SA519402145B1 - جهاز طباعة يتضمن مادة سيليكون أولية - Google Patents
جهاز طباعة يتضمن مادة سيليكون أولية Download PDFInfo
- Publication number
- SA519402145B1 SA519402145B1 SA519402145A SA519402145A SA519402145B1 SA 519402145 B1 SA519402145 B1 SA 519402145B1 SA 519402145 A SA519402145 A SA 519402145A SA 519402145 A SA519402145 A SA 519402145A SA 519402145 B1 SA519402145 B1 SA 519402145B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- molecule
- silicone
- working stamp
- master
- formula
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 104
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 88
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 20
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000005070 ripening Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 30
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 29
- -1 azido-amino amino Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 9
- IUMSDRXLFWAGNT-UHFFFAOYSA-N Dodecamethylcyclohexasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 IUMSDRXLFWAGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N cyclotetrasiloxane Chemical compound O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 7
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 claims description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000035800 maturation Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000013518 transcription Methods 0.000 claims description 5
- 230000035897 transcription Effects 0.000 claims description 5
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N Tetrazine Chemical group C1=CN=NN=N1 DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 2
- 125000005597 hydrazone group Chemical group 0.000 claims description 2
- SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N n-methylidenehydroxylamine Chemical compound ON=C SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SOGFHWHHBILCSX-UHFFFAOYSA-J prop-2-enoate silicon(4+) Chemical compound [Si+4].[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C SOGFHWHHBILCSX-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 241000847230 Adelpha nea Species 0.000 claims 1
- 241000511343 Chondrostoma nasus Species 0.000 claims 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 101100152865 Danio rerio thraa gene Proteins 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 101100329389 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) cre-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 claims 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 claims 1
- XOFYZVNMUHMLCC-ZPOLXVRWSA-N prednisone Chemical compound O=C1C=C[C@]2(C)[C@H]3C(=O)C[C@](C)([C@@](CC4)(O)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 XOFYZVNMUHMLCC-ZPOLXVRWSA-N 0.000 claims 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 1
- 101150014006 thrA gene Proteins 0.000 claims 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 abstract description 66
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 48
- 238000009472 formulation Methods 0.000 abstract description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 13
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 9
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 7
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- 108020004414 DNA Proteins 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 4
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108091028043 Nucleic acid sequence Proteins 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102000053602 DNA Human genes 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N all-trans-retinol Chemical compound OC\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229920001222 biopolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 2
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 2
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 2
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000002773 nucleotide Substances 0.000 description 2
- 125000003729 nucleotide group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229920002477 rna polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- WLKVHFJJBPSBBE-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8-heptamethyl-8-propyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound CCC[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 WLKVHFJJBPSBBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOEYOUBBHRYDLG-UHFFFAOYSA-N 2-azidoacetamide Chemical group NC(=O)CN=[N+]=[N-] WOEYOUBBHRYDLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000936 Agarose Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000003298 DNA probe Substances 0.000 description 1
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108020004518 RNA Probes Proteins 0.000 description 1
- 239000003391 RNA probe Substances 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000191761 Sida cordifolia Species 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000042314 Vigna unguiculata Species 0.000 description 1
- 235000010722 Vigna unguiculata Nutrition 0.000 description 1
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical class [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 description 1
- 235000019169 all-trans-retinol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003766 bioinformatics method Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 210000004081 cilia Anatomy 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- KCWYOFZQRFCIIE-UHFFFAOYSA-N ethylsilane Chemical compound CC[SiH3] KCWYOFZQRFCIIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000003373 familial cold autoinflammatory syndrome 3 Diseases 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003205 genotyping method Methods 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011022 opal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 102000054765 polymorphisms of proteins Human genes 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DJXAJTDFRRFQDI-UHFFFAOYSA-N silyloxy(silyloxysilyloxysilyloxysilyloxy)silane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] DJXAJTDFRRFQDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009885 systemic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 150000004905 tetrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- RYYWUUFWQRZTIU-UHFFFAOYSA-K thiophosphate Chemical group [O-]P([O-])([O-])=S RYYWUUFWQRZTIU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- WSHQCIQLWZPNQZ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-[2,4,6,8-tetramethyl-4,6,8-tris(2-triethoxysilylethyl)-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocan-2-yl]ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC[Si]1(C)O[Si](C)(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)O[Si](C)(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)O[Si](C)(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)O1 WSHQCIQLWZPNQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C1/00—Preparation of hydrocarbons from one or more compounds, none of them being a hydrocarbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/40—Plastics, e.g. foam or rubber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
- B81C1/0046—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
- C09D133/26—Homopolymers or copolymers of acrylamide or methacrylamide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2883/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as mould material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/752—Measuring equipment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Massaging Devices (AREA)
- Confectionery (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Auxiliary Devices For Music (AREA)
- Mechanical Pencils And Projecting And Retracting Systems Therefor, And Multi-System Writing Instruments (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع الحالي بجهاز طباعة imprinting apparatus يتضمن مادة سيليكون أولية silicon master لها مجموعة من السمات النانوية nanofeatures المحددة في الطلب الحالي. حيث تغلف طبقة مضادة للالتصاق anti-stick layer مادة السيليكون الأولية، وتتضمن الطبقة المضادة للالتصاق جزيء به سيكلو سيلوكسان cyclosiloxane بمجموعة سيلان silane وظيفية واحدة على الأقل. تتضمن طريقة تشكيل قالب أولي master template ما يلي: ترسيب صيغة على مادة سيليكون أولية تتضمن مجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي، تتضمن الصيغة مذيب solvent وجزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل؛ وإنضاج الصيغة، وبالتالي تشكيل طبقة مضادة للالتصاق على مادة السيليكون الأولية، الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن الجزيء. تتضمن الطريقة كذلك ترسيب مادة ختم تشغيل working stamp material أساسها السيليكون على الطبقة المضادة للالتصاق للقالب الأولي؛ إنضاج مادة ختم التشغيل working stamp التي أساسها السيليكون لتشكيل ختم تشغيل تتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية؛ وتحرير ختم التشغيل من القالب الأولي. شكل6
Description
سيليكون أولية Bala جهاز طباعة يتضمن
IMPRINTING APPARATUS COMPRSING A SILICON MASTER
الوصف الكامل خلفية الاختراع تتيح تقنية الطباعة النانوية Nano-imprinting technology الإنتاج الاقتصادي والفعال للبنيات النانوية nanostructures تستخدم الطباعة الحجرية المزخرفة بالنأنو Nano-embossing lithography تغيير شكل ميكانيكي mechanical deformation مباشر لمادة تقاوم عن طريق ختم stamp به بنيات نانوية؛ تليها عملية حفر etching process لنقل البنيات النانوية من الختم إلى .substrate الركيزة 5 تمثل خلايا التدفق Flow cells أجهزة تسمح بتدفق المائع عبر قنوات أو عيون داخل ركيزة. تشتمل طريقة خلايا التدفق ذات النمط المفيدة في تحليل الحمض النووي nucleic acid على العيون المتميزة ذات السطح النشط داخل منطقة خلالية خاملة. قد تكون خلايا التدفق ذات النمط المذكورة مفيدة في المصفوفات الحيوية. 0 تشكل المصفوفات الحيوية واحدة من مدى واسع من الأدوات المستخدمة لكشف وتحليل الجزيئات؛ بما في ذلك حمض النووي الرببي منقوص الأكسجين (DNA) deoxyribonucleic acid وحمض النووي الريبي (RNA) ribonucleic acid في هذه التطبيقات؛ تمت هندسة المصفوفات لتضم مسبارات لمتواليات النيوكليوتيد nucleotide المتواجدة في الجينات من البشضر والكائنات الحية الأخرى. في تطبيقات محددة؛ على سبيل (Jad) يمكن توصيل حمض النووي الريبي منقوص الأكسجين الفردي ومسبارات حمض النووي الريبي عند مواقع صغيرة في الشبكة الهندسية geometric grid (أو عشوائياً) في المادة الحاملة للمصفوفة. قد يتم تعريض عينة الاختبار» على سبيل المثالء من الشخص المعروف أو الكائن الحي؛ إلى الشبكة؛ بحيث يتم تهجين الشظايا المكملة complementary fragments في المسبارات في المواقع الفردية في المصفوفة. يمكن بعد ذلك فحص المصفوفة عن طريق المسح الضوئي لترددات محددة من الضوء في المواقع لتحديد 0 أنواع الثغرات الموجودة في cil عن طريق التألق الفلوري للمواقع التي تم تهجينها. يمكن أن تستخدم المصفوفات الحيوية Biological arrays التسلسل الجيني. في التسلسل الجيني cgenetic sequencing يتضمن التسلسل الجيني تحديد ترتيب النيوكليوتيدات أو الأحماض النووية
بطول المادة الوراثية؛ مثل تحلل الحمض النووي الريبي. يجري تحليل متواليات أطول من أزواج الأساس؛ ويمكن استخدام معلومات المتوالياة الناتجة في أساليب المعلوماتية الحيوية bioinformatics المختلفة لتتوافق بشضكل منطقي be بحيث تحدد توالي أطوال طويلة من المادة الجينية التي تم استنتاجها. لقد تم تطوير الفحص الآلي المستند إلى الكمبيوتر للشظايا المميزة؛ وقد تم استخدامه في رسم خرائط الجينوم genome وتحديد الجينات genes ووظائفهاء وتقييم مخاطر حالات معينة؛ وحالات المرض» وما إلى ذلك. Lads يتجاوز هذه التطبيقات؛ يمكن استخدام المصفوفات الحيوية للكشف عن وتقييم مدى واسع من الجزيثات؛ وعائلات الجزيئات» ومستويات التعبير الجيني cgenetic expression ومورفولوجيا متعددات الشكل البلوري للنوكليوتيدات المفردة «single nucleotide polymorphisms والنمط الجيني -genotyping 0 تكشف براءة الاختراع اليابانية 2010084162 عن طريقة لتصنيع القوالب المتمائتلة replica molds بما في ذلك 0( عملية للحصول على قالب أصل mother mold 11 له نمط دقيق عن طريق نقل نمط دقيق 22 لقالب رئيسي master mold 20 إلى عنصر إنتاج قالب mold precursor له جسم قاعدة base body 0( 12 مع مجموعة وظيفية ¢(x) functional group طبقة وسيطة intermediate layer (ج) 14 مكونة من بوليمر يحتوي على الفلور fluorine-containing polymer (I) 5 به مجموعة تفاعلية (y) reactive group متفاعلة مع المجموعة الوظيفية o(x) وطبقة سطحية surface layer (ب) 16 مكونة من بوليمر يحتوي على فلور (I) (ب) عملية لتشكيل طبقة موصلة conductive layer على سطح الطبقة السطحية (ب) 16؛ (ج) عملية للحصول على قالب متمائل له نمط دقيق عن طريق تشكيل طبقة معدنية metal layer على سطح الطبقة الموصلة بطريقة التشكيل الكهريائي celectroforming method و(د) عملية لفصل القالب Jal) عن القالب 0 المتمائل. تقدم براءة الاختراع اليابانية 2016160285 تركيبة راتنجية قابلة للتصلب بالضوء photocurable resin composition قادرة على تكوين mite معالج؛ وطريقة لإنتاجها. تحتوي تركيبة الراتنج القابلة للتصلب بالضوء على: بولي سيلوكسان (I) polysiloxane الذي يحتوي على وحدة تكوين FI constitutional unit ممثلة بالصيغة العامة (1) ووحدة تشكل مجموعة سيلوكسان siloxane 25 محددة؛ كوحدة مكونة لبولي سيلوكسان عضوي حلقي organopolysiloxane 16ا0(©؛ ومولد ضوئي راديكالي generator ل01010:2010. يكون معامل انكسار refractive index الجسيمات غير
العضوية inorganic particles هو 1.8 أو أكثر ٠ في الصيغة العامة )1( Ble R عن مجموعة ألكيل alkyl بها 1 إلى 10 ذرات كربون ccarbon وهي de gana سيكلو ألكيل cycloalkyl بها 3 إلى 10 ذرات كريون» ومجموعة ألكيل أو مجموعة أرالكيل taralkyl تمثل R مجموعة تحتوي على رابطة bond غير مشبعة بها 2 إلى 10 ذرات كريون؛ X عبارة عن مجموعة هيدروكريونية hydrocarbon group 5 بها 2 إلى 10 ذرات كريون؛ وه تمثل نسبة محتوى لوحدة التكوين F1 وهو عدد صحيح من 1 أو أكثر. الوصف العام للاختراع أحد الأمثلة على جهاز طباعة يتضمن مادة سيليكون أولية silicon master لها مجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي . تقوم الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer (ASL) 0 النموذجية بتغطية مادة السيليكون الرئيسية؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن جزيء به سيكلو سيلوكسان cyclosiloxane بمجموعة سيلان silane وظيفية واحدة على الأقل. أحد الأمثلة على الطريقة تتضمن تشكيل قالب أولي master template بواسطة: ترسيب صيغة على مادة سيليكون أولية تتضمن مجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي؛ تتضمن الصيغة مذيب وجزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل؛ وإنضاج الصيغة؛ وبالتالي تشكيل طبقة مضادة للالتصاق على مادة السيليكون الأولية؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن الجزيء. تتضمن الطريقة كذلك ترسيب مادة ختم تشغيل working stamp (WS) material أساسها السيليكون على الطبقة المضادة للالتصاق للقالب الأولي؛ إنضاج مادة ختم التشغيل التي أساسها السيليكون لتشكيل ختم تشغيل تتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية؛ وتحرير ختم التشغيل من القالب الأولي. 0 شرح مختصر للرسومات سوف تصبح السمات والمزايا من أمثلة الكشف الحالي ظاهرة بالرجوع إلى الوصف التفصيلي التالي (JIC Yl, التي تناظر فيها الأرقام المرجعية المتماثلة المكونات المتماثلة؛ على الرغم من كونها ريما لا تكون متطابقة. لأجل الخصوصية؛ يمكن وصف أو لا يمكن وصف الأرقام أو السمات المرجعية التي لها وظيفة تم وصفها مسبقا فيما يتعلق بالأشكال الأخرى التي تظهر فيها. 5 الشكل 1 يمثل منظر من أعلى لرقاقة من sale أساسية من السيليكون silicon master wafer نموذجية؛
الأشكال 2 - 2ه معا توضح على نحو شبه تخطيطي أحد الأمثلة على طريقة لتشكيل ختم تشغيل؛ الأشكال 3 - 3ه معا توضح على نحو شبه تخطيطي أحد الأمثلة على طريقة لتشكيل سطح باستخدام أحد الأمثلة على ختم التشغيل؛
الشكل 4 يوضح: على اليسار» صورة بميكروسكوب إلكتروني للمستح scanning electron (SEM) microscope سطح 55S) مطبوع مفكك» بمقطع عرضي Lisa (موضح في المنتصف)؛ وعلى (Opal بتصوير مكبر أكثر لعين واحدة بمجموعة من المجموعات الوظيفية للسطح؛ الشكل 5 يمثل رسم بياني عمودي يوضح؛ في أحد AB خشونة السطح بين الطبعة الأولى والطبعة الأخيرة؛ باستخدام أختام التشغيل الأولى والخامسة المنتجة بواسطة مادة أساسية مغلفة
0 بطبقة مقارنة مضادة للالتصاق (مجموعتين من الأعمدة على اليسار)؛ مقارنة بأختام التشغيل الأولى والخامسة المنتجة بواسطة مادة أساسية مغلفة ب الطبقة النموذجية المضادة للالتصاق (مجموعتين من الأعمدة على اليمين)؛ الشكل 6 يمثل رسم بياني عمودي يوضح؛ في أحد الأمثلة؛ تطور خشونة السطح كدالة في تكوين ختم تشغيل ورقم طبعة؛
5 الشكل 17 يمثل صورة ميكروسكوب بالقوة الذرية (AFM) atomic-force microscopy 30 ميكرو متر لمنظر من أعلى لسطح ركيزة مطبوع نموذجي مشكل من الطبعة الخامسة والعشرون المنتجة من التكوين الخامس لختم تشغيل منتج من مادة أساسية مغطاة بالطبقة النموذجية المضادة للالتصاق؛ الشكل 7ب يمثل صورة ميكروسكوب بقوة ذرية 5 ميكرو متر لمنظر من الشكل 7؛
0 الشكل 18 يمثل صورة ميكروسكوب إلكتروني للمسح من أعلى لأسفل لسطح ركيزة مطبوع نموذجي مشكل بواسطة ختم تشغيل منتج من مادة أساسية مغطاة بالطبقة النموذجية المضادة للالتصاق؛ يوضح مستوى مطلوب من دقة النمط (sae ffidelity مستديرة (og عيوب قابلة للكشف؛ الشكل 8ب يمثل صورة ميكروسكوب إلكتروني للمسح بمقطع عرضي من الركيزة المطبوعة من الشكل 18 يوضح مقاطع عرضية لعيون محددة جيدا/ حواف عين حادة؛
الشكل 19 يمثل صورة ميكروسكوب إلكتروني للمسح من أعلى لأسفل لسطح ركيزة مطبوع مشكل بواسطة ختم تشغيل منتج من مادة أساسية مغطاة ب طبقة مقارنة مضادة للالتصاق» يوضح مستوى مطلوب من دقة النمط؛ و الشكل 9ب يمثل صورة ميكروسكوب إلكتروني للمسح بمقطع عرضي من الركيزة المطبوعة من الشكل 9ا؛ يوضح مقاطع عرضية أقل لعيون محددة جيدا وحواف عين مستديرة. الوصف التفصيلي: في أحد الجوانب»؛ جهاز طباعة يشتمل على مادة سيليكون أولية تتضمن مجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي. حيث تغلف طبقة مضادة للالتصاق مادة السيليكون الأولية؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن جزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على 0 الأقل. في بعض الأمثلة من هذا الجانب؛ سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل يكون سيكلو سيلوكسان (مثل سيكلو تترا سيلوكسان ceyclotetrasiloxane سيكلو Bh سيلوكسان «cyclopentasiloxane أو سيكلو هكسا سيلوكسان (cyclohexasiloxane به استبدال بواحدة على الأقل من مجموعة ,© ألكيل Crealkyl ليس بها استبدال وبمجموعة مت ألكيل واحدة على الأقل 5 بها استبدال بمجموعة ألكوكسي سيلان ع1»0:78100ه. في أمثلة أخرى من هذا الجانب؛ سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل يكون سيكلو سيلوكسان (مثل سيكلو تترا سيلوكسان؛ سيكلو بنتا سيلوكسان؛ أو سيكلو هكسا سيلوكسان) بها استبدال بأريعة مجموعات Crs ألكيل ليس بها استبدال وأربع مجموعات Crp ألكيل 1رولاةد.© كل بها استبدال بمجموعة ألكوكسي سيلان. في بعض الأمثلة؛ تكون مجموعات Cr ألكيل مجموعات ميثيل methyl 0 أمثة «gal مجموعات Crip ألكيل كل يكون بها استبدال بمجموعة تراي ألكوكسي سيلان» وفي بعض الأمثلة تكون مجموعات إيثيل ethyl أو propyl Jug x بها استبدال؛ Ag بعض الأمثلة؛ تكون مجموعات إيثيل بها استبدال. في بعض الأمثلة؛ يكون ألكوكسي سيلان أحادي ألكوكسي سيلان -monoalkoxysilane في بعض الأمثلة؛ يكون ألكوكسي سيلان تراي ألكوكسي سيلان عصدانو:0»ا0101. في بعض الأمثلة» تكون de sane تراي ألكوكسي سيلان تراي ميثوكسي سيلان trimethoxysilane 5 أو تراي إيثوكسي سيلان -triethoxysilane في بعض الأمثلة؛ تكون مجموعة
تراي ألكوكسي سيلان تراي إيثوكسي سيلان. في بعض الأمثلة؛ dial) المضادة للالتصاق تشتمل على خليط من سيكلو سيلوكسانات .cyclosiloxanes في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ يكون الجزيء: SOC EH لط CH Osi CH, 0 8 لسوتت سيت (HQ, بترتت 0 ريو تحنتحيت يقي — {CHO إ:
في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن خليط من الجزيء في صورته النقية وأوليجومر oligomer من الجزيء. في مثال AT من هذا الجانب؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن خليط من الجزيء وسيكلوسيلوكسان آخر واحد على الأقل. في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ يتم انتقاء سيكلو سيلوكسان من المجموعة التي تتكون من سيكلو تترا سيلوكسان وسيكلو هكسا سيلوكسان.
