HU181029B - Switching circuit containing controlled dioda switch - Google Patents
Switching circuit containing controlled dioda switch Download PDFInfo
- Publication number
- HU181029B HU181029B HU79WE613A HUWE000613A HU181029B HU 181029 B HU181029 B HU 181029B HU 79WE613 A HU79WE613 A HU 79WE613A HU WE000613 A HUWE000613 A HU WE000613A HU 181029 B HU181029 B HU 181029B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- circuit
- switch
- amplifier
- transistor
- region
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7391—Gated diode structures
- H01L29/7392—Gated diode structures with PN junction gate, e.g. field controlled thyristors (FCTh), static induction thyristors (SITh)
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Schaltbauelement mit einem Diodentorschalter, insbesondere fuer Hochspannungs- und Hochstromschalter, Verstaerker und Optotrennerschaltungen, das sich durch eine gute Hochspannungs- und Hochstrombestaendigkeit auszeichnet. Erfindungsgemaess ist ein in Darlington-Schaltung miteinander gekoppeltes Paar von bipolaren Transistoren (Q1, Q2) mit einem Diodentorschalter (GDS) und einem Pegelverschiebestromkreis (LS), bestehend aus zwei Dioden (D1, D2), kombiniert. Das vollstaendig auf Festkoerperbasis hergestellte Bauelement kann in vielen Faellen anstelle von zur Zeit noch eingesetzten mechanischen Hochspannungs- und Hochstromrelais verwendet werden.The invention relates to a switching device with a diode gate switch, in particular for high voltage and high current switch, amplifier and Optotrennerschaltungen, which is characterized by a good high voltage and Hochstrombestaendigkeit. According to the invention, a Darlington-coupled pair of bipolar transistors (Q1, Q2) is combined with a diode gate switch (GDS) and a level shift circuit (LS) consisting of two diodes (D1, D2). The completely solid-state based device can be used in many cases instead of the current high voltage and high current relay.
Description
A találmány tárgya vezérelt diódás kapcsolót tartalmazó kapcsoló áramkör, különösen nagyfeszültségű és -áramú kapcsolókra, erősítőkre és optikai leválasztó áramkörökre vonatkozik. Közelebbről, a találmány egy olyan áramkör, mely viszonylag magas feszültségeket és nagy áramokat képes kezelni olyan módon, hogy vezérlőként egy viszonylag kis feszültségű, de nagy áramú erősítőt használ.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a switching circuit comprising a controlled diode switch, in particular to high-voltage and current switches, amplifiers and optical isolation circuits. More particularly, the present invention is a circuit that can handle relatively high voltages and high currents by using a relatively low voltage but high current amplifier as a controller.
Sokszor van szükség relék és más kapcsoló típusok alkalmazására, amelyek nagy feszültségen és nagy áramon működnek. Már számos kísérlet történt fény hatására működő bipoláris tranzisztorokat tartalmazó optikai leválasztok használatára mechanikus relék helyettesítése céljából. Általában azt találták, hogy bipoláris tranzisztorok alkalmazása igen magas feszültség- és áramkövetelmények esetén gazdaságilag célszerűtlen az ilyen tranzisztorok korlátozott feszültségtűrő képessége miatt.It is often necessary to use relays and other switch types that operate at high voltage and high current. Many attempts have been made to use optical isolators containing light-operated bipolar transistors to replace mechanical relays. It has generally been found that the use of bipolar transistors at very high voltage and current requirements is economically unviable due to the limited voltage tolerance of such transistors.
Douglas E. Houston és munkatársai „A Field Terminated Diódé” című közleményében, mely az IEEE Transactions on Electron Devices, ED—25 kötet 8. számában jelent meg 1976. augusztusában, egy vertikális elrendezésű szilárdtest nagyfeszültségű kapcsolót írnak le, amelyben egy olyan tartomány van, amit töltéshordozóban szegénnyé lehet tenni „KI” állapotban, vagy erősen vezetővé lehet tenni kétféle töltéshordozó bejuttatásával „BE” állapotban. A kétféle töltéshordozó bejuttatása, azaz lyukak és elektronok bejuttatása vezető plazmát képez a félvezetőben. Ezen kapcsolóval járó egyik probléma az, hogy nem állítható elő könnyen közös alapon más hasonló kapcsoló eszközökkel. A másik probléma, hogy a rácsok és a katód közötti távolságnak kicsinek kell lennie, hogy korlátozzuk a ve5 zérlő rács feszültségének nagyságát; ez azonban korlátozza a megengedhető feszültség-tartományt, mivel csökkenti a rács és a katód közti letörési feszültséget. Ez a korlátozás viszont alacsony működési feszültség-tartományra korlátozza két ellen-párhuza15 mosan kötött — azaz anódjával a másik katódjára kötött — eszköz használatát. Ilyen áramkör jól használható nagyfeszültségű kétirányú szilárdtest kapcsolóként. További probléma, hogy az alap-tartománynak ideálisan igen szennyezettnek kell lennie, hogy 15 elkerüljük az átlyukadást az anódból a rács felé, ez azonban alacsony letörési feszültséghez vezet az anód és katód között. Az alap-tartomány kiszélesítése korlátozza az átlyukadás-effektust, viszont ugyanakkor megnöveli az eszköz „BE” állapotban 20 mutatott ellenállását.Douglas E. Houston, et al., August 8, 1976, entitled "Field Terminated Diode," in IEEE Transactions on Electron Devices, ED-25, August 1976, describes a high-voltage switch for a vertical arrangement of solid state. which can be made poor in charge carrier in the "OFF" state or made highly conductive by introducing two types of charge carrier in the "ON" state. The introduction of two types of charge carriers, i.e. holes and electrons, forms a conductive plasma in the semiconductor. One problem with this switch is that it cannot be easily produced on a common basis with other similar switching devices. Another problem is that the distance between the gratings and the cathode must be small to limit the magnitude of the voltage of the ve5 zero grid; however, this limits the allowable voltage range as it reduces the breakdown voltage between the grid and the cathode. This limitation, in turn, restricts the use of two counter-parallel devices, that is, connected to the other cathode of its anode, to a low operating voltage range. Such a circuit can be used well as a high-voltage bidirectional solid state switch. A further problem is that the base region should ideally be highly contaminated to avoid puncture from the anode to the grid, which, however, results in a low breakage voltage between the anode and the cathode. Widening the base range limits the puncture effect, but at the same time increases the resistance of the device in the "ON" state 20.
