SE441878B - Plasmaetsningsforfarande - Google Patents

Plasmaetsningsforfarande

Info

Publication number
SE441878B
SE441878B SE7906297A SE7906297A SE441878B SE 441878 B SE441878 B SE 441878B SE 7906297 A SE7906297 A SE 7906297A SE 7906297 A SE7906297 A SE 7906297A SE 441878 B SE441878 B SE 441878B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
etching
etchant
plasma
effective
recombination
Prior art date
Application number
SE7906297A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7906297L (sv
Inventor
W R Harshbarger
H J Levinstein
C J Mogab
R A Porter
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of SE7906297L publication Critical patent/SE7906297L/sv
Publication of SE441878B publication Critical patent/SE441878B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

06297-2 2 10 15 20 25 30 SS 40 ändringar inom framställningstekniken. Huvudsakligen på grund av registreringsproblem har exempelvis intresset ökat för ett maskeringsfritt förfarande som betecknas direkt bearbetning. Vid direkt bearbetning utsättes resistskikten på brickorna i sig själva för primär mönsterupplinjering och tjänar därefter såsom avlägsningsbara maskeringsskikt.
Vare sig maskeringsskikten framställts genom primär eller sekundär mönstring användes de för upplinjering av underliggande material genom ett stort antal olika successiva bearbetningssteg.
Ett förfarande av speciellt intresse inbegriper etsning för åstad- kommande av mönstrade skikt av material, såsom av kisel, mono- kristallin eller polykristallín, kiseloxíd, kíselnitrid (ibland plasmaavsatt, ibland pyrolitiskt avsatt), etc.
För närvarande använd upplinjering är sådan att adekvat upplösning kan uppnås genom användning av våtbearbetning, exem- pelvis kemisk etsning. Behovet av tätare linjeavstånd ger upp- hov till ett åtföljande behov av noggrant reglerade etsnings- profiler (i allmänhet raka vertikala etsningsväggar utan signi- fikant underskärning under maskeringsresistkanter).
Behovet av anisotrop etsning har tillgodosetts genom hög- energitorrförfaranden, såsom jonmalning, finfördelningsavsätt- ning och liknande. Fastän sådana förfaranden är godtagbara för många ändamål kompliceras emellertid framställningen genom strål- ningsskador, snabb resisterosion och andra effekter på grund av bombardemang. Plasmaetsningsförlopp erbjuder fördelar i jämfö- relse med torrbearbetning men medför ej alltid reglerbar aniso- trop etflünga Fastän vertikala väggar ibland kan i det närmaste uppnås genom lämpligt val av plasmabetingelser (användning av lågt tryck och andra betingelser som inför riktning) kan strål- ningsskador äter utgöra ett problem.
Vid framställning av anordningar och kretsar utnyttjas plasmaetsningsförlopp för uppnående av flexibilitet för ets- ningsprofilen. Systemen är tillräckligt flexibla för att ver- tikala väggar eller andra önskvärda profiler skall erhållas.
Ett flertal betingelser för plasmat avseende effekt och tryck enligt föredragna utföringsformer medger utväljandet av reaktor- betingelser, som minimerar skador på grund av sekundär röntgen- stråleemission beroende på energiríka elektroner.
Utnyckt med hänvisning till konventionell preferens för vertikala etsningsväggar regleras underskärning. Etsning av 10 15 20 25 30 35 40 s 7906297-2 sidoväggar underliggande resistskikten regleras genom åstadkom- mande av rekombinationsplatser för aktiva etsningsmedelsämnen i närheten av sådana väggar.
Enligt uppfinningen sker etsning genom ämnen som uppstår vid införandet av en lämplig gaskompositíon i plasmat. Gaskom- positionen kan betraktas såsom innehållande distinkta ämnen, som i plasmat ger (a) övervägande effektiva etsningsmedelsämnen och (b) rekombinationsmedel. Fastän de lämpligen identifieras sålunda kan vardera av dessa två plasmaämnen vara endast på- börjat, dvs kan för sin funktion förlita sig på yttíllstånd el- ler andra reaktioner.
Enligt uppfinningen är det signifikant att separat identi- fierbara reaktanter ovillkorligen medger variation av relativa mängder av sådana reaktionskomponenter. En variation av reak- tantförhållandet medför en variation av förhållandet av ets- ningsmedel till rekombinationsmedel vilket medger skräddarsyning av etsningsprofilen. Enligt föredragna utföringsformer kan raka, vertikala väggar (eller andra önskvärda profiler) uppnås för ett stort antal olika bearbetningsbetingelser genom att detta förhållande varieras.
Allmänt hänför sig uppfinningen till framställning av före- mål, såsom kretsar och diskreta anordningar, innefattande ett eller flera plasmaetsningsförlopp. Nödvändiga föregående litogra- fiska förlopp kan utgöras av kopiering genom en diskret mask eller på maskeringsfri väg, dvs genom direkt bearbetning. I vilket fall som helst är föremålen som utsättes för bearbetning vid relevant stadium eller stadier försedda med ett vidhäftande resistskikt, som mönsterupplinjeras (1) genom aktinisk strål- ning, som ändrar lösligheten och (2) genom framkallning i ett lösningsmedel, för selektivt avlägsnande av antingen exponerade områden eller icke exponerade områden beroende på om resisten verkar positivt eller negativt. Enligt vissa variationer kan själva "resisten" ej mönstras genom aktinisk strålning utan kan mönstras direkt eller indirekt genom kopiering från något överliggande strålningskänsligt material vari ett mönster upp- ritats.
Enligt uppfinningen relevant bearbetníng omfattar nöd- vändigtvis selektiv plasmaetsning av blottlagt substrat som ligger under mönstrad resist. Ifrågakommande material, nämligen materialen som skall etsas, varierar beroende på föremålet som 7906297-2 4 10 20 25 40 bearbetas. För det kommersiellt signifikanta fallet av LSI är för närvarande ifrågakommande material kisel (antingen monokrís- tallin eller polykristallin), kiseloxíd (dopad eller icke dopad), kiselnitrid (plasmaavsatt eller pyrolytiskt avsatt) samt resister i sig själva (vars avlägsnande kan inbegripa "avlyftning" av över- liggande material, etc). Beroende på tekniken, såsom halvledar- optik, magnetism, etc, kan andra material ifrågakomma. Exempel därpå innefattar bornitrid, permalloy, substituerad yttriumjärn- granat, litiumniobat, litiumtantalat, etc.
