SE439409B - Dubbelriktad signaltransmissionsomkopplingsmatris - Google Patents

Dubbelriktad signaltransmissionsomkopplingsmatris

Info

Publication number
SE439409B
SE439409B SE7803064A SE7803064A SE439409B SE 439409 B SE439409 B SE 439409B SE 7803064 A SE7803064 A SE 7803064A SE 7803064 A SE7803064 A SE 7803064A SE 439409 B SE439409 B SE 439409B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
region
transistor
regions
emitter
collector
Prior art date
Application number
SE7803064A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7803064L (sv
Inventor
J A Davis
W J Ooms
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of SE7803064L publication Critical patent/SE7803064L/sv
Publication of SE439409B publication Critical patent/SE439409B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6221—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H01L21/743—Making of internal connections, substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0821—Combination of lateral and vertical transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/102—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components
    • H01L27/1022—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components including bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
    • H03K17/666—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
    • H03K17/668—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor in a symmetrical configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/68—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching ac currents or voltages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04Q—SELECTING
    • H04Q3/00—Selecting arrangements
    • H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

7863064-0 10 15 20 25 30 35 40 emitter- och kollektorregioner som bibringar transistorn symmetriska driftskaraktäristikor för dubbelriktad transmission genom densamma, dels att styrtransistorn innefattar en kollektorregion som via en nedsänkt region med hög konduktivitet genom nämnda kropp är ohmskt förbunden med transmissionstransistorns basregion, och dels att för- bindningsorgan är anordnade för att ansluta de inbördes utbytbara regionerna mellan en ingångsbana och en utgångsbana hos matrisen.
Pâ bifogade ritning med fig. 1-7 är fig. 1 en schematisk bild av en korsningspunktkrets enligt uppfinningen. Pig. 2 visar en matris Pig. 3 är en planvy av tvâ korsningspunkter .ííí som är utförda i enlighet med uppfinningen. Pig. 4 är en genomskär- av kretsar enligt fig. 1. ningsbild av en korsningspunkt i fig. 3, sedd längs linjen 4-H i fig. 3. Pig. 5 är en genomskärning av en korsníngspunkt som innehåller ett flertal par emitter- och kollektorelektroder. Pig. 6 är en del-genom- skärning av korsningspunkten enligt fig. 5, vriden 90 grader. Pig. 7 slutligen är en del-genomskärning som liknar den i fig. 3 visade men som visar en variant av korsningspunkten.
Allmänt sett bildas en goda prestanda uppvisande symmetrisk tvâ- sidig transmissionsomkopplingstransistor och en tillhörande drivtran- sistor i ett epitaxiellt skikt över en gemensam nedsänkt region eller "balja" i ett substrat för att bilda en korsningspunkt. Drivtransis- torns kollektor och omkopplingstransistorns bas är ohmskt förbundna genom den nedsänkta "baljan“. Emitter- och kollektorelektrodregionerna hos omkopplingstransistorn uppvisar samma storlek, form och dopnings- grad, så att omkopplingstransistorn sålunda är symmetrisk i sin kon- struktion och i sin funktion.
I en föredragen anordning är ett flertal par emitter- och kol- lektorelektroder anordnade i varje transmissionstransistor för åstad- kommande av högre strömbelastningsförmåga och högre verkningsgrad.
Emitterelektroderna och kollektorelektroderna är interfolierade med varandra, och en ytmetallisering används för att med varandra förbinda nämnda flertal emitterelektroder, och en ytterligare ytmetallisering används för att förbinda kollektorelektroderna med varandra.
I fig. 1 visas nu mera i detalj en korsningspunkt 101 som inne- fattar en symmetrisk transmissionskopplingstransistor 102 som inne- häller en bas 105 och identiskt lika emitter- och kollektorelektroder 103, 104. Den omkopplade transmissionsvägen innefattar ingångsklämman I, ledaren 114, elektroden 103, elektroden 104, ledarna 110, 111 och utgângsklämman O. Som kommer att framgå av det följande har transis- torn 102 utförts så att den har en symmetrisk driftskaraktäristik, och 10 15 20 25 30 35 H0 7so3o64-0 var och en av elektroderna 103 och 10u kan utbytbart användas an- tingen som emitter eller kollektor. Elektroderna ifråga kommer där- för i det följande att kallas emitter/kollektor-elektroderna. Ström för styrning av transistorn 102 erhålles från den negativa strömkäl- lan 113, resistorn 112 och styrtransistorn 106. Ehuru den symmetriska transmissionsomkopplingstransistorn 102 och styrtransistorn 106 är sammanförda i en halvledarkropp över en enda försänkt "balja" kan dessa båda transistorers parametrar såsom kommer att framgå av det följande vid tillverkningen styras oberoende av varandra.