Igény van olyan nagyteljesítményű erősíto/kapcsolóra, mely legalább néhány száz Volt és néhány száz milliamper tartományban képes működni.There is a need for a high power amplifier / switch that can operate in the range of at least a few hundred volts and a few hundred milliamps.
A fenti probléma megoldása egy kis feszültségű/25 nagy áramú erősítőnek vagy kapcsolónak szinteltoló áramkörrel és vezérelt diódás kapcsolóval (VDK) való kombinálása, úgy, ahogy Houston és munkatársai a fent idézett közleményben leírták. A vezérelt diódás kapcsoló egy előnyben részesített formáját az 30 alábbi leírásban ismertetjük.A solution to the above problem is to combine a low voltage / 25 high current amplifier or switch with a level shift circuit and a controlled diode switch (VDK) as described in Houston et al., Supra. A preferred embodiment of the controlled diode switch is described in the following description.
-1181029-1181029
Az egyik megvalósításban az erősítő/kapcsoló egy olyan p—n—p tranzisztor, melynek kollektorát a VDK kapcsoló vezérlő elektródjára kötöttük és bázisa szolgál bemenetként. A transzitor áram-átbocsátó képessége viszonylag magas, viszont feszültség-türő képessége csekély. A szinteltoló áramkör egy p—n dióda. Ezen kapcsolás jól használható nagyteljesítményű erösítő/kapcsolóként. A VDK kapcsoló nagy feszültség- és áramteljesítményének, valamint a p-n-p tranzisztor nagy áramteljesítményeinek kombinációja olyan erősítő/kapcsolót eredményez, mely lehetővé teszi nagy feszültségek és nagy áramok kezelését.In one embodiment, the amplifier / switch is a p-n-p transistor whose collector is connected to the control electrode of the VDK switch and serves as a base for its input. The transistor has a relatively high current-carrying capacity but a low voltage-carrying capacity. The level shift circuit is a p-n diode. This circuit can be used well as a high power amplifier / switch. The combination of the high voltage and current output of the VDK switch and the high current output of the p-n-p transistor results in an amplifier / switch that can handle high voltages and high currents.
Más megvalósításoknál az erősítő/kapcsoló egy p-n-p tranzisztor és egy n-p-n tranzisztor vagy éppen egy térvezérlésű rétegtranzisztor kombinációja.In other embodiments, the amplifier / switch is a combination of a p-n-p transistor and an n-p-n transistor, or even a field-controlled layer transistor.
Egy másik megvalósításban a kapcsolás egy Darlingtonpárba kötött n-p-n Ql és Q2 tranzisztort tartalmazó erősítővel ellátott optikai leválasztó kör, ahol Q1 tranzisztor bázisa fényérzékeny. A szinteltoló kör két sorba kötött p-n Dl és D2 dióda. A Ql és Q2 tranzisztorok kollektora, valamint a Dl dióda anódja közös kapocsra csatlakoznak. A 02 tranzisztor emittere a VDK kapcsoló anódjára van kötve és a D2 dióda katódja a VDK kapcsoló vezérlő elektródjára van vezetve. A Ql, Q2 tranzisztorokból álló Darlington-pár erősítése viszonylag nagy és nagy áramokat tud átengedni, viszont feszültség szigetelő képessége csekély. Ha ezen tulajdonságokat kombináljuk a VDK kapcsoló nagy áram- és nagy feszültség-szigetelési képességével, olyan optikailag csatolt erősítő/kapcsolót kapunk, mely kiváló elektromos szigetelő, nagy erősítésű, nagy áram- és feszültség-kezelő képességgel rendelkezik. Ez anélkül valósítható meg, hogy nagyáramú és nagyfeszültségű tranzisztorok lennének szükségesek.In another embodiment, the coupling is an optical isolation circuit having an amplifier comprising a n-p-n transistor Q1 and Q2 coupled to a Darlington pair, wherein the base of transistor Q1 is photosensitive. The level shifting circuit is connected in two rows p-n d1 and d2. The collector of transistors Q1 and Q2 and the anode of diode D1 are connected to a common terminal. The emitter of transistor 02 is connected to the anode of the VDK switch and the cathode of diode D2 is applied to the control electrode of the VDK switch. The amplification of the Darlington pair of Q1, Q2 transistors is capable of passing relatively large and high currents, but has a low voltage insulating capacity. When combined with the high current and high voltage isolation capability of the VDK switch, we obtain an optically coupled amplifier / switch with excellent electrical isolation, high gain, high current and voltage management. This can be accomplished without the need for high current and high voltage transistors.
Találmányunk egy másik megvalósítása olyan optikailag vezérelhető kétirányú kapcsoló, mely a fentebb leírt két optikai elválasztó áramkör kombinációjából, valamint két további diódából áll.Another embodiment of the present invention is an optically controllable bidirectional switch consisting of a combination of the two optical separation circuits described above and two additional diodes.
A találmány ezen és más újszerű tulajdonságai és előnyei jobban megérthetők a következő részletes leírásból és a kísérő rajzokból.These and other novel features and advantages of the invention will be better understood from the following detailed description and accompanying drawings.
A rajzokban:In the drawings:
Az 1. és 2, ábrák a találmány szerinti áramkör vázlatos kiviteli alakját szemléltetik;Figures 1 and 2 illustrate a schematic embodiment of a circuit according to the invention;
A 3. ábra a találmány szerinti áramkör egy másik vázlatos kiviteli alakját szemlélteti;Figure 3 illustrates another schematic embodiment of a circuit according to the invention;
A 4. ábra a találmány szerinti áramkör egy másik további vázlatos kiviteli alakját szemlélteti;Figure 4 illustrates another schematic embodiment of a circuit according to the invention;
Az 5. ábra a találmány szerinti áramkör egy másik további vázlatos kiviteli alakját szemlélteti;Figure 5 illustrates another schematic embodiment of a circuit according to the invention;
A 6. ábra a találmány szerinti áramkör egy másik további vázlatos kiviteli alakját szemlélteti.Fig. 6 illustrates another schematic embodiment of a circuit according to the invention.
