JPH0794468A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0794468A JPH0794468A JP23768293A JP23768293A JPH0794468A JP H0794468 A JPH0794468 A JP H0794468A JP 23768293 A JP23768293 A JP 23768293A JP 23768293 A JP23768293 A JP 23768293A JP H0794468 A JPH0794468 A JP H0794468A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レジストマスクに基づき、プラズマ，イオン又
はラジカルを照射することによってパターニングされる
膜を選択的にエッチングし、パターンを形成する半導体
装置の製造方法に関し、パターニングされる膜上のレジ
ストマスクの被覆量の多少によらずに、パターニングさ
れる膜の選択エッチングにより形成されるパターンのサ
イドエッチングを十分に抑制することが可能なパターン
形成方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】パターニングされる膜の上にレジストマスクを
形成するとともに、パターニングされる膜の被覆領域以
外の領域に炭素ポリマの被覆領域４を形成し、パターニ
ングされる膜及び前記炭素ポリマの被覆領域４にともに
プラズマ，イオン又はラジカルを照射することによっ
て、レジストマスクに基づき、パターニングされる膜を
選択的にエッチングし、パターンを形成することを含み
構成する。
はラジカルを照射することによってパターニングされる
膜を選択的にエッチングし、パターンを形成する半導体
装置の製造方法に関し、パターニングされる膜上のレジ
ストマスクの被覆量の多少によらずに、パターニングさ
れる膜の選択エッチングにより形成されるパターンのサ
イドエッチングを十分に抑制することが可能なパターン
形成方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】パターニングされる膜の上にレジストマスクを
形成するとともに、パターニングされる膜の被覆領域以
外の領域に炭素ポリマの被覆領域４を形成し、パターニ
ングされる膜及び前記炭素ポリマの被覆領域４にともに
プラズマ，イオン又はラジカルを照射することによっ
て、レジストマスクに基づき、パターニングされる膜を
選択的にエッチングし、パターンを形成することを含み
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、より詳しくは、レジストマスクに基づき、プラ
ズマ，イオン又はラジカルを照射することによって被パ
ターニング体を選択的にエッチングし、パターンを形成
する方法に関する。
に関し、より詳しくは、レジストマスクに基づき、プラ
ズマ，イオン又はラジカルを照射することによって被パ
ターニング体を選択的にエッチングし、パターンを形成
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パターニングされる膜、例えばア
ルミニウム膜上に形成されたレジストマスクに基づき、
例えばＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 の混合ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法（ＲＩＥ法）により、アルミニウム膜を
選択的にエッチングし、配線層等を形成している。
ルミニウム膜上に形成されたレジストマスクに基づき、
例えばＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 の混合ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法（ＲＩＥ法）により、アルミニウム膜を
選択的にエッチングし、配線層等を形成している。
【０００３】このとき、ＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 の混合ガスに
よりレジストマスクも同時にエッチングされて炭素を放
出する。この炭素を利用して、形成されつつある配線層
パターンの側壁に炭素を含む保護膜を生成し、残すべき
配線層パターンのサイドエッチングを抑制している。
よりレジストマスクも同時にエッチングされて炭素を放
出する。この炭素を利用して、形成されつつある配線層