Den ström som avges från styrtransistorn 106 till basen 105 hos transmissionstransistorn 102 återgår till strömkällans negativa pol via yttre kretsar som ej är visade men som är anslutna till en av elektroderna 103, 1OU. Vid frånvaro av drivström till basen 105 i transistorn 102 föreligger en hög impedans mellan ingângsklämman I och utgângsklämman O, och vid närvaro av tillräcklig drivström till basen 105, vilket innebär att strömmen är tillräcklig för att driva transistorn 102 till mättning, föreligger en lâgimpediv strömbana mellan ingången I och utgången 0 för bipolära signaler. Transistorn 102, som är fysikaliskt symmetrisk, uppvisar en symmetrisk spänning/ ström-karaktäristika som är linjär i området för nollgenomgâng och som därför erbjuder en transmissionsväg för att koppla om dubbel- sidiga, bipolära analoga signaler.
Arrangemanget för ett flertal korsningspunkter i enlighet med fig. 1 visas i matrisen i fig. 2, där ingângsledningarna I1 t.o.m.
In selektivt kan anslutas till utgångsledningarna 01 t.o.m. On genom aktivering av korsningspunkten i skärningspunkten mellan de ingångs- och utgângsledningar som skall förbindas med varandra. Om exempelvis ledningen I1 skall anslutas till ledningen 01 tillföres en aktive- ringsstyrningssignal till klämman C11 för aktivering av korsnings- punkten 206.
I fig. 3 visas en planvy av tvâ korsningspunkter av det slag som är âskâdliggjort i schematisk form i fig. 1. I den övre halvan av plan- vyn i fig. 3 visas olika skikt i strukturen frilagda under det att en korsningspunkt i den undre halvan är visad som den ser ut från krop- pens yta. Korsningspunkterna är isolerade genom "p+"-isolationszonen 308, vilken innefattar ett flertal varandra skärande rektangulära el- ler ramformade strukturer. Isolationszonen utnyttjas av till varandra gränsande korsningspunkter, av vilka var och en innefattar en i sid- led orienterad PNP-omkopplingstransistor och en vertikal NPN-transis- tor. Omkopplingstransistorn, som är visad till höger i fig. 3, inne- 1?ç)c)Eš çzflffïiflïïf) 7803064-0 q 10 15 20 25 30 35 H0 fattar två lika stora regioner av typ p+, 309 och 312, vilka befin- ner sig på avstånd från varandra och är åtskilda av en del 313 av ett p-typ-skikt 322 (fig. H), vilken del bildar omkopplingstransistorns bas. Ytmetalliseríngar 310 och 311 ger elektrisk access till "p+"- regionerna 309 resp. 312. Dessa regioner av typ p+ innefattar emitter/ /kollektor-elektroder hos en transmissionsomkopplingstransistor, exem- pelvis den i fig. 1 såsom transistorn 102 schematiskt visade. Denna struktur är utformad i den integrerade kretsens kropp, vilken inne- fattar ett p-typsubstrat 321 och ett ovanför detta befintligt epitaxi- ellt skikt 322. Ett nedsänkt skikt 324 av typ n+ är anordnat i p-typ- substratet och strukturen är anordnad ovanför detta skikt. Den ram- formade isolationsregionen 319 av typ n+, vilken region omger elektro- derna 309 och 312, förhindrar injektion från dessa elektroder till substratet 321, "p+“-isolationsregionen 308 eller basregionen 320 hos den vertikala styrtransistorn som visas till vänster i fig. 3.
Den vertikala transistorn innefattar (fig. 4) en N-typ-emitter- region 31k, en P-typ-basregion 320 samt en kollektorregion 322' som inom substratet 321 är ohmskt förbunden med basregionen 313 hos om- kopplingstransistorn.
Beteckningarna för ingångs- och utgångsledningarna motsvarar de gi fig. 2 använda. Sålunda svarar den i planvy i den övre halvan av fig. 3 visade korsningspunkten mot korsningspunkten 206 i fig. 2 under det att den korsningspunkt som visas i den undre halvan av fig. 3 svarar mot korsningspunkten 208 i fig. 2. Energi till dessa korsnings- punkter tillföres från de negativa strömkällor som visas nedtill i fig. 3 genom strömkäll-resistorerna 306 och 307. En aktiveringssignal på styrningsledníngen C11 har till uppgift att med varandra förbinda klämman I1 och klämman 01 via ledaren 301, transmissionsomkopplings- transístorn, visad i den övre högra halvan av fig. 3 och ledarna 303 och 305. På liknande sätt används en aktiveringssignal på C21 för att med varandra förbinda ingångsklämman I2 och utgångsklämman 01 på lik- nande sätt men via den transmissionsomkopplingstransistor som visas i den nedre högra halvan av fig. 3.
Hänvisning göres nu till fig. 4. Korsningspunkten visas här så- som anordnad i halvledarkroppen, vilken innefattar substratet 321 och det epitaxiella skiktet 322. Det nedsänkta skiktet 323 av typ n+ är anordnat i substratet 321 före odlingen av det epitaxiella skiktet 322. Elektrodregionerna 309, 312 av typ p+ i omkopplingstransistorn samt den ramformade isolationsregionen 308 av p-typ är framställda i ett gemensamt förfaringssteg. Följaktligen är dopningsnivån för dessa 10 15 20 25 30 35 NO 5 7803064-0 regioner jämförbara med varandra. Den ramformade igoïatíungregionen 319 av typ n+ är framställd i ett ytterligare förfaringssteg, och även basregionen 320 och emitterregionen 31k är framställda i ytter- ligare förfaringssteg. Som ovan,framhâllits har den isolationsregion 319 av typ n+ vilken skär det nedsänkta skiktet 323 av typ n+ till uppgift att förhindra injektion från elektrodregionerna 309 och 312 till de intilliggande p-typ-regionerna, nämligen isolationsregionen 308, substratet 321 samt basregionen 320. Djupa oxidregioner 326 resp. 325 isolerar den konduktivitetstypen n+ uppvisande isolationsregionen från de konduktivitetstypen p+ uppvisande elektroderna 309 och 312 samt från isolationsregionen 308 och basregionen 320. Dessa djupa oxidregioner, vilka är valfria, dvs. de behöver ej nödvändigtvis va- ra anordnade, används dels för att öka genombrottspotentialen mellan respektive till varandra gränsande regioner, dels för att reducera ej önskvärda kapacitanser mellan elementen samt dels för att reducera ej önskad elektrodemission i riktningar bort från kollektorelektroderna.
