SE424685B - Forsterkar/switch-organ for hog effekt - Google Patents
Forsterkar/switch-organ for hog effektInfo
- Publication number
- SE424685B SE424685B SE8005705A SE8005705A SE424685B SE 424685 B SE424685 B SE 424685B SE 8005705 A SE8005705 A SE 8005705A SE 8005705 A SE8005705 A SE 8005705A SE 424685 B SE424685 B SE 424685B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- amplifier
- transistor
- switching circuit
- region
- control
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 2
- 101100336452 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GDS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007844 bleaching agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/211—Gated diodes
- H10D12/212—Gated diodes having PN junction gates, e.g. field controlled diodes
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
'zs 30 35 40 80057 05-2 2 som för åstadkommande av ledtillstånd kan göras högkonduktiv genom "dual" laddningsbärarinjicering. Med "dual laddningsbärarinjicering" avses injicering av såväl hål som elektroner för bildning av ett le- dande plasma i halvledaren. Ett med denna switch förknippat problem är att den inte utan svårigheter kan tillverkas tillsammans med and- ra, liknande switchanordningar på ett gemensant substrat. Ett annat problem är att avståndet mellan gallren och katoden måste vara litet "för att styrgallerspänningen skall begränsas; härigenom begränsas dock det användbara spänningsomrâdet till följd av att genomslags- spänningen mellan gäller och katod sänks. Detta i sin tur medför att användningen av två antiparallellkopplade anordningar - dvs. där den ena anordningens katod är kopplad till den andra anordningens anod - begränsas till relativt låga arbetsspänningar. En krets av detta slag skulle eljest vara användbar som en dubbelriktad halvledarswitch för höga spänningar. Ett ytterligare problem är att basområdet i det ide- ala fallet skall vara kraftigt dopat för att penetration från anoden till gallret skall undvikas; detta leder emellertid till låg genom- brottsspänning mellan anoden och katoden. Vidgning av basområdet be- gränsar penetrationseffekten men höjer anordningens resistans under ledtillståndet.
Det är önskvärt att åstadkomma en för hög effekt avsedd switch- , krets, som kan arbeta vid åtminstone flera hundra volt och flera hund- ra milliampere. Detta uppnås genom att kretsen uppvisar de i patent- kraven angivna kännetecknen. En switch för låg spänning men med stor strömtâlighet kombineras således på lämpligt sätt med en nivâskift- ningskrets och en med styre försedd diodswitch (GDS-switch), exempel- vis av det slag som beskrives i den ovannämnda IEEE-artikeln. Ett n föredraget utförande av GDS-switchen återfinnes 1 nedanstående beskriv- ning.
Switchkretsen kan innefatta en PNP-transistor, vars kollektor är ansluten till en GDS-switchs styre och vars bas tjänar som ingångs- k1ämma.Transistorn har relativt hög strömtålighet men tämligen blyg- sam spänningstålíghet. Nivåskiftningskretsen utgöres av en PN-diod.
Denna kretsanordning kan användas som förstärker/switch-organ för hög effekt{ Kombinationen av GDS-switchens höga spännings- och strömtålig- het och PNP-transistorns stora strömtålighet resulterar i en switch- krets som uppvisar såväl stor spänningstålighet som stor strömtâlighet.
Switchkretsen kan även antingen utgöras av en kombination av en PNP-transistor och en NPN-transistor eller enbart av en fälteffekt- transistor med PN-styre (PN-styretransistor). 10 15 20 25 30 35 soos7os-2 Vidare kan switchkretsen innefatta en 0pf0iS°1af0PkPetS: 5°m är försedd med en förstärkare bestående av tvâ Darlingtonkopplade NPN-transistorer, av vilka den ena har ljuskänslig bas. Nivåskift- ningskretsen utgöres av två seriekopplade PN-dioder. De båda tran- sistorernas kollektorelektroder och den ena diodens anod är anslutna till en gemensam klämma. Den andra transistorns emitter är ansluten till GDS-switchens anod, och den andra diodens katod är ansluten till GDS-switchens styre. Darlingtonkonfigurationen har relativt hög för- stärkning och stor strömtålighet men tål endast blygsam spärrspänning.
