Varm luft blåstes in i duschningszonen 9 genom utmatningsmunstycket 55, som var sammankopplat med duschningsmunstycket 7, vid en temperatur av 550°C och en hastighet av omkring 5000 m3/tim. Som resultat var mer av beläggningsmaterialet i duschningszonen i flytande fasen. Vid denna variant var den statistiska analysens resultat följande: Beläggningstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 400 x 10-4 umz Standardavvikelse 471 x 10-4 umz Lutningsvinkel 2,75 Denna ökning i lutningsvinkel kan tillskrivas att beläggningen bildades från en blandning av beläggningsmateríal i flytande och i ângfas. vid denna variant var disighetsfaktorn lägre än disighetsfaktorn för beläggningen bildad enligt den första delen av detta exempel.

Kristallkornytornas populationsfördelning mätt från elektron- mikrofoton visas som kurvan i fig. 6.

I fig. 6 har kristallytestorleksintervaller av 50 x 10'4 umz tagits och antalet kristaller som faller inom varje intervall räknas och avsättes i centrum av varje respektive intervall. Antalet kristaller i varje intervall ges utmed . . -4 ordinatan och ytan 1 enheter av 10 um ges utmed ab- skissan. Den resulterande avsättningen visas i heldragen linje i fig. 6. Lägg märke till att detta är en gammatypfördelning såsom visas genom den nära överensstämmelsen med den teore- tiska gammafördelningskurvan även visad (i streckad linje) i fig. 6. ,_ _, . 22 Exempel 5 En modifierad anordning baserad på den i fíg. 5 användes för att bilda en tennoxidbeläggning. Modifieringarna i anordningen omfattade följande: Duschningszonledning 37. 38 såsom visas i fíg. 2 tíllfogades.

Sidoavgasledning 49 såsom visas i fíg. 4 användes istället för avgassystemet 39, 41 under bandet och gasutmatníngsanordníng 22 under substratvägen som även visas i den figuren ingick.

Beläggningen var 750 nm tjock dopad med 0,22 antímonoxid på ett 3 m brett band av 6 mm floatglas, som rörde sig med en hastighet av 8,5 m/min. och inträdde i beläggningskammaren vid en temperatur av 600°C. Beläggningskammaren hade en total längd av 8 m. En vattenlösning av tenn(II)klorid innehållande antimonklorid utmatades med en hastighet av omkring 230 l/tim. vid ett tryck av 25 bar från en höjd av 1,5 m ovanför glaset med användning av ett duschmunstycke lutat i nedströmsrikt- ningen i en vinkel av 47° mot det horisontella, vilket fördes fram och tillbaka tvärs över bandvägen.

Värmare 10 reglerades för att förånga huvuddelen av materialet inom den övre halvan av duschningszonen 9 och på grund av duschningsmunstyckets 7 fram- och återgående rörelse och strömmönstret som åstadkommes därav. blev detta förångade material intimt blandat med luften inom den delen av dusch- níngszonen.

Den totala mängden atmosfärískt material som sögs genom passageavgasledningen var omkring 60 000 m3/tim. vid en temperatur av omkring 350°C. Sugning genom duschningszonsled- ningen upprätthölls vid miniminivå nödvändig för att hålla at- mosfären i den övre delen av nedströmsänden på duschningszonen 9 klar. 23 z / ~>'- f? f' i: ÉÜÖ iÖ% Varm luft blåstes nedåt in i förkammaren 33 genom ledning (ej visad) vid en temperatur av 620°C (samma temperatur som bandet där) och vid en hastighet av omkring 7000 Nma/tim. Brygg- väggen 44 justerades så att ínrädesspringan 31 hade en jämn öppning tvärs över bandets bredd.

Luft förvärmd till 550°C utmatades med en hastighet av 3000 3 . _ . .

Nm /tim. frân utmatnlngsanordnlngen under substratvagen.