Az 1. és 2. ábrákon, egy X és Y kapcsok közötti 10 kapcsolást szemléltetünk, amely tartalmaz egy A erősítőt, melyben Ql és Q2 tranzisztorok vannak Darlington kapcsolásban; egy LS szinteltoló áramkört, melyben Dl és D2 diódák vannak és egy vezérelt diódás VDK kapcsolót, amelyet az 1. ábrán μ a félvezető keresztmetszeti képe, a 2. ábrán elektromos szimbólumok szemléltetnek. Az A erősítőt erősítő/kapcsolóként jelölhetjük meg. A Ql tranzisztor fototranzisztor, amelynek bázis tartománya fényérzékeny. A Ql tranzisztor emittere a Q2 tranzisztor bázisára csatlakozik.1 and 2 illustrate a switch 10 between terminals X and Y comprising an amplifier A having transistors Q1 and Q2 in Darlington circuit; a level shifting circuit LS comprising diodes D1 and D2, and a controlled diode VDK switch shown in FIG. 1 as a cross-sectional view of the semiconductor, and in FIG. 2 illustrated by electrical symbols. Amplifier A may be designated as an amplifier / switch. The Ql transistor is a phototransistor whose base region is photosensitive. The emitter of transistor Q1 is connected to the base of transistor Q2.
A 12 félvezető alapot és a 16 testet, valamint a 18, 20 22 és 24 tartományokat η, p-, p+, n+, p, illetve n+ típusú vezetési tartományokként szemléltetjük. A 18 és 24 tartományok a VDK kapcsoló anódjaként illetve katódjaként szolgálnak, míg a 20 10 tartomány és a 12 félvezető alap a VDK kapcsoló vezérlő részeként szolgál. A 22 tartomány átlyukadás elleni védelemként szolgál. A 28, 30 és 32 elektródok alumíniumból vannak és kis ellenállású kontaktust képeznek a 18, 20 illetve 24 tartomá15 nyokhoz.The semiconductor base 12 and the body 16 as well as the regions 18, 20 22 and 24 are illustrated as conducting regions of the types η, p-, p +, n +, p, and n +, respectively. The regions 18 and 24 serve as the anode or cathode of the VDK switch, while the region 20 and the semiconductor base 12 serve as the control part of the VDK switch. The region 22 serves as a puncture protection. The electrodes 28, 30 and 32 are made of aluminum and form a low resistance contact for the regions 18, 20 and 24.
A VDK kapcsolót viszonylag kis ellenállású út jellemzi az anód 18 tartomány és a katód 24 tartomány között a „BE” (vezető) állapotban, és lényegesen nagyobb ellenállás a „KI” (zárt) állapotban. 20 „BE” állapotban a vezérlő 30 elektród potenciálja az anód 28 elektród potenciálján vagy az alatt van. Lyukak jutnak a 16 testbe az anód 18 tartományból és elektronok jutnak a 16 testbe a katód 24 tartományból. Ezen lyukak és elektronok elég nagy 25 számban lehetnek jelen ahhoz, hogy plazmát képezzenek, mely változtatja a 16 test vezetőképességét. Ez hathatósan csökkenti a 16 test ellenállását, úgy, hogy az anód 18 tartomány és a katód 24 tartomány közti ellenállás viszonylag kicsi, amikor a 3q VDK kapcsoló „BE” állapotban működik. Az ilyen típusú működést, amikor a lyukak és az elektronok egyaránt töltéshordozóként működnek, kétféle töltéshordozó bejuttatásának nevezzük.The VDK switch is characterized by a relatively low resistance path between the anode region 18 and the cathode region 24 in the "ON" (conductive) state and significantly higher resistance in the "OFF" (closed) state. In the "ON" state, the potential of the control electrode 30 is at or below the potential of the anode electrode 28. Holes enter body 16 from anode region 18 and electrons enter body 16 from cathode region 24. These holes and electrons can be present in large numbers to form plasma, which changes the conductivity of the 16 bodies. This effectively reduces the resistance of the body 16 so that the resistance between the anode region 18 and the cathode region 24 is relatively low when the VDK switch 3q is in the "ON" state. This type of operation, when both the holes and the electrons act as charge carriers, is called the introduction of two types of charge carriers.
A 22 tartomány korlátozni segít a 20 tartomány 35 és 12 félvezető alap és a katód 24 tartomány között működés közben létrejövő kiürített réteg átlyukadását. A 22 tartomány emellett segít annak megakadályozásában, hogy egy felületi ellentétes réteg alakuljon ki a 24 és 20 tartományok között. Ezen túlme40 nőén lehetővé teszi, hogy az anód 18 tartomány és a katód 24 tartomány viszonylag közel legyen egymáshoz. Ez viszonylag kis ellenállást eredményez az anód 18 tartomány és a katód 24 tartomány között ,BE” állapotban.The region 22 helps to limit the perforation of the evacuated layer between region 35 and 12 of region 20 and cathode region 24. The region 22 also helps to prevent the formation of a surface opposed layer between the regions 24 and 20. In addition, it allows the anode region 18 and the cathode region 24 to be relatively close to each other. This results in a relatively low resistance between the anode region 18 and the cathode region 24 in the ON state.
45 Az anód 18 tartomány és a katód 24 tartomány közti vezetés megszűnik, ha a vezérlő 30 elektród potenciálja elegendően pozitívabb, mint az anód 28 elektródé és a katód 32 elektródé. Az áram megszűnéséhez szükséges pozitív potenciáltöbblet a 10 kap50 csolás geometriájától és szennyezettségétől függ. 45 conduction between the anode region 18 and cathode region 24 is terminated when the control electrode 30 is sufficiently more positive potential than the anode electrode 28 and cathode electrode 32. The positive excess potential required for current loss depends on the geometry and contamination of the 10 gears 50 .