Dessa egenskaper medför i kombination med GDS-switchens stora ström- och spärrspänningsförmåga att man erhåller ett optiskt kopplat för- stärkar/switch-organ med utomordentlig elektrisk isolering, hög för- 5täPkninå och stor ström- och spänningstålighet. Detta uppnås utan behov av en transistor för hög spänning och kraftig ström.
Switchkretsen kan även utgöras av en optiskt känslig, dubbel- riktad switch, i vilken ingår en kombination av två av de ovan be- skrivna optiosolatorkretsarna och två ytterligare dioder.
Uppfinningen beskrives närmare nedan i form av några i den bifogade ritningen visade utföringsexempel. Pig. 1 och 2 visar en kretsanordning utförd enligt en utföringsform av uppfinningen. Pig. 3 visar en kretsanordning enligt en annan utföringsform av uppfinningen.
Pig. 4 visar en kretsanordning enligt ännu en utföringsform av upp- finningen. Pig. 5 visar en kretsanordning enligt en ytterligare ut- föringsform av uppfinningen. Pig. 6 visar en kretsanordning enligt ännu en utföringsform av uppfinningen.
I fig. 1 och 2 visas en kretsanordning 10 inkopplad mellan klämmorna X och Y. I kretsanordningen ingår en förstärkare A med tvâ transistorer Q1 och Q2 (vilka visas Darlington-kopplade), en nivå- skiftningskrets LS med dioder D1 och D2, samt en med styre försedd diodswitch (SBS-anordning), som i fig. 1 visas i form av ett tvär- snitt genom sin halvledarkonfiguration och som i fig. 2 återges med sin elektriska symbol. Förstärkaren A kan benämnas förstärkarlswitch- organ. Transistorn Q1 utgöres av en fototransistor vars basomrâde är ljuskänsligt. Transistorns Q1 emitter är ansluten till transistorns Q2 bas.
Halvledarsubstratet 12, kroppen 16 samt områdena 18, 20, 22 och 2N visas som N-, P--, P+-, N+-, P- resp. N*-ledande områden.
Områdena 18 och 2U tjänar som GDS-anordningens anod resp. katod, och f .' 8005705-2 _ - u R _omrâdena 20 och 12 utgör denna anordnings styre. Området 22'tjänar som penetrationsskärm. Blektrodområdena 28, 30 och 32 är typiskt” _ av aluminium och ombesörjer lágresistiv kontakt med områdena 18, 20 resp. 24. y i _ 5 GDS-switchen utmärkes av en relativt lågresistiv bana mel lan anodomrâdet 18 och katodomrâdet 24 när den befinner sig i sitt ledtillstând och av en avsevärt högre impedans í sitt blocktillstånd.
Under ledtillståndet befinner sig styrelektrodens 30 potential vid eller under anodens 28 potential. Hål injiceras in i kroppen 16 från 10 ' anodomrâdet 18, och elektroner injiceras'in i kroppen 16 från katod- omrâdet24. Dessa hål och elektroner kan förekomma i tillräckligt an- tal för bildning av ett plasma som konduktivitetsmodulerar kroppen 16.
Detta medför kraftig sänkning av kroppens 16 resistans, varför resi- -stansen mellan anodomrâdet 18 och katodområdet 24 är relativt låg när 15 GDS-switchen befinner sig i ledtillstând. Denna typ av funktion, då både hål och elektroner fungerar som laddningsbärare, benämnes dual- injicering.
Området 22 understödjer en begränsning av penetrationen hos ett utarmningsskikt som under drift bildas mellan området 20 och sub- 20 stratet 12 och katodområdet 24. Området 22 bidrar även till att för- I hindra bildandet av ett ytinversionsskikt mellan områdena 24 och 20.
