SE425201B - Effekttransistor av minoritesberartyp - Google Patents
Effekttransistor av minoritesberartypInfo
- Publication number
- SE425201B SE425201B SE7714902A SE7714902A SE425201B SE 425201 B SE425201 B SE 425201B SE 7714902 A SE7714902 A SE 7714902A SE 7714902 A SE7714902 A SE 7714902A SE 425201 B SE425201 B SE 425201B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- emitter
- base
- additional
- diffusion regions
- areas
- Prior art date
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 30
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0646—PN junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1004—Base region of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
- H01L29/7325—Vertical transistors having an emitter-base junction leaving at a main surface and a base-collector junction leaving at a peripheral surface of the body, e.g. mesa planar transistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/914—Polysilicon containing oxygen, nitrogen, or carbon, e.g. sipos
Description
10
15
420
25
30
35
H0
7714902-9 _
2
till uppträdandet av en som switch använd transistor i de faser som
följer efter det ögonblick då frânslag initierats, vilka faser de-
finieras av de tider som benämnes "efterledningstidä och."falltid".
_De-tider som uppträder vid tillslag och benämnes-"fördröjningstid"
och "stigtid" kommer inte att beaktas här. .
Olika kända möjligheter att minska efterlednings- och fallti-
derna hänför sig i huvudsak till kollektor- och basskiktens tjock-
'lek och resistivítet och till emitterverkningsgraden. När dessa
kända metoder används vid konstruktionen av en transistor som måste
optimeras för att arbeta í det aktiva området med så hög kollektor-
-emitterspänning som möjligt, leder dock detta oundvikligen till
avsevärd reducering av maximispänningen och även till ändringar av
h ).
CEsat' FEsat _ _
Ett ändamål med uppfinningen är att minska kollektorströmmens
andra parametrar (V
efterlednings- och falltider utan att vare sig maximispänningen
sänks eller de andra parametrarna förändras. Företrädesvis uppnås
detta genom enkla åtgärder utan förändring av tillverkningsmetodens
olika steg och således utan_förhöjda.kostnader. Detta resultat kan
-dock även uppnås genom variation av tillverkningsmetoden, vilket,
såsom kommer att förklaras nedan, förändrar kostnaden.
_Det är ändamålsenligt att först separat beskriva tillverkning-
ens olika varianter och därefter de olika varianterna av anordning-
ens inre uppbyggnad, eftersom en beskrivning av de förra underlät-
tar en beskrivning av de senare. '
Enligt en första föredragen utföringsform avser tillverknings-
variationerna endast den s.k. emittermasken. Enligt känd teknik är
det huvudsakliga syftet med denna mask att på ytan av en av kisel
bestående enkristall åstadkomma områden avsedda för mottagning av
ett störämne, vilket därefter på känt sätt indiffunderas under ett
följande tillverkningssteg. För att utöva uppfinningen på mest eko-
nomiska sätt förses emittermasken förutom med sina normala emitter-
öppningar även med ett antal ytterligare öppningar, som antingen är
hopförda med varandra eller belägna i separata grupper. Dessa ytter-
ligare öppningar är isolerade från emitteröppningarna och belägna
på basomrâdena, varvid de är lokaliserade så att de åtminstone del-
vis ligger på de delar av basområdena som används för bildning av
baskontakter. Dessa ytterligare öppningar karakteriseras av sin ne-
dan definierade, effektiva perimeter, som är belägen på förutbestämt,
konstant eller variabelt avstånd från emitteröppningens kantlinje. '
Sistnämnda kantlinje definierar vid kända, efterföljande tillverk-
10
15
20
25
30
35
H0
7714902-9
ningssteg emitter-basövergången på kristallytan. Dessa ytterligare
.öppningar har vidare en av sina dimensioner förlöpande vinkelrätt
mot emitteröppningens kantlinje i det masken innehållande planet,
varvid en dylik dimension åtminstone delvis överlappar basens me-
tallkontakt mätt längs samma riktning. Storleken och formen av den-
na baskontakt bestäms på känt sätt av metalliseringsmasken vid ett
efterföljande steg under tillverkningen. Den effektiva perimetern
för dessa ytterligare öppningar vetter mot alla emitter-basövergång-
ar belägna i kristallens yta. För att förtydliga begreppet "effek-
tiv perimeter" i samband med dessa ytterligare öppningar kan det
observeras att en dylik ytterligare öppning består av en infinit-
esimal rektangelyta som uppvisar två sidor vilka inte är användbara
tillsammans-med de tidigare eller senare åstadkomma öppningarna,
under det att de tvâ resterande sidorna utgör de effektiva sidorna.