Den i fig. 3 och N visade strukturen innefattar tvâ emitterlkollektor- elektrodregioner 309, 312, och som framgår av dessa figurer befinner sig var och en av dessa elektroder på avstånd från isolationsregionen 319 av typ n+. Var och en av dessa regioner befinner sig emellertid intill en del av det epitaxiella skiktet, exempelvis 313 i fig. 4.
Vid detta fysikaliska inbördes arrangemang förefinns en parasitdiod som innefattar exempelvis p-typ-elektrodregionen 312 och den n-typ uppvisande regionen 313 av det epitaxiella skiktet, vilken diod har en tendens att i viss mån begränsa ianordningens verkningsgrad. Som fram- går av nedanstående diskussion i anslutning till fig. 5 har en struktur som innehåller ett flertal par emitter/kollektor-regioner en tendens att uppvisa högre verkningsgrad än en anordning som endast uppvisar ett enda par emitter/kollektorelektroder.
Korsningspunkt-strukturen enligt fig. 5 motsvarar väsentligen den i fig. 3 och M visade strukturen med det undantaget att det i fig. 5 finns sex emitter/kollektor-regioner 519 t.o.m. 524, anordnade i två varandra interfolierande satser vilka bildar ingångs- och utgångs- elektrod-regionerna. I fig. 5 är dessutom de valfria djupa oxidregio- nerna, som visas i fig. H, utelämnade. Regionerna 519 t.o.m. 52k är koordinerade med metalliseringarna 510 t.o.m. 516. Metalliseringarna 510, 513 och 515 är genom ytterligare ytmetallisering förbundna in- bördes och med ingångsklämman I via ledaren 509, och metalliseringarna 512, 514 och 516 är via ytterligare ytmetallisering förbundna med varandra, under det att ledaren 511 är förbunden med utgângsklämman 0. Ehuru detta ej visas på ritningen befinner sig den metalliseríng som förbinder elektroderna S10, 513 och 515 med varandra på ytan längs 'iåoon QUAHT 10 15 20 25 30 35 HO 780386-4-0 6 ena sidan av elektroderna 519 t.o.m. SZH, under det att den metalli- sering som med varandra förbinder 512, 514 och 518 ligger på andra sidan om regionerna 519 t.o.m. 524. Som framgår av fig. 3 är tre si- dor av vardera av elektrodregionerna 309 och 312 i sidled utsatta för inverkan från regionen 319 som ansluter till n+. I fig. 5 är på liknande sätt ändregionerna 519 och 524 exponerade för regionerna av typ n+ på tre sidor. I motsats härtill har de övriga elektrodregionerna mellan ändregionerna, exempelvis elektrodregionerna 520 t.o.m. 523, endast två sidor som i sidled är utsatta för inverkan från den region som ansluter till n+. Sålunda är de parasitiska PN-övergångar som är koordinerade med de inre elektroderna 520 t.o.m. 523 av mindre bety- delse elektriskt än de som är koordinerade med ändelektroderna 520 t.o.m. 52H. Följaktligen har transmissionsomkopplingstransistorer som har ett flertal par emitter/kollektor-elektroder en tendens att upp- visa en något högre verkningsgrad än transmissionsomkopplingstransis- torer som har endast ett enda par emitter/kollektor-elektroder.
De vertikala NPN-tnansistorerna i fig. 5 innefattar n-typ-emitter- regionen 508, p-typ-basregionen 525 samt n-typ-kollektorregionen in- nefattande en del 528 av det epitaxiella skiktet. Den aktiva delen av kollektorregionen 528 är ohmskt förbunden med basregionerna 529 t.o.m. 533 hos omkopplingstransištörn genom det nedsänkta skiktet 503 av typ n+. Den i fig. 5 visade korsningspunkten är isolerad genom en ram- formad isolationsregion 504 av typ p+. Liksom vid strukturerna i fig. 3 och H framställs elektrodregionerna 519 t.o.m. 524 och isolations- regionen 504 i ett gemensamt förfaringssteg. Regionerna 519 t.o.m. 524 av typ p+ har samma storlek, form och dopningsnivå och befinner sig på lika stort avstånd från varandra. Följaktligen har anordningar- na i strukturerna enligt fig. 3 och 5 symmetriska elektriska egen- skaper, och i fig. 5 kan de med varandra förbundna elektrodregionerna 519, S21 och 523 liksom de med varandra förbundna regionerna 520, 522 och 524 användas utan åtskillnad som emittrar eller kollektorer.
I fig. 7 visas en del av en struktur som motsvarar den på högra sidan av fig. 5 visade med djupa oxidregioner 701 och 702 tillfogade.
I enlighet med vad som ovan nämnts i anslutning till fig. 3 och U an- vänds de valfria djupa oxidskikten för att isolera isolationsregionen 507 av typ n+ för reducering av mellanelement-kapacitanserna och för ökning av genombrottsspänningen mellan elementen.
Pig. 6 visar ett snitt genom elektrodregionen 519 av typ p+, vridet 90 grader i förhållande till det i fig. 5 visade snittet.
I de fall då man använder de valfria djupa oxidregionerna, exempelvis 7803064-0 701 och 702 (fig. 7), skulle dessa oxidregioner befinna sig i tvär- snittet enligt fig. 6 mellan anslutningsregionen 507 av typ n+ och elektrodregionen 519 av typ p+ och isolationsregionen 5014 av typ p+. w- ..~...._