Dessutom möjliggör det att anodomrâdet 18 och katodomrâdet 24 kan vara belägna relativt nära varandra. Detta medför en förhållandevis låg resistans mellan anodområdet 18 och katodomrädet 24 under led- _2s ^ tillståndet. ' ._ Ledtillståndet mellan anodområdet 18 och katodområdet 24 upp- hör om styrets 30 potential göres tillräckligt positiv gentemot anod- elektroden 28 och katodelektroden 32. Storleken på denna extra positiva a potential som erfordras för att stoppa ledningen är en funktion av an- 30 ordningens 10 geometri och störämneskoncentration. Denna positiva po- tential på styret förorsakar att tillräckligt stor del av kroppen 16 utarmas och därvid blir positivare än anod- och katodområdena 18 resp. 24. Denna positiva potentialbarriär skär av det ledande plasmat och; stoppar hâlledningen från anodomrádet 18 till katodområdet 24. Bar- 35 riären tjänar även för uppsamling av de vid katodomrâdet 24 emitterade elëktronerna innan dessa kan nå anodområdet 18. GDS-switchen är till- verkad på ett N-ledande substrat med en tjocklek mellan 457 och S59 pm och en konduktivitet av 1015 - 1016 störatomer/cma. Kroppen 16 är av _ P-ledande typ med en tjocklek mellan 30 och 40 pm, en bredd av 720 pm, "Û en längd av 910 pm och en störämneskoncentration mellan 5 - 101 och 1? störatomer/cma. Anodområdet 18 är av P+-ledande typ med en »J 10 15 '20 25 30 8005705-2 5 tjocklek av 2-N pm och en störamneskoncentration på 10,9'atomer7cm3 Katodområdet 2# är av N+-ledande typ med en tjocklek av 2-4 mm och en störåmneskoncentration av 101 atomer/cmañ Avståndet mellan anoden och katoden uppgår typiskt till 120 Pm.
Kretsanordningen 10 kan användas som en optoisolator som tillhandahåller en låg- eller högimpediv bana mellan klämmorna X och YQ Förstärkarens A stora strömförstärkning och höga strömtålig- het kombineras med GDS-switchens höga spännings- och strömtålighet för att ge en switch för höga spänningar och stora strömmar. Dessutom ger kretsanordningen 10 relativt stor isolering mellan det inkommande ljusets källa (visas ej) och X- och Y-klämmorna.
Transistorernas Q1 och Q2 kollektorelektroder och diodens D1 anod är samtliga anslutna till klämman X. Transistorns Q2 emitter är vid klämman B förbunden med GDS-switchens anod. Diodens D2 katod är ansluten till GDS-switchens katod vid klämman C. GDS-switchens ka- tod är kopplad till klämman Y. Diodens D1 katod är ansluten till diodens D2 anod. Transistorn Q1 är en fototransitor med ett ljuskäns- ligt basområde som tjänar som ingång för kretsan0rdningen. Ström kan passera mellan transistorns Q1 kollektor och emitter om tillräckligt smycket ljus infaller mot transistorns Q1 ljuskänsliga bas.
Såsom kommer att framgå nedan medför det faktum, att till- räckligt mycket ljus infaller mot transistorns Q1 ljuskänsliga bas, att en relativt lågimpediv bana uppkommer mellan klämmorna X och Y, varvid ström börjar flyta från klämman X till klämman Y om klämman X är förutbestämt mer positiv än klämman Y. Om otillräckligt mycket ljus infaller mot transistorns Q1 ljuskänsliga bas, råder en i huvudsak öppen krets (en högimpediv bana) mellan klämmorna X och Y.
Under GDS-switchens ledtillstànd har anodområdet 18 positiva- re potential än styrelektrodområdena 12 och 20 och katodområdet 2%, och en ström flyter från anodområdet 18 via områdena 16 och 22 till katodområdet 24. Strömmen mellan anodområdet 18 och katodområdet 20 stoppas om styrområdena 12 och 20 har tillräckligt positiv potential i förhållande till anodområdet 18 och katodområdet 24. Storleken på den extra positiva potential som erfordras för strypningen utgör en funktion av geometrin och störåmneskoncentrationerna hos GDS-anord- ningens halvledarområden.