0 في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ تكون المجموعة الوظيفية سيلان هي ألكوكسي سليلان ألكيل .alkyl alkoxysilane في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ تكون ألكوكسي سيلان ألكيل تراي إيتوكسي سيلان ethyl Jil .triethoxysilane في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ يشتمل جهاز الطباعة كذلك على ختم تشغيل أساسه سيليكون في 5 تلامس مع الطبقة المضادة للالتصاق على مادة السيليكون الأولية. في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ ختم التشغيل القائم على سيليكون يتضمن مونومرات monomers أكريلات سيليكون silicon acrylate بوليمرية .polymerized في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ يشتمل جهاز الطباعة كذلك على سطح خلفي في تلامس مع ختم التشغيل. 0 في أحد الأمثلة من هذا الجانب؛ يستبعد الجزيء فلورين. في بعض الأمثلة؛ الطبقة المضادة للالتصاق تستبعد فلورين؛ أو تحتوي على مركبات تستبعد فلورين fluorine ينبغي أن ندرك أن أي سمات من هذا الجانب لجهاز الطباعة يمكن دمجها معا بأي طريقة و/ أو تهيئة مطلوية.
في أحد الجوانب» تشتمل الطريقة على صيغة قالب رئيسي بواسطة ترسيب صيغة على مادة سيليكون أولية تتضمن مجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي. تتضمن الصيغة مذيب solvent وجزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل. في بعض الجواتب» تشتمل الطريقة على تنظيف سطح مادة السيليكون الرئيسية؛ على سبيل المثال؛ بترميد البلازما plasma ashing أو التنظيف الكيميائي chemical cleaning قبل ترسيب الصيغة. تتضمن الطريقة كذلك إنضاج cdi wall وبالتالي تشكيل طبقة مضادة للالتصاق على مادة السيليكون الأولية؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن الجزيء. تتضمن الطريقة كذلك ترسيب مادة ختم تشغيل أساسها السيليكون على الطبقة المضادة للالتصاق للقالب الأولي؛ وإنضاج مادة ختم التشغيل التي أساسها السيليكون لتشكيل ختم تشغيل تتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات 0 النانوية. كما تتضمن الطريقة تحرير ختم التشغيل من القالب الرئيسي. في بعض الجوانب؛ تتضمن مادة السيليكون الرئيسية سيليكون أو مادة بطبقة سيليكون S102 في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة؛ يكون للمذيب نقطة غليان boiling point أقل من حوالي 70 درجة مئوية. في بعض الأمثلة؛ يكون الجزيء موجود في الصيغة بكمية تبلغ على الأقل حوالي 5 7 بالوزن. في aad الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة» يكون المذيب تتراهيدروفيوران tetrahydrofuran (THF) أو تولوين ctoluene و/ أو يكون الجزيء: CH BOC Hg, CH, هم CH; (OHO Si— Cale 0 p Si C,H SHO Hy 0 بو CH—8i-0 CH, تق وروبتلن) في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة؛ ترسيب الصيغة وترسيب مادة ختم التشغيل القائم على سيليكون ينطوي كل منها على طلاء spin coating (dye 0 في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة؛ sale ختم التشفغيل القائم على سيليكون يتضمن مونومر أكريلات سيليكون. في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة؛ يكون الجزيء موجود في الصيغة بكمية تتراوح من حوالي 5 7 بالوزن إلى حوالي 10 7 بالوزن.
في بعض الجوانب؛ تقوم عملية التحرير بوظيفة تحرير ختم التشغيل من القالب الرئيسي ومن الطبقة المنتضجة المضادة للالتصاق. في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة؛ ختم التشغيل الذي تم تحريره يكون خاليا إلى حد بعيد على الأقل من الجزيء. في بعض الجوانب؛ تتم إعادة استخدام القالب الرئيسي الذي تم تحريره لتحضير المزيد من تكرارات أختام التشغيل (على سبيل (Qld) أكثر من 1؛ أكثر من 5؛ أكثر من 10؛ أكثر من 25؛ أكثر من ٠0 إلى 10 1 إلى 25 1 إلى 50؛ 25 إلى 50؛ إلخ). في بعض الجوانب؛ يشضتمل القالب الرئيسي الذي تم تحريره على الطبقة المضادة للالتصاق؛ وتتم إعادة استخدامه بدون إعادة وضع الطبقة المضادة للالتصاق. في بعض الجوانب؛ إعادة الاستخدام تشتمل القالب الرئيسي الذي تم تحريره على ترسيب مادة ختم تشغيل ثانية قائمة على السيليكون على الطبقة المضادة للالتصاق 0 من القالب الرئيسي الذي تم تحريره؛ إنضاج مادة ختم التشغيل الثانية القائمة على السيليكون لتشكيل ختم تشغيل ثاني يتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية؛ وتحرير ختم التشفغيل الثاني من القالب الرئيسي الذي تم تحريره. في بعض الجوانب؛ يتم تكرار عملية إعادة الاستخدام عدة مرات (على سبيل المثال» 2 5 ¢10 25 أو 50 مرة). في بعض الجوانب؛ sale) الاستخدام تشتمل على القالب الرئيسي الذي تم تحريره على إعادة وضع الطبقة المضادة للالتصاق؛ July 5 تشتمل على ترسيب صيغة تتضمن مذيب وجزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل على القالب الرئيسي الذي تم تحريره؛ إنضاج الصيغة؛ وبالتالي تشكيل طبقة مضادة للالتصاق على القالب الرئيسي الذي تم تحريره؛ الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن الجزيء؛ ترسيب مادة ختم تشغيل أساسها السيليكون على الطبقة المضادة للالتصاق من القالب الرئيسي الذي تم تحريره؛ إنضاج مادة ختم التشغيل التي أساسها السيليكون لتشكيل ختم تشغيل 0 ثاني يتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية؛ وتحرير ختم التشغيل الثاني من القالب الرئيسي الذي تم تحريره. في بعض الجوانب» تشتمل طريقة sale) الاستخدام عل تنظيف القالب الرئيسي الذي تم تحريره؛ على سبيل المثال؛ بترميد البلازما أو التنظيف الكيميائي» قبل تريسيب الصيغة. يمكن تكرار هذه العملية عدة مرات lo) سيل المثال 2 5؛ ¢10 25 أو 50 مرة) باستخدام نفس القالب الرئيسي. 5 ينبغي أن ندرك أن أي سمات من هذا الجانب من الطريقة يمكن دمجها معا بأي طريقة مطلوية. علاوة على ما سبق؛ ينبغي أن ندرك أن أي توليفة من السمات من هذا الجانب من الطريقة و/ أو
من الجانب لجهاز الطباعة يمكن استخدامها معاء و/ أو أن أي سمات من أي من أو كل من هذه الجوانب يمكن دمجها مع أي من الأمثلة التي تم الكشف عنها في الطلب الحالي. في أحد الجوانب»؛ طريقة استخدام ختم تشغيل (تم تشكيلها بواسطة الجانب (الجوانب) من الطريقة المشروحة عاليه) تشتمل على طبع ختم التشغيل في راتنج طباعة حجرية بالطبعة على حامل؛ وإنضاج الراتنج؛ ويالتالي تشكيل سطح توالي sequencing surface يضم انتساخ (على سبيل (Jal) انتساخ سالب لسمات ختم التشغيل؛ بالتالي مضاهاة سمات القالب الرئيسي الأصلي) لمجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي. في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة للاستخدام؛ سطح التوالي يكون خاليا إلى حد بعيد على الأقل من الجزيء. 0 في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة للاستخدام؛ تشتمل الطريقة كذلك على بادئات تضخيم التطعيم على البنية المتوسطة الموجودة في الانتساخ لمجموعة من السمات النانوية. في جانب آخر من الطريقة للاستخدام» تشتمل الطريقة كذلك على تطعيم بنية متوسطة وفقاً لسطح التوالي النمطي في الانتساخ لمجموعة من السمات النانوية المحددة في الطلب الحالي. في جانب آخرء تشتمل الطريقة كذلك على بادئات تضخيم التطعيم وفقاً للبنية المتوسطة في الانتساخ لمجموعة من السمات 5 النانوية على سطح التوالي. في أحد الأمثلة من هذا الجانب من الطريقة للاستخدام؛ البنية المتوسطة تكون طلاء بوليمر polymer coating يتضمن وحدة تكرار recurring unit لها الصيغة (1): NT ot NH 2 0 NH NI,
A
0) R! R? حيث: ل8 تكون 11 أو ألكيل بها استبدال اختياريا؛ 0
RA يتم انتقاؤها من المجموعة التي تتكون من أزيدو cazido أمينو amino بها استبدال اختيارياء alkenyl Jui بها استبدال اختيارياء هيدرازون hydrazone بها استبدال (Lobia) هيدرازين hydrazine بها استبدال اختياريا» كربوكسيل carboxyl هيدروكسي chydroxy تترازول tetrazole بها استبدال اختياريا» تترازين tetrazine بها استبدال اختيارياء أكسيد نيتريل enitrile oxide نيترون ¢nitrone 5 وثيول 1منط؛ تع يتم انتقاؤها من المجموعة التي تتكون من H وألكيل بها استبدال اختياريا؛ كل واحدة من -م(:011)- يمكن أن يكون بها استبدال اختياريا؛ م( تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 50؛ « تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 50,000؛ و 0 ©« تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 100,000. إن الشخص ذو sled العادية في المجال ليدرك أن سمات ترتيب التكرار #" وا" في الصيغة ([) يعد تمثيلياء وأن الوحدات الفرعية المونومرية يمكن ان تكون موجودة بأي ترتيب في بنية البوليمر (على سبيل المثال؛ عشوائي؛ كتلي؛ نمطيء أو توليفة منها). ينبغي أن ندرك أن أي سمات من هذا الجانب من الطريقة للاستخدام يمكن دمجها معا بأي طريقة مطلوية. علاوة على ما سبقء ينبغي أن ندرك أن أي توليفة من السمات من هذا الجانب من الطريقة للاستخدام و/ أو من الجانب من الطريقة و/ أو من الجانب لجهاز الطباعة يمكن استخدامها معاء و/ أو أن أي سمات من أي من أو كل من هذه الجوانب يمكن دمجها مع أي من الأمثلة التي تم الكشف عنها في الطلب الحالي. يحسن تقديم تقينة النمط (مجموعات محلية ومستقلة) في التسلسل الجيني (genetic sequencing 0 جودة التوالي. ومع ذلك؛ ينطوي تكوين خلايا التدفق ذات النمط بواسطة تقنيات الطباعة الحجرية التقليدية traditional lithographic techniques (تعريف النمط من خلال استخدام الفوتونات photons أو الإلكترونات (electrons على غرف الأبحاث عالية (gi wad) والعديد من خطوات المعالجة لكل رقاقة. يمكن قياس الأمثلة على الكف الحالي على نحو مفيد من عمليات تسوية القالب إلى عمليات 5 تسوبة الرقاقة.
قد تكون الطباعة الحجرية النانو مترية (NIL) Nanoimprint lithography تقنية نقش عالية الإنتاجية نسيياً تقدم دقة عالية وتكاليف منخفضة. ومع ذلك؛ اكتشضف المخترعون الحاليون أن الطباعة الحجرية النانو مترية القياسية في حالات عديدة لا تكون مناسبة للاإستخدام في تصنيع خلايا التدفق (على سبيل (J) بسبب تعقد سطح التوالي عن حجم النسق» إلخ)؛ وأنها لا تتمكن من حمل كيمياء سطح توالي جيني على نحو فعال.
يتضمن تصنيع رقاقات مطبوع باستخدام الطباعة الحجرية النانو مترية على نحو عام 1) تصنيع ختم تشغيل (تكرار سلبي من القالب الرئيسي)؛ ونسخ نمط القالب الرئيسي (نموذج) في مصفوفة راتنجية resin matrix باستخدام ختم التشضغيل (عملية مطبوعات (imprinting process مصنوعة
في البداية.
0 ومع ذلك؛ تم اكتشضاف أن تصنيع ختم التشغيل لا يمكن أن يكون آلياً باستخدام مواد الإعداد الموجودة مسبقًا. بمجرد أن يتم طلاء التدويم على الرقاقة الرئيسية باستخدام الطبقة المضادة للالتصاق؛ تم إلغاء ترطيب صيغة ختم التشغيل بسرعة كبيرة من السطح لتوفير ختم مناسب بشكل متكرر. حققت خطوة تصنيع ختم التشغيل نجاحًا ضعيفًا في المعدل؛ مما جعل العملية الكلية للطباعة الحجرية النانو مترية غير صالحة للإنتاج الآلي. دون تقيد بأية نظرية معينة؛ يعتقد
5 المخترعون الحاليون أن عدم تطابق الطاقة السطحية بين الرقاقة الرئيسية المغلفة ومادة ختم التشغيل ريما يكون قد ساهم في هذه الظاهرة. تصف الأمثلة من الكشف lia Jal) جديدًا من المواد إلى أن تستخدم الطبقة المضادة للالتصاق كفء. تقدم الطبقة المضادة للالتصاق المطلية الرئيسية الناتجة ترطيبًا ثابثًا للنسخة ختم التشغيل؛ مما يؤدي إلى عملية تصنيع منهجية ناجحة لختم التشفغيل. علاوة على ما سبق؛ قد تتم أتمتة
0 العملية بنجاح كبير. ينبغي أن ندرك أن المصطلحات المستخدمة في الطلب الحالي تشتق معناها في المجال ذا الصلة ما لم يتحدد خلاف ذلك. العديد من المصطلحات المستخدمة في الطلب الحالي ومعانيها ترد فيما الصيغ المفردة an ca’ و06" تضم إشارات للجمع ما لم يُملي السياق غير ذلك.
5 التعبيرات تشتمل على؛ بما في ذلك؛ وتحتوي على والأشكال المختلفة من هذه المصطلحات تكون مرادفة لبعضها البعض والمقصود بها أن تكون واسعة النطاق على قدم المساواة.
التعبير 'ترسيب»” وفقاً لاستخدامه في الطلب Mall يشير إلى أي أسلوب تطبيق مناسب؛ والذي
قد يكون يدويًا أو dale GT قد يتكون الترسيب باستخدام تقنيات ترسيب البخارء تقنيات الطلاء؛
تقنيات السحب؛ أو ما شابه. تشمل بعض أنواع معينة ترسيب البخار الكيميائي chemical vapor
(CVD) deposition الطلاء بالرش spray coating الطلاء المغزلي spin coating الطلاء
5 بالغمر أو الغمس dip coating «ه علصدل» التوزيع في حوضء أو ما شابه.
وفقاً لاستخدامه في الطلب الحالي؛ التعبير "انخفاض "depression يشير إلى ميزة مقعرة منفصلة
في رقاقة منقوشة لها فتحة سطح محاطة بالكامل بالمنطقة (المناطق) الخلالية من واجهة رقاقات
منقوشة. يمكن أن يكون للاكتئاب أي مجموعة متنوعة من الأشكال عند فتحها على سطح بما في
alld كأمثلة على ذلك»؛ دائرية؛ بيضاوية؛ cape مضلع؛ على شكل نجمة (مع أي عدد من 0 الرؤوس) إلخ. يمكن أن يكون السطح منحنيًا أو dye أو بوليًا أو Gly أو مخروطيًا أو Gh أو
غير ذلك» يمكن أن يكون الاكتئاب قناة بر أو قناة انسيابية.
وفقاً لاستخدامه في الطلب الحالي؛ يشير التعبير "التحميص الصلب "hard baking أو "التحميص
الصلب bake 718:0 إلى الحضانة أو تجفيف صيغة بوليمر لاستخلاص المذيب (ات)؛ حيث تدوم
العملية عادة من حوالي 5 ثواني إلى حوالي 10 دقائق عند درجة Hl تتراوح من حوالي 100 درجة مثوية إلى حوالي 300 درجة مثوية. الأمثلة غير المقيدة على الأجهزة التي يمكن استخدامها
في التحميص الصلب تشتمل الألواح الساخنة.
وفقاً لاستخدامه في الطلب الحالي؛ التعبير "السمة" أو "السمة النانوية" يقصد بها عنصرً Bale
منفصلاً أو ميزة مادية منفصلة من ركيزة. ميزة / ميزة متناهية الصغر تحتوي على ميزة مادية أو
هيكلية مميزة من ركيزة. لذلك؛ تكون السمة lise من ركيزة توفر إمكانية الوصول المادي. تفصل 0 السمة؛ على سبيل المثال؛ بوليمر حيوي biopolymer مترسب على سمة أولى عن بوليمر حيوي
مترسب على السمة الثانية.