Claims (2)

7803064-0 3 PATENTKRAV
1. Dubbelriktad sígnaltransmissionsomkopplingsmatris innefattan- de ett flertal omkopplande korsningspunkter som är framställda i en kropp av halvledande material, varvid varje korsningspunkt innefat~ tar en transmissionstransistor (102) och en styrtransistor (106), som är utspridda utefter en yta hos kroppen, k ä n n e t e c k - n a d av dels att transmissionstransistorn (102) innefattar ett par identiskt lika, elektriskt utbytbara emitter- och kollektorregioner (309, 312) som bibringar transistorn symmetriska driftskaraktäristi- kor för dubbelriktad transmission genom densamma, dels att styrtran- sístorn (106) innefattar en emitterregion (314), en basregion (320) och en kollektorregion (322') samt elektroder (315, 316) som är anslutna till emitter- och baselektroderna för att tillföra energi till styrtransistorn under styrning från dess basregion, varvid nämnda kollektorregion (322') i styrtransistorn är ohmskt förbunden med transmissionstransistorns basregion via en nedsänkt region (323) med hög konduktivitet och med samma konduktivitetstyp (N) som nämnda med varandra förbundna kollektor- och basregíoner, varvid den ned- sänkta regionen sträcker sig mellan och ligger under delar av båda nämnda transistorer på avstånd från ytan, och dels att förbindnings- organ är anordnade för att ansluta de inbördes utbytbara regionerna (309, 312) mellan en ingångsbana (I) och en utgångsbana (O) hos matrisen. '
2. Matris enligt kravet 1, k ä n n e t e c k n a d av att transmissionstransistorn (102) innefattar ett flertal par inbördes utbytbara emitter- och kollektorregioner (fig. 5; 519-524) som är parallellkopplade med varandra.
SE7803064A 1977-03-28 1978-03-16 Dubbelriktad signaltransmissionsomkopplingsmatris SE439409B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/781,790 US4125855A (en) 1977-03-28 1977-03-28 Integrated semiconductor crosspoint arrangement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7803064L SE7803064L (sv) 1978-09-29
SE439409B true SE439409B (sv) 1985-06-10