Kretsanordningen 10 kan drivas så att den har switchverkan och samtidigt tjänar som förstärkarkrets av optoisolatortyp. Om en ljussignal infaller mot transistorns Q1 ljuskänsliga bas, antar tran- sistorerna Q1 och Q2 sådana förspänningar att strömpassage genom h' 10 15 220 25 30 SS 80057 05-22 en : __ 5 .transistorerna upprätthålles. Substratet 12 (GDšßan6rdniflgêns'st§rel 'och omrâdet zu (ens-anoraningens ketoa) èjäsar även som koliektor 'respt emitter i en vertikal NPN-transistor med kroppen 16 och om- 2 rådet 22 som bas. Strömmen från anodomrâdet 18 till katodområdet ZH tjänar som basström som upprätthåller ledtillstånd från substratet 12 till katodområdet 24. En första strömbana upprättas från klämman X» via transistorerna Q1 och Q2, omrâdet 18 (GDS-anordningens anod), kroppen 16*samt områdena 22 och 2H (GDS-anordningens katodâ till kläm- man Y. Dessutom upprättas en andra strömbana från klämman X via dioder- na D1, D2, området 20, substratet 12, kroppen 16 samt områdena 22 och zu till kiämman Y. 2 Det ovan beskrivna arbetstillståndet uppnås genom att transis- torns Q2 kollektor-emitterspänning väljes mindre än diodernas D1 och D2 kombinerade förspänningspotentialer. Detta tillförsäkrar att kläm- mans C potential (potentialen hos GDS-anordningens styre) blir mindre positiv än klämmans B potential (potentialen hos GDS-anordningens anod) under ledtillstând. Detta säkerställer att ström kan flyta mel- lan anodområder 18 och kafodomrâder zu.
Om det ljus som infaller mot transistorns Q1 ljuskänsliga bas -upphör, förspännes transitorerna Q1 och Q2 till spärrning, varvid strömpassagen genom dem upphör. Potentialen vid klämman B faller nu under klämmans C potential, varför GDS-anordningen övergår till sitt blocktillstånd. Detta medför att all strömpassage mellan klämmorna X och Y upphör. Vid denna tidpunkt råder således tämligen hög impedans mellan klämmorna X och Y. Större delen av spänningsfallet mellan kläm- morna X och Y ligger inom anodområdet 18 och katodområdet 2% (klämman 'B resp. klämman Y), under det att endast ett tämligen blygsamt spän- ningsfall uppträder mellan transistorns Q2 kollektor och emitter. Så- _ lunda är spänningsfallet mellan transistorns Q2 kollektor och emitter sådant, att potentialen vid klämman B blir tillräckligt mycket mindre positiv än klämmans C potential för att säkerställa att GDS-anordningen förspännes till bloekfillsräna. s ' Av ovanstående kan den slutsatsen dragas, att den nivâskiftan- de kretsen LS åstadkommer GDS-switchens förspänning utan behov av en separat förspänningskälla. Under ledtillståndet tillhandahåller kret- sen LS dessutom en alternativ strömbana som förhindrar kraftigt strömr flöde genom förstärkaren A.
I fig. 3 visas en mellan klämmorna X1 och Y1 ansluten krets- anordning 100, som har stora likheter med kretsanordningen 10. Krets- anordningen 100 innefattar en förstärkare A1, en med styre försedd_ ' diodswitch GDS1 och en nivâskiftningskretsaLS1. förstärkaren A1 inne- i 10 15 go 25 30 35 8005705-2 1 håller en PNP-transistor Q3 och en NPN-transistorpöä och kan benäm- nas förstärkar/switch-organ. Transistorn 03 har sin emitter ansluten till transistorns Q4 kollektor och sin_kollektor till transistorns Q4 bas. Kretsen LS1 består av tvâ seriekopplade PN-dioder D3 och DN.
Till skillnad mot transistorns Q1 i fig. 1 ä transistorns Q3 bas (ingångsklämman I1) ej ljuskänslig. Kretsanordningens 100 funktion är mycket snarlik kretsens 10 med undantag av att insignalen till- föres transistorns Q3 bas via en elektrisk förbindelse och inte via en ljusbana. Dessutom kan förstärkaren A1 ha annan förstärkning än förstärkaren A. 1 I fig. 4 visas en mellan klämmorna X2 och Y2 inkopplad krets- anordning 102 som är mycket snarlik kretsanordningen 100.I kretsanord- ningen 102 ingår en förstärkare A2, som består av en fälteffekttran- sistor QS med PN-styre som är kopplat till en ingångsklämma 12. För- stärkaren A2 kan benämnas förstärker/switch-organ. I kretsanordningen 102 ingår vidare en nivåskiftningskrets LS2, som består av en PN-diod DS, och en med styre försedd diodswitch GDS2. Den väsentligaste skill- naden mellan kretsanordningarna 102 och 100 är att transistorerna Q3, Q4 utbytts mot PN-styretransistorn Q5 och att en enda diod DS används i stället för dioderna DS, D4. Kretsanordningens 102 funktion är mycket snarlik funktionen för den i fig. 3 visade kretsanordningen 100 med undantag av att förstärkaren A3 kan ha någon annan förstärk- ning än den i fíg. 3 visade förstärkaren A2.