Ezen pozitív vezérlő potenciál hatására a 16 test jelentős része kiürül, úgy, hogy a 16 test ezen részének potenciálja pozitívabb, mint az anód 18 tartományé és a katód 24 tartományé. Ezen pozitív 55 potenciálgát megszakítja a vezető plazmát és meggátolja a lyukáramot az anód 18 tartományból a katód 24 tartományba. Arra is szolgál, hogy összegyűjtse a katód 24 tartomány által kibocsátott elektronokat, mielőtt azok elérnék az anód 18 tarto60 mányt. A VDK kapcsolót egy n típusú félvezető alapon állítjuk elő, melynek vastagsága 457—559 mikron, vezetőképessége ΙΟ15-1016 szennyező/cm3 szennyezettségű koncentrációnak felel meg. A 16 test p-típusú vezetéssel rendelkezik, vastagsága 65 30-40 mikron, szélessége 720 mikron, hosszúságaAs a result of this positive control potential, a significant portion of the body 16 is cleared such that the potential of this portion of the body 16 is more positive than that of the anode region 18 and the cathode region 24. This positive potential barrier 55 interrupts the conducting plasma and prevents the hole current from the anode region 18 to the cathode region 24. It also serves to collect the electrons emitted by the cathode region 24 before they reach the anode 18 chamber 60 . The VDK switch is manufactured on a n-type semiconductor substrate having a thickness of 457 to 559 microns and a conductivity of ΙΟ 15 to 10 16 impurities / cm 3 . The 16 bodies have p-type guiding, 65 to 30-40 microns thick, 720 microns wide, length
-2181029-2181029
910 mikron és szennyezettségi koncentrációja910 microns and contamination concentration
5-9· 1013 szennyező/cm3 tartományba esik. Az anód 18 tartomány p+ típusú vezetéssel rendelkezik, vastagsága 2—4 mikron és szennyezettségi koncentrációja 1013 szennyező/cm3. A katód 24 tartománya 5 n+ típusú vezetéssel rendelkezik, vastagsága 2—4 mikron, és szennyezettségi koncentrációja 1019 szennyező/cm3. Az anód és katód közti távolság jellemzően 120 mikron.5 to 9 · 10 13 impurities / cm 3 . The anode 18 region has a p + conductance of 2-4 microns in thickness and a concentration of 10 13 impurities / cm 3 . The 24 regions of the cathode have a conductivity of 5 n + types, a thickness of 2-4 microns and a concentration of 10 19 impurities / cm 3 . The distance between the anode and cathode is typically 120 microns.
A 10 kapcsolás optikai elválasztóként használ- 10 ható, mely az X és Y kapcsok között kis vagy nagy ellenállású utat jelent. Az A erősítő áramerősítése és nagy áramáteresztő képessége, valamint a VDK kapcsoló nagyfeszültségű és nagyáramú tulajdonságai kombinálódnak és nagyfeszültségű, nagyáramú kap- 15 csolót eredményeznek. Ezen túlmenően a 10 kapcsolás viszonylag nagy elektromos ellenállást jelent a bemenő fényforrás (nem látható) és az X és Y kapcsok között.The circuit 10 can be used as an optical separator, which means a low or high resistance path between the X and Y terminals. The amperage and high current throughput of Amplifier A and the high voltage and high current characteristics of the VDK switch combine to produce a high voltage, high current switch. In addition, the circuit 10 provides a relatively high electrical resistance between the input light source (not shown) and the X and Y terminals.
A Ql és Q2 tranzisztorok kollektora és a Dl 20 dióda anódja az X kapocsra vannak kötve. A Q2 tranzisztor emittere a B kapcson a VDK kapcsoló anódjára van kötve. A D2 dióda katódja a C kapcson a VDK kapcsoló vezérlő 30 elektródjára van kötve. A VDK kapcsoló katódja az Y kapocsra csat- 25 lakozik. A Dl dióda katódja a D2 dióda anódjára csatlakozik. A fényérzékeny bázisterülettel rendelkező Q1 tranzisztor a 10 kapcsolás bemenetéként szolgál. A Q1 tranzisztor kollektora és emittere között akkor alakul ki vezetés, ha a Ql tranzisztor 30 fényérzékeny bázisára elegendő fény érkezik.The collector of transistors Q1 and Q2 and the anode of diode D1 20 are connected to terminal X. The emitter of transistor Q2 is connected at terminal B to the anode of the VDK switch. The cathode of diode D2 is connected at terminal C to the control electrode 30 of the VDK switch. The cathode of the VDK switch is connected to terminal Y. The cathode of diode D1 is connected to the anode of diode D2. The transistor Q1, which has a photosensitive base area, serves as an input to the circuit 10. The conductor between the collector and emitter of transistor Q1 is formed when sufficient light is transmitted to the photosensitive base 30 of transistor Q1.
Amint az alábbi leírásból kitűnik, ha a Ql tranzisztor fényérzékeny bázisára elegendő fény érkezik, viszonylag kis ellenállású út jön létre az X és Y kapcsok között és vezetés akkor létesül az X kapocs 35 felől az Y kapocs felé, ha az X kapocs potenciálja egy előre meghatározott értékkel pozitívabb az Y kapocsnál. Ha a Q1 tranzisztor fényérzékeny bázisára jutó fény nem elegendő, a kör gyakorlatilag szakadt (nagy ellenállású út) az X és Y kapcsok 40 között.As will be apparent from the following description, when sufficient light is received on the photosensitive base of transistor Q1, a relatively low resistance path is created between the X and Y terminals and conduction from terminal X to terminal Y when the potential of terminal X is predetermined. is more positive than Y. If the light on the photosensitive base of transistor Q1 is insufficient, the circuit is practically open (high resistance path) between the X and Y terminals 40.
A VDK kapcsoló „BE” (vezető) állapotában az anód 18 tartomány potenciálja pozitívabb, mint a vezérlő 12 félvezetőalap és 20 tartományé és a katód 24 tartományé, és áram folyik az anód 18 45 tartományból a katód 24 tartományba a 16 és 22 tartományokon keresztül. Az anód 18 tartomány és katód 24 tartomány közötti vezetés gátlódik vagy megszakad, ha a vezérlő 12 félvezetőalap és 20 tartomány potenciálja kellően pozitívabb, mint az anód 50 18 tartományé, és a katód 24 tartományé. A vezetés gátlásához vagy megszakításához szükséges pozitív potenciál többlet nagysága a VDK kapcsoló félvezető tartományainak geometriájától és szennyezettségétől függ. 55 In the "ON" (conductive) state of the VDK switch, the potential of the anode region 18 is more positive than that of the control semiconductor base 12 and region 20 and the cathode region 24, and current flows from the anode region 18 to the cathode region 24 through regions 16 and 22. The conductivity between the anode region 18 and the cathode region 24 is inhibited or interrupted if the potential of the control semiconductor base 12 and region 20 is sufficiently positive than that of the anode 50 region 18 and the cathode region 24. The magnitude of the positive potential required to inhibit or interrupt the conductivity depends on the geometry and contamination of the VDK switch semiconductor regions. 55
A 10 kapcsolás úgy működtethető, hogy kapcsolási funkciót lásson el és optikai elválasztó erősítő áramkörként szolgáljon. Ha a Ql tranzisztor fényérzékeny bázisát fényjel éri, a Ql és Q2 tranzisztorok úgy lesznek vezérelve, hogy elősegítsék a 60 rajtuk átfolyó áramot. A 12 félvezető alap (a VDK kapcsoló vezérlő elektródja) illetve a 24 tartomány (a VDK kapcsoló katódja) egy olyan függőleges η—p—n tranzisztor kollektoraként és emittereként szolgálnak, amelynek bázisa a 16 test és a 22 tartó- 65 mány. Az anód 18 tartományból a katód 24 tartományba történő vezetés olyan alapáramként szolgál, mely elősegíti a 12 félvezető alapból a katód 24 tartományba történő vezetését. Az X kapocsból a Ql, Q2 tranzisztorokon a 18 tartományon (VDK kapcsoló anódja), a 16 testen és a 22 és 24 tartományokon (VDK kapcsoló katódja) keresztül egy első vezetési út jön létre az Y kapocsba. Az X kapocsból egy második vezetési út is létrejön az Y kapocsba a Dl, D2 diódán, a 20 tartományon, a 12 félvezető alapon, a 16 testen és a 22 és 24 tartományokon át.Circuit 10 may be operable to perform a circuit function and serve as an optical separation amplifier circuit. If the light-sensitive base of transistor Q1 is exposed to a light signal, transistors Q1 and Q2 will be controlled to facilitate the current flowing through them. The semiconductor base 12 (the control electrode of the VDK switch) and the region 24 (the cathode of the VDK switch) serve as collectors and emitters of a vertical η-p-n transistor based on body 16 and holder 22. Conduction from the anode region 18 to the cathode region 24 serves as a ground current that facilitates the transfer of the cathode region 24 from the semiconductor base 12. From terminal X, a first path to terminal Y is provided through transistors Q1, Q2 through region 18 (VDK switch anode), body 16, and regions 22 and 24 (VDK switch cathode). A second conduction path from terminal X to terminal Y is formed through diode D1, D2, region 20, semiconductor base 12, ground 16, and regions 22 and 24.