Föreliggande förfarande har huvudsaklig betydelse vid fram- ställning av finlinjerade anordningar eller kretsar. För närva- rande uppvisar LSI-kíselkretsar (Large Scale Integrated) enligt teknikens ståndpunkt en linjeutformning av ca 4nmn Användning av plasmaetsning är vanlig vid framställning av sådana LSI-anord- ningar. Ökande miníatyrisering med åtföljande minskning av linje- utformningen till mikrometeromrâdet och submikrometeromrâdet medför troligen ökad användning av plasmaetsning. Linjeutform- ningsreduktion medför ytterligare krav på etsningsprofiler, i allmänhet i riktning mot vertikala kanter med minimal underskär- ning.
Ovan angivna önskemål realiseras genom användning av ets- ningsmedelssystem som erhållits genom införande av en gasformig reaktant, som kan betraktas såsom en blandning av beståndsdelar som ger två eller flera komponenter. Införandet av en sådan reak- tant i plasmat ger tvâ ämnen, nämligen (1) ett övervägande effek- tivt etsningsmedelsämne och (2) ett rekombinationsmedel.
Rekombínationsmedlet är av sådan typ att det medför rekom- bination av det övervägande ämnet vid eller i närheten av ets- ningsväggar så att ett medel för reglering av graden av ets- ningsangrepp på väggarna âstadkommes.
Ett signifikant kännetecken för föreliggande förfarande beror på att mängden rekombínatíonsmedel såväl som etsníngsme- del är ändlig. Reglering av mängden av den ena relativt den andra medger en grad av reglering som kan medföra vertikala, plana etsningsväggar eller väggar som uppvisar en viss regler- bar grad av underskärning. Det är till och med möjligt att vid betingelser varvid rekombínationsmedel föredrages framför ets- ningsmedel åstadkomma väggar som bekräftar "negativ underskär- ning" (varvid de etsade väggarna skjuter fram framför maskkanten 10 15 20 25 30 40 7906297/2 in i det icke maskerade området).
I âskådliggörande syfte bör vissa uttryck definieras; vissa av dessa har förhärskande användning och vissa är speciella för uppfinningen.
Med "plasmaetsning" avses etsning som huvudsakligen fort- skrider genom betingelser som skapats inuti ett plasma. Defini- tionen innefattar ett flertal förfaranden, som konventionellt betecknats med specifika uttryck, exempelvis reaktiv jonetsning, finfördelningsetsning, etc. Från synpunkt på uppfinningen genom- föres ifrågavarande förfaranden vid tillräckligt låg effekt och tillräckligt högt tryck för att etsningen huvudsakligen skall bero på kemisk reaktion vid ytan som etsas. Uttrycket plasma- etsning är avsett att utesluta förfaranden varvid den huvudsak- liga avlägsningsmekanismen innefattar momentöverföring, dvs upp- finningen är bland annat ej förbunden med jonmalning.
Uttrycket resist användes i dess underförstàdda betydelse, dvs för definition av ett material anordnat över substratet som skall etsas, varvid resisten begränsar angrepp på underliggande material genom reaktant, i detta fall genom etsningsmedel. I överensstämmelse med konventionell användning är det ej nödvändigt att resisten, vare sig i ursprunglig form eller mönstrad form, är strålningskänslíg. Följaktligen innefattar uttrycket överlig- gande material som i sig själv kan vara mönsteruppritat genom motsvarande strålning och efterföljande framkallning, såväl som överliggande material, som ej är och aldrig varit strålnings- känsligt men vari mönster kan uppritas på annat sätt. I allmän- het och enligt uppfinningen mönstras resisten eftersom den är mest relevant vid kantomràden som definierar gränslinjer mellan material som skall bibehållas och material som skall avlägsnas under etsning. Reaktanten har samband med material såsom detta införes i plasmat. Detta material som normalt är gasformigt kan betraktas såsom en gasformig blandning innehållande åtminstone tvâ reaktantkomponenter: (1) reaktantetsningsmedelskomponent och (2) reaktantrekombinationskomponent. En sådan reaktant som nor- malt är neutral (icke laddad) kan innefatta elementära, diato- miska och/eller kemiskt förenade ämnen. Fastän de två nämnda reaktantkomponenterna har huvudsaklig betydelse från synpunkt på uppfinningen kan andra material införas. Ytterligare material kan tjäna såsom bärare, spädningsmedel, etc.
Med aktiva komponenter avses komponenter som ingår i 10 25 35 40 7906297-2 plasmat och som är ansvariga för de två funktionerna av huvud- saklig betydelse för uppfinningen: Därvid avses med etsningsmedelsämnen ämnen som genom ke- misk reaktion med ytan som etsas huvudsakligen är ansvariga för materialavlägsnande. I många sammanhang hänvisas till övervägande etsningsmedelsämnen; och med rekombinationsmedel avses rekombinationscentra ansvariga för avslutandet av den effektiva livslängden av det övervägande ets- ningsmedelsämnet. Betingelserna enligt uppfinningen utväljes så- lunda att rekombinationsmedlet är effektivt med avseende på inak- tivering (eller reducerar åtminstone signifikant aktiviteten av) det övervägande etsningsmedelsämnet vid eller i närheten av ets- ningsväggar.
Med etsningsprofil avses väggkonfigurationen som åstadkom- mes i materialet som etsas. I allmänhet hänvisar detta uttryck till en profil under eller efter etsning. Ifrågavarande profiler utgöres av: Vertikalprofil som väsentligen inbegriper plana etsningsväggar i ett plan gemensamt med den definierande överliggande resist- kanten och vinkelrätt mot substratytan. Fastän en del resist- kantetsning kan inträffa minimeras denna lämpligen så att pla- net har ett läge ungefärligen motsvarande resistkantens läge före etsning; Underskuren profil hänför sig till en etsad vägg varav något parti, och i allmänhet då det övre partiet, är underskuret, dvs resísten; underskuren profil avses kantkonfigurationer som under etsning varvid fortsatt etsning effektivt mins- ligger under Med negativt åstadkommits kar ytan så att det etsade områdets bottenplan är mindre än vad som definieras genom motsvarande resistöppning.