I fig. 5 visas en kretsanordning 10k, som är inkopplad mellan klämmor X5 och Y5 och som innefattar en förstärkare A5, en nivâskift- ningskrets LS5 och en med styre försedd diodswitch GDS5. Förstärkaren A5 består av en PNP-transistor QS, och kretsen L5 består av en PN- diod D10. Förstärkaren A5 kan benämnas förstärker/switch-organ. Krets- anordningen 10k är mycket snarlik den i fig. 4 visade kretsanordningen 102 med undantag av att PN-styretransistorn Q5 utbytts mot PNP- transistorn Q8 och att dioden D10 används i stället för dioden DS.
Kretsanordningens 104 funktion är mycket snarlik kretsanordningens 102, men förstärkaren A5 kan ha en annan förstärkning än förstärkaren A2.
I fig. 6 visas en kretsanordning 106, som är inkopplad mellan klämmer X3 och Y3 och som innefatrar förstärkare A3 och A4, styreför- sedda diodswitchar GDS3 och GDSR, nivâskiftningskretsar LS3 och LS4 samt första och andra ensriktade kretsorgan i form av dioder D7 och D8. Kretsarna LS3 och LS4 består av var sin diod D6 resp. D8. För- stärkarna A3 och A4 kan benämnas förstärker/switch-organ. Kretsanord- 10 15 20k 25 30 35 40 8 soos7o5-2 ningen kan drivas som bilateral eller dubbelriktadfsåitfihïför för-I-ww bindning av klämmorna X3 och Y3 med varandra. Strömmen kan således flyta från klämman X3 till klämman Y3 eller i motsatt riktning.
Vid en exemplifierande utföringsform av kretsanordningen 106 består förstärkarena A3 av en NPN-transistor Q6 med ljuskänsligt bas- omrâde och förstärkaren A4 av en NPN-transistor Q7, vars bas likale- des är ljuskänslig. Såväl kombinationen av kretselementen A3, GDS3 och D6 som kombinationen av kretselementen A4, GDSM och D8 är upp- byggd på i huvudsak samma sätt som kretselementkombinationen A, GDS och LS i fig. 1 och 2 och fungerar även på_i allt väsentligt samma sätt. Transistorns Q6 kollektor är ansluten till diodens D6 anod, diodens D7 katod och'klämman X3. Transistorns Q6 emitter är Gnslufefl till GDS-anordningens GDS3 anod, GDS-anordningens GDS4 katod och ,klämman U. Transistorns Q7 kollektor är ansluten till diodens D8 anod, diodens D9 katod och klämman Y3. Transistorns Q7 emitter är ansluten till GDS-anordningens GDS4 anod, GDS-anordningens GDS3 katod och klämman V; Diodernas D6, D8 katoder och anordningarnas GDS3, GDSM styren är samtliga förenade med varandra i en kopplingspunkt W.
Om klämmans X3 potential är mer positiv än klämmans Y3 poten- tial, och om en ljussignal infaller mot transistorns Q6 ljuskänsliga bas, passerar ström.frân klämman X3 via transistorn Q6 och dioden D6, genom GDS-anordningen GDS3 till dennas katod samt därefter genom dioden D9 till klämman Y3. Med en ljussignal påtryckt på transistorns QS ljuskänsliga bas är impedansen mellan klämmorna X3 och Y3 relativt låg.
Om klämmans Y3 potential är positivare än klämmans X3 potential, och om en ljussignal infaller mot transistorns Q7 ljuskänsliga bas, 'kommer ström att passera från klämman Y3 via transistorn Q7 och dioden D8, genom GDS-anordningen GDS4 samt därefter genom dioden D7 till klämman X3. Med en ljussignal pâtryckt på transistorns Q7 ljus- känsliga bas är impedansen mellan klämmorna X3 och Y3 relativt låg.
Sålunda är det uppenbart att kretsen 106 utför en bilateral switchfunktion och dessutom inför förstärkning.