パターンの側壁に炭素を含む保護膜を生成し、残すべき
配線層パターンのサイドエッチングを抑制している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、配線層パター
ンの微細化が進むに従い、マイクロローディング効果に
よって、エッチング速度が低下するため、エッチング時
間が長くなり、サイドエッチングが十分に抑制されな
い。また、レジストパターンの占有面積によって、レジ
ストパターンの側壁に生成されるサイドウオールの大き
さが変わって、パターニング精度が低下するという問題
がある。
ンの微細化が進むに従い、マイクロローディング効果に
よって、エッチング速度が低下するため、エッチング時
間が長くなり、サイドエッチングが十分に抑制されな
い。また、レジストパターンの占有面積によって、レジ
ストパターンの側壁に生成されるサイドウオールの大き
さが変わって、パターニング精度が低下するという問題
がある。
【０００５】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたもので、パターニングされる膜上のレジストマ
スクの被覆量の多少によらずに、パターニングされる膜
の選択エッチングにより形成されるパターンのサイドエ
ッチングを十分に抑制することが可能なパターン形成方
法を含む半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
作されたもので、パターニングされる膜上のレジストマ
スクの被覆量の多少によらずに、パターニングされる膜
の選択エッチングにより形成されるパターンのサイドエ
ッチングを十分に抑制することが可能なパターン形成方
法を含む半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、パ
ターニングされる膜の上にレジストマスクを形成すると
ともに、前記パターニングされる膜の被覆領域以外の領
域に炭素ポリマの被覆領域を形成し、前記パターニング
される膜及び前記炭素ポリマの被覆領域にともにプラズ
マ，イオン又はラジカルを照射することによって、前記
レジストマスクに基づき、前記パターニングされる膜を
選択的にエッチングし、パターンを形成する半導体装置
の製造方法によって達成され、第２に、前記炭素ポリマ
は、前記レジストマスクと同じ材料，前記レジストマス
クと異なる種類のレジスト材料又はポリイミドであるこ
とを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置の製造方
法によって達成され、第３に、前記炭素ポリマの被覆領
域は、前記パターニングされる膜に隣接する領域である
ことを特徴とする第１又は第２の発明に記載の半導体装
置の製造方法によって達成される。
ターニングされる膜の上にレジストマスクを形成すると
ともに、前記パターニングされる膜の被覆領域以外の領
域に炭素ポリマの被覆領域を形成し、前記パターニング
される膜及び前記炭素ポリマの被覆領域にともにプラズ
マ，イオン又はラジカルを照射することによって、前記
レジストマスクに基づき、前記パターニングされる膜を
選択的にエッチングし、パターンを形成する半導体装置
の製造方法によって達成され、第２に、前記炭素ポリマ
は、前記レジストマスクと同じ材料，前記レジストマス
クと異なる種類のレジスト材料又はポリイミドであるこ
とを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置の製造方
法によって達成され、第３に、前記炭素ポリマの被覆領
域は、前記パターニングされる膜に隣接する領域である
ことを特徴とする第１又は第２の発明に記載の半導体装
置の製造方法によって達成される。
【０００７】
【作 用】本発明の半導体装置の製造方法においては、
パターニングされる膜の被覆領域以外の領域に炭素ポリ
マの被覆領域を形成し、パターニングされる膜及び炭素
ポリマの被覆領域にともにプラズマ，イオン又はラジカ
ルを照射している。従って、パターニングされる膜がエ
ッチングされるとともに、炭素ポリマもエッチングされ
る。このため、パターニングされる膜上のレジストマス
クの被覆量の多少に関わらず、炭素が十分に供給される
ので、形成されつつあるパターンの側壁に炭素を含む保
護膜を生成して、パターンのサイドエッチングを抑制す
ることができる。
パターニングされる膜の被覆領域以外の領域に炭素ポリ
マの被覆領域を形成し、パターニングされる膜及び炭素
ポリマの被覆領域にともにプラズマ，イオン又はラジカ
ルを照射している。従って、パターニングされる膜がエ