Med isotrop etsning avses ett slumpvis etsningsförlopp varvid etsningen sker med likformig hastighet i alla riktningar (både vertikalt och lateraltj. Isotrop etsning medför därför un- derskärning vilket dock är en specifiserad underskärning varvid det etsade området nàmmst resisten underskäres till en dimension ungefär lika med den av den vertikala etsningsdimensionen. Isotrop estning är beroende av underskärning på grund av överetsníng (som kan uppstå under anisotrop etsning).
Anisotrop etsning avser etsning som beror på ett visst riktningsfastställande som medför divergens från isotrop ets- 10 20 25 30 55 40 7906297-2 ning. I detta hänseende kan underskärníng, vare sig nega- tiv eller positiv, vara anisotrop så länge som etsningen fort- skrider olikformigt i tvâ riktningar, exempelvis vertikalt och lateralt. Ideal anisotrop etsning hänför sig till etsning som medför en väsentligen plan, vertikal etsningsvägg i ett plan ungefär motsvarande det æ'da1ursprungliga resistkanten för etsning.
Den allmänna typen av reaktantkomposítionen har indikerats ovan. Belysande system utnyttjar generellt ett halogenhärstam- mande aktivt etsningsmedelsämne, vilket fastställts på basis av masspektroskopisk analys av utflödet. Sådana ämnen som san- nolikt utgöres av atomisk halogen, exempelvis klor eller brom, införes i bunden form i reaktanten. För fallet atomisk klor så- som övervägande ämne kan införandet ske i form av C12, CF3Cl, etc. Reaktanten är vanligen gasformig och för att eventuell kondensation skall förhindras är allt infört material lämpligen gasformigt vid rumstemperatur eller nära rumstemperatur. Rekom- binationsreaktanten utgöres för fallet kiseletsning lämpligen av en fluorkolförening. Exempel därpå är CZFÖ och CF3Cl. System och betingelser för etsningen som ger användbara etsningshastigheter fordrar i allmänhet att rekombinationsmedlet är relativt inaktivt såsom ett etsningsmedelsämne med avseende på materialen i före- målet som bearbetas. Fastän fluorkolrester är tillräckligt inak- tiva med avseende på kisel samt även överliggande resíster är de i allmänhet ej lämpliga för vissa andra material, exempelvis alu- minium. I efterföljande exempel användes såsom rekombinationsme- del effektivt för aluminiumetsning ett sådant som härstammar frân rekombinationsreaktanten BCl3.
De relativa nfingànna mzde nå insatta komponenterna bestäm- mes sålunda att önskvärd etsningsprofil uppnås. Betingelser som bör beaktas och som har behandlats ingående í det föregående är resistkantytan och andra betingelser som bestämmer rekombinatíons- medelsmängden såväl som det övervägande etsningsmedlet. Det sist- nämnda som huvudsakligen bestämmes pà basis av arten av själva det övervägande etsningsmedelsämnet påverkas också av andra para- metrar inklusíve effekt, tryck, etc. Vid många betingelser ingar den införda rekombinationsmedelskomponenten i en mängd som över- skrider etsningsmedelskomponentmängden med en faktor två eller mer för ideal anísotrop etsning (dessa förhållande är i allmän- het molära). Följaktligen är CF3C1, som kan betraktas såsom en 7906297-2 s 10 15 20 25 40 1:1 molar blandning av rekombinationsmedelsreaktant och etsnings- medelsreaktant ej lämpligt, åtminstone ej för uppnående av ideal anisotrop etsning enligt uppfinningen. Det övervägande etsnings- medelsämnet som erhålles med denna 1:1-blandning ger en grad av underskärning som i allmänhet är alltför hög för avsett använd- ningsområde vid föredragna etsningsbetingelser.
Uppfinningen ger flexibilitet med avseende på profilskäddar- syning beroende på specifisering av komponentförhållandet. CF3Cl kan införas tillsammans med rekombinationsmedelsreaktanten CZFÖ så att en etsningsprofil uppnås som generellt lämpar sig för framställning. För det såsom exempel angivna systemet CZF6 - C12 ger S-14 volymprocent C12 både snabb etsning och under de övriga angivna betingelserna profiler som antingen är idealt anisotropa eller på annat sätt är lämpliga för de flesta ända- mål. Fastän de effektiva reaktantämnena kan vara mer komplexa betraktas de för enkelhets skull uttryckta i det förmodade över- vägande etsningsmedelsämnet Cl och det förmodade rekombinations- medlet CF3. Uttryckt sålunda och under antagande av proportíonell plasmaaktivering kan ett formelenhetsförhållande av från Z till 14 % medföra både effektiv etsning och ideal eller annan önsk- värd anisotropi under de flesta betingelser. Med hänsyn till det faktum att selektiviteten (exempelvis med avseende på kisel i förhållande till Si02) ökar med ökande mängd införd C12 kan ett användbart förhållande överskrida 14 % och kan uppnå en nivå så hög som 90 % eller till och med mer om inbördes avstånd är till- räckliga för att erhållen underskärning skall kunna tolereras.
Ett annat system som användes i exemplen är det därmed besläktade halogensystemet som härstammar från införandet av bunden brom. För detta system gäller likartat förhållandeinter- vall som angivits för det analoga klorsystemet. Ett annat sys- tem som angivits i exemplen inbegriper införande av BCl3 - C12.
Därvid är det lämpligt att betrakta det övervägande etsnings- medelsämnet såsom atomisk klor och rekombinationsmedelsämnet såsom härstammande fron BCl3, eller eventuellt BClZ. Förhållan- det Cl:BCl2 kan variera i ett intervall av 0,1-5 % som ger ideal anisotrop etsning eller annan önskvärd anisotrop etsning under vanligen ifrågakommande betingelser.