A fent leírt működés azáltal valósul meg, hogy a Q2 tranzisztor kollektor-emitter feszültségét kisebbnek választjuk a Dl és D2 diódák együttes előfeszültségénél. Ez biztosítja, hogy a C kapocs potenciálja (a VDK kapcsoló vezérlő potenciálja) kevésbé pozitív a B kapocsénál (a VDK kapcsoló anódpotenciálja) a vezetés alatt. Ez biztosítja, hogy vezetés jön létre az anód 18 tartomány és a katód 24 tartomány között.The operation described above is accomplished by selecting the collector emitter voltage of transistor Q2 to be less than the combined bias voltage of diodes D1 and D2. This ensures that the potential of the terminal C (the control potential of the VDK switch) is less positive than that of the terminal B (the anode potential of the VDK switch) during driving. This ensures that conduction is established between the anode region 18 and the cathode region 24.
Ha a Ql tranzisztor fényérzékeny bázisának megvilágítását megszüntetjük, a Ql és Q2 tranzisztort lezárásba vezéreltük és a rajtuk átfolyó áram megszakad. A B kapocs potenciálja most a C kapocsé alá esik, így a VDK kapcsoló „KI” állapotba lesz kapcsolva. Ez minden vezetést megszakít az X és Y kapcsok között. így ekkor viszonylag nagy az X és Y kapcsok közötti ellenállás. Az X és Y kapcsok között a legnagyobb feszültségesés az anód 18 tartomány (B kapocs) és a katód 24 tartomány (Y kapocs) között van, és a Q2 tranzisztor kollektor-emittere között viszonylag csekély. A Q2 tranzisztor kollektor-emitter feszültsége olyan, hogy a B kapocs potenciálja elegendően kevésbé pozitív, mint a C kapocsé, ami azt biztosítja, hogy a VDK kapcsolót „KI” állapotba vezéreltük.When the light-sensitive base of transistor Q1 is deactivated, transistors Q1 and Q2 are closed and the current flowing through them is interrupted. The potential of terminal B is now below that of terminal C, so the VDK switch will be set to "OFF". This interrupts all conductivity between the X and Y terminals. Thus, the resistance between the X and Y terminals is relatively high. The highest voltage drop between terminals X and Y is between the anode region 18 (terminal B) and the cathode region 24 (terminal Y), and is relatively small between the collector emitter of transistor Q2. The collector-emitter voltage of transistor Q2 is such that the potential of terminal B is sufficiently less positive than that of terminal C, which ensures that the VDK switch is set to "OFF".
A fentiekből kitűnik, hogy az LS szinteltoló áramkör anélkül biztosít előfeszítést a VDK kapcsoló vezérlő 30 elektród számára, hogy külön előfeszültség forrásra lenne szükség. Biztosít továbbá egy váltakozó áramú utat a „BE” állapot folyamán, amely csökkenti az A erősítőn átfolyó nagy áramot.It will be apparent from the above that the LS level shift circuit provides biasing to the VDK switch control electrode 30 without the need for a separate biasing source. It also provides an AC path during the "ON" state, which reduces the high current flowing through Amplifier A.
A 3. ábrán egy 100 kapcsolást mutatunk be, mely az XI és Y1 kapcsok közé csatlakozik és nagyon hasonlít a 10 kapcsoláshoz. A 100 kapcsolás A1 erősítőt, vezérelt diódás VDK1 kapcsolót és LS1 szinteltoló áramkört tartalmaz.Figure 3 illustrates a circuit 100 that is connected between terminals XI and Y1 and is very similar to circuit 10. The circuit 100 includes an amplifier A1, a controlled diode VDK1 switch and a LS1 level shift circuit.
Az A1 erősítő tartalmaz egy p—n—p Q3 tranzisztort, η—p—n Q4 tranzisztort, és erősítő/kapcsolóként tekinthető. A Q3 tranzisztor emittere a CM tranzisztor kollektorára, és a Q3 tranzisztor kollektora a Q4 tranzisztor bázisára csatlakozik. Az LS1 szinteltolóáramkör sorba kötött p-n D3 és D4 diódákat tartalmaz. A Q3 tranzisztor bázisa (II bemeneti pont) nem fényérzékeny, ellentétben a Ql tranzisztorral az 1. ábrán. A 100 kapcsolás működése nagyon hasonló a 10 kapcsoláséhoz, azzal a különbséggel, hogy a bemenő jel a Q3 tranzisztor bázisára elektromos kontaktuson keresztül kapcsolódik, nem pedig fotocsatolással, és az A1 erősítő erősítése különbözhet az A erősítő erősítésétől.Amplifier A1 contains a p-n-p Q3 transistor, η-p-n Q4 transistor, and can be considered as an amplifier / switch. The emitter of transistor Q3 is connected to the collector of transistor CM and the collector of transistor Q3 is connected to the base of transistor Q4. The level shifting circuit LS1 comprises d3 and D4 diodes connected in series on p-n. The base of transistor Q3 (input point II) is not photosensitive, unlike transistor Q1 in FIG. The operation of the switch 100 is very similar to that of the switch 10, except that the input signal is applied to the base of transistor Q3 via electrical contact rather than photo-coupling, and the amplification of amplifier A1 may differ from that of amplifier A.