Summan av alla effektiva sidor är den effektiva perimetern. Om de
ytterligare öppningarna är samlade i grupper, kommer inom varje
grupp de båda ytterst liggande öppningarna att ha tre
användbara sidor. '
Detta sätt att illustrera de ytterligare öppningarna gör det
möjligt att demonstrera dessas tillämpbarhet vid varje utseende av
de vid'kristallytan befintliga emitter-basövergångarna, eftersom -
såsom nämnts ovan - den effektiva perimetern ligger på ett bestämt
konstant eller variabelt avstånd från den angränsande emitter-bas-
övergångslinjen. De ytterligare öppningarnas effektiva perimeter
bildar perimetern för det diffunderade område som nedan kommer att
benämnas ytterligare diffusionsområde. Om de ytterligare öppningar-
na är arrangerade i grupper, utgör nämnda ytterligare diffusions-
omrâde summan av dessa gruppers - efter dopning och diffusion bil-
dade - områden. Orsaken till att de ytterligare öppningarna vid den
första utföringsformen av uppfinningen bildas på just emittermasken
är att de diffunderade emitteromràdena och de ytterligare diffusions-
områdena dopas med samma störämne, varför det är praktiskt att båda
dessa typer av områden bildas vid en samtidig operation.
Uppfinningen kan emellertid även realiseras pâ ett andra sätt,
nämligen genom användning av dyrare tillverkningsmetoder innefattan-
de en av emíttermasken oberoende mask som huvudsakligen är försedd
med de ytterligare öppningarna, varvid respektive dopnings- och
diffusionsprocesser ej sammanfaller med de processer som används
för emitterbildningen. Enligt en tredje utföringsform bildas emit-
tern på annat sätt än genom diffusion, varvid även i detta fall en
10
15
20
25
30
35'
40
digtillverkad beskrives nedan så att fackmannen kan jämföra dem med _
7714902~9
H
speciell'mask används för de ytterligare öppningarna..* _
De vid de tre olika maskeringsmetoderna bildade varianterna
av enkristallens inre uppbyggnad efter det att transistorn är fär-
konventionella uppbyggnader. _
7 I enkristallen bildas vid de ytterligare öppningarna nämnda
ytterligare diffusionsomrâden, vilka är av samma ledningstyp som de- '
angränsande emitterområdena. De ytterligare_diffusionsområdena är D
isolerade från dessa emitterområden men direkt förbundna med de om-
givande basomrâdena medelst basmetalliseringarna. Basområdena är
"definítionsmässigt" (transistor av minoritetsbärartyp)-dopade så
att de är av motsatt ledningstyp relativt emittern, under det att
baskontakten i enlighet med uppfinningen täcker åtminstone en del-
av de ytterligare diffusionsområdena. Pluralformerna "emitteromrâ-
den" och "basområden" har använts för att betona att dessa områden
vetter mot respektive ytterligare diffusionsomrâden. Följaktligen
står-baskontakten iohmsk kontakt ej endast med det diffunderade bas-
området utan även med det ytterligare diffusionsomrâdet, varför res-
pektivé övergång - i fortsättningen benämnd "ytterligare övergång"
- blir kortsluten. Den ytterligare övergången bildas således dels
av ett som emitter dopat område beläget inom basområdet, dels av
detta omgivande basomrâde. Den ytterligare övergången sträcker sig
från kristallens yta, där den sammanfaller med de ytterligare diffu-
sionsområdenas perimeter, till samtliga punkter som med avseende på
djupet begränsar dessa områdens volym. _ I f
_ De ytterligare diffusionsområdenas djup jämfört med emitter- 1
områdets djup beror på de ovan beskrivna olika tillverkningsmetoder- Å
na. Vid en anordning tillverkad enligt den första metoden är dessa ;
båda djup lika stora, under det att de båda andra tillverkningsme- V
toderna antingen ger lika djup eller djup som skiljer sig från var-
andra.