Slutligen bör framhållas att de flesta utföringsformer av uppfinningen är beroende av införandet av en identifierbar re- kombinationsmedelsreaktant och etsningsmedelsreaktant. I allmän- 10 15 20 35 40 7906297-2 het utgöres reaktanten av en gasformig blandning som medger variation av förhållandet av de två reaktantmaterialen. Denna flexibilitet har ytterst stor betydelse eftersom därigenom pro- filskäddarsyning medges, antügen ideal anisotropi eller någon annan önskvärd lutning under ett stor antal bearbetningsbetingel- ser. De mest signifikanta bearbetningsbetingelserna är, såsom indikerats, sådana som inbegriper tillräckligt högt tryck och tillräckligt låg effekt för att förfarandet skall kunna genom- föras under minimala effekter beroende på momentöverföring.
Likväl gäller att relativt ovanliga omständigheter kan medge (1) en reaktant och ett rekombinationsmedelsämne kemiskt bundet i en enda förening som medför ett fixerat för- hållande och till och med (2) etsningsmedelsämnen och rekombi- nationsmedelsämnen härstammande från en enda utgångsreaktant.
Det första varpå CF3Cl utgör ett viktigt exempel ger i allmän- het en grad av underskärning som för de flesta ändamål ej kan tolereras men som kan tolereras vid stora inbördes avstånd.
Vissa föreníngsreaktanter kan ovillkorligen medföra ett förhål- lande som ger nästan ideal anisotropí. Det sistnämnda har visat sig ge användbara profiler endast då etsningshastigheten är re- lativt låg under vanligen föredragna etsningsbetingelser. Denna sistnämnda iakttagelse anses naturlig eftersom användbara pro- filer enligt uppfinningen utgör resultatet av en balans mellan etsning och rekombination.
En omfattande serie av försök antyder att profilreglering beror på en kombination av faktorerna (a) fysikaliskt tillstånd av resistkantytan (eller i allmänhet av hela kantytan inklusive när etsningen fortskrider blottlagt material), (b) den kemiska arten av kantytan och (c) arten av de ämnen som troligen bildas genom plasmat efter införande i närheten av väggen. Det indike- ras att antalet effektiva rekombinationsämnesenheter är ändligt, en slutsats som kan förklaras med hänvisning till mättnad eller nära mättnad av tillgängliga reaktíva platser på resistpartiet av väggytan. Variation av ytjämnhet medför ett väntat behov av motsvarande variation av det övervägande etsningsmedelsämnet som bekräftar mättnadsteorin. Den stora olikheten med avseende på kemisk och fysikalisk typ av de olika resister som har visat sig vara effektiva för åstadkommande av rekombinationsplatser leder fram till slutsatsen som åter står i överensstämmelse med tidigare kunskaper att vilken som helst organisk komposition som 7906297-2 10 10 ZS 40 lämpar sig för användning såsom en resist kan utnyttjas (en kol- vätebaserad polymer tillhandahåller en yta för rekombination men måste vara skäligt stabil i plasmaomgivningen för att kunna an- vändas såsom en resist). Genomförda försök inbegriper novolacker av ett flertal molekylvikter och kompositioner samt olika grad av förnätning. Ett stort antal antal resister, med såväl nega- tiv som positiv verkan, har visat sig vara effektiva såsom den i övervägande grad använda positiva novolacken. Variationer i ytjämnhet berodde bland annat på olika företsningsbränningsbe- tingelser såväl som olika resistupplinjeríngsetsningsmedel.
Andra experimentella resultat stöder teorin om konkurre- rande rekombinations- och etsningsreaktioner i närheten av väg- gen. Exempelvis ger inneslutning av rekombinationsmedelsämnen med signifikant resistetsningsaktivitet hög profilreglering även om de medför en kort egenlivslängd för etsningsmedelsämnet.
Fastän man lämpligen anser att slutlig rekombination sker inuti plasmavolymen är aktivitet vid väggen i överensstämmelse med att rekombinationsmedelsämnen inítieras i detta läge.
Av de experimentella resultaten framgår det klart och i själva verket bygger uppfinningen därpå att rekombinationsmedlet åtminstone initiellt påverkar vid resistytan etsníngsprofilen av (icke-resist) material som etsas. Ett kriterium som med nöd- vändighet ger enligt uppfinningen önskvärda resultat kan ut- tryckas med hänvisning till resist-rekombinationsmedelspar un- der förutsättning att rekombinatíonsmedlet ej förbrukas genom annat ytmaterial på väggen. Under det att profilreglering hela tiden är oberoende av etsningsdjupet i kísel (för det nominella CF3-rekombinationsmedlet) kan följaktligen ett intermediärt SiO2-skikt interferera med profilregleríng. Detta står i överens- stämmelse med den kända reaktiviteten av S102 och CF3.
Enkelt uttryckt är uppfinningen beroende på KOHKUTTGHS mellan etsning och rekombination. Etsningsmedlet betraktas lämp- ligen endast med hänsyn till mängden i förhållande till rekom- binationsmedel, vilket är en parameter som såsom indikerats är intimt förbunden med ett antal faktorer, såsom resistytan. Under antagande att resistväggytan generellt är vid en nästan mättad nivå med avseende på rekombinatíonsmedel är det skäligt att be- trakta rekombinationsmedelsnivån såsom fixerad och att ändra den effektiva koncentrationen av etsningsmedel. Ideal anisotrop etsning definierar den balans som är mest önskvärd för kretsar 10 20 40 11 7906297-2 med hög densitet. Avvikelser i riktning mot ökad mängd etsnings- medel medför underskärning; och avvikelser i riktning mot mindre mängd etsningsmedel kan medföra negativ underskärning (beroende på etsningsmedelsaktiviteten av rekombinationsmedlet eller andra närvarande ämnen). För fallet etsningsmedel som ummdsar signifi- kant selektivitet för materialet som skall etsas i förhållande till underliggande material kan negativ underskärning i icke önskvärd grad korrigeras genom etsning under en tillräcklig period efter rening.
För fackmannen är uppfinningen tillräckligt klart definierad med hänvisning till iakttagelsen att variation av förhållandet etsningsmedel till rekombinationsmedel medför profilreglering.
Uppfinningen är baserad på ökad anisotropi tillsammans med skä- liga etsningshastigheter och andra önskvärda etsningsbetingelser.
Exakt specifisering för framställningsändamâl kan bestämmas genom rutinexperiment varvid de olika parametrarna ändras.