A 4. ábrán az X2 és Y2 kapcsok közé kapcsolt 102 kapcsolást mutatjuk be, mely nagyon hasonló a 100 kapcsoláshoz. A 102 kapcsolásban olyan A2Figure 4 shows a circuit 102 connected between terminals X2 and Y2, which is very similar to circuit 100. In circuit 102, an A2
-3181029 erősítő van, mely egy térvezérlésű Q5 rétegtranzisztort tartalmaz, melynek vezérlő elektródja az 12 bemeneti kapocsra csatlakozik. Az A2 erősítőt erősítő/kapcsolóként tekinthetjük. Tartalmaz továbbá egy LS2 szinteltoló áramkört, melyben p-n D5 dióda, továbbá egy vezérelt diódás VDK2 kapcsoló van. Az alapvető különbség a 102 és 100 kapcsolások között az, hogy a térvezérlésű Q5 rétegtranzisztort a 03 és Q4 tranzisztor helyettesíti, és az egyetlen D5 dióda helyett a D3 és D4 diódákat használjuk. A 102 kapcsolás működése nagyon hasonló a 3. ábrán látható 100 kapcsoláshoz, kivéve, hogy az A3 erősítő erősítése némileg eltérhet a 3. ábrán látható A2 erősítő erősítésétől.-3181029 is an amplifier comprising a field-controlled Q5 transistor having a control electrode connected to the input terminal 12. Amplifier A2 can be considered as an amplifier / switch. It also includes an LS2 level shift circuit having a p-n D5 diode and a controlled diode VDK2 switch. The basic difference between the circuits 102 and 100 is that the field-controlled layer transistor Q5 is replaced by the transistors 03 and Q4, and the diodes D3 and D4 are used instead of the single diode D5. The operation of the circuit 102 is very similar to that of the circuit 100 shown in Fig. 3 except that the gain of the amplifier A3 may be slightly different from that of the amplifier A2 shown in Fig. 3.
Az 5. ábrán a 104 kapcsolást szemléltetjük, mely az X5 és Y5 kapcsok közé csatlakozik és A5 erősítőt, LS5 szinteltoló áramkört és vezérelt diódás VDK5 kapcsolót tartalmaz. Az A5 erősítő egy p-n-p Q5 tranzisztort, az LS5 szinteltolóáramkör egy p-n D10 diódát tartalmaz. Az A5 erősítő erősítő/kapcsolóként tekinthető. A 104 kapcsolás nagyon hasonló a 4. ábrán látható 102 kapcsoláshoz, kivéve, hogy egy p-n-p Q8 tranzisztort használunk a térvezérlésű Q5 rétegtranzisztor helyett és egy D10 diódát a D5 dióda helyett. A 104 kapcsolás működése nagyon hasonlít a 102 kapcsoláséhoz, csak az A5 erősítő erősítése különbözhet az A2 erősítőjétől.Figure 5 illustrates circuit 104, which is connected between terminals X5 and Y5 and comprises an amplifier A5, a LS5 level shift circuit and a VDK5 controlled diode switch. The amplifier A5 comprises a p-n-p Q5 transistor, the LS5 level shift circuit contains a p-n D10 diode. The A5 amplifier can be considered as an amplifier / switch. Circuit 104 is very similar to circuit 102 in Figure 4 except that a p-n-p Q8 transistor is used in place of the field-controlled layer transistor Q5 and a diode D10 in place of diode D5. The operation of the circuit 104 is very similar to that of the circuit 102, except that the amplification of amplifier A5 may be different from that of amplifier A2.
A 6. ábrán az X3 és Y3 kapcsok közé csatlakozó 106 kapcsolást mutatjuk be, melyben A3 és A4 erősítők, vezérelt diódás VDK3 és VDK4 kapcsolók, D6 illetve D8 diódákat tartalmazó LS3 és LS4 szinteltoló áramkörök, valamint egy D7 illetve D9 diódákat tartalmazó első és második egyenirányító áramkör vannak. Az A3 és A4 erősítők egyaránt erősítő /kapcsolóként tekinthetők. A 106 kapcsolást olyan kétoldalú kapcsolásként lehet működtetni, mely az X3 és Y3 kapcsokat köti össze. Áram az X3 kapocstól az Y3 kapocshoz, avagy ezzel ellentétes irányban folyhat.Fig. 6 shows a circuit 106 connected between terminals X3 and Y3, in which amplifiers A3 and A4, VDK3 and VDK4 controlled diode switches, LS3 and LS4 level shift circuits containing D6 and D8 diodes, and a first and second diodes D7 and D9 respectively. rectifier circuits. Both A3 and A4 amplifiers can be considered as amplifiers / switches. The circuit 106 may be operated as a two-way circuit connecting the X3 and Y3 terminals. Current from terminal X3 to terminal Y3, or in the opposite direction.