För att kortsluta den ytterligare övergången är det tillräck-
ligt att den ohmska kontakten âstadkommes utefter endast en del av
den effektiva perimetern. En på detta sätt konstruerad transistor
fungerar på följande sätt. Såsom är känt, innehåller transistorns
bas vid ledtillstånd ett stort antal minoritetsbärare, vilka bring-
ats tränga in i basen från emittern. Dessa minoritetsbärare måste
bortföras inom en viss tidrymd (falltiden) för att fullborda spärr-
ningen efter det att efterledningstiden förflutit eller efter det '
att alla i kollektorområdet befintliga minoritetsbärarna bortförts.
10
15
20
25
30
7714902-9
Vid föreliggande-uppfinning är den ytterligare övergången kortslu-
ten och kan därför ej förändra sitt jämviktstillstånd. Följaktligen
kommer de minoritetsbärare i basen som befinner sig nära den ytter-
ligare övergångens spärrskikt, att nå jämviktskoncentration vid den-
na övergång. Denna jämviktskoncentration är mycket lägre än motsva-
rande koncentration i en transistor utan det ytterligare diffusions-
omrâdet. Således reduceras det antal minoritetsbärare som måste
bortföras, varför falltiden och i viss mån även efterledningstiden
förkortas. De fördelar som uppnås med uppfinningen demonstreras av
de medelvärden som uppmättes för femtio konventionella NPN-transis-
torer (nedan benämnda “typ 1") och samma antal NPN-transistorer för-
sedda med det enligt uppfinningen utförda ytterligare diffusionsom-
rådet (typ II). Såväl transistorerna av typ I som de av typ II till-
verkades samtidigt på en och samma kiselskiva. _ i_
Maximispänningsdata för transistorerna av typ I och typ II
var
BV 1000 V LV = 550 V
CBO CEO
Vid mätningen av efterledníngstiden (ts) och falltiden (tf)
rådde följande mätvillkor för den testade kretsen, vilken innefat-
tade en resistans RCC inkopplad mellan en spänningskälla +VCC och
kollektorn, vilken spänningskällas andra pol var ansluten till emit-
tern, varjämte en generator för alstring av basströmmarna Ißon och
I var inkopplad mellan basen och emittern:
Boff.
Ic
2,5 A
Ißon
+0,5 A
V R
CC
100 ohm
Ißøff
-1,0 A
CC
+250 V
De uppmätta värdena var:
Transistortyp II
1,1 ps
0,12 ps
Transistortyp I
ts 1,5 ps
r o,as ps
f
Icke begränsande utföringsformer av en i enlighet med uppfin-
ningen uppbyggd NPN-transistor med inhomogent dopad bas visas i
bifogade figurer. Uppfinningen är dock tillämpbar även vid PNP-
transístorer och vid transistorer med homogen bas. Pig. 1 är en
partiell planvy av en enligt uppfinningen utförd anordning innefat-
tande en monokristallin kiselskiva betraktad från den med emitter-
och basområdena försedda ytan, varvid två olika sätt att åstadkomma
och metallísera den ytterligare övergången finns. §ig¿_2 är ett
partíellt tvärsnitt av anordningen i fig. 1 och uppvisande emitter-,
10
15
20
25
30
35
H0
.7714902-9
6.
bas- och kollëktoromrâdena samt de till den ytterligare övergången
hörande elementen. Pig. 3 är en mot fig. 1 svarande partiell planvy
av ett annat utförande av den monokristallina kiselskivan, och
_fig. U är ett partiellt tvärsnitt av anordningen enligt fig. 3 och
i!