Detta sätt resulterade även i bildning av en i huvudsak de- fektfri beläggning, i detta fall av blåaktigt utseende, med utomordentliga optiska egenskaper och jämnhet i tjocklek.

Den resulterande beläggningen fotograferades med en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna upptagna därpå av ett representativt prov av tennoxidbelägg- ningskristallerna. Efter analys noterades följande: Beläggningstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 407 x 10-4 umz Standardavvikelse 492 x 10-4 umz Lutningskoefficient 1,6 Vid detta exempel användes även uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan 85 31 424 inlämnad 20 december 1985.

Exempel 6 En 400 nm tjock flourdopad tennoxidbeläggning bildades på ett 5 mm tjockt band av glas, som rörde sig från en floatkammare med en hastighet av 8,5 m/min. för att inträda i beläggnings- stationen vid en temperatur av 580°C med användning av anord- ning liknande den som visas i fig. 4. I detta exempel användes ej gasutmatningsanordningen 22 under bandet ej heller hjälp- gasutmatningsledningen 52. Beläggningskammaren hade en total längd av 8 m. Ett enda fram- och återgående duschmunstycke användes. __,_.r_._ 24 453 /Ö4 Beläggningsmaterialet som användes var en vattenlösning av tenn(II)k1orid innehållande ammoniumbifluorid för att till- handahålla dopningsjoner i beläggningen. Denna lösning duschades med en hastighet av 110 1/tim. under ett tryck av 23 bar, under det att munstycket fördes fram och tillbaka med en hastighet av 22 cykler per minut. Munstycket var anordnat så- som i exempel 3.

Förvärmd luft utmatades från utmatningsmunstycken 51. Avsug- ning ovanför substratets nivå upprätthölls med en hastighet av 80 000 m3/tim. för att upprätthålla ett allmänt nedströms- flöde av material inom beläggningskammaren.

Detta sätt medförde även bildning av en höggradigt jämn be- läggning, i huvudsak fri från lokala defekter.

Den resulterande beläggningen fotograferades i en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de erhållna bilderna behandlades för att bestämma ytorna som upptogs därpå av ett representativt prov av tennoxidbelägg- ningskristallerna. Efter analys noterades följande: Beläggningstjocklek 400 nm Förväntad kornyta 247 x 10-4 umz Standardavvikelse 125 x 10-4 umz Lutningskoefficient 0,8 Detta exempel använde även uppfinningen som beskrives i vår brittiska patentansökan 85 31 424 inlämnad 20 december 1985.

Den relativt låga standardavvikelsen. i detta exempel endast något över den förväntade kornytan, tillskrivas den något lägre temperaturen vid vilken beläggningen utfördes. 25 4* <=> OG »J CR .LX EšÉEBå__Z Med användning av anordningen baserad på den som visas i fig. 5 bildades en tennoxidbeläggning 750 nm tjock på ett 6 mm tjockt band av floatglas, som rörde sig med en hastighet av 8.5 m/min.

I anordningen som användes var beläggningskammaren 6 något över 3 m bred för att upptaga glasband med en bredd av upp till omkring 3 m. Takkonstruktionen 5 ovanför duschningszonen 9 i beläggningskammaren var just över 1 mm ovanför bandvägens 1 nivå och duscchningsmunstycket till utmatningsmunstycket 7 för de små dropparna var nära det takets nivå. Det munstycket 7 var anordnat att utmata en konisk ström av små droppar i en riktning 8 i en vinkel av 45° mot det horisontella. Brygg- väggen l4'i nedströmsänden på duschningszonen 9 är skild från beläggningskammarens uppströms ändvägg med ett avstånd av 2,2 m. Passagen 13 har en höjd, som minskar från 40 cm vid ut- trädesspringan 15 till 25 cm i dess nedströmsände. Längden på den passagen är 4,5 m.