I belysande syfte beskrives kortfattat plasmaetsningsbe- tingelser som förekommer i för närvarande använda reaktorutform- ningar. Av ett flertal skäl användes parallella plattreaktorer i allt större utsträckning inom industrin. Avancerade utform- ningar garanterar flödesmönster som medför skälig etsningshomo- genitet från bricka till bricka. Se exempelvis A. R. Reinberg, "Etching for Pattern Definition" (H. G. Hughes och M. J. Rand, utgivare), The Electrochemical Society, Inc. Princton, N. J., 1976; och R. G. Poulsen, J. Vac. Sci. Technol., 14, 266 (19TT).
System med parallella plattor innefattar par av plattor ingående i ett lämpligt vakuumhölje. Effekt, vanligen i radio- frekvensområdet (exempelvis 13,56 MHz) anbringas på den drivna plattan för initiering och upprätthàlllande av en urladdning mellan plattorna, varvid den icke drivna vanligen hálles vid jordpotential. Det har indikerats att "plasmaetsníng" är av- sett att innefatta ett flertal förfaranden som vanligen beteck- nats på annat sätt. För dessa ändamål är det enda kravet att huvudsakligt avlägsnande av ytmaterialet som skall etsas sker genom kemisk reaktion och ej genom momentutbyte med plasmahär- stammande aktiva etsningsmedelsämnen. Nomenklaturvaríatíoner kan exempelvis uppstå beroende pâ den relativa storleken av elektroderna samt placeringen av brickorna (antingen pä den drivna eller den icke drivna elektroden (elektrodernl). I det förfarande som vanligen betecknas reaktív jonetsning är den 906297-2 12 10 20 30 40 drivna elektroden väsentligt mindre än den motstående elektroden och materialet som etsas placeras på den drivna elektroden. För det fall som vanligen betecknas plasmaetsning är elektroderna nästan symmetriska och materialet som skall etsas placeras på den icke drivna elektroden. Sådana apparaturvariationer såväl som variationer av andra betingelser, nämligen effekt, tryck, etc, omfattas av uppfinningen under förutsättning att det grund- läggande kravet (huvudsakligt avlägsnande genom kemisk reaktion..J uppfylles.
Parametrar som regleras i dessa reaktorer är etsningsgas- komposition, tryck, inloppsflödeshastighet, effekt, interelektrod- avstånd och substrattemperatur. Typiska områden för dessa para- metrar är: tryck 10-3-2,0 torr; flödeshastighet 10-500 SCCM (Stan- dard cm3/min); effekt 100-3000 watt, elektrodavstånd 5-S0 mm, diameter 40,2 cm; och elektrodsubstrattemperatur 25-ZSOOC.
Onskvärda plasmaetsningsbetingelser med hänsyn till för närvarande föredragen användning diskuteras i det följande.
Därvid hänvisas till för närvarande tillgänglig apparatur. Det är emellertid mycket troligt att förbättrad apparatutformning kommer att uppvisa förväntad effekt. Följaktligen är följande diskussion meningsfull med hänsyn till nuvarande praxis men är ej begränsande, speciellt med hänsyn till framtida praxis.
I reaktorutformningar är det signifikant att föreliggande förfarande kan ge önskvärda profiler vid plasmatryck av stor- leksordningen 0,1 torr. Detta står i motsatsförhâllande till många tidigare kända förfaranden, varvid ideal anisotrop ets- ning endast uppnåtts vid lägre tryck. Detta tryckvärde utgör den approximativa gränslinjen mellan visköst flöde (för högre tryck) och icke visköst atomiskt, joniskt eller molekylärt flöde (vid lägre tryck). Visköst flöde anger betingelserna var- vid kollision är mer sannolik inuti plasmat än mellan plasmat och en fast yta. För en typisk plasmaeffektdensitet betecknar det följaktligen tröskelvärdet, under vilket väsentlig strål- ningsskada kan uppstå.
Plasmaeffektvärden av flera watt/cms kan uppnås. Effekt- värden väsentligen överstigande 1 watt/cm3 medför icke-homoge- nítetsproblem och plasmastabiliteten är svår att upprätthålla vid tryck av storleksordningen 1,0 torr och däröver.
En tredje parameter som har samband med de första två, nämligen tryck och effekt, är etsningshastigheten. Från kom- 10 15 20 30 35 40 - 7906297-2 lo mersiell synpunkt är denna en signifikant faktor som ibland be- stämmer genomgången. Den är också signifikant eftersom långsam- mare etsning med nödvändighet ger längre perioder av resistexpo- nering. Beroende på tjockleken av skiktet som skall etsas kan resísterrosion som normalt är vid en signifikant nivå bli begrän- sande. Vid många litografiska förlopp överskrider praktiska resisttjocklekar ej mycket nedan angivna medeldímensioner. Det är skäligt att ange ett minimivärde för etsningshastigheten av 300 Å/min, eller företrädesvis 500 Å/min. Etsningsmedelsurskill- ning med avseende på vanligen förekommande material som skall etsas, och de mer beständiga polymerreisterna, är i allmänhet tillräcklig för att bibehållande av en effektiv fraktion av resist skall medges vid sådana hastigheter. Vid relativt tjocka skikt som skall etsas, nämligen skikt av storleksordníngen_pm medför dessa synpunkter en preferens för etsningsgrader väsent- ligt överstigande 500 Å/min.
Exemnel 1-7.
Dessa exempel är sammanställda i tabellform. Uppfinningen förklaras bäst med hänvisning till variation av förhållandet övervägande effektivt etsningsmedelsämne och effektivt rekombi- nationsmedelsämne och följaktligen har de i tabellen angivna exemplen genomförts i samma apparat under väsentligen identiska betingelser varvid endast det operativa förhållandet har varierats.
Tabellen som är belysande för halogenbaserade system hänför sig till etsning av så kallad "polykisel" (polykristallin kisel, i detta fall fosfordopat till en resistivitetsnivå av 5x10'J ohm- cm). I samtliga fall utgjordes resisten av samma kommersiellt tillgängliga med kinondiazid känsliggjord positivt arbetande novolack. Såsom indikerats har resultaten bekräftats för många andra system inklusive ett stort antal andra resistsystem.