De beskrivna utföringsformerna är avsedda att belysa uppfin- , ningens allmänna principer. Olika modifieringarär möjliga inom upp- _finningens ram. Exempelvis kan förstärkaren (förstärkarna) utgöras av en enda MOS-transistor med P- eller N-kanal, och de nivåskiftande organen kan utgöras av en diodekvivalent av MOS-typ. Vidare kan för- stärkaren (förstärkarna) utgöras av ett par Darlington-kopplade NPN- transistorer. Förstärkar/switch-organen kan vidare vara avsevärt mer komplicerade än enbart en eller tvâ transistorer, och dessutom kan _ I fält” .' 9 u soosvos-2 nivâskíftningskretsarna vara mer komplicerat Éflbšf-årdšfänfi: foi-rfílav enbart en eller tvâ dioder. Dessutom kan fïörstärkar-/switch-organet (wrganen) och nivâskiftningskretsarna vara bildade av andra kompo- nenter än PN-styre- eller fälteffekttransistor-er eller dioder.
Claims (9)
1. Switchkrets innefattande en med styrelektrod försedd diod- switch (GDS), vilken innefattar en halvledarkropp, som uppvisar en huvuddel av en första ledningstyp, ett första omrâde (18) av den första ledningstypen, ett andra omrâde (24) av en andra, gent- emot den första ledningstypen motsatt ledningstyp, och ett styr- område (20, 12) av den andra ledningstypen, vilka områden är skil- da från varandra medelst partier av halvledarkroppens huvuddel (16), vilken huvuddels resistivitet är relativt låg jämfört med resistiviteten i det första området, det andra området och styr- området; varjämte utgångsklämmor (28, 32) är anslutna till det första och det andra omrâdet och en styrklämma (30) till styrom- rådet; varvid anordningens parametrar är sådana att, då en första spänning är påtryckt styrområdet, ett bristomrâde bildas i halv- ledarkroppen, vilket väsentligen förhindrar ström från att flyta mellan de första och andra områdena (18, 24), och att, då en andra spänning är påtryckt styrområdet och då lämpliga spänningar är på- tryckta de första och andra områdena, en relativt lågresistiv strömbana bildas mellan de första och andra områdena genom dual laddningsinjicering, k ä n n e t e c k n a d av att en förstärka- re (A) är ansluten till diodswitchens (CDÉ) ena utgångsklämma, att en nivåskiftningskrets (LS) är ansluten till förstärkaren (A) och till styrklämman (30), samt att förstärkaren i och för funk- tion av switchkretsen är inrättad att tillföras kretsens insigna- ler. I
2. Switchkrets enligt kravet 1, k ä n n e t e c k n a d av att förstärkaren (A, A3, A4) är ljuskänslig.
3. Switchkrets enligt kravet 2, k ä n n e t e c k n a d av att förstärkaren (A) uppvisar en första och en andra transistor (Q1, Q2), som är hopkopplade i Darlington-konfiguration, och att den första transistorns (Q1) styrelektrod är ljuskänslig.
4. Switchkrets enligt kravet 3, k ä n n e t.e c k n a d av att nivåskiftningskretsen (LS) innefattar två seriekopplade dioder (D1, DZ). i
5. Switchkrets enligt kravet 4, k ä n n e t e c k n a d av att transistorerna (Q1, Q2) är skikttransistorer och att dioderna (D1, D2) är PNfdioder.
6. Switchkrets enligt kravet 1, k ä'n n e t e_c k n a d av att förstärkaren (A1, A2, A5) reagerar på elektriska styrsignaler. :gl soosvos-z
7. Swítchkrets enligt kravet 6, k ä n n e t e c k n a d av A att förstärkaren (A1, A2, A5) innefattar åtminstone en transistor (QS, Q5, QS).
8. Switchkrets enligt kravet 7, k ä n n e t e c k n a d av att transistorn (QS, Q8) är en skikttransistor, och att nivåskift- níngskretsen (LS2, LSS) innefattar en skiktdiod (DS, D10).