Glaset inträdde i beläggningskammaren vid en temperatur av 600°C och beläggningsmaterialet som användes var en vattenlös- ning av tenn(II)klorid. innehållande ammoniumbifluorid för att tillhandahålla dopningsjoner i beläggningen. Denna lösning duschades från munstycket med en hastighet av 200 1/tim. under det att munstycket fördes fram och tillbaka tvärs över band- vägen.

Strålningsvärmare i taket på duschningszonen påkopplades och luft utmatades genom munstycket 55 med en hastighet av 6000 3 .

Nm /min. och en temperatur av 400°C. Som resultat förângades del av strömmen av beläggningsmaterial och lämnade endast en del att fortsätta för definitivt anslag mot glaset. Den så- lunda bildade beläggningsångan medbringades i strömmen av för- värmd luft utmatad från munstycket 55, att strömma genom ut- ,trädesspringan 15 och utmed passagen 13 till avgasledningen 46. 26 Sugkrafter alstrades i avgasledningen för att avlägsna omkring 100 000 m3/tim. atmosfäriskt material från beläggnings- kammaren vid en medeltemperatur av omkring 350°C, och sålunda draga in ett täckskikt av gas förvärmd av värmare 34 och som täckte substratet.

Man fann att detta gav en exceptionellt fin reglering av atmosfären ovanför substratet i området där beläggningen började bildas. Detta befanns vara särskilt gynnsamt i att ge en regelbunden beläggning av den önskade tjockleken och av att bredden på bandet över vilken beläggningen bildades till önskad tjocklek ökade.

Som resultat hade den bildade beläggningen en hög kvalitet på kristallstrukturen och därmed goda och jämna optiska kvali- teter och inneslutningen av beläggningsreaktionsprodukter som skulle leda till defekter hade en tendens att undvikas.

Den resulterande beläggningen fotograferades i en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna upptagna därpå av ett representativt prov av tennoxidbelägg- ningskristallerna. Efter analys noterades följande: Beläggningstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 520 x 10-4 umz Standardavvikelse 444 x 10-4 umz Lutningskoefficient 1.4 vid detta exempel användes även uppfinningen som beskrivas i vår brittiska patentansökan 85 31 423, inlämnad 20 december 1985 och uppfinningen som beskrives i vår brittiska patentan- sökan 85 31 425, inlämnad 20 december 1985. 27 -D Lä.

LN *J CW __f\ Exempel 8 Anordning baserad på det som visas i fig. 5 användes för att bilda en tennoxidbeläggning av samma tjocklek som i exempel 7 på ett glasband av samma tjocklek och som rörde sig med samma hastighet. Beläggningsmaterialet som användes var tenn(IV)- klorid upplöst i dimetylformamid och detta utmatades från ett duschningsmunstycke 7 placerat 75 cm ovanför bandet och lutat mot det horisontella 30°. Tenn(IV)k1oridånga utmatades från en springa (ej visad), som sträckte sig över nästan hela bredden på uppströmsändväggen 43 mellan nivåerna för duschmunstycket 7 och gasutmatningsmunstycket 55. Ångorna som bildades i dusch- ningszonen 9 sögs utmed passagen 13 medelst frontal avsugning enbart genom avgasledningen 46 och med en hastighet för att ge en beläggning av den önskade tjockleken.

Glaset inträdde i beläggningskammaren 6 vid en temperatur av 600°C och luft förvärmd till 600°C utmatades med en hastighet av 3000 Nma/tim. in i förkammaren 33 från ledning som ej visas att strömma in i beläggningskammaren som ett täckskikt täckande glaset.

Atmofäriskt material inom duschningszonen 9 blev intimt blandat och ett kontinuerligt flöde av ångbemängd atmosfär drogs utmed passagen 13 i kontakt med substratets yta pâ vilken beläggningen bildades.

Luft förvärmd till 550°C utmatades med en hastighet av 3000 3 _ . . .

Nm /tim. från utmatningsanordning under substratvägen (jäm- för fig. 4).