ッチングされるとともに、炭素ポリマもエッチングされ
る。このため、パターニングされる膜上のレジストマス
クの被覆量の多少に関わらず、炭素が十分に供給される
ので、形成されつつあるパターンの側壁に炭素を含む保
護膜を生成して、パターンのサイドエッチングを抑制す
ることができる。
【０００８】特に、プラズマエッチング装置を用いる場
合、パターニングされる膜を保持する保持面であって、
パターニングされる膜に隣接する領域に炭素ポリマをコ
ーティングしておくと、炭素ポリマの供給上及びウエハ
をセットする作業上都合がよい。
合、パターニングされる膜を保持する保持面であって、
パターニングされる膜に隣接する領域に炭素ポリマをコ
ーティングしておくと、炭素ポリマの供給上及びウエハ
をセットする作業上都合がよい。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実
施例に係るパターン形成方法に用いられる平行平板型の
プラズマエッチング装置の構成について説明する図であ
る。図１（ａ）は全体の構成を示す側面図、図１（ｂ）
は導電性プレートの詳細を示す上面図である。
しながら説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実
施例に係るパターン形成方法に用いられる平行平板型の
プラズマエッチング装置の構成について説明する図であ
る。図１（ａ）は全体の構成を示す側面図、図１（ｂ）
は導電性プレートの詳細を示す上面図である。
【００１０】図中、符号１はチャンバ、２はチャンバ１
内に設けられた、ウエハ７を載置する載置台で、対向電
極のうちのカソード電極を兼ねている。５はチャンバ１
内にＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 の混合ガス（反応ガス）を導入す
るガス導入口が接続されて載置台２上に反応ガスを供給
する平板状のガスシャワーで、対向電極のうちのアノー
ド電極を兼ねている。６はアノード電極５に接続され、
反応ガスをプラズマ化するための電力を供給するＲＦ電
源である。
内に設けられた、ウエハ７を載置する載置台で、対向電
極のうちのカソード電極を兼ねている。５はチャンバ１
内にＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 の混合ガス（反応ガス）を導入す
るガス導入口が接続されて載置台２上に反応ガスを供給
する平板状のガスシャワーで、対向電極のうちのアノー
ド電極を兼ねている。６はアノード電極５に接続され、
反応ガスをプラズマ化するための電力を供給するＲＦ電
源である。
【００１１】また、３はウエハ保持面であって、ウエハ
７の載置領域（被覆領域）以外の領域にノボラック系の
レジスト膜（炭素ポリマ）４をコーティングした、直径
４００ｍｍの導電性プレートで、ウエハ７はこのプレー
ト３を介して載置台２上に置かれる。従って、ウエハ７
の周辺部がレジスト膜４の被覆領域となり、炭素ポリマ
の供給上都合がよい。しかも、導電性プレート３上にウ
エハ７をセットするだけで上記の状態が再現するから、
ウエハ７をセットする作業上都合がよい。また、炭素ポ
リマが十分に供給されるように、ウエハ７の被覆領域の
面積よりもウエハ７の周辺部のレジスト膜４の被覆領域
の面積の方が大きい。
７の載置領域（被覆領域）以外の領域にノボラック系の
レジスト膜（炭素ポリマ）４をコーティングした、直径
４００ｍｍの導電性プレートで、ウエハ７はこのプレー
ト３を介して載置台２上に置かれる。従って、ウエハ７
の周辺部がレジスト膜４の被覆領域となり、炭素ポリマ
の供給上都合がよい。しかも、導電性プレート３上にウ
エハ７をセットするだけで上記の状態が再現するから、
ウエハ７をセットする作業上都合がよい。また、炭素ポ
リマが十分に供給されるように、ウエハ７の被覆領域の
面積よりもウエハ７の周辺部のレジスト膜４の被覆領域
の面積の方が大きい。
【００１２】次に、上記の平行平板型のプラズマエッチ
ング装置を用いた本発明の実施例のパターン形成方法に
ついて図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図
２（ａ）はタンタル膜（Ｔａ膜）が形成された後であっ
て、レジスト膜を塗布する前のウエハの状態を示し、ウ
エハ（半導体基板）７は４インチの直径を有し、半導体
基板７上に膜厚約0.2 μｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）
８が形成され、更にシリコン酸化膜８上にパターニング
される膜として膜厚約0.6 μｍのＴａ膜９が形成されて