وفقاً لاستخدامه في الطلب الحالي؛ التعبير "التحميص الرطب" أو 'تحميص رطب" يشير إلى عملية
حضانة أو تجفيف بوليمر أو صيغة هلام مائي hydrogel لاشتقاق المذيب (ات)؛ حيث تدوم
العملية من حوالي 5 ثواني إلى حوالي 10 دقائق عند درجة حرارة تتراوح من حوالي 60 درجة مئوية 5 إلى حوالي 130 درجة مئوية. تضم الأمثلة غير المقيدة على الأجهزة التي يمكن استخدامها في
التحميبص الرطب على الألواح الساخنة.
بالرجوع الآن إلى الأشكال 1 و2 - 2ه معاء مجموعة من قوالب السيليكون الرئيسية؛ أحدها معين بالرقم 10 يتم وضعه على رقاقة 11 (على سبيل المثال؛ رقاقة سيليكون (silicon wafer ينبغي أن ندرك أنه؛ بعد المعالجة الموصوفة Lad يلي بالنسبة إلى الأشكال 2 - 2ه؛ مجموعة من أختام التشغيل 16 يمكن تشكيلها من رقاقة مفردة 11. ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام مواد أخرى كقالب رئيسي 10؛ مثل؛ معدن؛ مثل؛ على سبيل المثال» نيكل nickel في أحد الأمثلة؛ القالب الرئيسي 10 يكون قالب رئيسي من أكسيد السيليكون. القالب الرئيسي 10 يتضمن مجموعة من السمات النانوية 12 المحددة في الطلب الحالي (الشكل 2). ينبغي أن ندرك أن السمات النانوية يمكن أن يكون لها أي شكل؛ حجم و/ أو هيئة مناسبة. في أحد الأمثلة؛ السمات النانوية 12 تكون في شكل إلى حد بعيد على الأقل متخفضات/ عيون اسطوانية مشكلة من ختم تشغيل مفرد 16"
0 (انظرء على سبيل المثال؛ الشكل 4؛ الجانب الأيسر). وفقاً لأحد الأمثلة على طريقة وفقاً لما تم الكشف عنه؛ يمكن تنظيف وتجفيف القالب الرئيسي 10. بعد ذلك»؛ يتم تريسيب صيغة الطبقة المضادة للالتصاق؛ التي تتضمن مذيب وجزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل؛ على القالب الرئيسي 10 وعلى مجموعة من السمات النانوية 12.
5 ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام أي ude مناسب. في أحد الأمثلة؛ يكون المذيب مذيب عضدوي. في أحد الأمثلة؛ يكون للمذيب نقطة غليان تبلغ حوالي 110 درجة مئوية أو أقل؛ وفي مثال آخرء يكون للمذيب نقطة غليان أقل من حوالي 70 درجة مئوية. في أحد الأمثلة؛ يتم انتقاء المذيب من المجموعة التي تتكون من تتراهيدروفيوران (يكون له نقطة غليان 66 درجة مئوية) وتولوين (يكون له نقطة غليان 110 درجة مئوية). في نماذج أخرى؛ يكون للمذيب نقطة غليان
0 تتراوح بين حوالي 60 درجة مئوية وحوالي 150 درجة مئوية. في أحد الأمثلة؛ يكون الجزيء موجود في صيغة الطبقة المضادة للالتصاق بكمية تبلغ على الأقل حوالي 5 7 بالوزن. في مثال آخرء يكون الجزيء موجود في صيغة الطبقة المضادة للالتصاق بكمية تتراوح من حوالي 5 7 بالوزن إلى حوالي 10 7 بالوزن. في مثال AT كذلك؛ يكون الجزيء موجود في صيغة الطبقة المضادة للالتصاق بكمية تتراوح من حوالي 10 7 بالوزن إلى حوالي 20
5 7 بالوزن. ينبغي أن ندرك oof وفقاً لاستخدامه في الطلب الحالي؛ التعبير "جزيء' الموجود في
صيغة الطبقة المضادة للالتصاق يقصد منه أن يتضمن 1) الجزيء في صورته النقية؛ و/ أو 2)
خليط من الجزيء في صورته النقية مع أوليجومر (أوليجومرات) من الجزيء.
ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام أي طريقة ترسيب مناسبة. في أحد الأمثلة؛ يتم الطلاء المغزلي
لصيغة الطبقة المضادة للالتصاق على القالب الرئيسي 10. في مثال SAT صيغة الطبقة المضادة
للالتصاق يمكن ترسيبها عن طريق عملية ترسيب كيميائي بالبخار. في أمثلة (aT صيغة الطبقة
المضادة للالتصاق يمكن ترسيبها عن طريق أي طلاء بالرش؛ الطلاء بالغمر أو الغمس؛ أو
التوزيع في حوض.
يمكن أن تتضمن الطريقة كذلك إنضاج صيغة الطبقة المضادة للالتصاق؛ وبالتالي تشكيل طبقة
مضادة للالتصاق 14 على القالب الرئيسي 10( الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن الجزيء ( 0 الشكل 2ب). في أحد الأمثلة صيغة الطبقة المضادة للالتصاق يتم إنضاجها حراريا. في بعض
الأمثلة؛ (Ka إجراء الإنلضاج (hall عند درجة حرارة تتراوح من حوالي 60 درجة مئوية إلى
حوالي 220 درجة مئوية. في حين تم تقديم مدى تمثيلي» ينبغي أن ندرك أن درجة حرارة الإنضاج
الحراري يمكن أن تكون أعلى أو أقل؛ بناء على النظام و/ أو المذيب المستخدم. كأمثلة على ذلك؛
يمكن أن يكون مدى درجة الحرارة من حوالي 40 درجة مئوية إلى حوالي 60 درجة مئوية؛ أو من 5 حوالي 220 درجة sie إلى حوالي 240 درجة Agia
يكون القالب الرئيسي 10 الذي به الطبقة المضادة للالتصاق 14 عليه هو القالب الرئيسي؛ يتم
تعيينه بصفة dale بالرقم 10" في الشكل 2ب. قالب القالب الرئيسي 10 يمكن غسله بعد ذلك
بمذيب. تقوم خطوة الغسل بوظيفة إزالة الزائد و/ أو المواد غير المتفاعلة.
الأمثلة على الطبقة المضادة للالتصاق 14 تتضمن جزيء به سيكلو سيلوكسان بمجموعة سيلان 0 نظيفية واحدة على الأقل. في أحد الأمثلة؛ يكون الجزيء:
ولوتمعه نقتت CH; Osi CH, {CH 045 —C Hy —Si 0 بور 0ن بترت زر 0 بي لحن حيتت (CHO, 8 C,H, ّ
في أحد الأمثلة؛ صيغة الطبقة المضادة للالتصاق A) يتم منها تشكيل الطبقة المضادة للالتصاق 4 بعد الترسيب والإنضاج) تتضمن خليط من الجزيء في صورته النقية وأوليجومر (على سبيل المثال» دايمرات dimers وترايمرات (trimers من الجزيء؛ أي؛ صيغة الطبقة المضادة للالتصاق /مادة الطبقة المضادة للالتصاق البادئة يمكن ألا تتألف فقط من جزيئات صغيرة»؛ ولكن بالأحرى؛ يمكن أن تكون خليط من جزيئات صغيرة وأوليجومرات من الجزيء. بعد خطوة إنضاج الطبقة المضادة للالتصاق على القالب الرئيسي؛ يمكن أن تتأثر النسبة الصافية (الجزيء الصغير) إلى الأوليجومر لصالح النوع الأوليجومري. يمكن بدء بلمرة جزيء الطبقة المضادة للالتصاق Wha بدون التقيد بأي نظرية؛ يعتقد أنه يمكن أن يغطي خليط من الجزيئات الخالصة مع الجزيئات الأوليجومرية oligomeric molecules (الجزيئات الأكبر) بصورة أفضل eda كبير من السطح؛ (Say 0 أن delim الجزيئات الأصغر في فجوة (فجوات) أصغر متروكة غير مغطاة بالجزيئات الأوليجومرية. ومع ذلك؛ ينبغي أن ندرك أنه؛ في أمثلة egal يمكن أن تحتويي صيغة الطبقة المضادة للالتصاق على الجزيئات الخالصة بدون الجزيئات الأوليجومرية. في أحد Alia) صيغة الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن كمية من الأوليجومر تتراوح من حوالي 0 7 بالوزن إلى حوالي 35 7 بالوزن» وتتضمن كمية من المركب الخالص تتراوح من حوالي 100 5 بالوزن إلى حوالي 65 7 بالوزن. في مثال آخرء صيغة الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن كمية من الأوليجومر تتراوح من حوالي 20 7 بالوزن إلى حوالي 30 7 بالوزن؛ وتتضمن كمية من المركب الخالص تتراوح من حوالي 80 7 بالوزن إلى حوالي 70 7 بالوزن. في مثال آخر كذلك؛ صيغة الطبقة المضادة للالتصاق تتضمن كمية من الأوليجومر تتراوح من ss 20 7 بالوزن إلى حوالي 23 7 بالوزن» وتتضمن كمية من المركب الخالص تتراوح من حوالي 850 7 بالوزن إلى 0 حوالي 77 7 بالوزن. في مثال AT كذلك؛ تكون صيغة الطبقة المضادة للالتصاق 100 7 بالوزن من المركب الخالص. يعتقد أنه بغض النظر عن تركيبة صيغة الطبقة المضادة للالتصاق sl) 7 بالوزن من الكمية الخالصة مقابل الأوليجومر)؛ سيكون أداء مادة الطبقة المضادة للالتصاق بدون تغيير إلى حد بعيد على الأقل. في أحد الأمثلة باستخدام خليط من من المركب الخالص والمركب الأوليجومري (أي؛ ليس 100 7 5 بالوزن من المركب الخالص)؛ يكون الجزيء موجود في صيغة الطبقة المضادة للالتصاق بكمية
تبلغ حوالي 5 7 بالوزن. في أحد الأمثلة بامستخدام 100 7 بالوزن من المركب الخالص؛ يكون الجزيء موجود في صيغة الطبقة المضادة للالتصاق بكمية تبلغ حوالي 10 7 بالوزن. في أحد الأمثلة غير المقيدة؛ تبين للمخترعين الحاليين أن الجزيء الموجود في صيغة الطبقة المضادة للالتصاق بكمية تبلغ حوالي 5 7 بالوزن للخليط الصافي/ الأوليجومري وعند حوالي 10 7 بالوزن للمادة الصافية كانت بصفة عامة التركيزات الأقل التي يمكن عندها تصنيع أختام التشغيل 6 المتسقة وكانت ناجحة عند الطباعة (المستوى المرغوب فيه من دقة النمط pattern fidelity والخشونة المنخفضة/ المتحكم فيها (يتم شرحها بمزبد من التفصيل Lad يلي)). في هذا (Jal تشير النتائج إلى أنه يم تحقيق اتساق الطبقة المضادة للالتصاق المقبول لنسبة 10/5 7 بالوزن من الصيغ؛ ويالتالي يترتب على ذلك أسطح مطبوعة ملساء أكثر. بالمقارنة؛ يمكن أن يولد التركيز 0 الأقل طلاء "patchy Goal ويترتب عليه خشونة متزايدة. في بعض الأمثلة؛ يتم استخدام النسب المئوية بالوزن أكبر من 5 7 بالوزن للخليط الصافي/ الأوليجومري والنسب المئوية بالوزن أكبر من 0 7 بالوزن للمادة الصافية. ومع ذلك؛ وفقاً لما تم ذكره فيما سبق؛ يمكن أن يولد التركيز الأقل نتائج غير مرغوب فيها. يمكن أن يتفاوت متوسط الرقم ومتوسط الوزن الجزيئي من الجزيء الذي به سيكلو سيلوكسان 5 بمجموعة سيلان وظيفية واحدة على الأقل؛ Wiis oly على النسبة المئوية من المركب الخالص و/ أو الأوليجومر الموجود. كأمثلة على ذلك متوسط رقم الوزن الجزيئي يتراوح من حوالي 1280 إلى حوالي 1600 و/ أو متوسط الوزن الجزيئي يتراوح من حوالي 1800 إلى حوالي 3700. يمكن تكوين تحديدات الوزن الجزيئي dda uly كروماتوجراف إنفاذ الجل gel permeation (GPC) chromatography و/ أو الرنين المغناطيسي النووي nuclear magnetic resonanace (NMR) 0 ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام أي سيكلو سيلوكسانات مناسبة. في أحد الأمثلة؛ يتم انتقاء سيكلو سيلوكسان من المجموعة التي تتكون من سيكلو تترا سيلوكسان؛ وسيكلو هكسا سيلوكسان. ينبغي أن ندرك كذلك أنه من المتوقع مدى واسع من سيكلو سيلوكسانات بأحجام حلقة متنوعة باعتبارها مناسبة للأمثلة من صيغة الطبقة المضادة للالتصاق؛ على سبيل المثال» من 4 إلى 24 5 وحدة تكرار (-[1428:010-) (الوحدات الأكثر شيوعا هي 6 و8 ذرة في الحلقة). ينبغي أن يكون aaa الحلقة تكرار لمحفز Si-O motif ورقم زوجي. كلما أصبح حجم الحلقة أكبر؛ يمكن أن يسود
خليط من الحلقات بأحجام مختلفة؛ ولكن هذا يكون متوقعا كذلك باعتباره مناسب للأمثلة من صيغة
الطبقة المضادة للالتصاق.
في أحد الأمثلة؛ تكون المجموعة (المجموعات) الوظيفية سيلان لجزيء سيكلو سيلوكسان هي
ألكوكسي سيلان ألكيل. في أمثلة أخرى؛ المباعدة فيما بين سيكلو سيلوكسان ومجموعة ألكوكسي ethoxy Sg) alkoxy 5 سيلان يمكن أن تتضمن العديد من المجموعات الكيميائية Jie
مجموعات الأمين؛ الروابط المزدوجة أو AN مجموعات الإسترء وحدات بولي إيثيلين جليكول؛
إلخ في مثال آخر كذلك؛ تكون ألكوكسي سيلان ألكيل تراي إيثوكسي سيلان إيثيل.
ينبغي أن ندرك أن طول المباعدة ينبغي ألا يؤثر على الألفة لألكوكسي سيلان للارتباط بالقالب
الرئيسي 10. تتراوح أطوال المباعدة الأكثر شيوعا بين سلسلة :© ود:0. في بعض الأمثلة؛ تكون
0 مجموعة SS سيلان ميثوكسي سيلان ثلاثية أو أحاديةأو إيتوكسي سيلان ثلاثية أو أحادية؛ أو» في أمثلة أخرى؛ يمكن استخدام كلورو سيلان ثلاثية؛ أو ثنائية أو أحادية. في بعض الأمثلة؛ تكون مجموعة ألكوكسي سيلان مجموعة داي ألكيل ألكوكسي (Plas حيث تكون مجموعات ألكيل مجموعات Crp ألكيل؛ مثل مجموعات ميثيل أو إيثيل. ومع ذلك؛ لا تكون المجموعة النهائية ميثيل سيلان أو إيثيل سيلان» حيث تحتاج أن تحتوي على مجموعة كيميائية يمكن أن تتفاعل مع سطح
القالب الرئيسي 10. في مثال «SAT جزيء الطبقة المضادة للالتصاق يستبعد فلورين. تبين أن جزيئات الطبقة المضادة للالتصاق التي تم الكشف عنها في الطلب الحالي التي تستبعد فلورين لها طاقة سطح مناسبة ل؛ ويترتب عليها ترطيب كافي لمواد ختم تشغيل أخرى غير مركبات معالجة بالفلور (على سبيل المثال؛ مادة أساسها السيليكون 16).
0 يتضمن أحد الأمثلة على الطريقة كذلك ترسيب مادة أساسها السيليكون 16 (لتشكيل ختم تشغيل) على الطبقة المضادة للالتصاق 14 للقالب الأولي 10 ( الشكل 2ج). المقصود بمادة 'أساسها سيليكون" وفقاً لاستخدامها في الطلب الحالي؛ أن المادة تتألف من على الأقل حوالي 50 7 بالمول من جزيئات تحتوي على سيليكون (وحدات مونومر monomer units تكرارية). في أحد الأمثلة؛ Calls المادة التي أساسها سيليكون ختم التشغيل 16 من حوالي 100 7 بالمول من جزيئات تحتوي
5 على سلليكون (وحدات مونومر تكرارية). في مثال آخرء sale ختم Jail) 16 يمكن أن تكون ald يحتوي على سيليكون” (أي؛ بوليمر به أقل من حوالي 50 7 بالمول من جزيئات تحتوي
على سيليكون). في أمثلة أخرى؛ sale ختم التشغيل تشتمل على أكريلات السيليكون. في أمثلة أخرى؛ sale ختم التشغيل تشتمل كذلك على بادئ ضوئي واحد على الأقل. ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام أي طريقة ترسيب مناسبة. الأمثلة على تقنيات الترسيب المناسبة تتضمن الطلاء بالرش؛ الطلاء المغزلي؛ الطلاء بالغمر أو الغمس؛ التوزيع في حوض»؛ إلخ في أحد الأمثلة؛ المادة التي أساسها السيليكون 16 يتم طلاؤها مغزليا على قالب القالب الرئيسي C10 تتضمن الطريقة كذلك إنضاج المادة التي أساسها السيليكون 16؛ Jilly تشكيل ختم تشغيل 16" تتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية 12 ( الشكل 2د)؛ في تلامس مع الطبقة المضادة للالتصاق 14 على مادة السيليكون الأولية 10. في أحد الأمثلة؛ يتم إنضاج مادة ختم التشغيل 16 عن طريق إشعاع بالأشعة فوق البنفسجية (UV) ultraviolet في «AT Jie مادة 0 ختم التشغيل 16 يتم إنضاجها حراريا. في بعض AB) يمكن إجراء الإنضاج الحراري عند درجة حرارة تتراوح من حوالي 60 درجة مئوية إلى حوالي 300 درجة مئوية. وفقاً لاستخدامه في الطلب الحالي؛ التعبير "'تلامس" يمكن أن يضم تلامس مادي بين المكونات. يمكن أن تتضمن الطريقة كذلك إلحاق سطح خلفي بختم التشفغيل 16”. في أحد الأمثلة؛ يمكن وضع غشاء بوليمر يتضمن مادة لاصقة 20 Ae) سبيل المثال؛ بواسطة الطلاء بالاسطوانة roll (coating 5 على مادة ختم التشغيل 16 (قبل إنضاج) بحيث المادة اللاصفة adhesive material تلامس sale ختم التشغيل 16. بعد ذلك عند تعريضها إلى إشعاع الأشعة فوق البنفسجية؛ تنضج كل من sale ختم التشغيل 16 والمادة اللاصقة 20« وبالتالي يلتصق ختم التشغيل 16 بالسطح الخلفي 18. ينبغي أن ندرك أن السطح الخلفي 18 يمكن تشكيله من أي مادة بوليمر مناسبة. في أحد AEN السطح الخلفي 18 يكون غشاء بولي إيثيلين تيريغثاليت polyethylene terephthalate (PET) 0 . الأمثلة الأخرى على السطح الخلفي 18 تتضمن بولي (كلوريد poly(vinyl (Jud (PVC) chloride) وأكسيد بروبيلين propylene oxide (00). في بعض الجوانب؛ تكون السطح الخلفي مرنة. ينبغي أن ندرك كذلك أن المادة اللاصقة يمكن أن تكون أي sale مناسبة قابلة للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية. تتضمن الطريقة كذلك تحرير ختم التشفغيل 16 من القالب الرئيسي 10 ينبغي أن ندرك أن 5 عملية التحرير يمكن أن تكون بأي وسيلة مناسبة. في أحد الأمثلة؛ تكون عملية التحرير بنزع الشريط / تقشير ختم التشغيل المنضج 16” من القالب الرئيسي 10”.