Systemet som använts i vart och ett av exemplen som an- ges i tabellen är baserad pâ införandet av CZFÖ-C12. Detta är speciellt användbart eftersom reaktanten utgöres av en enkel tvåkomponentgasblandning varvid den ena komponenten ger effek- tivt rekombinationsmedelsämne och den andra ger primärt effektivt etsningsmedelsämne. Likartat resultat kan erhållas med exempel- vis CF3C1 + CZFÖ men förhållandet mellan reaktant och effektivt ämne är mindre direkt. I vart och ett av exemplen användes följande reaktionsbetingclser: 400 watt plasmaeffekt, 0,35 torr tr'ck, 30 mm elektrodavstànd, 25°C latttem eratur (temperaturen Y P P . 7906297-2 in av den lägre jordade elektroden som tjänar såsom stativ för ma- terialet som skall etsas), 175 SCCM flödeshastighet (standard cms/ min, standardiserad vid ZSOC). Ä 'å C12 Profi_l Etsningshastighet (Å/min) Selektivitet 5 1** 0 Anisotropi 20 1:5 2 7,5 Anisotropi S30 5,921 3 10 Anisotropi 600 6,7:1 4 12 Anisotropi 760 8,4:1 5 13,8 Anisotropí 800 8,9:1 10 6 19,4 underskuren 1240 13,8:1 V 7 25,9 Isorropi _ 1700 19 :1 *Etsningshastighetsförhållande polykiselz kiseldioxid **Exempel 1 ingår för åskådliggörande av det extrema förhållan- det av rekombinationsmedel/etsningsmedel. Det representerar ej 15 en föredragen utföringsform av uppfinningen med synpunkt på ets- ningshastighet och i detta fall med avseende på selektivitet.
Förutom de i tabellen ingående exemplen har andra experi- ment genomförts under samma betingelser varvid dock en större klorhalt använts. Trenden fortsatte sålunda att etsningen var 20 isotrop till och med 90 % C12 varvid såväl etsningshastighet som selektivitet ökade.
Ett flertal experiment har visat likartade effekter med andra system. Exempelvis medförde variation av de relativa mäng- derna av BCI3-C12 samma allmänna trend med avseende på profil.
Under det att ett specifikt förhållande gav ideal anisotrop etsning av en aluminiumrikt legering medförde ökning av mäng- IJ UI den C12 ett uppträdande som närmat sig isotropi.

Claims (16)

'S 7906297-2 Patentkrav
1. Förfarande för framställning av ett föremål innefattande åtminstone en operation varunder föremålet som framställes inne- fattar en yta av material som skall etsas inom selektiva områden, under vilken operation föremålet som framställes innefattar ett överliggande bearbetningsskikt med öppningar motsvarande nämnda områden, enligt vilket förfarande föremålet bibehålles inom en plasmaomgivning innesluten i en apparat, vilket plasma härrör från påläggande av ett elektriskt fält över en gasformíg bland- ning mellan två elektroder, varvid plasmat definieras genom en elektrisk effekt och ett totalt tryck, och varvid etsníngen hu- vudsakligen beror på kemisk reaktion med materialet som skall etsas, varvid etsningen är tillräckligt selektiv för avlägsnande av en önskvärd tjocklek under föremålets yta under bibehållande av tillräcklig tjocklek av bearbetningsskiktet för förhindrande av väsentligt angrepp pá ytan under partier av bearbetningsskik- tet, som ej uppvisar öppningar, k ä n n e t e c k n a t därav, att för möjliggörande av reglering av etsníngens riktning, exem- pelvis för att raka vertikala väggar skall garanteras, utväljes ”_'_i>.' 'v '“~-.A>-°1'-J liaoilínïâ lG:!..,_.-..." nämnda gasblandning sålunda att den erbara ämnen härstammande från den blandning innefattar två gasformiga sta effektivt ämne som utgör ett primärt etsningsmede andra ämne som utgör ett effektivt rekombinationsmedels vid rekombinationsmedelsämnet kombineras med det prim" etsningsmedelsämnet i närheten av cearbetningeskiktmaterial vid öppningar, varigenom den laterala etsningshastighete. minskas i S förhållande till den vertikala etsning hastigheten av ytan som etsas~ varvid trycket är tillräckligt för att signifikant strålningsskaia på föremålets yta skall förhindras; och varvid förhållandet av de två gasformiga reaktanterna regleras så att etsningen är väsen-_i- een iâealt anisc
2. Förzaranâe enligt 'av l, k ä n n e t e 3 G Y r H . , att trycket ar tminstone ca ,l tcrr och att et c i en dimension vinkelrätt m- min, och företrädesvis åtminstcne E35 Ã/min. 7906297-2 'Ö
3. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n e - t e c k n a t därav, att effekten ej överstiger ca 3 watt/cmš, och företrädesvis har ett maximum av 1 watt/cmš. Ä.
Förfarande enligt krav 1, 2 eller 3, k ä n n e g e C R _ n a t därav, att föremålets yta utgöres av en yta av ett uppburet skikt och att etsningen fortsättes en under tid som är tillräcklig för penetrering av skiktet.
5. Förfarande enligt något av föregående krav 1-H, k ä n - n e t e c k n a t därav, att nämnda bearbetningsyta innefattar ett organiskt polymert material,
6. Förfarande enligt krav 5, k ä n n e t e c k n a t därav, att det organiska polymera materialet utgöres av en öppningsuppvi- sande mönsterlinjerad produkt av en aktinisk, strålningskänslig re- sist. '
7. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n e - t e c k n a t därav, att föremålets yta innefattar elementärt kisel, exempelvis då polykristallint.
8. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n - n e t e c k n a t därav, att det effektiva rekombinationsmedels- ämnet innefattar ett halogenkol,såsom ett fluorkol.
9. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n - t e c k n a t därav, att det primära effektiva etsníngsme- :ämnet härstammar från halogen, såsom klor. - _
10. Förfarande enligt något av föregående krav 1- 9, k ä n n e t e c k n a t därav, att den gasformiga blandningen innefattar en halogenid av ett fluorkol, vilken halogeníd exem- pelvis utgöres av CFSCI.
ll. Förfarande enligt något av föregående krav l-10, k ä n - n e t e c k n a t därav, att den gasformiga blandningen innefat- tar en halogenhaltig reaktant och ett kemiskt distinkt fluorkol.