いる。
ング装置を用いた本発明の実施例のパターン形成方法に
ついて図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図
２（ａ）はタンタル膜（Ｔａ膜）が形成された後であっ
て、レジスト膜を塗布する前のウエハの状態を示し、ウ
エハ（半導体基板）７は４インチの直径を有し、半導体
基板７上に膜厚約0.2 μｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）
８が形成され、更にシリコン酸化膜８上にパターニング
される膜として膜厚約0.6 μｍのＴａ膜９が形成されて
いる。
【００１３】このような状態で、塗布法によりＴａ膜９
上にノボラック系のレジスト膜を形成する。なお、この
レジスト膜はウエハ７周辺部の導電性プレート３を被覆
するレジスト膜４と同じ材料が用いられている。続い
て、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜を選択的に露
光した後、現像液に浸漬し、幅0.2 μｍの帯状のレジス
トマスク10ａ〜10ｃを互いの間隔0.2 μｍで残す。
上にノボラック系のレジスト膜を形成する。なお、この
レジスト膜はウエハ７周辺部の導電性プレート３を被覆
するレジスト膜４と同じ材料が用いられている。続い
て、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜を選択的に露
光した後、現像液に浸漬し、幅0.2 μｍの帯状のレジス
トマスク10ａ〜10ｃを互いの間隔0.2 μｍで残す。
【００１４】次に、Ｔａ膜９をエッチングするため、図
１のプラズマエッチング装置のチャンバ１内にウエハ７
を入れ、載置台２に載置する。次いで、チャンバ１内を
減圧し、所内の圧力に達したら、流量３０sccmのＢＣｌ
3 ＋Ｃｌ2 の混合ガスをチャンバ１内に導入し、圧力５
０mTorr に保持する。次に、対向電極２，５間に電力密
度0.24W/cm2 を印加し、反応ガスをプラズマ化する。こ
れにより、レジストマスク10ａ〜10ｃに基づいてＴａ膜
９がエッチングされ始める。このとき、反応ガスは、ウ
エハ７上のＴａ膜９を主にエッチングするが、ウエハ７
上のレジストマスク10ａ〜10ｃや、ウエハ７周辺部の導
電性プレート３を被覆する炭素ポリマの供給源としての
レジスト膜４も僅かではあるがエッチングする。このエ
ッチングにより放出された炭素は、形成されつつあるＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁に付着して、炭素含有
の保護膜11ａ〜11ｃを形成し、サイドエッチングを抑制
する。
１のプラズマエッチング装置のチャンバ１内にウエハ７
を入れ、載置台２に載置する。次いで、チャンバ１内を
減圧し、所内の圧力に達したら、流量３０sccmのＢＣｌ
3 ＋Ｃｌ2 の混合ガスをチャンバ１内に導入し、圧力５
０mTorr に保持する。次に、対向電極２，５間に電力密
度0.24W/cm2 を印加し、反応ガスをプラズマ化する。こ
れにより、レジストマスク10ａ〜10ｃに基づいてＴａ膜
９がエッチングされ始める。このとき、反応ガスは、ウ
エハ７上のＴａ膜９を主にエッチングするが、ウエハ７
上のレジストマスク10ａ〜10ｃや、ウエハ７周辺部の導
電性プレート３を被覆する炭素ポリマの供給源としての
レジスト膜４も僅かではあるがエッチングする。このエ
ッチングにより放出された炭素は、形成されつつあるＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁に付着して、炭素含有
の保護膜11ａ〜11ｃを形成し、サイドエッチングを抑制
する。
【００１５】この状態を所定の時間保持すると、図２
（ｃ）に示すように、Ｔａ膜の不要な部分がエッチング
され、除去されて、レジストマスク10ａ〜10ｃの下にＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃが残る。即ち、0.2 μｍのラ
インアンドスペースが形成される。このとき、残ってい
るＴａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁は炭素含有の保護
膜11ａ〜11ｃにより被覆されており、エッチング中にＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃのサイドエッチングが抑制さ
れていたことを示す。
（ｃ）に示すように、Ｔａ膜の不要な部分がエッチング