uppvisande emitter-, bas- och kollektoromrâdena samt de till den
ytterligare övergången hörande elementen. Även vid denna utförings-
form finns tvâ olika sätt att åstadkomma och metallisera den ytter- “
ligare övergången." _ .' '
i_Den icke skalenliga planvyn av kristallens yta.i fig. 1 illust- V
- rerar en utföringsform av uppfinningen tillämpad vid en NPN-transis-
tor av den typ som har inhomogent dopad bas, varjämte den ytterli-
gare övergângen representeras av de tvâ "ändlösa" linjerna x, y. En
linje 10 anger emitter-basövergången och en linje 11 bas-kollektor-
övergången. Enkristallens kropp, som bildar den kring basomrâdet
liggande kollektorn, anges med hänvisningsbeteckningen 6. Det dif-
funderade emitteromrâdet betecknas med 4 och basomrâdet med 5. Det
ytterligare diffusionsområdet anges allmänt med 8 och 8', vilka
skiljer sig från varandra därigenom att området 8 helt täcks av bas-
kontaktens metallisering, under det att-området Bf endast delvis
täcks av denna metallisering. Såsom framgår av fig. 2 sammanfaller
baskontaktmetalliseringens kant 9 med kanten för ett med 12 beteck-
nat dielektrikum. Områdena 8 och 8' behöver inte utföras i ett styc-
ke utan kan även vara separata.
'Fig. 2 visar ett längs linjen A-A utfört tvärsnitt av anord-
ningen i fig. 1. Den med metallkontakt 3 försedda kollektorn består
av ett N+-skikt 7 och ett N-skikt 6. I sistnämnda skikt 6 finns ett
P+-dopat basområde 5 som diffunderats under ett första steg av till-
verkningsprocessen. I basområdet 5 har därefter under samtidig dif-
fusion bildats emittern U och de N++-dopade ytterligare diffusions-
områdena 8, 8'. Hela emitter-basövergången 10 liksom en del av den a
ändlösa ytterligare övergången x skyddas av ett dielektrikum 12.
Basmetalliseringen 2, som begränsas av dielektriket 12 längs den
ändlösa linjen 9, täcker hela y-linjen liksom en avsevärd del av
x-linjen. Emittermetalliseringen betecknas med 1. Med undantag för
de ytterligare diffusionsområdena 8 och 8' har resterande delar av
det i fig. 2 visade tvärsnittet en uppbyggnad svarande mot en normal
planartransistor tillverkad på känt sätt. Diffusionsområdena U har
ett djup svarande mot områdenas 8, 8'<fiup, men de kan även vara
grundare eller djupare. "
' mDen icke skalenliga planvyn av kristallens yta i fig. 3 illust-
10
15
20
25
30
7714902-9
rerar en utföringsform av uppfinningen tillämpad vid en NPN-tran-
sistor av den typ som har inhomogent dopad bas. Såsom framgår av
figuren har transistorn tio ändlösa ytterligare övergångar, visade
med de med a, b, c, d, e, f, g, h, i och 1 betecknade linjerna,
samt nio från varandra skilda ytterligare diffusionsområden. Emit-
ter-basövergângen betecknas med 10 och bas-kollektorövergàngen med
11. Den del av kristallkroppen som bildar den utanför basområdet
liggande kollektorn anges med hänvisningsbeteckningen 6. Det diffun-
'derade emitterområdet anges med 4 och basområdet med 5. De ytterli-
gare diffusionsområdena 8" och 8"' är alla dopade som emitterområdet
och representerar dessa områden utförda med respektive utan distinkt
gruppering. Sålunda har området 8" åtta separata, ändlösa ytterli-
gare övergångar, nämligen de representerade av linjerna c, d, e, f,
g, h, i och l, vilka alla ligger under basmetalliseringen 2 och i
enlighet med uppfinningen helt kortsluts av denna, under det att om-
rådet 8'" ej är uppdelat utan endast begränsas av två ytterligare
övergångar representerade av de ändlösa linjerna a och b, av vilka.
den senare i enlighet med uppfinningen delvis kortsluts av baskon-
takten 9. Såsom framgår av fig. Q, sammanfaller baskontaktens 9 be-
gränsningslinje med dielektrikets 12 begränsningskant. Vidare ut-
gör dessa områdens form, såsom dessa i figuren visas begränsade av
nämnda linjer a-1, ett av de möjliga fall då avståndet mellan den
ytterligare övergången och bas-emitterövergångens perimeter är va-
riabel. _
Pig. N visar ett tvärsnitt genom den i fig. 3 visade anord-
ningen längs linjen B-B. I fig. M används samma hänvisningsbeteck-
ningar som i fig. 2 för motsvarande detaljer med undantag av beteck-
ningarna B" och 8"' avseende de ytterligare diffusionsområdena.