Family

ID=25123949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7803064A SE439409B (sv) 1977-03-28 1978-03-16 Dubbelriktad signaltransmissionsomkopplingsmatris

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4125855A (sv)
JP (1) JPS53120390A (sv)
BE (1) BE865243A (sv)
CA (1) CA1095182A (sv)
CH (1) CH626488A5 (sv)
DE (1) DE2812784A1 (sv)
ES (1) ES468296A1 (sv)
FR (1) FR2386224A1 (sv)
GB (1) GB1588695A (sv)
IT (1) IT1093920B (sv)
NL (1) NL7803206A (sv)
SE (1) SE439409B (sv)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2932587C2 (de) * 1979-08-10 1983-12-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Breitbandkoppelanordnung mit einer Matrix von Koppelpunktschaltkreisen in ECL-Technik
JPS56148179A (en) * 1980-04-21 1981-11-17 Fujitsu Ltd Converting method of ac-dc
US4402008A (en) * 1981-08-27 1983-08-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Wideband switching architecture
JPS58168255A (ja) * 1982-03-30 1983-10-04 Fujitsu Ltd 半導体装置
DE3435571A1 (de) * 1984-09-27 1986-04-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierte bipolare darlington-schaltung
JP7042719B2 (ja) * 2018-06-21 2022-03-28 日揮グローバル株式会社 硫酸ニッケル化合物の製造方法
CN109450434A (zh) * 2018-12-14 2019-03-08 东莞博力威电池有限公司 一种双通道模拟选择电路