され、除去されて、レジストマスク10ａ〜10ｃの下にＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃが残る。即ち、0.2 μｍのラ
インアンドスペースが形成される。このとき、残ってい
るＴａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁は炭素含有の保護
膜11ａ〜11ｃにより被覆されており、エッチング中にＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃのサイドエッチングが抑制さ
れていたことを示す。
【００１６】その後、溶剤によりレジストマスク10ａ〜
10ｃを溶解し、除去する。このとき、Ｔａ膜のパターン
９ａ〜９ｃの側壁の保護膜11ａ〜11ｃも同時に溶解さ
れ、除去される。次に、上記の方法により形成されたＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃを観察した。比較のため、図
３に示すように、上記レジスト膜の被覆された導電性プ
レートを敷かないでＴａ膜を選択的にエッチングして、
Ｔａ膜のパターン14ａ〜14ｃを形成するとともに、その
パターン14ａ〜14ｃについて同様に顕微鏡観察した。
10ｃを溶解し、除去する。このとき、Ｔａ膜のパターン
９ａ〜９ｃの側壁の保護膜11ａ〜11ｃも同時に溶解さ
れ、除去される。次に、上記の方法により形成されたＴ
ａ膜のパターン９ａ〜９ｃを観察した。比較のため、図
３に示すように、上記レジスト膜の被覆された導電性プ
レートを敷かないでＴａ膜を選択的にエッチングして、
Ｔａ膜のパターン14ａ〜14ｃを形成するとともに、その
パターン14ａ〜14ｃについて同様に顕微鏡観察した。
【００１７】観察結果を図４（ａ），（ｂ）に示す。図
４（ａ）は上記レジスト膜４の被覆された導電性プレー
ト３をウエハ７の下に敷いてＴａ膜を選択的にエッチン
グし、形成されたＴａ膜のパターン９ａ〜９ｃの形成状
態を示す薄膜の電子顕微鏡観察写真である。また、図４
（ｂ）は上記レジスト膜の被覆された導電性プレートを
敷かないでＴａ膜を選択的にエッチングして、形成され
たＴａ膜のパターン14ａ〜14ｃの形成状態を示す薄膜の
電子顕微鏡観察写真である。
４（ａ）は上記レジスト膜４の被覆された導電性プレー
ト３をウエハ７の下に敷いてＴａ膜を選択的にエッチン
グし、形成されたＴａ膜のパターン９ａ〜９ｃの形成状
態を示す薄膜の電子顕微鏡観察写真である。また、図４
（ｂ）は上記レジスト膜の被覆された導電性プレートを
敷かないでＴａ膜を選択的にエッチングして、形成され
たＴａ膜のパターン14ａ〜14ｃの形成状態を示す薄膜の
電子顕微鏡観察写真である。
【００１８】観察結果によれば、図４（ａ）に示すよう
に、レジスト膜４の被覆された導電性プレート３を敷い
て選択的にエッチングし、形成されたＴａ膜のパターン
９ａ〜９ｃは、ほぼ垂直な側壁を有し、ほぼ所望のパタ
ーン幅を有している。これは、エッチング中に炭素ポリ
マが十分に供給されたため、図２（ｃ）に示すように、
Ｔａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁に十分な膜厚の保護
膜11ａ〜11ｃが形成され、サイドエッチングが抑制され
ていたことを示す。一方、図４（ｂ）に示すように、上
記の導電性プレートを敷かないでエッチングし、形成さ
れたＴａ膜のパターン14ａ〜14ｃは、台形状の断面形状
を有し、パターン幅がかなり細くなっている。これは、
エッチング中に炭素ポリマの供給が不十分であったた
め、図３に示すように、形成されつつあるＴａ膜のパタ
ーン14ａ〜14ｃの側壁に不十分な膜厚の保護膜しか形成
されないため、サイドエッチングが十分に抑制されてい
なかったことを示す。
に、レジスト膜４の被覆された導電性プレート３を敷い
て選択的にエッチングし、形成されたＴａ膜のパターン
９ａ〜９ｃは、ほぼ垂直な側壁を有し、ほぼ所望のパタ
ーン幅を有している。これは、エッチング中に炭素ポリ
マが十分に供給されたため、図２（ｃ）に示すように、
Ｔａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁に十分な膜厚の保護
膜11ａ〜11ｃが形成され、サイドエッチングが抑制され
ていたことを示す。一方、図４（ｂ）に示すように、上
記の導電性プレートを敷かないでエッチングし、形成さ
れたＴａ膜のパターン14ａ〜14ｃは、台形状の断面形状
を有し、パターン幅がかなり細くなっている。これは、
エッチング中に炭素ポリマの供給が不十分であったた