Detta gav även utomordentliga resultat uttryckt i jämn hög kvalitet på bildad beläggning.

Den resulterande beläggningen fotograferades i en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna upptagna därpå av ett representativt prov av tennoxidbelägg- ningskristaller. Efter analys noterades följande: 28 Beläggningstjocklek 750 nm Förväntad kornyta 474 x 10-4 umz Standardavvikelse 467 x 10-4 umz Lutningskoefficient 1,3 vid detta exempel användes även uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan 85 31 425. inlämnad 20 december 1985.

EXêIIlQel 9 Anordning baserad på det som visas i fig. 2 och 3 användes för att bilda en 400 nm beläggning av fluordopad tennoxid på ett band av 5 mm floatglas, som rörde sig med en hastighet av 8,5 m/min. in i beläggningskammaren vid en temperatur av 600°C.

Ytterligare fläktar under bandet såsom de som visas vid 50 var anordnade under förkammaren 33 och skärmväggen 30 var utformad som en grind för att justera öppningen på inträdesspringan 31.

Gasinlopps- och avgasledning 35 till 38 avlägsnades från duschningszonen 9 och strålningsvärmare såsom 10 (fig. 1) var anordnade ovanför den zonen.

Beläggningsmaterialet som användes var en lösning av tenn- klorid innehållande ammoníumbifluorid för att tillhandahålla dopningsjoner i beläggníngen. Denna lösning duschades från munstycket med en hastighet av 120 l/tim. under ett tryck av 23 bar, under det att munstycket fördes fram och tillbaka med en hastighet av 23 cykler per minut.

Luft förvärmd till 600°C utmatades in i förkammaren 33 från de ytterligare fläktarna anordnade under bandet och drogs sedan in i beläggningskammaren för att bilda ett täckskikt täckande glaset. Sugning genom avgassystemet 39 till 41 skedde med en hastighet av 60 000 m3/tim. vid omkring 350°C för att upp- rätthålla ett allmänt nedströmsflöde av material inom belägg- ningskammaren. 29 ass 764 Strålningsvärmarna i taket påkopplades för att förånga belägg- ningsmaterialet under dess förflyttning mot substratet. På grund av den genom den fram- och återgående rörelsen på duschningsmunstycket förorsakade turbulensen och den duschade strömmen av förbeläggningsmaterial, blev det förångade materialet intimt blandat med luft i duschningszonen 9 och denna ångbemängda atmosfär drogs nedåt in i utträdesspringan 15 och utmed passagen 13. Beläggningsångan blandades med atmosfärtäckskiktet i kontakt med glaset och en beläggning av önskvärd tjocklek avsattes.

Förkammaren 33 innefattar värmare 34 för att förvärma atmosfären däri. Dessa värmare medger luften att värmas enligt någon önskad temperaturprofil, t.ex. i större utsträckning vid förkammarens sidor.

Den bildade beläggníngen genom sättet enligt detta exempel var av extremt hög kvalitet och enhetligt utseende över väsent- ligen hela bredden på bandet.

Den resulterande beläggningen fotograferades vid en förstoring av 100 000 gånger med användning av ett elektronmikroskop och de resulterande bilderna behandlades för att bestämma ytorna som upptogs därpå av ett representativt prov av ten4oxidbe- läggningskristaller. Efter analys noterades följande: _ Beläggningstjocklek 400 nm Förväntad kornyta 247 x 10-4 umz Standardavvikelse 125 x 10-4 umz Lutningskoefficient 0,8 Vid detta exempel användes även uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan 85 31 424 inlämnad 20 december 1985 och uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan 85 31 425 inlämnad 20 december 1985. hf? P/'e 30 -fO\J I Ö EšÉE2âl_lQ Anordning baserad på det som visas i fig. 5 användes för att bilda en tennoxidbeläggning 257 nm tjock. Denna anordning modifierades genom att utesluta förkammaren 33. Längden på be- läggningskammaren 6 var omkring 6 m.