12. Förfarande enligt krav ll, k ä n n e t e c k n a t D; ärav, att den halogenhaltiga reaktanten utgöres av diatomiskt I w - e y »_ v I p:
13. Förfarande enligt krav ll, k ä n n e t e c k n a t att fluorkolet utgöres av CÉFÖ. lä.
Förfarande enligt något av föregående krav 3-ll, var- vid det primära effektiva etsningsmeâelsëmnet utgöres av klor, k ä n n e t e c k n a t darav, att vclymprocenzmängien klor 1 r lt-r"ckt såsom atcmiskt klar är E-lä baserat på en total atom- halt av Cl och'C. t I? 7906297-2
15. Förfarande enligt nagot av föregaende krav l-6, k ä n n e t e c k n a t därav, att föremålets yta utgöres av ett skikt av aluminiumrikt material och att den gasformiga blandningen inne.at- tar en halogenhaltig reaktant, exempelvis diatomiskt klor, ceh en kemiskt distinkt borhalogenid, exempelvis BCl5.
16. Förfarande enligt något av föregående krav 1-6, k ä n n e t e c k n a t därav, att den gasformiga blandningen innefattar separata kemiska ämnen varav tminstcne ett ger en halogenid sâszm primärt effektivt etsningsmedelsämne och varav åtminstone ett e ett effektivt rekombinationsmedelsämne, varvid förhållandet därav är sådant att en etsningsprcfil erhålles som skiljer sig tropi åtminstone i en sådan utsträckning att etsningshastigneten parallellt med föremålets yta avviker med 10 % från hastigheten vinkelrätt mot föremâlets yta.
SE7906297A 1978-07-31 1979-07-23 Plasmaetsningsforfarande SE441878B (sv)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/929,549 US4208241A (en) 1978-07-31 1978-07-31 Device fabrication by plasma etching
KR1019790002599A KR830000595B1 (ko) 1978-07-31 1979-07-31 반도체 장치의 제조법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7906297L SE7906297L (sv) 1980-02-01
SE441878B true SE441878B (sv) 1985-11-11

Family

ID=26626587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7906297A SE441878B (sv) 1978-07-31 1979-07-23 Plasmaetsningsforfarande

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4208241A (sv)
JP (1) JPS5922374B2 (sv)
KR (1) KR830000595B1 (sv)
AU (1) AU526064B2 (sv)
BE (1) BE877892A (sv)
CA (1) CA1121305A (sv)
CH (1) CH644405A5 (sv)
DE (1) DE2930290A1 (sv)
ES (1) ES482958A1 (sv)
FR (1) FR2466857B1 (sv)
GB (1) GB2026394B (sv)
IE (1) IE48674B1 (sv)
IT (1) IT1205225B (sv)
NL (1) NL189325C (sv)
SE (1) SE441878B (sv)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4253907A (en) * 1979-03-28 1981-03-03 Western Electric Company, Inc. Anisotropic plasma etching
DE2923710A1 (de) * 1979-06-12 1980-12-18 Licentia Gmbh Verfahren zur metallisierung von kunststoffoberflaechen
DE3071299D1 (en) * 1979-07-31 1986-01-30 Fujitsu Ltd Dry etching of metal film
US4255230A (en) * 1980-02-22 1981-03-10 Eaton Corporation Plasma etching process
US4334951A (en) * 1980-03-12 1982-06-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication technique for the production of devices which depend on magnetic bubbles
US4310380A (en) * 1980-04-07 1982-01-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma etching of silicon
US4324611A (en) * 1980-06-26 1982-04-13 Branson International Plasma Corporation Process and gas mixture for etching silicon dioxide and silicon nitride
US4403241A (en) * 1980-08-22 1983-09-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for etching III-V semiconductors and devices made by this method
DE3140675A1 (de) * 1980-10-14 1982-06-16 Branson International Plasma Corp., 94544 Hayward, Calif. Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium
DE3103177A1 (de) * 1981-01-30 1982-08-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von polysiliziumstrukturen bis in den 1 (my)m-bereich auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch plasmaaetzen
JPS57157523A (en) * 1981-03-25 1982-09-29 Hitachi Ltd Forming method for pattern
US4551417A (en) * 1982-06-08 1985-11-05 Nec Corporation Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices
DE3275447D1 (en) * 1982-07-03 1987-03-19 Ibm Deutschland Process for the formation of grooves having essentially vertical lateral silicium walls by reactive ion etching
US4450042A (en) * 1982-07-06 1984-05-22 Texas Instruments Incorporated Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon
US4426246A (en) * 1982-07-26 1984-01-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch
NL8204437A (nl) * 1982-11-16 1984-06-18 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen.