Emitterområdenas H diffusionsdjup visas lika med djupet för områdena
8" och 8"', men kan även vara större eller mindre.
___.._-_~__---_
Claims (1)
1114902-9 e 8 . i âfflï i
1. Effekttransistor av minoritetsbärartyp uppbyggd av enkris- tallin kisel, med ett inhomogent eller homogent dopat basomràde (5), Ii vilket ett emitterområde_(U) indiffunderats, k ä n n e t e cuk n a d av att transistorn, utanför hela den till kristallytan gränsande perimetern för emitter-basövergängen (10l, uppvisar ett antal ytterligare diffusionsomráden (8, 8'; 8", 8"Û, vilka är belägna på ett förutbestämt - konstant eller varierande - avstånd från nämnda perimeter; att dessa ytterligare diffusionsomf råden har samma ledningstyp som emitteromrâdet (R), är belägna i basomrâdet (5) och är isolerade från emitteromrâdet; och att de yt- terligare diffusionsområdena på kristallytan bildar ett godtyckligt antal ändlösa, ytterligare övergångslinjer (x, y; a-1), vilka var och en åtminstone delvis kortslutes av en metallisering (2) som även bildar baskontakt.
2. Transistor enligt kravet 1, k ä n n e t e*c k n a d av att antalet ändlösa, ytterligare övergångslinjer är tvâ (fig. 1, 2).
3. Transistor enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d av att.emittern och de ytterligare diffusionsområdena är samtidigt âstadkomna med hjälp av en modifierad emittermask.
9. Transistor enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d av att de ytterligare díffusionsomrâdena-är åstadkomma medelst en eller flera, från emittermasken skild mask. gí5. Transistor enligt kravet 4, k ä n n'e t-e c k n a d av att de ytterligare diffusionsområdena har ett djup som skiljer sig från emitteromrâdets djup. '6. Transistor enligt kravet 5, k ä n n e t e c k n a d av att de ytterligare diffusionsomrâdena är erhållna medelst en eller flera masker, under det att emitterområdet är bildat på annat sätt än_genom diffusion. ANFURDA PUBLIKATIONER: u
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT25518/77A IT1084368B (it) | 1977-07-08 | 1977-07-08 | Transistore di potenza con alta velocita' di spegnimento e mezzi per ottenerlo. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7714902L SE7714902L (sv) | 1979-02-08 |
SE425201B true SE425201B (sv) | 1982-09-06 |
Family
ID=11216937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7714902A SE425201B (sv) | 1977-07-08 | 1977-12-29 | Effekttransistor av minoritesberartyp |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4205332A (sv) |
DE (1) | DE2802799C2 (sv) |
FR (1) | FR2401524A1 (sv) |
GB (1) | GB1588691A (sv) |
IT (1) | IT1084368B (sv) |
SE (1) | SE425201B (sv) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3017750C2 (de) * | 1980-05-09 | 1985-03-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Halbleiterbauelement vom Planar-Epitaxial-Typ mit mindestens einem bipolaren Leistungstransistor |
EP0064613B1 (en) * | 1981-04-30 | 1986-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a plurality of element units operable in parallel |
FR2529389A1 (fr) * | 1982-06-25 | 1983-12-30 | Thomson Csf | Transistor de commutation de puissance a structure digitee |
DE3345060A1 (de) * | 1982-12-15 | 1984-08-30 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki | Halbleitervorrichtung |
US4796073A (en) * | 1986-11-14 | 1989-01-03 | Burr-Brown Corporation | Front-surface N+ gettering techniques for reducing noise in integrated circuits |
GB2204445B (en) * | 1987-03-06 | 1991-04-24 | Texas Instruments Ltd | Semiconductor switch |
EP0308667B1 (de) * | 1987-09-23 | 1994-05-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Absaugelektrode zur Verkürzung der Ausschaltzeit bei einem Halbleiterbauelement |
US5341020A (en) * | 1991-04-12 | 1994-08-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | Integrated multicellular transistor chip for power switching applications |