ينبغي أن ندرك أن مادة ختم التشغيل 16 يمكن أن تكون أي مادة تحقق المواصفات التالية. مادة ختم التشغيل 16 ينبغي أن تكون ثابتة ويمكن طلاؤها/ تشكيلها على قالب القالب الرئيسي 10”. المقصود بتعبير ثابت؛ أن يعني بمجرد تصنيعهاء مادة ختم التشغيل 16” ينبغي أن تظل بدون تغيير (بدون انحلال) حتى نهاية استخدامها (دورة الحياة). sale ختم التشغيل 16” ينبغي أن تتحمل التخزين في درجة حرارة الغرفة لمدة شهر واحد على الأقل بعد التصنيع والتعرض المتكرر للأشعة فوق البنفسجية (على سبيل المثال؛ عمليات الطباعة). ينبغي ألا يغير التعرض المتكرر للأشعة فوق البنفسجية من قوة/ رخاوة ale ختم التشغيل 16” بزيادة كثافة الارتباط التشابكي. ينبغي أن تكون مادة ختم التشفغيل 16 الناتجة رخوة/مرنة؛ ولكن مع ذلك ينبغي أن تظهر كذلك خواص ميكانيكية كافية. على سبييل المثال؛ مادة ختم التشغيل 16” ينبغي أن تكون رخوة بدرجة LES 0 لتدعم اللف على mull) أثناء عملية الطباعة (ولكن ليس Call) الكامل حول اسطوانة) والتقشير بعد إنضاج الراتنج؛ ولكن لا ينبغي أن يكون قابل للتمدد بحيث يمكن أن يحافظ على جودة الأبعاد ودقة النمط بين الطبعات. على سبيل المثال؛ مادة ختم التشغيل 16 ينبغي أن تكون مقاومة لتغيير الشكل؛ ومقاومة للتصدع/ التمزق. كمثال على ذلك؛ sale ختم التشغيل 16” ينبغي ألا تبدي تغيير الشكل على الإطلاق لإنتاج أبعاد ذات سمة متسقة. علاوة على ما سبق؛ ينبغي أن يكون لسطح sale 5 ختم التشغيل 22 مستوى مطلوب من خواص السطح المقاوم للالتصاق (على سبيل المثال؛ نسبة إلى الراتنج المطلوب طباعته)؛ مادة ختم التشغيل 16 ينبغي أن تكون ثابتة كيميائيا (وفقاً لما تم وصفه فيما سبق من حيث الثبات)؛ ومادة ختم التشغيل 16” ينبغي أن تكون مقاومة لدرجات كبيرة من الانتفاخ. من حيث خواص السطح؛ ينبغي أن يكون لمادة ختم التشغيل المنضجة 16" شد مناسب عند السطح لتوفير إزالة ناجحة لمادة ختم التشغيل 716 من السطح المطبوع. تكون 0 المقاومة للانتفاخ محددة بالمذيب المستخدم sald ختم التشغيل 16 فضلا عن صيغة الراتنج. Bale ختم التشغيل 16” ينبغي ألا تنتفخ عند أي من خطوة تصنيع ختم التشغيل أو خطوة الطباعة. يمكن
أن يترتب على الانتفاخ تغييرات في حجم سمة أو بعد. في أحد الأمثلة؛ ختم التشغيل القائم على سيليكون 16” يكون مصنوع من مونومرات أكريلات سيليكون بوليمرية gl) 100 7 بالمول من جزيئات تحتوي على سيليكون» مصنوع من مونومر 5 مفرد: يكون بوليمر متجانس (homopolymer وهذا من شأنه أن يمنع عدم تجانس البوليمر
النهائي Ae) سبيل المثال؛ يمكن أن يترتب على البوليمر المشترك copolymer فصل shall «phase segregation تدرج في سلسلة البوليمر). في مثال آخرء ختم التشغيل الذي تم تحريره 16 يكون خاليا إلى حد بعيد على الأقل (أي؛ خاليا أو خاليا إلى حد بعيد) من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق. بدون التقيد بأي نظرية؛ يعتقد أنه لا ينبغي أن يحدث أي نقل لجزيء الطبقة المضادة للالتصاق أثناء عملية تصنيع مادة ختم التشغيل 6 (أي؛ خالي من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق)؛ las لأنه ينبغي أن يكون قد تم كشط أي زيادة من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق غير المتفاعل قبل تصنيع مادة ختم التشغيل الأولى 6. في حالة انتقال أي من الجزيء؛ يعتقد أنه يمكن أن يكون على مستوى أجزاء بالمليون على «SYS وبالتالي مادة ختم التشغيل 16" يمكن أن تكون إلى حد بعيد خالية من جزيء الطبقة 0 المضادة للالتصاق. تبين للمخترعين الحاليين أن انتقاء مواد الطبقة المضادة للالتصاق وختم التشغيل يعد هاما لتصنيع فعال لختم التشغيل. ينبغي أن يوجد تطابق طاقة سطح مناسب بين المادة الرئيسية المطلية بالطبقة المضادة للالتصاق (القالب الرئيسي 10”) ومادة ختم التشغيل 16. ينبغي أن يتيح هذا حينئذ كل من ترطيب مناسب للسطح وفصل فعال للختم. ينبغي كذلك الحصول على قوة/ تكامل الختم من 5 خلال الطبعة بانتقاء مادة التي ختم التشغيل تلبي المواصفات المذكورة عاليه. الأمثلة على مواد الطبقة المضادة للالتصاق 14 التي تم الكشف عنها في الطلب الحالي تسمح باستخدام مادة ختم التشغيل أساسها سيليكون في عملية آلية؛ مع الترطيب الجهازي الكافي؛ وفصل سلس لمادة ختم التشغيل 16” من القالب الرئيسي 10”؛ وطبعة عالية الجودة (مستوى مطلوب من دقة النمط وخشونة السطح المنخفضة)؛ باستخدام عملية طباعة حجرية بطباعة النانو. ينبغي أن 0 ندرك أن الترطيب المناسب وتحرير الختم لا يؤدي دائما إلى جودة طبعة مرغوب فيها. بناء عليه؛ تم اختبار الأمثلة على مواد الطبقة المضادة للالتصاق التي تم الكشف عنها في الطلب الحالي (إذا كانت ناجحة من خلال تصنيع sale ختم التشغيل 16 )؛ ويتم توثيقها مع خطة اختبار طبعة. وفقاً للأمثلة على الكشف الحالي؛ يمكن اعتبار كل من المركبات البوليمرية وجزيئات صغيرة لمادة الطبقة المضادة للالتصاق 14. 5 ينبغي أن ندرك أن مادة الطبقة المضادة للالتصاق 14 يمكن أن تكون أي مادة تحقق المواصفات التالية. ينبغي أن تكون مادة الطبقة المضادة للالتصاق 14 مركب يكون ثابت Wiha (لمقاومة
التحميص). مادة الطبقة المضادة للالتصاق 14 ينبغي أن تكون كذلك مركب ثابت تجاه الأشضعة فوق البنفسجية (على سبيل (Jl) لمقاومة عمليات تصنيع مادة ختم التشغيل 16” المتكررة). ينبغي أن تقاوم مادة الطبقة المضادة للالتصاق 14 المطلية على مادة السيليكون الأولية حوالي على الأقل 1 شهر بعد طلائها عند درجة حرارة الغرفة (على سبيل المثال» درجة الحرارة في نطاق الأداة) وتدعم التعرض المتكرر للأشضعة فوق البنفسجية (أي؛ عملية تصنيع sale ختم التشغيل 6 ينبغي أن تظهر مادة الطبقة المضادة للالتصاق زاوية تلامس ثابتة أعلى من حوالي 80" ( باستخدام الماء). في أحد الأمثلة؛ زاوية التلامس الثابتة تتراوح من حوالي 80" إلى حوالي 110“ ( باستخدام الماء). علاوة على ما سبق؛ في أحد الأمثلة؛ يكون هناك تطابق طاقة السطح بين القالب الرئيسي المطلي بالطبقة المضادة للالتصاق 10” sales ختم التشغيل 16. وفقاً لاستخدامه في 0 الطلب الحالي؛ يمكن اعتبار طاقة السطح في "تطابق" عندما تكون زاوية التلامس الثابتة (باستخدام الماء) لمادة الطبقة المضادة للالتصاق 14 في نطاق حوالي +/- 10 درجة من زاوية التلامس الثابتة (باستخدام الماء) لمادة ختم التشغيل 16. يمكن تحقيق تطابق طاقة سطح مناسب» على سبيل المثال؛ عندما يكون للقالب الرئيسي المطلي بالطبقة المضادة للالتصاق 10" متوسط زاوية تلامس يبلغ حوالي 90" (باستخدام الماء) ومادة ختم التشغيل 16 يكون لها متوسط زاوية تلامس 5 يتراوح من Joa 95" إلى حوالي 100" (باستخدام الماء). تكون زوايا التلامس التي تم الكضف عنها في الطلب الحالي قياسات/ قيم تم تجميعها من سطح متواصل؛ وليس من مساحة نمطية. بالرجوع الآن إلى الأشكال 3 - 3ه؛ يتم توضيح أحد الأمثلة على طريقة باستخدام أحد الأمثلة على ختم التشغيل 16”. يتم توفير ركيزة/ حامل 24 وفقاً لما هو موضح في الشكل 3ا. في أحد الأمثلة؛ الركيزة 24 تكون 0 من زجاج. ومع dd ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام أي ركيزة مناسبة. على سبيل (Jal) تتضمن بعض الأمثلة على الركائز المناسبة 24 الركائز التي أساسها السيليكا دعناذه؛ Jie الزجاج؛ السيليكا المدمجة والمواد الأخرى التي تحتوي على سيليكا. في بعض الأمثلة؛ يمكن كذلك اختيار الركائز التي أساسها سيليكون من سيليكون؛ سيليكون معدل «modified silicon ثاني أكسيد السيليكون esilicon dioxide نيتريد السيليكون esilicon nitride وهيدرات السيليكون silicon hydrides 5 ينبغي أن ندرك أنه في أمثلة أخرى؛ يمكن اختيار sale الركيزة 24 من مواد بلاستيك/ بوليمرية» على سبيل المثالء أكربليكس «acrylics بولي يلين «polyethylene بولي
ستيرين polystyrene وبوليمرات مشتركة من ستيرين ومواد «GAT بولي (كلوريد فينيل)؛ بولي بروبيلين <polypropylene بولي بيوتيلين polybutylene مواد نايلون nylons بولي إسترات polyesters بولي كريونات epolycarbonates وبولي (ميثيل ميث أكريلات) poly(methyl methacrylate) مركبات بولي يوريثان polyurethanes بولي تترا فلورو إيثيلين ®TEFLON is) (PTFE) polytetrafluoroethylene 5 من (Chemours » ألفينات حلقية/بوليمرات ألفينات حلقية (COP) cyclic olefins/cyclo-olefin polymers أو ألفينات حلقية/بوليمرات مشتركة ألفينات حلقية ®ZEONOR Jis) (COC) cyclic olefins/cyclo-olefin copolymers من «(Zeon بولي إيميدات «polyimides إلخ). في أحد AY) يتم اختيار مادة الركيزة البوليمرية polymeric substrate من بولي (ميثيل ميث أكريلات)؛ بولي ستيرين؛ وركائز من بوليمر ألفين حلقي. في 0 مثال آخرء الركيزة 24 يكون لها سطح واحد على الأقل يكون زجاج؛ زجاج معدل» أو زجاج وظيفي. تتضمن مواد الركيزة المناسبة (GAY) كذلك الخزف (a SI ceramics أنواع الزجاج غير العضوي «inorganic glasses وحزم الألياف الضوئية optical fiber في حين تم تقديم العديد من الأمثلة؛ إلا أنه ينبغي أن ندرك أنه يمكن استخدام أي ركيزة/ dala مناسب CAT في بعض الأمثلة الأخرى؛ يمكن أن تكون الركائز من معدن. في أحد الأمثلة؛ يكون المعدن ذهب 10مع. في بعض الأمثلة؛ الركيزة 24 يكون لها سطح واحد على الأقل يكون أكسيد فلز metal -oxide في أحد الأمثلة؛ يكون السطح أكسيد تنتالوم tantalum oxide أو أكسيد ا titanium 086 . ينبغي أن ندرك أنه يمكن كذلك استخدام أكربلاميد cacrylamide إينون (8»0-كريونيل غير مشبع) enone (a,B-unsaturated carbonyl) أو يمكن كذلك استخدام أكريلات acrylate كمادة ركيزة. يمكن أن تتضمن مواد الركيزة GAY) زرنيخ جاليوم (GaAs) gallium arsenide أكسيد 0 قصدير إنديوم indium tin oxide (110) فوسفيد إنديوم «indium phosphide ألومنيوم مسسمتصتله؛» الخزف» بوتي إيميد «polyimide كوارتز «quartz راتنجات resins أريل أزيد aryl azide بوليمرات ويوليمرات مشتركة. في بعض الأمثلة» يمكن أن تكون الركيزة 24 و/ أو سطح الركيزة 5 كوارتز. في بعض الأمثلة الأخرى » الركيزة 24 و/ أو سطح الركيزة 5 يمكن أن يكون شبه موصل «semiconductor على سبيل المثال؛ زرنيخ جاليوم او أكسيد قصدير إنديوم.