US4414057A (en) * 1982-12-03 1983-11-08 Inmos Corporation Anisotropic silicide etching process
US4444617A (en) * 1983-01-06 1984-04-24 Rockwell International Corporation Reactive ion etching of molybdenum silicide and N+ polysilicon
EP0117258B1 (de) * 1983-02-23 1987-05-20 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung von haftfesten Metallschichten auf Kunststoffsubstraten
US4496419A (en) * 1983-02-28 1985-01-29 Cornell Research Foundation, Inc. Fine line patterning method for submicron devices
JPH0622212B2 (ja) * 1983-05-31 1994-03-23 株式会社東芝 ドライエッチング方法
US4472238A (en) * 1983-12-05 1984-09-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process using plasma for forming conductive through-holes through a dielectric layer
US4561907A (en) * 1984-07-12 1985-12-31 Bruha Raicu Process for forming low sheet resistance polysilicon having anisotropic etch characteristics
US4778562A (en) * 1984-08-13 1988-10-18 General Motors Corporation Reactive ion etching of tin oxide films using neutral reactant gas containing hydrogen
US4544444A (en) * 1984-08-15 1985-10-01 General Motors Corporation Reactive ion etching of tin oxide films using silicon tetrachloride reactant gas
EP0229104A1 (en) * 1985-06-28 1987-07-22 AT&T Corp. Procedure for fabricating devices involving dry etching
US4784719A (en) * 1985-06-28 1988-11-15 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Dry etching procedure
US4734157A (en) * 1985-08-27 1988-03-29 International Business Machines Corporation Selective and anisotropic dry etching
US4976920A (en) * 1987-07-14 1990-12-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US5200158A (en) * 1987-02-25 1993-04-06 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5171525A (en) * 1987-02-25 1992-12-15 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4943417A (en) * 1987-02-25 1990-07-24 Adir Jacob Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4801427A (en) * 1987-02-25 1989-01-31 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4917586A (en) * 1987-02-25 1990-04-17 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4931261A (en) * 1987-02-25 1990-06-05 Adir Jacob Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5087418A (en) * 1987-02-25 1992-02-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4818488A (en) * 1987-02-25 1989-04-04 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5217570A (en) * 1991-01-31 1993-06-08 Sony Corporation Dry etching method
JP3191407B2 (ja) * 1991-08-29 2001-07-23 ソニー株式会社 配線形成方法
JP2734915B2 (ja) * 1992-11-18 1998-04-02 株式会社デンソー 半導体のドライエッチング方法
JP2884970B2 (ja) * 1992-11-18 1999-04-19 株式会社デンソー 半導体のドライエッチング方法
US5662768A (en) * 1995-09-21 1997-09-02 Lsi Logic Corporation High surface area trenches for an integrated ciruit device
US6046116A (en) 1997-11-19 2000-04-04 Tegal Corporation Method for minimizing the critical dimension growth of a feature on a semiconductor wafer
US6051346A (en) * 1998-04-29 2000-04-18 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating a lithographic mask
US6232219B1 (en) 1998-05-20 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Self-limiting method of reducing contamination in a contact opening, method of making contacts and semiconductor devices therewith, and resulting structures
US6197388B1 (en) 1999-03-31 2001-03-06 Lam Research Corporation Methods of preventing post-etch corrosion of an aluminum neodymium-containing layer
US6399507B1 (en) * 1999-09-22 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Stable plasma process for etching of films
US6656847B1 (en) * 1999-11-01 2003-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for etching silicon nitride selective to titanium silicide
WO2001040540A1 (en) * 1999-12-02 2001-06-07 Tegal Corporation Improved reactor with heated and textured electrodes and surfaces
JP2002123907A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
KR100379976B1 (ko) * 2000-11-27 2003-04-16 삼성전자주식회사 실리콘 산화물 식각용 가스 조성물 및 이를 사용한 실리콘산화물의 식각 방법
US6989108B2 (en) * 2001-08-30 2006-01-24 Micron Technology, Inc. Etchant gas composition
US20040013386A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-22 Agere Systems, Inc. Optical device and method of manufacture thereof
JP4594235B2 (ja) * 2002-12-23 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 Ａｒｃ層をエッチングする方法
US20050236366A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Use of C2F6 gas to gain vertical profile in high dosage implanted poly film
US7645707B2 (en) * 2005-03-30 2010-01-12 Lam Research Corporation Etch profile control
CN101809723B (zh) * 2007-09-27 2012-04-04 朗姆研究公司 蚀刻蚀刻层的方法和装置
CN101809721B (zh) * 2007-09-27 2013-03-06 朗姆研究公司 电介质蚀刻中的形貌控制

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1417085A (en) * 1973-05-17 1975-12-10 Standard Telephones Cables Ltd Plasma etching
US4069096A (en) * 1975-11-03 1978-01-17 Texas Instruments Incorporated Silicon etching process
GB1523267A (en) * 1976-04-15 1978-08-31 Hitachi Ltd Plasma etching apparatus
US4030967A (en) * 1976-08-16 1977-06-21 Northern Telecom Limited Gaseous plasma etching of aluminum and aluminum oxide
CA1059882A (en) * 1976-08-16 1979-08-07 Northern Telecom Limited Gaseous plasma etching of aluminum and aluminum oxide

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5521198A (en) 1980-02-15
DE2930290C2 (sv) 1987-07-09
JPS5922374B2 (ja) 1984-05-26
GB2026394A (en) 1980-02-06
US4208241A (en) 1980-06-17
ES482958A1 (es) 1980-03-01
CA1121305A (en) 1982-04-06
FR2466857A1 (fr) 1981-04-10
DE2930290A1 (de) 1980-02-28
IE48674B1 (en) 1985-04-17
CH644405A5 (de) 1984-07-31
NL189325C (nl) 1993-03-01
BE877892A (fr) 1979-11-16
IT1205225B (it) 1989-03-15
NL7905866A (nl) 1980-02-04
GB2026394B (en) 1982-07-21
SE7906297L (sv) 1980-02-01
AU526064B2 (en) 1982-12-16
FR2466857B1 (fr) 1985-08-23
IT7924773A0 (it) 1979-07-30
AU4923479A (en) 1980-02-07
KR830000595B1 (ko) 1983-03-15
NL189325B (nl) 1992-10-01
IE791450L (en) 1980-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE441878B (sv) Plasmaetsningsforfarande
CA1124208A (en) Device fabrication by plasma etching
CA1121306A (en) Device fabrication by plasma etching of aluminum rich surfaces
EP2353173B1 (en) Methods of fabricating substrates
EP0060585B2 (en) Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture
JPS5620165A (en) Formation of pattern
SE442358B (sv) Plasmaetsningsforfarande
EP2353174A2 (en) Methods of fabricating substrates
JPS59134833A (ja) アルミニウムおよびアルミニウム合金をプラズマエツチングするための材料および方法
JPH10199864A (ja) 反射防止膜のエッチング方法
EP0067066A2 (en) Dry-developing resist composition
US11600501B2 (en) Etching method and plasma processing apparatus
JP4642164B2 (ja) 金属エッチング後のウェハの積層スタックの処理方法
US4968582A (en) Photoresists resistant to oxygen plasmas
EP0128242B1 (en) Method for polymer film patterning in a plasma etching apparatus.
JPH0239435A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100190178B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치의 제조장치
US5114827A (en) Photoresists resistant to oxygen plasmas
EP0141311B1 (en) Negative working electron beam resist system to be dry-developed
JP2501552B2 (ja) パタ―ン形成方法
JP4969776B2 (ja) 水晶デバイスの製造方法
KR830000573B1 (ko) 플라즈마 에칭에 의한 소자 제조방법
JPH0794468A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6091644A (ja) 微細加工法
JPS61283123A (ja) レジスト被膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 7906297-2

Format of ref document f/p: F