Glasbandet inträdde i beläggningskammaren vid en temperatur av 600°C med en hastighet av 10 m/min.

Beläggningsmaterialet som användes var en lösning av tenn(II)- klorid, innehållande ammoniumbifluorid för att tillhandahålla dopningsjoner i beläggningen. Denna lösning duschades från munstycket med en hastighet av 70 1/tim. under ett tryck av 20 bar. under det att munstycket fördes fram och tillbaka med en hastighet av 22 cykler per minut. Munstycket var placerat 1 m ovanför glasets nivå och vinklat nedåt 45°.

Luft förvärmd till 600°C utmatades i duschningszonen genom ut- matningsmunstycke 55. Hastigheten på sådan utmatning och den hastighet med vilken atmosfäriskt material sögs från belägg- ningskammaren inställdes för att uppnå en beläggning med den önskade tjockleken.

Beläggningen som bildades genom sättet enligt detta exempel var även av utomordentligt hög kvalitet och enhetligt utseende.

Följande egenskaper noterades: Beläggningstjocklek 257 nm Förväntad kornyta 127 x 10-4 umz Standardavvikelse 73 x 10_4 um: Lutningskoefficient 1.3 Vid detta exempel användes även uppfinningen beskriven i vår brittiska patentansökan 85 31 424, inlämnad 20 december 1985. 31 46% 764 gxempeLii-ig Vid en variant av vart och ett av de föregående exemplen an- vändes anordningen för att bilda en beläggning på glas. som skurits till skivor och därefter omvärmts, varvid sättet annars var liknande.

Liknande resultat uttryckt i beläggningskvalitet uppnâddee.

Claims (9)

1. 0 15 20 25 30 35 764 ' 4-65 32 Patentkrav l. Plant glas uppbärande ett tennoxidbeläggningsskikt, k ä n n e t e c k n a t av att sådant tennoxidskikt är åtminstone 200 nm tjockt och av att den förväntade kornytan på ett representativt prov av tennoxidbeläggningskristallerna mätta i enheter av l0'4um2 är numeriskt lika med ett värde av åtminstone 0,4 gånger skikttjockleken nätt i nn.

2. Glas enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att då en populatíonstäthetskurva upprättas genom att avsätta antalet kristaller av ett representativt prov av tennoxidkristallerna med en kornyta inom ett givet intervall på ordinatan och korn- ytan på abskissan, kurvan har en positiv lutningskoefficient.

3. Glas enligt krav 2. k ä n n e t e c k n a t av att populationstäthetskurvan har en lutningskoefficient av åtmins- tone 1.

4. Glas enligt krav 2 eller 3. att kornytans standardavvikelse i ett representativt prov av tennoxidbeläggningskristaller är åtninstone halva det för- väntade värdet. k ä n n e t e c k n a t av

5. Glas enligt krav 4, k ä n n e t e c k n a t av att korn- ytestandardavvikelsen för ett representativt prov av tennoxid- beläggningskristallerna är åtminstone 0,7 gånger det förvänta- de värdet.

6. Glas enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k - n a t av att den förväntade kornytan för ett representativt prov av tennoxidbeläggningskristallerna nätt i enheter av l0_4um2 är numeriskt lika ned ett värde av åtminstone 0,5 gånger skikttjockleken mätt i nn.

7. Glas enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k - n a t av att tennoxidskiktet har en tjocklek av åtninstone 300 nm. 463 764 33

8. Glas enligt krav 7, k ä n n e t e c k n a t av att tenn- oxidskiktet har en tjocklek av åtminstone 700 nm.

9. Glas enligt krav 8. k ä n n e t e c k n a t av att den förväntade kornytan hos ett representativt prov av tennoxid- belâggningskristallerna ligger mellan 350 x l0_4um2 till och med 700 x l0_4um2.