يمكن أن تتضمن الركائز التمثيلية مادة واحدة أو مجموعة من المواد المختلفة. في مثال AT يمكن أن تكون الركائز مواد مركبة أو صفائحية. في مثال AT كذلك؛ يمكن أن تكون الركائز مسطحة ومستديرة. الطريقة التمثيلية من استخدام ختم التشغيل 16 يمكن أن تتضمن كذلك ترسيب طبقة الالتصاق/ الأولية 26 على السطح 8 للركيزة/ الحامل 24( وفقاً لما هو موضح في الشكل 3ب. ينبغي أن تضم المركبات المناسبة لطبقة الالتصاق/ ١ لأولية adhesion/prime layer 26 اثنتين من المجموعات الوظيفية: إحداها delim مع سطح الركيزة 5 وواحدة تتفاعل مع راتنج طباعة حجرية لطبعة 28. المجموعة التي تتفاعل مع السطح 8 يمكن أن تكون» على dau المثال» مجموعة ألكوكسي سيلان؛ مثل ثلاثي أو أحادي ميثوكسي سيلان أو ثلاثي أو أحادي إيثوكسي سيلان؛ أو 0 ثلاثي؛ ثنائي أو أحادي كلوروسيلان tchlorosilane أو مجموعة داي ألكيل ألكوكسي سيلان. المجموعة التي تتفاعل مع الراتنج 28 يمكن أن تكون»؛ على سيل المثال» مجموعة (Soul مجموعة «gal مجموعة هيدروكسيل أو مجموعة حمض كربوكسيلي. يمكن أن يكون هيكل من الجزيء الرابط ل 2 من المجموعات التفاعلية له أي طبيعة. الطريقة التمثيلية من استخدام ختم التشغيل 16” تتضمن ترسيب pul) طباعة حجرية لطبعة (على 5 سبيل المثال؛ قابل للنضج equally (عند استخدام إنضاج بالأشعة فوق البنفسجية) الطباعة الحجرية لطبعة نانوية راتنج بوليمري) 28 على الحامل 24 ( الشكل 3ج). بعد التحميص اللين للراتتج 28 لإزالة المذيب الزائد؛ ختم التشغيل 16" يتم ضغطها مقابل طبقة الراتنج 28 لإنشاء طبعة على gull 28 بحيث يتم alin طبقة mull 28 أو تثقيبها بالأسنان sald ختم التشفضغيل 16 (الشكل 3د). تتضمن الطريقة كذلك إنضاج الراتنج 28 Jo) سبيل المثال» بتعريض الراتنج 28 إلى 0 إشعاع بالأشعة فوق البنفسجية). في مثال (Sac AT استخدام إنضاج حراري. بالنسبة لعملية الإنضاج المدار حرارياء يمكن أن تصل درجة الحرارة إلى 550 درجة gia والقوة المسلطة على الراتتج 28 ( من sale ختم التشغيل 16( يمكن أن تصل إلى 360 كيلو نيوتن. بالنسبة للمواد الرخوة التي تم الكشف عنها في الطلب الحالي؛ يمكن استخدام درجة حرارة JB وضغط أقل. بعد الإنضاج؛ يتم تحرير ختم التشغيل 16 وبالتالي تشكيل سطح توالي نمطي 30 (يتضمن 5 الوظائف الكيميائية 32؛ أو الذي تتم إضافة الوظائف الكيميائية إليه 32 في خطوة تالية؛ انظر الشكل 4) له انتساخ لمجموعة من السمات النانوية بالمادة الرئيسية 10 12 فيه (الشكل 3م)؛
تحديد العيون/ المنخفضات 31. وفقاً لاستخدامه في الطلب (adh التعبير 'سطح توالي" يشير إلى سطح يمكن أن يحمل كيمياء سطح توالي جينية (على سبيل (Joa) البنية المتوسطة 34 ويادئات التضخيم 36). الركيزة 24 التي لها سطح gill النمطي 30 عليها يمكن تعريضها لمزيد من تسخين الإنضاج/التحميص الصلب لاستكمال الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية وللتثبيت في الهيئة المطبوعة «imprinted topography بعض AEN يمكن إجراء تسخين الإنضاج/التحميص الصلب عند درجة حرارة تتراوح من حوالي 60 درجة مئوية إلى حوالي 300 درجة مئوية. في بعض الأمثلة؛ المجموعات الوظيفية (YX) للوظائف الكيميائية 32 ( الشكل 4) تكون في نطاق سطح العين لخلية التدفق و/ أو تكون في نطاق المنطقة الخلالية في تلامس مع لمعة قناة 0 خلية التدفق. المجموعات الوظيفية (YX) يمكن أن تكون متاحة لمزيد من إحداث الوظائف لالتقاط حمض النووي الريبي منقوص الأكسجين القيباسي single stranded deoxy jell ¢(ssDNA) ribonucleic acid إذا لزم الأمرء لإجراءات عمل متوالية من حمض النووي الرببي منقوص الأكسجين. يمكن أن تتضمن عملية تعيين الوظائف هذه أو لا تتضمن الالتقاط الانتقائي لمادة حاملة من البوليمر (على سبيل المثال؛ بولي (18-(5-أزيدو أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد.- «(PAZAM) poly(N-(5-azidoacetamidylpentyl)acrylamide-co-acrylamide rw Shco 5 يتم شرحها بمزيد من التفصيل فيما يلي) إلى سطح عين خلية التدفق 30 المجموعات الوظيفية (YX) يمكن كذلك أو بصورة بديلة أن تقوم بوظيفة نقطة تثبيت لمزيد من التعديل. في أحد الأمثلة؛ سطح التوالي 30 يكون خاليا إلى حد بعيد على الأقل (أي؛ خاليا أو خاليا إلى حد بعيد ) من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق (على سبيل المثال» وفقاً لما تم ذكره عاليه بالنسبة إلى 0 ختم التشغيل C16 لا يكون أي من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق على سطح التوالي 30 (خالي من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق)؛ أو إن انتقل أي من الجزيء؛ يعتقد أنه يمكن أن يكون على مستوى أجزاء بالمليون على الأكثر. علاوة على ما سبق؛ يكون سطح التوالي 30 بكيمياء سطح توالي جينية عليه إلى حد بعيد كذلك على الأقل خالي من جزيء الطبقة المضادة للالتصاق. 5 في أحد الأمثلة على طريقة لاستخدام سطح التوالي 30 يتم ترسيب بنية متوسطة 34 في العيون 1. يمكن أن تكون العيون 31 عيون دقيقة (لها بعد واحد على الأقل على مقياس ميكروي؛ على
Jor المثال؛ حوالي 1 ميكرو متر إلى حوالي 1000 ميكرو متر) أو عيون نانوية (لها بعد واحد على الأقل على مقياس نانوي؛ على سبيل المثال؛ حوالي 1 نانو متر إلى حوالي 1000 نانو متر). (Ka توصيف كل عين 31 بحجمهاء مساحة dah العين؛ العمق؛ و/ أو القطر. كل عين 31 يمكن أن يكون لها أي حجم يمكن أن يضم سائل. يمكن انتقاء أقصى أو أدنى حجم؛ على سبيل (Ji) بحيث يستوعب دفق الإنتاج Jo) سبيل (ie lal) (JU الانحلال» تركيبة ناتج الانحلال؛ أو تفاعلية ناتج الانحلال المتوقعة للاستخدامات البعدية لسطح التوالي 30. على (Jad) da يمكن أن يكون الحجم حوالي على الأقل 10*71 * ميكرو متر © حوالي 10*1 2 ميكرو متر *» حوالي 0.1 ميكرو متر © حوالي 1 ميكرو Fie حوالي 10 ميكرو متر 3» حوالي 0 ميكرو متر © أو أكثر. بصورة بديلة أو بصورة إضافية؛ يمكن أن يكون الحجم على الأكثر 0 حوالي 1071 * ميكرو متر 3 حوالي 10*71 ميكرو متر *؛ حوالي 100 ميكرو sie حوالي 0 ميكرو متر © حوالي 1 ميكرو متر © حوالي 0.1 ميكرو متر "» أو أقل. ينبغي أن ندرك أن البنية المتوسطة 34 يمكن أن تملاً جميع أو جزءِ من حجم العين 31. حجم البنية المتوسطة 34 في العين الواحدة 31 يمكن أن تكون أكبر منء أو أقل من أو بين القيم المحددة عاليه. المساحة التي تشغلها كل فتحة عين على سطح ما يمكن انتقاؤها بناء على معايير مماثلة لتلك 5 المذكورة عاليه لحجم العين. على سبيل المثال؛ المساحة لكل فتحة عين على سطح ما يمكن أن تكون حوالي على الأقل 1071 * ميكرو متر © حوالي 10*71 * ميكرو متر @ حوالي 0.1 ميكرو Fe حوالي 1 ميكرو متر © حوالي 10 ميكرو Fie حوالي 100 ميكرو متر © أو أكثر. بصورة بديلة أو بصورة إضافية؛ يمكن أن تكون المساحة على الأكثر حوالي 10*1 3 ميكرو متر حوالي 100 ميكرو متر & حوالي 10 ميكرو متر @ حوالي 1 ميكرو متر & حوالي 0.1 0 ميكرو متر 2 حوالي 10*1 * ميكرو ie أو أقل. يمكن أن يكون عمق كل عين 16” حوالي على الأقل 0.1 ميكرو مترء حوالي 1 ميكرو مترء حوالي 10 ميكرو مترء حوالي 100 ميكرو مترء أو أكثر. بصورة بديلة أو بصورة إضافية؛ يمكن أن يكون العمق على الأكثر حوالي 10*71 3 ميكرو مترء حوالي 100 ميكرو مترء حوالي 10 ميكرو مترء حوالي 1 ميكرو sie حوالي 0.1 ميكرو مترء أو أقل. 5 في بعض الحالات؛ يمكن أن يكون قطر كل عين 16 حوالي على الأقل 50 نانو sie حوالي 1 ميكرو مترء حوالي 0.5 ميكرو متر؛ حوالي 1 ميكرو fe ¢ حوالي 10 ميكرو مترء حوالي
— 2 7 — 0 ميكرو مترء أو أكثر. بصورة بديلة أو بصورة إضافية؛ يمكن أن يكون القطر على الأكثر حوالي 1071 3 ميكرو Jos «ia 100 ميكرو مترء حوالي 10 ميكرو متر؛ حوالي 1 ميكرو مترء حوالي 0.5 ميكرو «ie حوالي 0.1 ميكرو مترء حوالي 50 نانو مترء أو أقل. في سطح التوالي 30 البنية المتوسطة 34 يتم وضعها في كل واحدة من العيون المتميزة 31. يمكن تحقيق وضع البنية المتوسطة 34 في كل عين 31 بطلاء أولا السطح النمطي 30 بالبنية المتوسطة 34؛ وبعد ذلك إزالة البنية المتوسطة 34؛ على سبيل المثال عن طريق الصقل الكيميائى أو الميكانيكي؛ من على الأقل المناطق الخلالية 33 على السطح 30 بين العيون 31. تحتفظ هذه العمليات على الأقل ببعض البنية المتوسطة 34 في العيون 31 ولكن تزيل أو توقف نشاط إلى حد بعيد على الأقل جميع البنية المتوسطة 34 من المناطق الخلالية 33 على السطح 30 بين العيون 0 31. بناء cade تشكل هذه العمليات حشيات جل 34 ( الشكل 4) مستخدمة لعمل التوالي الذي يمكن أن يكون ثابتا على مدى تشغيلات التوالي بعدد كبير من الدورات. تتوافق البنيات المتوسطة المفيدة 34 على وجه الخصوص مع شكل الموضع الذي تستقر فيه. يمكن لبعض البنيات المتوسطة المفيدة 34 كل من (أ) أن تتوافق مع شكل الموضع (على سبيل (JU) العين 31 أو سمة مقعرة أخرى) الذي تستقر فيه و(ب) يكون لها حجم لا يتجاوز إلى حد 5 بعيد على الأقل حجم الموضع الذي تستقر فيه. فى أحد الأمثلة؛ البنية المتوسطة تكون طلاء بوليمر/ جل. إن أحد الأمثلة على مادة جل مناسبة للبنية المتوسطة 34 يتضمن بوليمر له وحدة تكرار لها الصيغة (I) : 0 hl NH (nr 0 NH NIL,
Sr 0) R! R> حيث: 0 ل8 تكون 11 أو ألكيل بها استبدال اختياريا؛
RA يتم انتقاؤها من المجموعة التي تتكون من أزيدو؛ أمينو بها استبدال اختياريا؛ ألكنيل بها استبدال اختياريا» هيدرازون بها استبدال اختياريا» هيدرازين بها استبدال اختياريا» كريوكسيل؛ هيدروكسي؛ تترازول بها استبدال اختيارياء تترازين بها استبدال اختيارياء أكسيد نيتريل؛ نيترون؛ وثيول؛ 85 يتم انتقاؤها من المجموعة التي تتكون من H وألكيل بها استبدال اختياريا؛ كل واحدة من -م(:011)- يمكن أن يكون بها استبدال اختياريا؛ م( تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 50؛ « تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 50,000؛ و «« تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 100,000. 0 يتم وصف البوليمرات المناسبة كما الصيغة (1)؛ على سبيل المثال» في منشور البراءة الأمريكية أرقام 0079923/2014 أ1؛ أو 170005447/2015( يتم إدراج كل منها في الطلب الحالي كمرجع بمجملها). وفي بنية الصيغة (؛ بمقدور الشخص المتمرس في المجال أن يدرك أن الوحدات الفرعية "0" و0" تمثل وحدات فرعية للتكرار تكون موجودة في ترتيب عشوائي في سائر البوليمر. 5 يكين المثال المحدد على طلاء البوليمر Jie الصيغة (I) هو بولي (18-(5-أزيدو أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد-0»-أكريلاميد؛ الموصوف؛ على سييل المثال» في منشور البراءة الأمريكية أرقام 110079923/2014< أو 110005447/2015 » الذي يشتمل على الصيغة البنائية الموضحة أدناه: YN
NH
0 4 oy حيث « تكون عدد صحيح في المدى الذي يتراوح من 20,000-1 و« تكون عدد صحيح في المدى الذي يتراوح من 100,000-1. كما هو الحال مع الصيغة )1( فإن الشخص ذو المهارة
العادية في المجال ليدرك أن الوحدات الفرعية "mn" هي وحدات تكرار تكون موجودة في ترتيب عشوائي في سائر الصيغة البنائية للبوليمر. الوزن الجزيئي للصيغة )1( للبوليمر أو بوليمر بولي (18-(5- أزيدو أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد.- »-أكريلاميد يمكن أن تتراوح من حوالي 10 كيلو دالتون إلى 1500 كيلو دالتونء أو يمكن أن تكون في مثال محدد؛ حوالي 312 كيلو دالتون. في بعض الأمثلة؛ الصيغة () أو بوليمر بولي (17-(5- أزبدو أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد-0م- أكريلاميد تكون بوليمر خطي. في بعض الأمثلة الأخرى؛ الصيغة (I) أو بوليمر بولي (18-(5- su) أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد-0©-أكريلاميد تكون بوليمر مرتبط تشابكيا بدرجة خفيفة. في أمثلة أخرى؛ الصيغة )1( أو بوليمر بولي N) )535-5 أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد-0»-أكريلاميد 0 يشتمل على تفرع. الأمثلة الأخرى على مواد الجل المناسبة للصيغة البنائية المتوسطة 34 تتضمن تلك التي لها بنية غروية (ie «colloidal structure أجاروز agarose أو بنية مش للبوليمر polymer mesh estructure مثل جيلاتين tgelatin أو بنية بوليمر مرتبطة dhe LL بولي أكربلاميد polyacrylamide بوليمرات وبوليمرات مشتركة؛ أكريلاميد خالي من السيلان silane free lil) (SFA) acrylamide 5 على سبيل (JUN منشور طلب البراءة الأمريكية رقم 1 الذي يتم إدراجه في الطلب الحالي كمرجع بمجمله)؛ أو نسخة محللة بأزيدو من أكريلاميد خالي من السيلان. الأمثلة على بوليمرات بولي أكريلاميد مناسبة يمكن تشكيلها من أكريلاميد وحمض اكريليك acrylic acid أو حمض اكربليك يحتوي على de gana فينيل Gay vinyl لما تم وصفه؛ على سبيل المثال؛ في الطلب الدولي رقم 031148/2000 (مدرج في الطلب الحالي 0 كمرجع بمجمله) أو من المونومرات التي تشكل [2+2] تفاعلات إضافة ضوء سيكلو؛ على سبيل المثال» وفقاً لما تم وصفه في براءة الاختراع الدولية رقم 001143/2001 أو الطلب الدولي رقم JS) 0014392/2003 منهما يتم إدراجه في الطلب الحالي كمرجع بمجمله). تكون البوليمرات المناسبة الأخرى بوليمرات مشتركة من أكريلاميد خالي من السيلان وأكريلاميد خالي من السيلان مشتقة مع مجموعة برومو-أسيتاميد Ae) brome-acetamide سبيل المثال؛ 17-[5-(2-برومو أسيتيل) أمينو بنتيل]أكريلاميد «((BRAPA) N-{5-(2-bromoacetyl} aminopentyljacrylamide
أو بوليمرات مشتركة من أكريلاميد خالي من السيلان وأكريلاميد خالي من السيلان مشتقة باستخدام
مجموعة أزيدو-أسيتاميد.
يمكن أن تكون البنية المتوسطة 34 مادة جل مسبقة التشكيل. يمكن طلاء مواد الجل مسبقة
التشكيل باستخدام الطلاء المغزلي؛ أو الغمرء أو تدفق الجل تحت ضغط موجب او سالب؛ أو التقنيات المذكورة في البراءة الأمريكية رقم. 39,012,022 يتم إدراجه في الطلب Sal
كمرجع بمجمله. الغمر أو الطلاء بالغمر يمكن أن تكون تقنية ترسيب انتقائية؛ تعتمد على السطح
0 والبنية المتوسطة 34 المستخدمة. كمثال على ذلك؛ يتم غمر السطح 30 في مادة جل مسبقة
التكوين 34؛ ومادة الجل 34 يمكن أن تملا أو تترسب في العيون 31 انتقائيا (أي؛ sale الجل 34
لا تترسب على المناطق الخلالية 33( والصقل (أو عملية إزالة أخرى) قد لا تكون ضرورية.
يمكن طلاء البوليمر مسبق التشكيل أو بولي (18-(5- أزيدو أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد-0م- أكريلاميد على السطح 30 باستخدام؛ على سبيل المثال؛ الطلاء المغزلي؛ أو الغمرء أو تدفق الجل تحت ضغط موجب او سالب؛ أو التقنيات المذكورة في البراءة الأمريكية رقم 9.012.022. إلحاق البوليمر أو بولي (17-(5-أزيدو أسيتاميديل بتتيل )أكريلاميد-0©-أكريلاميد يمكن أن يحدث كذلك عن طريق بلمرة بشق تقل ذرة يبدأ عند surface initiated atom transfer radical hull
(SI-ATRP) polymerization 15 إلى سطح معالج بالسيلان. في هذا JU يمكن المعالجة المسبقة للسطح 30 باستخدام أيه بي تي اس APTS (ميثوكس أو إيثؤكسي سيلان) لربط السيليكون تساهميا بواحدة أو أكثر من ذرات الأكسجين على السطح (بدون قصد التقيد AVL يمكن ربط كل سيليكون بواحدة أو اثنتين أو ثلاث ذرات أكسجين (oxygen ويتم تحميص هذا السطح المعالج كيميائيا لتشفكيل طبقة أحادية من مجموعة أمين group monolayer عصتصصه. بعد ذلك يتم تفاعل
0 مجموعات الأمين مع سلفو-اتش أيه اس بي Sulfo-HSAB لتشكيل مشتق أزيدو. يولد تنشيط بالأشعة فوق البنفسجية عند 21 درجة مئوية مع 1 جول/ سم * إلى 30 جول/ سم من الطاقة نوع نيترين هوا نشط يمكن أن يخضع بسهولة لمجموعة متنوعة من تفاعلات الإدراج ببولي (17-(5-أزيدو أسيتاميديل بنتيل )أكريلاميد-0- أكربلاميد. يتم وصف الأمثلة الأخرى على طلاء البوليمر أو بولي (11-(5- أزيدو أسيتاميديل بنتيل
25 )أكريلاميد-ه»-أكريلاميد على السطح 30 في je die طلب البراءة الأمريكية رقم 4 الدذي يتم إدراجه في الطلب الحالي كمرجع بمجمله)»؛ ويتضمن ربط مونومرات
بولي (17-(5-أزيدو أسيتاميديل بنتيل)أكريلاميد-0»-أكريلاميد الذي يتوسط فيه الأشعة فوق البنتفسجية بسطح وظيفي أمين» أو تفاعل ربط حراري يتضمن مجموعة نشطة (كلوريد أكريلويل acryloy! chloride أو ألكين atkene آخر أو جزيء يحتوي على ألكين (alkyne مع الترسيب Jul لبولي (18-(5- أزيدو أسيتاميديل بنتيل)أكريلاميد-0»-أكريلاميد وتسليط الحرارة. في بعض الأمثلة؛ يتم تعديل السطح 30 بمجموعات ألكنيل أو سيكلو ألكنيل» يمكن بعد ذلك أن تتفاعل مع بوليمرات أزبدو -وظيفية مثل بولي (11-(5-أزيدو أسيتاميديل بنتيل)أكريلاميد -0»-أكريلاميد أو تلك التي تشضتمل على أزيدو-مشتقة أكريلاميد خالي من السيلان؛ تحت ظروف مثل كيمياء النقرء لتشكيل روابط تساهمية بين السطح المعدل والبوليمر. البنية المتوسطة 34 يمكن أن تكون سائل يشكل بعد ذلك مادة الجل 34. أحد الأمثلة على وضع
0 السائل الذي يشكل بعد ذلك مادة الجل 34 تكمن في طلاء مصفوفة من العيون 31 بأكريلاميد خالي من السيلان و17-[5-(2-برومو أسيتيل) أمينو بنتيل]أكريلاميد في صورة سائلة والسماح لمواد التفاعل بتشكيل جل ببلمرة على السطح. يمكن أن يستخدم طلاء مصفوفة بهذه الطريقة مواد التفاعل الكيميائي وإجراءات كالمذكورة في منشور طلب البراءة الأمريكية رقم 0059865/2011. يمكن ربط البنية المتوسطة 34 تساهميا بالسطح 30 (في العيون 31) أو يمكن ألا ترتبط تساهميا
5 بالسطح 30. الريط التساهمي للبوليمر بالعيون 31 مفيد في المحافظة على البنية المتوسطة 34 في العيون 31 طوال مدة استخدام السطح 30 أثناء تنوع الاستخدامات. ومع ذلك؛ كما لاحظنا عاليه Ag كثير من الأمثلة؛ لا تحتاج البنية المتوسطة 34 أن تكون مرتبطة تساهميا بالعيون 31. على سبيل JB أكريلاميد خالي من السيلان؛ أكريلاميد خالي من السيلان؛ لا يكون Gale تساهميا على أي oa من السطح 30.