A 106 kapcsolást szemléltető egyik megvalósításban az A3 erősítőben levő η—p—n Q6 tranzisztor bázis tartománya fényérzékeny és az A4 erősítőben levő η—p—n Q7 tranzisztor bázisa szintén fényérzékeny. Az A3 erősítő, VDK3 kapcsoló és D6 dióda, valamint az A4 erősítő, VDK4 kapcsoló és D8 dióda kombinációja lényegében megegyezik az 1. és 2. ábrákon látható A erősítő, VDK kapcsoló és LS szinteltolóáramkör kombinációjával, és lényegében ugyanúgy is működnek. A Q6 tranzisztor kollektora a D6 dióda anódjára, a D7 dióda katódjára és az X3 kapocsra csatlakozik. A Q6 tranzisztor emittere a VDK3 kapcsoló anódjára, a VDK4 kapcsoló katódjára és az U kapocsra csatlakozik. A Q7 tranzisztor kollektora a D8 dióda anódjára, a D9 dióda katódjára és az Y3 kapocsra csatlakozik. A Q7 tranzisztor emittere a VDK4 kapcsoló anódjára, a VDK3 kapcsoló katódjára és a V kapocsra csatlakozik. A D6 és D8 diódák katódja, valamint a VDK3 és VDK4 kapcsoló vezérlő elektródja közösen a W kapocsra csatlakozik.In one embodiment illustrating circuit 106, the base region of transistor η-p-n Q6 in amplifier A3 is photosensitive, and base of transistor η-p-n Q7 in amplifier A4 is also photosensitive. The combination of amplifier A3, switch VDK3 and diode D6, and amplifier A4, switch VDK4 and diode D8 is substantially the same as the combination of amplifier A, switch VDK and level shift circuit LS and shown in substantially the same manner. The collector of transistor Q6 is connected to the anode of diode D6, the cathode of diode D7 and terminal X3. The emitter of transistor Q6 is connected to the anode of switch VDK3, cathode of switch VDK4 and terminal U. The collector of transistor Q7 is connected to the anode of diode D8, the cathode of diode D9 and terminal Y3. The emitter of transistor Q7 is connected to the anode of switch VDK4, cathode of switch VDK3 and terminal V. The cathode of diodes D6 and D8 and the control electrode of switches VDK3 and VDK4 are jointly connected to terminal W.
Ha az X3 kapocs potenciálja pozitívabb, mint az Y3 kapocsé, és fényjel érkezik a Q6 tranzisztor fényérzékeny bázisára, vezetés van az X3 kapocstól a Q6 tranzisztor, D6 dióda és VDK3 kapcsolón keresztül a VDK3 kapcsoló katódja felé, majd a D9 diódán át az Y3 kapocshoz. Ha fényjelet adunk a Q6 tranzisztor fényérzékeny bázisára, az X3 és Y3 kapcsok közti ellenállás viszonylag kicsi.If the potential of terminal X3 is more positive than that of terminal Y3, and a light signal is transmitted to the photosensitive base of transistor Q6, there is a drive from terminal X3 through transistor Q6, diode D6, and VDK3 to cathode VDK3 and then through diode D9 to terminal Y3. . When a light signal is applied to the photosensitive base of transistor Q6, the resistance between terminals X3 and Y3 is relatively low.
Ha az Y3 kapocs potenciálja pozitívabb, mint az X3 kapocsé és fényjelet adunk a Q7 tranzisztor fényérzékeny bázisára, vezetés van az Y3 kapocstól a Q.7 tranzisztoron és D8 diódán keresztül a VDK4 kapcsolóhoz, majd a D7 diódán át az X3 kapocshoz. Ha a Q7 tranzisztor fényérzékeny bázisára fényjelet adunk, az Y3 és X3 kapcsok közötti ellenállás viszonylag kicsi.If the potential of terminal Y3 is more positive than that of terminal X3, and a light signal is applied to the photosensitive base of transistor Q7, there is a drive from terminal Y3 through transistor Q.7 and diode D8 to VDK4 and then through diode D7 to terminal X3. If a light signal is applied to the photosensitive base of transistor Q7, the resistance between terminals Y3 and X3 is relatively low.
így világos, hogy a 106 kapcsolás kétoldalú kapcsoló funkciót lát el, mely erősítést is végez.Thus, it is clear that the switch 106 performs a double-sided switching function which also performs amplification.
Az itt leírt megvalósítások célja a találmány általános elveinek ismertetése. A találmány szellemével összhangban különféle módosítások lehetségesek. Például, az erősítő(k) egyetlen n-csatornás vagy p-csatornás MOS tranzisztorok lehetnek és a szinteltoló áramkörök MOS dióda ekvivalensek lehetnek. Továbbá az erősít(k) Darlington kapcsolásban levő n-p-n tranzisztor-pár(ok) is lehet(nek). Ezenfelül az erősítő/kapcsoló(k) egy vagy két tranzisztorosnál sokkal bonyolultabbak lehetnek és ugyanúgy a szinteltoló áramkörök is egy vagy két diódásnál bonyolultabbak lehetnek. Továbbá, az erősítő/kapcsoló(k) és szinteltoló áramkörök réteg- vagy térvezérlésű tranzisztoroktól vagy diódáktól eltérő elemekből is állhatnak.The embodiments described herein are intended to illustrate the general principles of the invention. Various modifications are possible in accordance with the spirit of the invention. For example, the amplifier (s) may be single n-channel or p-channel MOS transistors and the level shift circuits may be MOS diode equivalents. Further, the amplifier (s) may be a pair (s) of n-p-n transistors coupled to Darlington. In addition, the amplifier / switch (s) may be much more complex than one or two transistors, and likewise, the level shift circuits may be more complex than one or two diodes. Further, the amplifier / switch (s) and level shift circuits may consist of elements other than layer or field controlled transistors or diodes.