め、図３に示すように、形成されつつあるＴａ膜のパタ
ーン14ａ〜14ｃの側壁に不十分な膜厚の保護膜しか形成
されないため、サイドエッチングが十分に抑制されてい
なかったことを示す。
【００１９】以上説明したように、本発明の実施例のパ
ターン形成方法においては、ウエハ７の被覆領域以外の
領域であって、ウエハ７の被覆面積よりも広い領域にレ
ジスト膜４の被覆領域が形成され、レジスト膜４の被覆
領域及びＴａ膜９にともにプラズマ，イオン又はラジカ
ルを照射している。従って、Ｔａ膜９がエッチングされ
るとともに、レジスト膜４もエッチングされる。このた
め、ウエハ７上のレジストマスク10ａ〜10ｃの被覆量の
多少に関わらず、炭素が十分に供給されるので、形成さ
れつつあるＴａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁に十分な
膜厚の炭素含有の保護膜11ａ〜11ｃが生成される。
ターン形成方法においては、ウエハ７の被覆領域以外の
領域であって、ウエハ７の被覆面積よりも広い領域にレ
ジスト膜４の被覆領域が形成され、レジスト膜４の被覆
領域及びＴａ膜９にともにプラズマ，イオン又はラジカ
ルを照射している。従って、Ｔａ膜９がエッチングされ
るとともに、レジスト膜４もエッチングされる。このた
め、ウエハ７上のレジストマスク10ａ〜10ｃの被覆量の
多少に関わらず、炭素が十分に供給されるので、形成さ
れつつあるＴａ膜のパターン９ａ〜９ｃの側壁に十分な
膜厚の炭素含有の保護膜11ａ〜11ｃが生成される。
【００２０】これにより、残すべきＴａ膜のパターン９
ａ〜９ｃのサイドエッチングを抑制することができ、微
細パターンを精度よく形成することが可能となる。な
お、実施例では、パターニングされる膜９としてＴａ膜
を用いているが、Ａｌ膜，Ｔｉ膜又はＷ膜を用いること
もできる。また、炭素ポリマ４としてノボラック系のホ
トレジスト膜を用い、かつウエハ７上のレジストマスク
10ａ〜10ｃの材料と同じ材料を用いているが、更に、ウ
エハ７上のレジストマスク10ａ〜10ｃの材料と異なる材
料を用いてもよい。このとき、炭素ポリマ４として他の
材料、例えばポリイミドやＰＭＭＡ等を用いることがで
きる。
ａ〜９ｃのサイドエッチングを抑制することができ、微
細パターンを精度よく形成することが可能となる。な
お、実施例では、パターニングされる膜９としてＴａ膜
を用いているが、Ａｌ膜，Ｔｉ膜又はＷ膜を用いること
もできる。また、炭素ポリマ４としてノボラック系のホ
トレジスト膜を用い、かつウエハ７上のレジストマスク
10ａ〜10ｃの材料と同じ材料を用いているが、更に、ウ
エハ７上のレジストマスク10ａ〜10ｃの材料と異なる材
料を用いてもよい。このとき、炭素ポリマ４として他の
材料、例えばポリイミドやＰＭＭＡ等を用いることがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法においては、パターニングされる膜の被覆
領域以外の領域に炭素ポリマの被覆領域を形成し、パタ
ーニングされる膜及び炭素ポリマの被覆領域にともにプ
ラズマ，イオン又はラジカルを照射している。
置の製造方法においては、パターニングされる膜の被覆
領域以外の領域に炭素ポリマの被覆領域を形成し、パタ
ーニングされる膜及び炭素ポリマの被覆領域にともにプ
ラズマ，イオン又はラジカルを照射している。
【００２２】従って、パターニングされる膜がエッチン
グされるとともに、炭素ポリマもエッチングされる。こ
のため、パターニングされる膜上のレジストマスクの被
覆量の多少に関わらず、炭素が十分に供給されるので、
形成されつつあるパターンの側壁に炭素を含む保護膜を
生成して、残すべきパターンのサイドエッチングを抑制
することができる。
グされるとともに、炭素ポリマもエッチングされる。こ
のため、パターニングされる膜上のレジストマスクの被
覆量の多少に関わらず、炭素が十分に供給されるので、
形成されつつあるパターンの側壁に炭素を含む保護膜を
生成して、残すべきパターンのサイドエッチングを抑制
することができる。
【００２３】これにより、微細パターンを精度よく形成
することが可能となる。
することが可能となる。
【図１】本発明の実施例に係るパターン形成方法に用い
られる平行平板型プラズマエッチング装置の全体構成に
ついて示す側面図及び導電性プレートの詳細について示
す上面図である。
られる平行平板型プラズマエッチング装置の全体構成に
ついて示す側面図及び導電性プレートの詳細について示
す上面図である。
【図２】本発明の実施例に係るパターン形成方法につい
て示す断面図である。