0 في المثال من الطريقة لاستخدام السطح 30؛ يمكن تطعيم بادئات التضخيم 36 عن طريق أي طريقة مناسبة على البنية المتوسطة 34 الموجودة في العيون 31 (أي؛ في الانتساخ لمجموعة من السمات النانوية 12). في بعض الأمثلة؛ تشتمل بادئات التضخيم على المجموعات الوظيفية (مثل مجموعات ألكينيل أو مجموعات ثيو فوسفات (thiophosphate التي يمكنها التفاعل مع المجموعات الوظيفية في البنية المتوسطة 34 (مثل مجموعات أزيدو) لتشكيل روابط تساهمية.
5 تتوضيح الكشف all بصورة إضافية؛ يتم تقديم الأمثلة في الطلب الحالي. ينبغي أن ندرك أنه يتم تقديم هذه الأمثلة لأغراض توضيحية وهي لا تعد مقيدة لمجال الكشف الحالي.
الأمثلة
المثال 1
تم استخدام (41- تترا -تراي إيثوكسي سيلان إيثيل D4-Tetra-ethyl triethoxysilane كمثال على
مادة الطبقة المضادة للالتصاق. تكون 40- تترا-تراي إيثوكسي سيلان إيثيل أوكتا ميثيل سيكلو تترا سيلوكسان octamethyleyclotetrasiloxane يتم فيها استبدال مجموعة ميثيل واحدة عند كل
موضع سيليكون بمجموعة (تراي إيثوكسي سيليل) إيثيل -1رط010010«/911(61). تم استخدام Bale
بوليمرية dallas بالفلورين fluorinated polymeric material كمادة الطبقة المضادة للالتصاق
مقارنة. تم إدراج مادة الطبقة المضادة للالتصاق التمثيلية في صيغة تحتوي على حوالي 5 7
بالوزن من المادة في تتراهيدروفيوران.
0 قوالب السيليكون الرئيسية؛ كل منها تضمن مجموعة من السمات بحجم النانو المحددة في الطلب الحالي؛ تم طلاؤها على التوالي بمادة الطبقة المضادة للالتصاق ومادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة. مادة الطبقة المضادة للالتصاق ومادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة تم إنضاجها حراريا وتم غسلها بالمذيب. نفس النوع من راتنج ختم التشغيل؛ المشكل من مونومرات أكريلات السيليكون؛ تم طلاؤه مغزليا
5 على كل واحد من قوالب مطلية بالسيليكون الرئيسية» وتم تعريضها للأشعة فوق البنفسجية (إنضاج بالأشعة فوق البنفسجية) لتشكيل أختام التشغيل وأختام التشغيل المقارنة. بعد تكوين ختم تشغيل واحد (التكوين الأول) أو ختم التشغيل المقارن؛ تم تحرير ختم التشغيل أو ختم التشغيل المقارن من القالب الرئيسي من السيليكون المطلي لكل؛ وتم استخدام قوالب السيليكون الرئيسية المطلية مرة اخرى لتكوين أختام التشغيل الإضافية وأختام التشغيل المقارنة (التكوين الثاني؛ التكوين الثالث؛
0 التتكوين الرابع؛ التكوين الخامس» إلخ). تم استخدام أختام التشغيل وأختام التشغيل المقارنة في اختبار طبعة حجرية للطبعة النانوية. تم استخدام كل ختم تشغيل لطباعة (عن طريق الطباعة الحجرية النانو مترية) 25 عينة مختلفة؛ وتم استخدام كل ختم تشغيل مقارن لطباعة (عن طريق الطباعة الحجرية النانو مترية )25 عينة مقارنة مختلفة. الطبعة الأولى (الطبعة 1#) والطبعة الخامسة والعشرون (الطبعة 25#) المتكونة باستخدام
5 كل واحدة من التكوين الأول أختام التشغيل ( المثال 1#) والتكوين الخامس أختام التشغيل (المثال 2#) تم تعريضها إلى تصوير ميكروسكوبي بالقوة الذرية لتحديد خشونة السطح. الطبعة الأولى
(الطبعة 1#) والطبعة الخامسة والعشرون (الطبعة 25#) المتكونة باستخدام كل واحدة من التكوين الأول أختام التشغيل المقارنة (مقارن 1#) وتم كذلك تعريض التكوين الخامس من أختام التشغيل المقارنة (مقارن 2#) إلى ميكروسكوب بالقوة الذرية لتحديد خشونة السطح. يتم توضيح هذه النتائج في الشكل 5. وفقاً لما تم تصويره؛ كانت خشونة السطح أقل بالنسبة لكل واحدة من الطبعات المشكلة باستخدام أختام التشغيل التمثيلية (أي؛ مشكلة من مادة السيليكون الرئيسية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق) مقارنة بالطبعات المشكلة باستخدام أختام التشغيل التمثيلية المقارنة (أي؛ مشكلة من مادة السيليكون الرئيسية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة). في بعض الأمثلة؛ تكون خشونة السطح للطبعات المتولدة من ختم تشغيل وفقاً لما تم وصفه في الطلب الحالي أقل من 100 نانو متر (باستخدام طرق الاختبار الموصوفة في الطلب الحالي)؛ أو أقل من 0 80 نانو مترء أو أقل من 60 نانو مترء أو أقل من 50 نانو مترء أو أقل من 40 نانو مترء أو أقل من 30 نانو متر. الأشكال 17 و7ب تمثل 30 ميكرو متر و5 ميكرو متر من صور ميكروسكوب بالقوة Anil على التوالي» من الطبعة الخامسة والعشضرون (الطبعة 25#) المنتجة من ختم التشغيل من التكوين الخامس المنتج من مادة السيليكون الرئيسية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق التمثيلية. تبين 5 هذه الصور أنه يمكن تكوين عيون مستديرة وحواف Cpe حادة حتى بعد استخدام القالب الرئيسي من السيليكون المطلي لتشكيل العديد من أختام التشغيل؛ وحتى بعد استخدام ختم التشغيل المنتجة من القالب الرئيسي المطلي بالسيليكون للطباعة عدة مرات. تم كذلك طلاء مادة الطبقة المضادة للالتصاق التمثيلية (في ترسيب مفرد لمادة الطبقة المضادة للالتصاق) على اثنين من قوالب السيليكون الرئيسية؛ Bg A نفس النوع من راتنج ختم التشغيل؛ 0 المشكل من مونومرات أكريلات السيليكون؛ تم طلاؤه مغزليا على كل واحد من قوالب مطلية بالسيليكون الرئيسية «Bg A وتم تعريضها للأشعة فوق البنفسجية (إنضاج بالأشعة فوق البنفسجية) لتشكيل أختام التشغيل. بعد ختم تشغيل واحد (التكوين الأول م أو 8)؛ تم تحرير ختم التشغيل من القالب الرئيسي من السيليكون المطلي لكل A أو 5 وتم استخدام قوالب السيليكون الرئيسية المطلية By A مرة أخرى لتكوين أختام التشغيل الإضافية (التكوين SEY التكوين الثالث؛ التكوين الرابع؛ 5 التكوين الخامس ... التكوين الخمسين). بالنسبة للقالب الرئيسي م؛ تم تكوين 50 أختام التشغيل واختبارهاء وبالنسبة للقالب الرئيسي 5 تم تكوين 30 ختم تشغيل وتم اختبارها.
تم استخدام أختام التشغيل في اختبار طبعة حجرية للطبعة النانوية. تم استخدام كل ختم تشغيل لطباعة (عن طريق الطباعة الحجرية النانو مترية) 25 عينة مختلفة. الطبعة الأولى (الطبعة 1#) والطبعة الخامسة والعشرون (الطبعة 25#) المتكونة باستخدام كل واحد من التكوين الأول لأختام التشغيل (ختم التشغيل 1#)؛ التكوين الخامس لأختام التشغيل (ختم التشغيل 5#)؛ التكوين الخامس عشر لأختام التشغيل (ختم التشغيل 15#)؛ التكوين العشرين لأختام التشغيل (ختم التشغيل 20#)؛ التكوين الخامس والعشرين لأختام التشغيل (ختم التشغيل 25#)؛ التكوين الثلاثين لأختام التشغيل (ختم التفغيل 30#)؛ التكوين الخامس والثلاثين لأختام التضغيل (ختم التضغيل 35#)؛ التكوين الأريعون لأختام التشغيل (ختم التشغيل 40#)؛ التكوين الخامس والأريعين لأختام التشغيل (ختم التشفغيل 45#)؛ والتكوين الخمسين لأختام التشفغيل (ختم التشفغيل 50#) تم تعريضها إلى 0 ميكروسكوب بالقوة الذرية لتحديد خشونة السطح. يتم توضيح هذه النتائج في الشكل 6؛ الذي يصور خشونة سطح الطبعة (للطبعة الأولى والخامسة والعشرين) ASS في تكوين ختم تشغيل. بالنسبة للطبعات الأولى المنتجة؛ تكون خشونة السطح مستقلة عن تكوين ختم Ja Sal) المستخدم. للطبعات التالية Ae) سبيل المثال؛ الطبعة 25#)؛ خشونة السطح زادت قليلا مع تكوين ختم التشغيل. باستخدام ختم التشغيل 50# المشكلة من أي 5 .من القالب الرئيسي المطلي بالسيليكون A او 5؛ يمكن كذلك إنتاج طبعات بخشونة سطح منخفضة (<100 نانو متر). من خلال القدرة على إنتاج 50 أختام تشغيل من قلب رئيسي واحد مطلي بالطبقة المضادة للالتصاق (حيث تم الطلاء بمادة الطبقة المضادة للالتصاق في ترسيب واحد) والقدرة على استخدام جميع الطبعات ال 50 لتكوين طبعات مستخدمة Jie تحسين كبير في قدرة العملية (على سبيل المثال» عند مقارنتها مع عملية مماثلة باستخدام مادة بوليمرية معالجة بالفلورين 0 كمادة الطبقة المضادة للالتصاق). المثال 2 تم استخدام 40- تترا-تراي إيثوكسي سيلان إيثيل كمثال على مادة الطبقة المضادة للالتصاق. تم استخدام مادة بوليمرية معالجة بالفلورين كمادة الطبقة المضادة للالتصاق مقارنة. تم إدراج مادة الطبقة المضادة للالتصاق في صيغة تحتوي على حوالي 5 7 بالوزن من المادة في تتراهيدروفيوران. 5 قوالب السيليكون الرئيسية؛ كل منها تتضمن مجموعة من السمات بحجم النانو المحددة في الطلب الحالي؛ تم طلاؤها على التوالي بمادة الطبقة المضادة للالتصاق ومادة الطبقة المضادة للالتصاق
المقارنة. مادة الطبقة المضادة للالتصاق ومادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة تم إنضاجها حراريا وتم غسلها بالمذيب. في بعض الأمثلة؛ يكون المذيب تتراهيدروفيوران. في أمثلة أخرى؛ المذيب يذيب مادة الطبقة المضادة للالتصاق غير المنضجة. تم استخدام أنواع مختلفة من راتنجات ختم التشغيل في هذا المثال. تم تشكيل راتنج ختم تشغيل واحد من مونومرات أكريلات السيليكون. وكان راتنج ختم التشغيل الآخر مادة ختم تشغيل معالجة بالفلورين. تم طلاء راتنج ختم التشغيل من أكريلات السيليكون مغزليا على مادة السيليكون الأولية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق وتم تعريضها إلى إنضاج بالأشعة فوق البنفسجية لتشكيل خمسة تكوبنات على الأقل من أختام التشغيل. تم استخدام التكوين الخامس في هذا المثال وتتم الإشارة إليه باسم ختم التشغيل التمثيلي 3#. راتنج ختم التشغيل من أكريلات السيليكون تم طلاؤه 0 كذلك مغزليا على مادة السيليكون الأولية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة وتم تعريضها إلى إنضاج بالأشعة فوق البنفسجية لتشكيل خمسة تكوينات على الأقل من أختام التشغيل المقارنة. تم استخدام التكوين الخامس من أختام التشغيل المقارنة هذه في هذا المثال وتتم الإشارة إليه a uly ختم التشغيل المقارن 3# (مقارن المثال 3#). تم طلاء sale ختم التشغيل المعالجة بالفلورين مغزليا على مادة السيليكون الأولية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة وتم 5 تعريضها إلى إنضاج بالأشعة فوق البنفسجية لتشكيل خمسة تكوينات على الأقل من أختام التشغيل الإضافية المقارنة. تم استخدام التكوين الخامس من أختام التشغيل الإضافية المقارنة في هذا المثال وتتم الإشارة إليه باسم ختم التشغيل المقارن 4# (مقارن المثال 4#). تم استخدام ختم التشضغيل 3# وأختام التشغيل المقارنة 3# و4# في اختبار طبعة حجرية للطبعة النانوية. تم استخدام كل ختم تشغيل لطباعة (عن طريق الطباعة الحجرية النانو مترية) خمسة 0 وعشرين die مختلفة؛ وتم استخدام كل ختم تشغيل مقارن لطباعة (عن طريق الطباعة الحجرية النانو مترية) خمسة وعشرين عينة مقارنة مختلفة. بعد 25 طبعة؛ كشف ختم التشغيل المقارن 3# (أي؛ التكوين الخامس من راتنج ختم التشغيل من أكريلات السيليكون المشكل من مادة السيليكون الرئيسية المطلي بمادة مقارنة (أي؛ معالجة بالفلورين) الطبقة المضادة للالتصاق)؛ صور التصوير الإلكتروني بمسح الإلكترون (غير مبينة) 5 أن هناك ثقوب في أسفل الجدران المطبوعة. كما عانت هذه التوليفة المعينة من المواد كذلك من إزالة الترطيب (أي؛ تمت إزالة الترطيب من التكوين الخامس من راتنج ختم التشغيل من أكريلات
السيليكون من مادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة (أي؛ تمت معالجتها بالفلور)؛ وبالتالي لا يمكن استخدامها كأداة آلية. الأشكال 18 و8ب Ble عن صور من el لأسفل وبمقطع عرضي ميكروسكوب إلكتروني للمسح من الطبعة الخامسة والعشرون مشكلة من ختم التشغيل 3#. توضح الأختام المشكلة من راتنج ختم التشغيل من أكريلات السيليكون المشكلة على مادة السيليكون الأولية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق المستوى المطلوب من دقة النمط والدقة؛ والحواف المحددة جيداً. كانت خشونة السطح منخفضة نسبياً R (5ميكرو (ie = 2 نانو sie و (30ميكرو متر) = 3 نانو متر. الأشكال 10 و9ب عبارة عن صور من أعلى لأسفل وبمقطع عرضي ميكروسكوب إلكتروني للمسح من الطبعة الخامسة والعشرون مشكلة من ختم التشغيل المقارن 4#. توضح الأختام مشكلة من مادة ختم 0 التشغيل المعالجة بالفلورين المشكلة على مادة السيليكون الأولية المطلية بمادة الطبقة المضادة للالتصاق المقارنة المستوى المطلوب من دقة النمط؛ ولكن العيون مستديرة وكانت خشونة السطح مرتفعة نسبياً R (كميكرو (ie = 11 نانو متر Ry (30ميكرو متر) = 12 نانو متر. تشير هذه البيانات إلى أن المواد المتشابهة لراتنج ختم التشغيل ومادة الطبقة المضادة للالتصاق lo) سبيل (Jal) ختم تشغيل أساسه السيليكون المشكلة على sole الطبقة المضادة للالتصاق أساسها 5 السيليكون أو ختم التشغيل المعالج بالفلورين المشكلة على مادة الطبقة المضادة للالتصاق المعالجة بالفلورين) لا ينتج عنها بالضرورة أختام مناسبة. في واقع الأمرء لا يُنتج ختم التشغيل المقارن 4# الأختام المناسبة. ملاحظات إضافية يجب أن ندرك أن جميع توليفات المفاهيم الأجنبية (بشرط ألا تكون المفاهيم المذكورة غير متناسقة 0 على نحو متبادل) تشكل eda من موضوع الاختراع الذي تم الكشف عنه في الطلب الحالي. على نحو خاص؛ جميع توليفات موضوع الاختراع المطلوب حمايته التي تظهر في نهاية هذا الكف تشكل sia من موضوع الاختراع الذي تم الكشف عنه في الطلب Jal) يجب أن ندرك أيضاً أن المصطلحات المستخدمة بشكل صريح في الطلب الحالي والتي قد تطهر أيضاً في أي كشف مدرج كمرجع ينبغي أن تُمنح معنى أكثر اتساقا مع المفاهيم المحددة التي تم الكشف عنها في الطلب 5 الحالي.