Claims (10)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US97202578A | 1978-12-20 | 1978-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HU181029B true HU181029B (en) | 1983-05-30 |
Family
ID=25519064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU79WE613A HU181029B (en) | 1978-12-20 | 1979-12-10 | Switching circuit containing controlled dioda switch |
Country Status (24)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55501042A (en) |
| KR (1) | KR830000498B1 (en) |
| AT (1) | ATA906079A (en) |
| AU (1) | AU524717B2 (en) |
| BE (1) | BE880730A (en) |
| CA (1) | CA1122331A (en) |
| DD (1) | DD152664A5 (en) |
| DE (1) | DE2953403C2 (en) |
| DK (1) | DK347680A (en) |
| ES (1) | ES487068A1 (en) |
| FR (1) | FR2445075A1 (en) |
| GB (1) | GB2050716B (en) |
| HK (1) | HK69484A (en) |
| HU (1) | HU181029B (en) |
| IE (1) | IE48720B1 (en) |
| IL (1) | IL58972A (en) |
| IN (1) | IN153145B (en) |
| IT (1) | IT1126605B (en) |
| NL (1) | NL7920187A (en) |
| PL (1) | PL127059B1 (en) |
| SE (1) | SE424685B (en) |
| SG (1) | SG34984G (en) |
| TR (1) | TR20826A (en) |
| WO (1) | WO1980001346A1 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4303831A (en) * | 1979-07-30 | 1981-12-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically triggered linear bilateral switch |
| US4275308A (en) * | 1980-05-30 | 1981-06-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically toggled device |
| FR2497424A1 (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-02 | Telemecanique Electrique | TWO-TERMINAL TYPE DETECTOR APPARATUS POWERED BY RECTIFIED AC VOLTAGE IN A WIDE RANGE WITH LOAD CONTROL USING SWITCHING THYRISTORS |
| FR2497423A1 (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-02 | Telemecanique Electrique | TWO-TERMINAL TYPE SENSOR APPARATUS HAVING AN AC RECEIVER POWER SUPPLY CIRCUIT AND CHARGE CONTROL USING SWITCHING THYRISTORS |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3365588A (en) * | 1968-01-23 | Us Navy | Multi-channel calibration circuit for generating a step-wave output voltage | |
| DE1762842A1 (en) * | 1968-09-07 | 1970-10-22 | Richard Helleis | Electronic switch controlled by two light barriers |
| US3708672A (en) * | 1971-03-29 | 1973-01-02 | Honeywell Inf Systems | Solid state relay using photo-coupled isolators |
| US4021683A (en) * | 1975-01-03 | 1977-05-03 | National Research Development Corporation | Electronic switching circuits |
| US4060821A (en) * | 1976-06-21 | 1977-11-29 | General Electric Co. | Field controlled thyristor with buried grid |
-
1979
- 1979-12-10 HU HU79WE613A patent/HU181029B/en unknown
- 1979-12-12 GB GB8025971A patent/GB2050716B/en not_active Expired
- 1979-12-12 NL NL7920187A patent/NL7920187A/en unknown
- 1979-12-12 AT AT0906079A patent/ATA906079A/en not_active Application Discontinuation
- 1979-12-12 JP JP80500217A patent/JPS55501042A/ja active Pending
- 1979-12-12 DE DE2953403T patent/DE2953403C2/en not_active Expired
- 1979-12-12 WO PCT/US1979/001072 patent/WO1980001346A1/en unknown
- 1979-12-14 AU AU53867/79A patent/AU524717B2/en not_active Ceased
- 1979-12-14 DD DD79217697A patent/DD152664A5/en unknown
- 1979-12-17 IL IL58972A patent/IL58972A/en unknown
- 1979-12-18 PL PL1979220495A patent/PL127059B1/en unknown
- 1979-12-18 TR TR20826A patent/TR20826A/en unknown
- 1979-12-19 IT IT28208/79A patent/IT1126605B/en active
- 1979-12-19 IE IE2475/79A patent/IE48720B1/en unknown
- 1979-12-19 FR FR7931098A patent/FR2445075A1/en active Pending
- 1979-12-19 BE BE0/198643A patent/BE880730A/en not_active IP Right Cessation
- 1979-12-19 ES ES487068A patent/ES487068A1/en not_active Expired
- 1979-12-20 KR KR1019790004539A patent/KR830000498B1/en active
- 1979-12-20 CA CA342,384A patent/CA1122331A/en not_active Expired
-
1980
- 1980-08-12 DK DK347680A patent/DK347680A/en not_active Application Discontinuation
- 1980-08-13 SE SE8005705A patent/SE424685B/en unknown
- 1980-12-12 IN IN1376/CAL/80A patent/IN153145B/en unknown
-
1984
- 1984-05-04 SG SG34984A patent/SG34984G/en unknown
- 1984-09-06 HK HK694/84A patent/HK69484A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU524717B2 (en) | 1982-09-30 |
| CA1122331A (en) | 1982-04-20 |
| DK347680A (en) | 1980-08-12 |
| WO1980001346A1 (en) | 1980-06-26 |
| JPS55501042A (en) | 1980-11-27 |
| SG34984G (en) | 1985-02-08 |
| IN153145B (en) | 1984-06-09 |
| IE792475L (en) | 1980-06-20 |
| GB2050716B (en) | 1983-03-09 |
| TR20826A (en) | 1982-09-01 |
| IT1126605B (en) | 1986-05-21 |
| DD152664A5 (en) | 1981-12-02 |
| IL58972A0 (en) | 1980-03-31 |
| HK69484A (en) | 1984-09-14 |
| FR2445075A1 (en) | 1980-07-18 |
| DE2953403T1 (en) | 1980-12-18 |
| NL7920187A (en) | 1980-10-31 |
| KR830000498B1 (en) | 1983-03-10 |
| ES487068A1 (en) | 1980-09-16 |
| IE48720B1 (en) | 1985-05-01 |
| AU5386779A (en) | 1980-06-26 |
| SE424685B (en) | 1982-08-02 |
| PL127059B1 (en) | 1983-09-30 |
| IL58972A (en) | 1982-05-31 |
| GB2050716A (en) | 1981-01-07 |
| ATA906079A (en) | 1984-08-15 |
| BE880730A (en) | 1980-04-16 |
| DE2953403C2 (en) | 1983-01-20 |
| PL220495A1 (en) | 1980-09-08 |
| SE8005705L (en) | 1980-08-13 |
| IT7928208A0 (en) | 1979-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5014102A (en) | MOSFET-gated bipolar transistors and thyristors with both turn-on and turn-off capability having single-polarity gate input signal | |
| US7595680B2 (en) | Bidirectional switch and method for driving the same | |
| US4794441A (en) | Semiconductor switch circuit | |
| JP2002525878A (en) | Semiconductor device | |
| JPS58501205A (en) | Monolithically integrated FET and bipolar junction transistors | |
| JPS58119232A (en) | Signal generating circuit | |
| JP3183055B2 (en) | Semiconductor bidirectional switch and driving method thereof | |
| EP0512605B1 (en) | Power device having reverse-voltage protection | |
| US4520277A (en) | High gain thyristor switching circuit | |
| US4755861A (en) | Light-firable thyristor | |
| HU181029B (en) | Switching circuit containing controlled dioda switch | |
| KR930022582A (en) | Complex Controlled Semiconductor Device and Power Conversion Device Using the Same | |
| JP3303648B2 (en) | Semiconductor relay | |
| JPS62128564A (en) | Reverse conductive thyristor | |
| JPH01251755A (en) | Thyristor | |
| KR0136384B1 (en) | Semiconductor device | |
| US4275308A (en) | Optically toggled device | |
| JPH0793560B2 (en) | Non-contact relay with a latching function | |
| JPH0316044B2 (en) | ||
| JPH0479608A (en) | Switching drive circuit | |
| JPS62144357A (en) | Semiconductor device for switching | |
| JPS5994453A (en) | High voltage semiconductor device reducing on resistance | |
| KR870002064B1 (en) | Separating structure between transistor substrates | |
| US20030122149A1 (en) | Complex semiconductor device and electric power conversion appratus using it | |
| WO1980001338A1 (en) | High voltage junction solid-state switch |