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1073111B (de) * 1954-12-02 1960-01-14 Siemens Schuckertwerke Aktiengesellschaft Berlin und Erlangen Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper
US3024448A (en) * 1956-09-20 1962-03-06 Int Standard Electric Corp Static electric switches
US3564443A (en) * 1966-06-29 1971-02-16 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device containing lateral and planar transistor in a semiconductor layer
US3524113A (en) * 1967-06-15 1970-08-11 Ibm Complementary pnp-npn transistors and fabrication method therefor
BE758719A (fr) * 1969-11-11 1971-05-10 Philips Nv Dispositif semiconducteur
US3729719A (en) * 1970-11-27 1973-04-24 Ibm Stored charge storage cell using a non latching scr type device
DE2123395C3 (de) * 1971-05-12 1983-03-10 TE KA DE Felten & Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH, 8500 Nürnberg Koppelpunkt einer elektronischen Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren
FR2144595B1 (sv) * 1971-07-07 1974-09-06 Radiotechnique Compelec
JPS4871892A (sv) * 1971-12-27 1973-09-28
US3786425A (en) * 1972-12-18 1974-01-15 Bell Telephone Labor Inc Integrated circuit switching network providing crosspoint gain
US3913125A (en) * 1973-06-11 1975-10-14 Gte Laboratories Inc Negative impedance converter
US3891480A (en) * 1973-10-01 1975-06-24 Honeywell Inc Bipolar semiconductor device construction
US3945857A (en) * 1974-07-01 1976-03-23 Fairchild Camera And Instrument Corporation Method for fabricating double-diffused, lateral transistors

Also Published As

Publication number Publication date
IT7821620A0 (it) 1978-03-24
FR2386224B1 (sv) 1981-12-11
FR2386224A1 (fr) 1978-10-27
JPS53120390A (en) 1978-10-20
ES468296A1 (es) 1978-11-16
NL7803206A (nl) 1978-10-02
DE2812784A1 (de) 1978-10-05
SE7803064L (sv) 1978-09-29
GB1588695A (en) 1981-04-29
DE2812784C2 (sv) 1987-08-06
US4125855A (en) 1978-11-14
CA1095182A (en) 1981-02-03
BE865243A (fr) 1978-07-17
IT1093920B (it) 1985-07-26
JPS6337507B2 (sv) 1988-07-26
CH626488A5 (sv) 1981-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3401319A (en) Integrated latch circuit
JPS5943827B2 (ja) 保護回路
KR20010015835A (ko) 반도체 장치
KR970063662A (ko) 금속 교차선(crossover) 없이 레벨 쉬프트 동작을 하는 고전압 집적회로
US3488564A (en) Planar epitaxial resistors
SE439409B (sv) Dubbelriktad signaltransmissionsomkopplingsmatris
US4096399A (en) Crosspoint bias circuit arrangement
JPS59135760A (ja) 低い導通抵抗を有する通常オフの半導体装置及び回路類推
JP2751650B2 (ja) 半導体回路
KR850005737A (ko) 광기전련 릴레이
KR900005564B1 (ko) 반도체 장치 구조체
KR0127282B1 (ko) 반도체 장치
USRE29962E (en) Collector-up semiconductor circuit structure for binary logic
SE434446B (sv) Halvledaranordning med lag leckstrom
GB1413371A (en) Integrated circuit
JP2627330B2 (ja) 電圧降下制御ダイオード
SE463235B (sv) Mos-faelteffekttransistorstyrd tyristor
JPH07105495B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体装置
US4199776A (en) Integrated injection logic with floating reinjectors
US3193737A (en) Bistable junction transistor
JPS591009B2 (ja) ハンドウタイロンリカイロ
JPH02283070A (ja) 入力保護回路を備えた半導体集積回路装置
CN111627994A (zh) 一种采用电压驱动的bjt
JPH06163561A (ja) 半導体装置
KR920006194B1 (ko) 양극성 핀치 저항소자

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 7803064-0

Format of ref document f/p: F

NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7803064-0

Format of ref document f/p: F