جميع المنشورات»؛ البراءات؛ وطلبات البراءات المستشهد بها في المواصفة تم إدراجها في الطلب الحالي كمرجع في مجملها. الإشارة خلال المواصفة إلى JES واحد على AT JE "مثال؛ وما إلى ذلك يقصد بها أن عنصر محدد Jo) سبيل المثال» سمة؛ بنية؛ و/ أو خاصية) تم وصفها فيما يتعلق بالمثال تكون متضمنة في مثال واحد على الأقل موصوف في الطلب Jad) وقد توجد أو لا في أمثلة أخرى. على نحو إضافي؛ ينبغي أن ندرك أن العناصر الموصوفة لأي مثال قد دمج بأية طريقة مناسبة في الأمثلة المتنوعة ما لم يُملي السياق غير ذلك. ينبغي أن ندرك أن قيم المدى المقدمة في الطلب الحالي تشتمل على المدى المذكور وأية dad أو قيمة مدى فرعية ضمن المدى المذكور. على سبيل dad (JU) المدى من حوالي 5 7 بالوزن إلى 0 حوالي 10 7 بالوزن» يجب تفسيرها على أنها تشتمل على ليس فقط الحدود المذكورة صراحة من حوالي 5 7 بالوزن إلى حوالي 10 7 بالوزن؛ بل أيضاً تشتمل على القيم الفردية؛ die حوالي 5.2 7 بالوزن» حوالي 6 7 بالوزن» Mos 7 7 بالوزن؛ إلخ؛ وقيم المدى الفرعية؛ die من حوالي 5.5 # بالوزن إلى حوالي 8 7 بالوزن» إلخ. علاوة على ما سبق؛ عند استخدام" حوالي" و/ أو 'بشكل أساسي" لوصف قيمة؛ يكون المقصود بها الصور المتغايرة الصغيرة Al) تصل إلى +/- 710) من القيمة المذكورة. في حين تم وصف العديد من الأمثلة بالتفصيل؛ ينبغي أن ندرك إمكانية تعديل الأمثلة التي تم الكشف عنها. lug عليه؛ ينبغي اعتبار الوصف السابق غير مقيداً. قائمة التتابع T معالجة ب" I#MP "اج mp 25# د" مثال رقم 'ه" - مقارن رقم 4 خشونة السطح (نانو متر) - بيانات AFM 1#MA +٠ 5 'ح' 254IMA
"اط" خشونة السطح (نانو متر) 'ي" . قالب رئيسي 'ك' | #005 J ميكرو متر "م" نانو متر
J ارتفاع لس" 2276 "ع 75.000 2.00 كيلو فولط 5.78 EI8EM WD نانو sie اف" 75.000 2.00 كيلو فولط 51615.78 SXM نانو متر
0 لص" VACO 2.00 كيلو فولط اشارة = EI8 وضع-8 5.4-814 نانومتر 9.5-16 ميكرو امبير 'ق" 00م2.00-7 كيلو فولط اشارة = 1518 وضع-8 5.3=EM نانومتر 9.5-16 ميكرو امبير EVG J
15
Claims (1)
- عناصر الحماية1. جهاز طباعة imprinting apparatus يشتمل على: مادة سيليكون أولية silicon master تتضمن مجموعة من السمات النانوية nanofeatures المحددة بها؛ و طلاء بطبقة saline للالتصاق anti-stick layer مادة السيليكون الرئيسية ¢silicon master الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer تتضمن خليط من صورة نظيفة وصورة أوليجومير oligomer من جزيء به سيكلو سيلوكسان cyclosiloxane بمجموعة سيلان silane وظيفية واحدة على (JY) ومنتقاة من سيكلو سيلوكسان ccyclosiloxane سيكلو تترا سيلوكسان ع0ة«1016086110» سيكلو بنتا سيلوكسان ccyclopentasiloxane أو سيكلو هكسا سيلوكسان ccyclohexasiloxane وحيث يكون الجزيء بها استبدال بأريعة مجموعات Chg ألكيل Crgalkyl ليس بها استبدال وأريع مجموعات Cro Js, 0 اورعالة Crp بكل منها استبدال بمجموعة تراي ألكوكسي سيلان ¢trialkoxysilane وحيث يوجد الجزيء بكمية تتراوح من 75 بالوزن إلى 710 بالوزن.2. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 1 حيث مجموعات Cre ألكيل Cre 1ه ليس بها استبدال تكون مجموعات ميثيل methyl 153. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 2 حيث يكون بكل من مجموعات ددر ألكيل Cpppalkyl استبدال بمجموعة ألكوكسي سيلان alkoxysilane تكون مجموعات إيثيل ethyl أو بروبيل .propyl 20 4. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 3 حيث يكون بكل من مجموعات ددر ألكيل ارعلله,© استبدال بمجموعة ألكوكسي سيلان alkoxysilane تكون مجموعات إيثيل.ethyl— 0 4 —5. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لأي من عناصر الحماية 2 إلى 4 حيث مجموعة ألكوكسي سيلان alkoxysilane أو تراي ألكوكسي سيلان trialkoxysilane تكون تراي ميثوكسي سيلان trimethoxysilane أو تراي Sel سيلان .triethoxysilane 5 6. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 5؛ حيث تكون مجموعة ألكوكسي سيلان alkoxysilane أو تراي ألكوكسي سيلان trialkoxysilane هي تراي إيتوكسي سيلان.triethoxysilane7. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 1 Cus يتم انتقاء سيكلو سيلوكسان cyclosiloxane 0 من المجموعة التي تتكون من سيكلو تترا سيلوكسان cyclotetrasiloxane وسيكلو هكسا سيلوكسان .cyclohexasiloxane lea .8 الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 7 حيث تكون المجموعة الوظيفية silane (Slaw هي ألكوكسي سيلان ألكيل .alkyl alkoxysilane les .9 الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 8( حيث تكون ألكوكسي سيلان ألكيل alkyl alkoxysilane تراي إيثوكسي سيلان إيقيل .ethyl triethoxysilane lea .0 الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 1 حيث يكون الجزيء: رتتت ةو بان Hol 2 عضي وين يق o 0 CH 5 = 0 CH, CH, 20 سس (OHMS ._— 1 4 _—1. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يشتمل على ختم تشغيل working stamp أساسه سيليكون silicon في تلامس مع الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer على sale السيليكون الأولية silicon master12. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 11؛ حيث يتضمن ختم التشغيل silicon أكريلات سيليكون monomers مونومرات silicon القائم على سيليكون working stamp .polymerized بوليمرية acrylate وفقاً لعنصر الحماية 12( حيث يشتمل كذلك على سطح imprinting apparatus جهاز الطباعة .3 0 خلفي في تلامس مع ختم التشغيل -working stamp14. جهاز الطباعة imprinting apparatus وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يستبعد الجزيء فلورين.fluorine dank .15 5 تشتمل على: تشكيل قالب رئيسي master template بواسطة: ترسيب صيغة على مادة سيليكون أولية silicon master تتضمن مجموعة من السمات النانوية nanofeatures المحددة بهاء تتضمن الصيغة solvent cule وخليط من صورة نظيفة وأوليجومير oligomer من جزيء به سيكلو سيلوكسان cyclosiloxane مع مجموعة سيلان silane وظيفية واحدة 0 على الأقل ومنتقاة من سيكلو سيلوكسان ceyclosiloxane سيكلو تترا سيلوكسان «cyclotetrasiloxane سيكلو بنتا سيلوكسان ceyclopentasiloxane أو سيكلو هكسا سيلوكسان ccyclohexasiloxane وحيث يكون الجزيء به استبدال باستخدام dal مجموعات ,© ألكيل Crsalkyl ليس بها استبدال وأربعة مجموعات Crip ألكيل Crinalkyl كل منها بها استبدال باستخدام مجموعة تراي ألكوكسي سيلان drialkoxysilane حيث يوجد الجزيء في الصيغة بكمية 75 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ و 25 إنضاج الصيغة؛ وبالتالي تشكيل طبقة مضادة للالتصاق anti-stick layer على sale السيليكون الأولية csilicon master الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer تتضمن الجزيء؛— 2 4 — ترسيب مادة ختم تشغيل working stamp material أساسها السيليكون silicon على الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer للقالب ١ لأولي ‘master template إنضاج sale ختم التشغيل working stamp material التي أساسها السيليكون silicon لتشكيل ختم تشغيل working stamp تتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية ¢nanofeatures 5 تحرير ختم التشغيل working stamp من القالب الرئيسي -master template6. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15؛ حيث: يكون للمذيب solvent نقطة غليان boiling point أقل من حوالي 0 درجة مثوية؛ و يكون الجزيء موجود في الصيغة بكمية 75 بالوزن إلى 710 بالوزن. 107. الطريقة Gy لعنصر الحماية 15 حيث يكون المذيب solvent تترا هيدروفيوران tetrahydrofuran أو تولوين ع01060).18. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15 حيث ينطوي كل من ترسيسب الصيغة وترسيب مادة ختم التشغيل working stamp material القائم على سيليكون silicon على طلاء مغزتلي spin coating9. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15( Cus تتضمن مادة ختم التشغيل working stamp material القائم على سيليكون silicon مونومر monomer أكريلات سيليكون .silicon acrylate 0 20. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15( Gua يكون ختم التشغيل working stamp الذي تم تحريره خاليا إلى حد بعيد على الأقل من الجزيء.1. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15؛ حيث يكون الجزيء:— 3 4 — نات انق CH 0 يتليح نقتا امون Si C,H —SHOC,H, . 0 casio og, (CHO) SOLE, 22 الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15( حيث يستبعد الجزيء الفلورين fluorine 5 23. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 15 حيث توفر عملية تحرير ختم التشغيل working stamp القالب الرئيسي master template المتحرر مع الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer عليه؛ وحيث يشتمل كذلك على: ترسيب مادة ختم تشغيل working stamp material ثانية قائمة على السيليكون silicon على الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer من القالب الرئيسي master template الذي تم تحريره؛ 0 إنضاج مادة ختم التشغيل working stamp material الثانية القائمة على السيليكون silicon لتشكيل ختم تشغيل (SG working stamp يتضمن نسخة dlls من مجموعة_ من السمات النانوية ‘nanofeatures تحرير ختم التشغيل working stamp الثاني من القالب الرئيسي -master template24. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 23 تشتمل كذلك على تنظيف CIE الرئيسي master template الذي تم تحريره قبل ترسيب مادة ختم التشغيل stamp material عصنلده»_الثانية القائمة على السيليكون silicon5. طريقة استخدام ختم تشغيل working stamp حيث يتم تشكيل ختم التشغيل working stamp 0 بواسطة: تشكيل قالب رئيسي master template بواسطة:ترسيب صيغة على مادة سيليكون أولية silicon master تتضمن مجموعة من السمات النانوية nanofeatures المحددة بهاء تتضمن الصيغة solvent cule وخليط من صورة نظيفة وأوليجومير oligomer من جزيء به سيكلو سيلوكسان cyclosiloxane مع مجموعة سيلان silane وظيفية واحدة على الأقل ومنتقاة من سيكلو سيلوكسان ceyclosiloxane سيكلو تترا سيلوكسان «cyclotetrasiloxane 5 سيكلو بنتا سيلوكسان ceyclopentasiloxane أو سيكلو La سيلوكسان ccyclohexasiloxane وحيث يكون الجزيء به استبدال باستخدام أربعة مجموعات Cre ألكيل الرااه؛».© ليس بها استبدال daly مجموعات د ألكيل Crpalkyl كل Wie بها استبدال باستخدام مجموعة تراي ألكوكسي سيلان thrialkoxysilane وحيث يوجد الجزيء في الصيغة بكمية 75 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ و إنضاج الصيغة؛ وبالتالي تشكيل طبقة مضادة للالتصاق anti-stick layer على sale السيليكون 0 الأولية silicon master الطبقة المضادة للالتصاق anti-stick layer تتضمن الجزيء؛ ترسيب مادة ختم تشغيل working stamp material أساسها السيليكون silicon على الطبقة المضادة ‘master template لأولي ١ للقالب anti-stick layer للالتصاق إنضاج sale ختم التشغيل working stamp material التي أساسها السيليكون silicon لتشكيل ختم تشغيل working stamp تتضمن نسخة سالبة من مجموعة من السمات النانوية ¢nanofeatures 5 تحرير ختم التشغيل working stamp من Cll) الرئيسي tmaster template sworking stamp تضم طريقة استخدام ختم التشغيل Cua طباعة ختم التشغيل working stamp في zi) طباعة حجرية بالطبعة imprint lithography resin على حامل؛ و إنضاج الراتنج eresin وبالتالي تشكيل سطح توالي يضم انتساخ لمجموعة من السمات النانوية nanofeatures 0 المحددة بها.6. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 25 حيث يكون سطح التوالي Wa sequencing surface إلى حد بعيد على الأقل من الجزيء.7. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 25 أو عنصر الحماية 26 Gua تشتمل كذلك على بادئات تضخيم التطعيم grafting amplification primers على البنية المتوسطة الموجودة في الانتساخ لمجموعة من السمات النانوية .nanofeatures 5 28. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 27 حيث تكون البنية المتوسطة طلاء بوليمر polymer coating يتضمن وحدة تكرار recurring unit لها الصيغة (1): 0 و NH 2 يت NH 0 Li (I) R! RS حيث: R! تكون H أو ألكيل alkyl بها استبدال اختياريا؛ RA 0 يتم انتقاؤها من المجموعة التي تتكون من أزيدو cazido أمينو amino بها استبدال اختيارياء ألكنيل alkenyl بها استبدال اختيارياء هيدرازون hydrazone بها استبدال اختيارياء هيدرازين hydrazine بها استبدال اختيارياء كريوكسيل carboxyl هيدروكسي hydroxy تترازول tetrazole بها استبدال اختياريا» تترازين tetrazine بها استبدال (Lyla) أكسيد نيتريل nitrile oxide نيترون ¢nitrone وقول ¢thiol 15 85 يتم انتقاؤها من المجموعة التي تتكون من 11 وألكيل alkyl بها استبدال اختياريا؛ كل واحدة من -(CH2)p- يمكن أن يكون بها استبدال اختياريا؛ م تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 50؛ « تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 50,000؛ و «« تكون عدد صحيح في مدى يتراوح من 1 إلى 100,000. 209. الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 25 حيث يكون الجزيء:— 6 4 — CoH — SOC Hy : CH, :0-5 ولا (CHO) S— CoS 5 وايتتة 50خ تلعزة 00 ا ال i 30. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 25 حيث يستبعد الجزيء الفلورين fluorine—_ 4 7 —_ حم م م حر EN ا / Lo Ve \ LT J i ra be, Sg bed} 5 2 3 3 ١ شكل VY A Y £3 RES 1 ا 2 ” \ Y 2 CTY ف ae . Sl ل ly شكل ¥ \ v ry bey ; السلا" 4 \ ا ل و5 TS 2 ل ل Ye {ia 7 LEH شكل ؟ب ¥ ١ GH 7 9 FEA 77 00 0 ١ . EGE = : 4 & ZY شكل «jr hos let LAE Vi IT "PLT شكل ؟د AY إلي شكلا من شكل ؟د قد ني CRYST RUKH” ty vy شكل Ay S$ RSENS شكل hy Ye | اا ١ _ — REESE re gs “اب SN nw EL RRR: re ا شكل v ay يا يسبيسم — نهب . ~ - الاح كات لحت شكل "Yay— 9 4 — vy Ty "a ©** pet لت nn سات an ea عع جد لدم ابح جح الي نيز 2 $ NE جح ماه ايج AN تح لل الس مهبم ا DRT ERNE Ta Hy SB Rn - i + ry SN y ال SA 2 حر كي ee LALA NJ 7 بايا Ee creme Tg لاس بابي سسا fo أ أ بيت اص اق اا ا 1 الجا NAN ا ا ا و ميخ د Tea PE ا 8 ل > ب Nas NN NE Si EN الام يرال اذا سا مالسا Ty = شكل ¢ re rr 7 كا اا با ا ا ا ET لكا ا rrr ب ع لا سسا ا ٍ 3 © لا © لس س لس لدت ie سس مس سس م سس سس ست ا : fx.ىتا EE = بساعم؟* ست ع ع تع تيب ا لالد v. wo» Yo 0 77 = (UN I I a. ل للم كلا لم VO mf 0 0 ااا الا اد a Ht ee] | اله he ¥ “a 3 وان 0 “a” " ١ ¥ ا" ١ " بن o is— 5 0 — A شف Ya J الال باط اال ما مستت ست .؟ a. Ei - os Jo] TH ا م | الخ لك ال اا ابد ملسست لا لد 1 Yo | HE OR: الال 1ل x I, | il gg gla > = E = fab © : = & : = J 2 i = i - . s =|] 2 اب | | | با jl « ¥ { | ! | 1 ١ ل 1 fl” Pvivielefiajiojrdvdrslrelr de. vd ri cjejeafiefe ds. " شكل- مسي EE N SA ب EB & Na & a | 0 - a a SN 2 \ 0 ٍ 0 - : a NN Ne LL a | LL | = \ اد 6 NN { اا 0 0 = ٍ 0 ا 5 os LL i ب ا ا 0 اد ٍ LL NN Ne I « a Nae oo Lh 1 ال D a a ا ِa . D - = NN 0 i ‘ a = YR) : a SE NS Nal : DE oa a) a at La a Sa JL Sl Ne 0 0 oo a) - NS = RY . ا ا Le oo oo . oe 9 RY oo © i 0 ا اا ا 8 N on 8 § Lo a Lo So oN = { an Ra - Ra RX aa Ne ا 0 a oe =. NN RY 1h | اد a a OS eo a )2 a) = . Se اا ا ب - ae J ا NL LL .- ٍْ x Ll ا ا ا BD nn aa NN ol ; 0 = . 0 = ا ا Oy 0 ا 0 a NN 0 ا ا ا ل 0 Na Ca a ب a Ne 0 > م a LL a 0 4 EY LL Ne a . 0 Na Sa . La a Le a LL NR NN . : NN a - \ = 0 ا ا 3“ No NE PE LL A Na) . LL = RR oo NN . NL a = NL LL Se ha ND Oo ست 1 — ا i Sone ص : 2 an . . LL | = := . . 0 : ا ض ا ا ا 0 ا ِ ل ِ ا ِ ٍ ب ا ا ا ak NN N ا QS \ XN NE SL NN > . TS ah Eh > Ne ; : ; : 0 NL SN a Nu Ng a Ou ee a ay a LL NN ee Ng ا Sa ND a x 2D Nu a a a NC BR Lo Nu NN a NN a Nh Na We 0 0 QD a 0D) or By Lae 0 XD RD a a a . 0 a uN a x _ . a ا ا NE - NE 8 ا ا 2 8 TR . a SEN NA Oh NE a Es \ = a RD Lo . 0 ااا 5 § a Sel ae 0 | ا 1 8 0 8 SE Na 3 NN NS 3 a ; ا ل 8 a Qa a ay 0 - NN a 0 ا 0 ا ٍْ 7 اا D ا i ا ّ 3 ; ا DN a : a LL oo a iy Se 5G _ ل ا . ا . ) : 0 : ا Sonn sssnnns — eo TT Le So Lo a i . = ب LL Nae — : BON ia —١. ٍ— 5 2 — RR EE سج و و د RN LL NN Sa) 3 0 db :LG . 5 | k= OE LN aN 3 CL 3 0 . = ا الل ا - oo ER ااا Ls . we am LT . 58 EE i 3 oY a 5 ا خم 0 a) Q ل “ ْ - = ا اا ا BN cB Le ا : J > 8 i - ا - | يج BE ل اا اث بي BJ A LR ا لا الث = me IR NN NE ae a eye NC NUNN Le ا oo oo 1 ل ا ا ل لم BRB : : 5 1 0 ا 0 اا 8 Q : . BR Oye CL RD اا 7 ج7777 oon 8 Sea Ya No AN aR SE OREN a SEN a 0 ا Ne LL oo ee 1.ا NEA ثرا ا الا د sD a ص Nv’ LL = anno WE Oo OD - - No) 2 \ = ل م © a) LL NL 2 ا اد = ل 5 الها « 0 3 . ٍ ad s ONAN 5 ل ا mn و اا الي ل ا ED LL ee > <= 8 5 ٍ ال 8 ل oe Cra x ANNA ا No sre ane . ee 2 Aa BT 1 ig I=Na . | - LL No a gw oF LL ااا الاب La = “ LL No aالحاضهة الهيلة السعودية الملضية الفكرية Swed Authority for intallentual Property pW RE .¥ + \ ا 0 § ام 5 + < Ne ge ”بن اج > عي كي الج دا لي ايام TEE ببح ةا Nase eg + Ed - 2 - 3 .++ .* وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. »> صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > ”+ ص ب 101١ .| لريا 1*١ uo ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662438237P | 2016-12-22 | 2016-12-22 | |
| PCT/US2017/067333 WO2018118932A1 (en) | 2016-12-22 | 2017-12-19 | Imprinting apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA519402145B1 true SA519402145B1 (ar) | 2022-11-08 |
Family
ID=62625732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA519402145A SA519402145B1 (ar) | 2016-12-22 | 2019-06-19 | جهاز طباعة يتضمن مادة سيليكون أولية |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11213976B2 (ar) |
| EP (1) | EP3559745B1 (ar) |
| JP (1) | JP7084402B2 (ar) |
| KR (1) | KR102536039B1 (ar) |
| CN (1) | CN110226128A (ar) |
| AU (1) | AU2017382163B2 (ar) |