9. Switchkrets enligt kravet 6, k ä n n e t e c k n a d av att förstärkaren (A1) innefattar en första och en andra skikttran- sístor (Q3, Q4), som är hopkopplade i Darlíngton-konfiguration, och att nivåskiftningskretsen (LS1) innefattar två seriekopplade dioder (D3, D4).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US97202578A | 1978-12-20 | 1978-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8005705L SE8005705L (sv) | 1980-08-13 |
| SE424685B true SE424685B (sv) | 1982-08-02 |
Family
ID=25519064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8005705A SE424685B (sv) | 1978-12-20 | 1980-08-13 | Forsterkar/switch-organ for hog effekt |
Country Status (24)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55501042A (sv) |
| KR (1) | KR830000498B1 (sv) |
| AT (1) | ATA906079A (sv) |
| AU (1) | AU524717B2 (sv) |
| BE (1) | BE880730A (sv) |
| CA (1) | CA1122331A (sv) |
| DD (1) | DD152664A5 (sv) |
| DE (1) | DE2953403C2 (sv) |
| DK (1) | DK347680A (sv) |
| ES (1) | ES487068A1 (sv) |
| FR (1) | FR2445075A1 (sv) |
| GB (1) | GB2050716B (sv) |
| HK (1) | HK69484A (sv) |
| HU (1) | HU181029B (sv) |
| IE (1) | IE48720B1 (sv) |
| IL (1) | IL58972A (sv) |
| IN (1) | IN153145B (sv) |
| IT (1) | IT1126605B (sv) |
| NL (1) | NL7920187A (sv) |
| PL (1) | PL127059B1 (sv) |
| SE (1) | SE424685B (sv) |
| SG (1) | SG34984G (sv) |
| TR (1) | TR20826A (sv) |
| WO (1) | WO1980001346A1 (sv) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4303831A (en) * | 1979-07-30 | 1981-12-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically triggered linear bilateral switch |
| US4275308A (en) * | 1980-05-30 | 1981-06-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically toggled device |
| FR2497423A1 (fr) * | 1980-12-31 | 1982-07-02 | Telemecanique Electrique | Appareil detecteur du type a deux bornes, comportant un circuit d'alimentation en courant alternatif redresse et de commande d'une charge a l'aide de thyristors de commutation |
| FR2497424A1 (fr) * | 1980-12-31 | 1982-07-02 | Telemecanique Electrique | Appareil detecteur du type a deux bornes alimente en courant alternatif redresse sous une tension pouvant varier dans une large gamme avec commande de la charge a l'aide de thyristors de commutation |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3365588A (en) * | 1968-01-23 | Us Navy | Multi-channel calibration circuit for generating a step-wave output voltage | |
| DE1762842A1 (de) * | 1968-09-07 | 1970-10-22 | Richard Helleis | Elektronischer Schalter,gesteuert durch zwei Lichtschranken |
| US3708672A (en) * | 1971-03-29 | 1973-01-02 | Honeywell Inf Systems | Solid state relay using photo-coupled isolators |
| US4021683A (en) * | 1975-01-03 | 1977-05-03 | National Research Development Corporation | Electronic switching circuits |
| US4060821A (en) * | 1976-06-21 | 1977-11-29 | General Electric Co. | Field controlled thyristor with buried grid |
-
1979
- 1979-12-10 HU HU79WE613A patent/HU181029B/hu unknown
- 1979-12-12 GB GB8025971A patent/GB2050716B/en not_active Expired
- 1979-12-12 JP JP80500217A patent/JPS55501042A/ja active Pending
- 1979-12-12 DE DE2953403T patent/DE2953403C2/de not_active Expired
- 1979-12-12 AT AT0906079A patent/ATA906079A/de not_active Application Discontinuation
- 1979-12-12 WO PCT/US1979/001072 patent/WO1980001346A1/en not_active Ceased
- 1979-12-12 NL NL7920187A patent/NL7920187A/nl unknown
- 1979-12-14 AU AU53867/79A patent/AU524717B2/en not_active Ceased
- 1979-12-14 DD DD79217697A patent/DD152664A5/de unknown