て示す断面図である。
【図３】本発明の実施例の比較例に係るパターン形成方
法について示す断面図である。
法について示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るパターン形成方法により
形成されたＴａ膜のパターン形成状態について示す薄膜
の電子顕微鏡観察写真である。
形成されたＴａ膜のパターン形成状態について示す薄膜
の電子顕微鏡観察写真である。
１ チャンバ、 ２ 載置台（カソード電極）、 ３ 導電性プレート、 ４ レジスト膜（炭素ポリマ）、 ５ アノード電極（ガスシャワー）、 ６ ＲＦ電源、 ７ ウエハ（半導体基板）、 ８ 絶縁膜、 ９ Ｔａ膜（パターニングされる膜）、 ９ａ〜９ｃ Ｔａ膜のパターン、 10ａ〜10ｃ レジストマスク、 11ａ〜11ｃ 保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀江 博 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 パターニングされる膜の上にレジストマ
スクを形成するとともに、前記パターニングされる膜の
被覆領域以外の領域に炭素ポリマの被覆領域を形成し、 前記パターニングされる膜及び前記炭素ポリマの被覆領
域にともにプラズマ，イオン又はラジカルを照射するこ
とによって、前記レジストマスクに基づき、前記パター
ニングされる膜を選択的にエッチングし、パターンを形
成する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記炭素ポリマは、前記レジストマスク
と同じ材料，前記レジストマスクと異なる種類のレジス
ト材料又はポリイミドであることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記炭素ポリマの被覆領域は、前記パタ
ーニングされる膜に隣接する領域であることを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23768293A JPH0794468A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23768293A JPH0794468A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794468A true JPH0794468A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17018950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23768293A Withdrawn JPH0794468A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093178A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Hoya Corporation | クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 |
| KR100511929B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법_ |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23768293A patent/JPH0794468A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100511929B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법_ |
| WO2004093178A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Hoya Corporation | クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 |
| US7575692B2 (en) | 2003-04-11 | 2009-08-18 | Hoya Corporation | Method for etching chromium thin film and method for producing photomask |
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