| CA (1) | CA3046374A1 (ar) |
| IL (1) | IL267443B2 (ar) |
| MX (1) | MX2019006512A (ar) |
| PH (1) | PH12019501463A1 (ar) |
| RU (1) | RU2753172C2 (ar) |
| SA (1) | SA519402145B1 (ar) |
| TW (1) | TWI823844B (ar) |
| WO (1) | WO2018118932A1 (ar) |
| ZA (1) | ZA201903897B (ar) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MX2019006512A (es) * | 2016-12-22 | 2019-10-02 | Illumina Inc | Aparato de impresion. |
| FR3075800B1 (fr) * | 2017-12-21 | 2020-10-09 | Arkema France | Couches anti adhesives pour les procedes d'impression par transfert |
| US20220121114A1 (en) * | 2019-02-11 | 2022-04-21 | Applied Materials, Inc. | Large area seamless master and imprint stamp manufacturing method |
| EP3739386A1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-18 | OpTool AB | A stamp material for nanolithography |
| EP3839626B1 (fr) * | 2019-12-18 | 2023-10-11 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un composant horloger |
| KR20230005136A (ko) * | 2020-03-27 | 2023-01-09 | 일루미나, 인코포레이티드 | 임프린팅 장치 |
| EP3929658A1 (en) | 2020-06-23 | 2021-12-29 | Koninklijke Philips N.V. | Imprinting method and patterned layer |
| US11543584B2 (en) * | 2020-07-14 | 2023-01-03 | Meta Platforms Technologies, Llc | Inorganic matrix nanoimprint lithographs and methods of making thereof with reduced carbon |
| CA3199918A1 (en) | 2021-01-05 | 2022-07-14 | Randall Smith | Compositions including functional groups coupled to substrates, and methods of making the same |
| CN113307223A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-08-27 | 杭州欧光芯科技有限公司 | 一种纳米孔局部亲疏水性修饰的方法 |
Family Cites Families (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550035A (en) * | 1982-12-10 | 1985-10-29 | Creative Products Resource Associates, Ltd. | Cosmetic applicator useful for skin moisturizing and deodorizing |
| DE3821908A1 (de) * | 1988-06-29 | 1990-01-04 | Ernst Boettler Kg Bomix Chemie | Trennmittel |
| US5164278A (en) * | 1990-03-01 | 1992-11-17 | International Business Machines Corporation | Speed enhancers for acid sensitized resists |
| US5004502A (en) * | 1990-08-23 | 1991-04-02 | Ramzan Chaudhary M | Non-irritating detackifying composition |
| US5153332A (en) * | 1990-09-13 | 1992-10-06 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Organocyclosiloxane and method for its preparation |
| US5330925A (en) * | 1992-06-18 | 1994-07-19 | At&T Bell Laboratories | Method for making a MOS device |
| US5378790A (en) * | 1992-09-16 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Single component inorganic/organic network materials and precursors thereof |
| US5364737A (en) * | 1994-01-25 | 1994-11-15 | Morton International, Inc. | Waterbone photoresists having associate thickeners |
| FR2729406B1 (fr) * | 1995-01-16 | 1997-04-18 | Rhone Poulenc Chimie | Utilisation a titre d'antiadherent et/ou d'hydrofugeant de polyorganosiloxanes fonctionnalises, greffes |
| US6309580B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
| DE19631227C1 (de) * | 1996-08-02 | 1998-04-23 | Byk Chemie Gmbh | Cyclische Siloxane und deren Verwendung als Benetzungshilfsmittel und Schaumstabilisatoren |
| RU2150154C1 (ru) * | 1998-11-18 | 2000-05-27 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Полевой эмиттер электронов и способ его изготовления (варианты) |
| US6121130A (en) * | 1998-11-16 | 2000-09-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Laser curing of spin-on dielectric thin films |
| US6391937B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-05-21 | Motorola, Inc. | Polyacrylamide hydrogels and hydrogel arrays made from polyacrylamide reactive prepolymers |
| US6664061B2 (en) | 1999-06-25 | 2003-12-16 | Amersham Biosciences Ab | Use and evaluation of a [2+2] photoaddition in immobilization of oligonucleotides on a three-dimensional hydrogel matrix |
| US6372813B1 (en) | 1999-06-25 | 2002-04-16 | Motorola | Methods and compositions for attachment of biomolecules to solid supports, hydrogels, and hydrogel arrays |
| US6599635B1 (en) * | 1999-08-20 | 2003-07-29 | Bayer Aktiengesellschaft | Inorganic coating composition, a method for producing same and the use thereof |
| SG98433A1 (en) * | 1999-12-21 | 2003-09-19 | Ciba Sc Holding Ag | Iodonium salts as latent acid donors |
| JP2004148506A (ja) * | 2000-07-21 | 2004-05-27 | Kansai Paint Co Ltd | 塗工フィルム及びその貼り付け方法 |
| US6814898B1 (en) * | 2000-10-17 | 2004-11-09 | Seagate Technology Llc | Imprint lithography utilizing room temperature embossing |
| US20020081520A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Ratnam Sooriyakumaran | Substantially transparent aqueous base soluble polymer system for use in 157 nm resist applications |
| EP1260863A1 (en) * | 2001-05-23 | 2002-11-27 | Scandinavian Micro Biodevices | Micropatterning of plasma polymerized coatings |
| US20050064344A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | University Of Texas System Board Of Regents | Imprint lithography templates having alignment marks |
| US6743368B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-06-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nano-size imprinting stamp using spacer technique |
| DK1403349T3 (da) * | 2002-04-16 | 2004-09-06 | Goldschmidt Ag Th | Anvendelse af epoxypolysiloxaner modificeret med oxyalkylenethergrupper som additiver til strålehærdende coatinger |
| DE10217202A1 (de) | 2002-04-18 | 2003-11-06 | Bayer Ag | Anti-Haft-Beschichtungen für Reaktoren |
| JP3848303B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 構造体、機能性構造体及び磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2004031315A1 (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Nok Corporation | シール材料 |
| JP4024135B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2007-12-19 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | レーザー彫刻印刷版 |
| JP2004325172A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Asahi Kasei Corp | 透明炭化水素系重合体を用いるマイクロチップ |
| US7070406B2 (en) * | 2003-04-29 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for embossing a flexible substrate with a pattern carried by an optically transparent compliant media |
| JP4465233B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-05-19 | 三星電子株式会社 | 多官能性環状シロキサン化合物、この化合物から製造されたシロキサン系重合体及びこの重合体を用いた絶縁膜の製造方法 |
| US20050038180A1 (en) * | 2003-08-13 | 2005-02-17 | Jeans Albert H. | Silicone elastomer material for high-resolution lithography |
| US7365414B2 (en) * | 2003-12-01 | 2008-04-29 | Intel Corporation | Component packaging apparatus, systems, and methods |
| US9040090B2 (en) * | 2003-12-19 | 2015-05-26 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof |
| EP3673986A1 (en) | 2004-01-07 | 2020-07-01 | Illumina Cambridge Limited | Improvements in or relating to molecular arrays |
| US7060625B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-06-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Imprint stamp |
| US7088003B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for integration of ultralow-k dielectrics with improved reliability |
| JP2005330429A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性組成物及びゴム加工品 |
| US7563727B2 (en) * | 2004-11-08 | 2009-07-21 | Intel Corporation | Low-k dielectric layer formed from aluminosilicate precursors |
| KR20060057778A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 삼성코닝 주식회사 | 저유전성 메조포러스 박막의 제조방법 |
| KR101119141B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2012-03-19 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 폴리머 나노 입자를 포함하는 저유전 박막 형성용 조성물및 이를 이용한 저유전 박막의 제조방법 |
| JP5424638B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2014-02-26 | ザ・ガバナーズ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・アルバータ | ＳｉＯ２中のナノ結晶ケイ素および独立ケイ素ナノ粒子の調製方法 |
| US7854873B2 (en) | 2005-06-10 | 2010-12-21 | Obducat Ab | Imprint stamp comprising cyclic olefin copolymer |
| WO2007121006A2 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Dow Corning Corporation | Low thermal distortion silicone composite molds |
| US20080113283A1 (en) * | 2006-04-28 | 2008-05-15 | Polyset Company, Inc. | Siloxane epoxy polymers for redistribution layer applications |
| US9196641B2 (en) * | 2006-08-15 | 2015-11-24 | Thin Film Electronics Asa | Printed dopant layers |
| JP2008096923A (ja) | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| US8128393B2 (en) * | 2006-12-04 | 2012-03-06 | Liquidia Technologies, Inc. | Methods and materials for fabricating laminate nanomolds and nanoparticles therefrom |
| US7604836B2 (en) * | 2006-12-13 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Release layer and resist material for master tool and stamper tool |
| CN100468528C (zh) | 2007-06-26 | 2009-03-11 | 西安交通大学 | 连续逆压印图型直接转移式制造图案化磁记录介质的方法 |
| JP5576284B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2014-08-20 | ダウ コーニング コーポレーション | 極性のポリジメチルシロキサンの型、この型の製造方法、およびパターン転写のためのこの型の使用方法 |
| WO2009094786A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Acadia University | Device and method for collecting a sample from a wet environment |
| KR101445878B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2014-09-29 | 삼성전자주식회사 | 보호 필름 및 이를 포함하는 봉지 재료 |
| JP2010084162A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Asahi Glass Co Ltd | レプリカモールドの製造方法 |
| JP5251668B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2013-07-31 | 日油株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| US8809479B2 (en) * | 2009-05-01 | 2014-08-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Moisture curable silylated polymer compositions containing reactive modifiers |
| JP2010280159A (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Osaka Univ | ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法 |
| CN101923282B (zh) * | 2009-06-09 | 2012-01-25 | 清华大学 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
| JP5564383B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-07-30 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
| WO2012014435A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
| DK2602088T3 (en) * | 2010-08-06 | 2018-05-07 | Soken Kagaku Kk | RESINFORM FOR NANO PREPARATION |
| JP5019009B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-09-05 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールドの洗浄方法と洗浄装置およびインプリント用モールドの製造方法 |
| KR20120046532A (ko) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 한국생명공학연구원 | 항생물부착성 ｓｓｑ／ｐｅｇ 네트워크 및 그 제조방법 |
| JP2012248641A (ja) | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Hyogo Prefecture | ナノインプリント用離型処理方法および離型膜 |
| US8586397B2 (en) * | 2011-09-30 | 2013-11-19 | Sunpower Corporation | Method for forming diffusion regions in a silicon substrate |
| EP2771103B1 (en) | 2011-10-28 | 2017-08-16 | Illumina, Inc. | Microarray fabrication system and method |
| US9149958B2 (en) * | 2011-11-14 | 2015-10-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Stamp for microcontact printing |
| JP2013138179A (ja) | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Central Glass Co Ltd | 光重合性組成物並びにそれを用いたパターン形成方法 |
| US20130143002A1 (en) * | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Seagate Technology Llc | Method and system for optical callibration discs |
| US9012022B2 (en) | 2012-06-08 | 2015-04-21 | Illumina, Inc. | Polymer coatings |
| US20140120678A1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Matheson Tri-Gas | Methods for Selective and Conformal Epitaxy of Highly Doped Si-containing Materials for Three Dimensional Structures |
| US8874182B2 (en) * | 2013-01-15 | 2014-10-28 | Google Inc. | Encapsulated electronics |
| US9512422B2 (en) * | 2013-02-26 | 2016-12-06 | Illumina, Inc. | Gel patterned surfaces |
| KR20140110543A (ko) * | 2013-03-08 | 2014-09-17 | 영창케미칼 주식회사 | 나노패턴 복제용 수지 조성물 및 이를 이용한 나노패턴 복제방법 |
| AU2013382089B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-05-10 | Illumina, Inc. | Multilayer fluidic devices and methods for their fabrication |
| EP3431614B1 (en) | 2013-07-01 | 2021-09-08 | Illumina, Inc. | Catalyst-free surface functionalization and polymer grafting |
| US8877882B1 (en) * | 2013-10-04 | 2014-11-04 | Rochal Industries Llp | Non-self-adherent coating materials |
| AU2014364898B2 (en) | 2013-12-19 | 2018-07-26 | Illumina, Inc. | Substrates comprising nano-patterning surfaces and methods of preparing thereof |
| US9359512B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-06-07 | Xerox Corporation | Aqueous dispersible siloxane-containing polymer inks useful for printing |
| US10421766B2 (en) * | 2015-02-13 | 2019-09-24 | Versum Materials Us, Llc | Bisaminoalkoxysilane compounds and methods for using same to deposit silicon-containing films |
| JP6694238B2 (ja) | 2015-02-26 | 2020-05-13 | 旭化成株式会社 | 光硬化性樹脂組成物及びその製造方法 |
| NL2014520B1 (en) * | 2015-03-25 | 2017-01-19 | Morpho Bv | Method of providing an imprinted security feature. |
| CN105903796B (zh) * | 2016-04-20 | 2019-02-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曲面显示器背板成型设备及成型方法 |
| MX2019006512A (es) * | 2016-12-22 | 2019-10-02 | Illumina Inc | Aparato de impresion. |
| AT521173B1 (de) | 2018-06-27 | 2019-11-15 | Trumpf Maschinen Austria Gmbh & Co Kg | Biegewerkzeug mit Distanzelement |
-
2017
- 2017-12-19 MX MX2019006512A patent/MX2019006512A/es unknown
- 2017-12-19 CN CN201780079812.1A patent/CN110226128A/zh active Pending
- 2017-12-19 IL IL267443A patent/IL267443B2/en unknown
- 2017-12-19 RU RU2019117478A patent/RU2753172C2/ru active
- 2017-12-19 AU AU2017382163A patent/AU2017382163B2/en active Active
- 2017-12-19 WO PCT/US2017/067333 patent/WO2018118932A1/en active Application Filing
- 2017-12-19 JP JP2019529959A patent/JP7084402B2/ja active Active
- 2017-12-19 KR KR1020197021371A patent/KR102536039B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-19 CA CA3046374A patent/CA3046374A1/en active Pending
- 2017-12-19 EP EP17885170.5A patent/EP3559745B1/en active Active
- 2017-12-19 US US15/847,150 patent/US11213976B2/en active Active
- 2017-12-22 TW TW106145311A patent/TWI823844B/zh active
-
2019
- 2019-06-14 ZA ZA2019/03897A patent/ZA201903897B/en unknown
- 2019-06-19 SA SA519402145A patent/SA519402145B1/ar unknown
- 2019-06-21 PH PH12019501463A patent/PH12019501463A1/en unknown
-
2021
- 2021-12-02 US US17/541,089 patent/US20220088834A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11213976B2 (en) | 2022-01-04 |
| TW201841716A (zh) | 2018-12-01 |
| JP7084402B2 (ja) | 2022-06-14 |
| KR102536039B1 (ko) | 2023-05-23 |
| AU2017382163A1 (en) | 2019-06-20 |
| CN110226128A (zh) | 2019-09-10 |
| BR112019013075A2 (pt) | 2020-02-04 |
| US20220088834A1 (en) | 2022-03-24 |
| ZA201903897B (en) | 2022-10-26 |
| EP3559745A1 (en) | 2019-10-30 |
| EP3559745B1 (en) | 2024-02-14 |
| IL267443A (en) | 2019-08-29 |
| AU2017382163B2 (en) | 2022-06-09 |
| EP3559745A4 (en) | 2020-11-11 |
| RU2753172C2 (ru) | 2021-08-12 |
| CA3046374A1 (en) | 2018-06-28 |
| RU2019117478A3 (ar) | 2021-01-27 |
| WO2018118932A1 (en) | 2018-06-28 |
| US20180178416A1 (en) | 2018-06-28 |
| JP2020501937A (ja) | 2020-01-23 |
| IL267443B1 (en) | 2023-06-01 |
| PH12019501463A1 (en) | 2020-03-09 |
| IL267443B2 (en) | 2023-10-01 |
| RU2019117478A (ru) | 2021-01-25 |
| TWI823844B (zh) | 2023-12-01 |
| MX2019006512A (es) | 2019-10-02 |
| KR20190099279A (ko) | 2019-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA519402145B1 (ar) | جهاز طباعة يتضمن مادة سيليكون أولية | |
| US11988957B2 (en) | Flow cells | |
| US20050084613A1 (en) | Sub-micron-scale patterning method and system | |
| CN110248725A (zh) | 包括树脂膜和图案化的聚合物层的阵列 | |
| US11886110B2 (en) | Imprinting apparatus | |
| BR112019013075B1 (pt) | Aparelho de impressão | |
| NZ759939A (en) | Flow Cells |