US5847436A (en) * | 1994-03-18 | 1998-12-08 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Bipolar transistor having integrated thermistor shunt |
US6127723A (en) * | 1998-01-30 | 2000-10-03 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Integrated device in an emitter-switching configuration |
GB0318146D0 (en) * | 2003-08-02 | 2003-09-03 | Zetex Plc | Bipolar transistor with a low saturation voltage |
WO2011077181A1 (en) | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Nxp B.V. | Semiconductor device with multilayer contact and method of manufacturing the same |
US20150236090A1 (en) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Nxp B.V. | Transistor with reducted parasitic |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3510735A (en) * | 1967-04-13 | 1970-05-05 | Scient Data Systems Inc | Transistor with integral pinch resistor |
GB1319037A (en) * | 1971-03-26 | 1973-05-31 | Ferranti Ltd | Transistors |
NL7312547A (nl) * | 1973-09-12 | 1975-03-14 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting, werkwijze ter vervaardiging daarvan en schakeling bevattende de inrichting. |
US4066917A (en) * | 1976-05-03 | 1978-01-03 | National Semiconductor Corporation | Circuit combining bipolar transistor and JFET's to produce a constant voltage characteristic |
-
1977
- 1977-07-08 IT IT25518/77A patent/IT1084368B/it active
- 1977-11-18 FR FR7734720A patent/FR2401524A1/fr active Granted
- 1977-12-29 SE SE7714902A patent/SE425201B/sv not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-01-10 GB GB859/78A patent/GB1588691A/en not_active Expired
- 1978-01-23 DE DE2802799A patent/DE2802799C2/de not_active Expired
- 1978-07-06 US US05/922,505 patent/US4205332A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1084368B (it) | 1985-05-25 |
GB1588691A (en) | 1981-04-29 |
US4205332A (en) | 1980-05-27 |
DE2802799C2 (de) | 1984-06-14 |
FR2401524A1 (fr) | 1979-03-23 |
DE2802799A1 (de) | 1979-01-11 |
SE7714902L (sv) | 1979-02-08 |
FR2401524B1 (sv) | 1983-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE425201B (sv) | Effekttransistor av minoritesberartyp | |
GB2102625A (en) | Resistors for integrated circuit | |
SE457303B (sv) | Halvledaranordning samt foerfarande foer framstaellning av densamma | |
JPH0518469B2 (sv) | ||
KR840006560A (ko) | 마스터 슬라이스 반도체장치 | |
GB2054263A (en) | Integrated circuit device | |
JPS55162255A (en) | High voltage resistance resistor element | |
KR900008150B1 (ko) | 쌍극성 트랜지스터를 구성하는 반도체장치 | |
JP2751650B2 (ja) | 半導体回路 | |
US3755722A (en) | Resistor isolation for double mesa transistors | |
US4149177A (en) | Method of fabricating conductive buried regions in integrated circuits and the resulting structures | |
KR920003011B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US4562451A (en) | Semiconductor device having a resistor region with an enhanced breakdown voltage | |
US4097888A (en) | High density collector-up structure | |
EP0024923A1 (en) | Transistor structure | |
KR920010596B1 (ko) | Npn 트랜지스터의 래치전압을 이용한 정전내력향상 래터럴 pnp 트랜지스터 | |
JPS5580350A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
EP0293578B1 (en) | High density layout for memory arrays | |
JP3206149B2 (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP3347792B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS5810859A (ja) | コンプリメンタリトランジスタの製造方法および装置 | |
JPH1117121A (ja) | 静電破壊保護回路およびこれを含む半導体集積回路装置 | |
JPH042161A (ja) | バイポーラ型半導体集積回路装置 | |
EP0419586A1 (en) | INTEGRATED CIRCUIT WITH VERTICAL TRANSISTOR. | |
JPS62136872A (ja) | バイポ−ラ型半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 7714902-9 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7714902-9 Format of ref document f/p: F |