- 1979-12-17 IL IL58972A patent/IL58972A/xx unknown
- 1979-12-18 TR TR20826A patent/TR20826A/xx unknown
- 1979-12-18 PL PL1979220495A patent/PL127059B1/pl unknown
- 1979-12-19 ES ES487068A patent/ES487068A1/es not_active Expired
- 1979-12-19 FR FR7931098A patent/FR2445075A1/fr active Pending
- 1979-12-19 IT IT28208/79A patent/IT1126605B/it active
- 1979-12-19 IE IE2475/79A patent/IE48720B1/en unknown
- 1979-12-19 BE BE0/198643A patent/BE880730A/fr not_active IP Right Cessation
- 1979-12-20 KR KR1019790004539A patent/KR830000498B1/ko not_active Expired
- 1979-12-20 CA CA342,384A patent/CA1122331A/en not_active Expired
-
1980
- 1980-08-12 DK DK347680A patent/DK347680A/da not_active Application Discontinuation
- 1980-08-13 SE SE8005705A patent/SE424685B/sv unknown
- 1980-12-12 IN IN1376/CAL/80A patent/IN153145B/en unknown
-
1984
- 1984-05-04 SG SG34984A patent/SG34984G/en unknown
- 1984-09-06 HK HK694/84A patent/HK69484A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK347680A (da) | 1980-08-12 |
| ATA906079A (de) | 1984-08-15 |
| IL58972A (en) | 1982-05-31 |
| AU524717B2 (en) | 1982-09-30 |
| IE792475L (en) | 1980-06-20 |
| PL127059B1 (en) | 1983-09-30 |
| IN153145B (sv) | 1984-06-09 |
| JPS55501042A (sv) | 1980-11-27 |
| IL58972A0 (en) | 1980-03-31 |
| DE2953403C2 (de) | 1983-01-20 |
| DE2953403T1 (de) | 1980-12-18 |
| HU181029B (en) | 1983-05-30 |
| GB2050716B (en) | 1983-03-09 |
| IT1126605B (it) | 1986-05-21 |
| BE880730A (fr) | 1980-04-16 |
| SG34984G (en) | 1985-02-08 |
| GB2050716A (en) | 1981-01-07 |
| IT7928208A0 (it) | 1979-12-19 |
| FR2445075A1 (fr) | 1980-07-18 |
| HK69484A (en) | 1984-09-14 |
| TR20826A (tr) | 1982-09-01 |
| IE48720B1 (en) | 1985-05-01 |
| CA1122331A (en) | 1982-04-20 |
| WO1980001346A1 (en) | 1980-06-26 |
| NL7920187A (nl) | 1980-10-31 |
| ES487068A1 (es) | 1980-09-16 |
| DD152664A5 (de) | 1981-12-02 |
| AU5386779A (en) | 1980-06-26 |
| KR830000498B1 (ko) | 1983-03-10 |
| PL220495A1 (sv) | 1980-09-08 |
| SE8005705L (sv) | 1980-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IT8322946A1 (it) | Circuito di protezione per dispositivi a circuito integrato | |
| Gurevich | Electronic devices on discrete components for industrial and power engineering | |
| JPS5947469B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| US4754175A (en) | Solid state relay having a thyristor discharge circuit | |
| JPS58501205A (ja) | モノリシツクに合併されたｆｅｔ及びバイポ−ラ接合トランジスタ | |
| CN112470403B (zh) | 包括晶体管和二极管的电路和器件 | |
| JP5792323B2 (ja) | ２つの型の電荷キャリアを制御するサイリスタ | |
| US20200043911A1 (en) | Anti-parallel diode device | |
| SE455552B (sv) | Halvledaranordning innefattande en overspenningsskyddskrets | |
| SE424685B (sv) | Forsterkar/switch-organ for hog effekt | |
| EP0018172B1 (en) | High speed electronic switching circuit | |
| US3158754A (en) | Double injection semiconductor device | |
| US4996445A (en) | Disturbance resistant data storage circuit | |
| TWI875797B (zh) | 包括電晶體和二極體的電路和裝置 | |
| US4516037A (en) | Control circuitry for high voltage solid-state switches | |
| KR20010080699A (ko) | 아날로그 스위치 | |
| JPH01251755A (ja) | サイリスタ | |
| CN109995351B (zh) | 开关集成器件 | |
| KR830001097B1 (ko) | 게이트 다이오드 스위치용 제어회로 | |
| EP1028468A1 (en) | Biasing circuit for isolation region in integrated power circuit | |
| US9871129B2 (en) | Thyristor, a method of triggering a thyristor, and thyristor circuits | |
| KR20120021661A (ko) | 반도체 장치의 사이리스터 | |
| JPH06268498A (ja) | 光結合型半導体リレー | |
| GB2100513A (en) | Darlington transistor circuit | |
| JPH09223790A (ja) | 半導体装置 |