SA515370027B1 - عملية لتحضير السليكون متعدد البلورات - Google Patents
عملية لتحضير السليكون متعدد البلورات Download PDFInfo
- Publication number
- SA515370027B1 SA515370027B1 SA515370027A SA515370027A SA515370027B1 SA 515370027 B1 SA515370027 B1 SA 515370027B1 SA 515370027 A SA515370027 A SA 515370027A SA 515370027 A SA515370027 A SA 515370027A SA 515370027 B1 SA515370027 B1 SA 515370027B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- rods
- polycrystalline silicon
- rod
- reactor
- attribute
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 29
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 20
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 210000003899 penis Anatomy 0.000 description 4
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000581364 Clinitrachus argentatus Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100234002 Drosophila melanogaster Shal gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001435619 Lile Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000034809 Product contamination Diseases 0.000 description 1
- 235000017276 Salvia Nutrition 0.000 description 1
- 241001072909 Salvia Species 0.000 description 1
- 235000015076 Shorea robusta Nutrition 0.000 description 1
- 244000166071 Shorea robusta Species 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 1
- 241000482268 Zea mays subsp. mays Species 0.000 description 1
- NIMPFLPHNFUHNK-UHFFFAOYSA-N [Si].Cl[SiH](Cl)Cl Chemical compound [Si].Cl[SiH](Cl)Cl NIMPFLPHNFUHNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 244000245420 ail Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000009535 clinical urine test Methods 0.000 description 1
- -1 cnickel Chemical compound 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001683 neutron diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 210000001364 upper extremity Anatomy 0.000 description 1
- 230000035899 viability Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C23/00—Auxiliary methods or auxiliary devices or accessories specially adapted for crushing or disintegrating not provided for in preceding groups or not specially adapted to apparatus covered by a single preceding group
- B02C23/08—Separating or sorting of material, associated with crushing or disintegrating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/09—Analysing solids by measuring mechanical or acoustic impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/023—Solids
- G01N2291/0234—Metals, e.g. steel
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
عملية لتحضير السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon، تتضمن ترسيب السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon على أجسام دعم موجودة في مفاعل واحد على الأقل، ونتيجة لذلك يتم الحصول على قضبان السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon، وتشكيل قضبان السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon من مفاعل واحد على الأقل، ويتم تقطيع قضبان السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon إلى أجزاء، ويتميز بأنه بعد تشكيل قضبان السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon من مفاعل واحد على الأقل وقبل تقطيع قضبان السيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon المشكل إلى أجزاء، يصنف السيليكون متعدد البلورات المتواجد في شكل قضيب بالإشارة إلى خاصية واحدة على الأقل في اثنين على الأقل من الأصناف ذو الجودة، مع كل اثنين على الأقل من الطبقات ذو الجودة التي يتم تمريرها لفصل خطوات المعالجة الأخرى.
Description
— \ — عملية لتحضير السليكون متعدد البلورات
Process for the preparation of polycrystalline silicon الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع الحالي بعملية لإنتاج سيليكون عديد البلورات .polycrystalline silicon يعمل السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon (للاختصار بولي سيليكون monocrystalline silicon بمثابة مادة أولية لإنتاج سيليكون أحادي البلورات (polysilicon 0 لأشباه الموصلات SEMiconductors عن طريق عملية تشوخرالسكي (CZ) Czochralski أو انصهار منطقة Lady (FZ) zone melting لإنتاج سيليكون أحادي البلورات or -00000 polycrystalline silicon أو عديد البلورات بواسطة طرق سحب وصب متنوعة لإنتاج خلايا شمسية للكهروضوئيات .photovoltaics يتم بصفة عامة إنتاج السيليكون عديد البلورات Polycrystalline بواسطة -Siemens dle في ٠ هذه العملية؛ في Jolie على شكل ناقوس (مفاعل (‘Siemens يتم تسخين أجسام داعمة؛ Sale قضبان خيطية رقيقة thin filament rods من سيليكون «silicon بواسطة مرور مباشر لتيار ويتم إدخال غاز تفاعل يشتمل على هيدروجين hydrogen وواحد أو أكثر من مكونات محتوية على سيليكون silicon trichlorosilane ثالث كلورو سيلان silicon يتم استخدام مكون محتوي على سيليكون Gale مع ثاني كلورو سيلان trichlorosilane أو خليط من ثالث كلورو سيلان (TCS (SiHCI3) ٠ tetrachlorosilane و/أو مع رابع كلورو سيلان ( DCS (SiH2CI2) dichlorosilane (SiH4) إلا إنه ييُستخدم على نطاق صناعي؛ هو أحادي سيلان desu الأقل .(STC (SiCl4) يتم sale إدخال القضبان الخيطية على نحو متعامد على أقطاب كهربائية في قاعدة المفاعل؛ التي يتم من خلالها توصيلها بمزود القدرة الكهربائية. ا
_ اذ يتم ترسيب البولي سيليكون عالى النقاوة على القضبان الخيطية والقنطرة الأفقية المسخنة؛ نتيجة لذلك ينمو القطر مع الوقت. بعد تبريد القضبان؛ يتم فتح المفاعل الناقوسي ويتم AY) القضبان باليد أو بمساعدة أجهزة معينة؛ تسمى مساعدات التفكيك؛ من أجل عمليات معالجة أخرى أو للتخزين المؤقت. 2 تتأثر عموماً US من عمليات التخزين والمعالجات (AY) بالتحديد + بتكسير القضبان « تصنيف وتعبثة القطع المكسورة تحت ظروف Ain خاصة في غرف يتم التحكم في مناخها؛ Ally تمنع تلوث المنتج. بين زمن فتح المفاعل والوضع لداخل المخزن أو عمليات معاجة al يتم تعريض المادة المترسبة؛ مع ذلك؛ لتأثيرات diy على وجه الخصوص جسيمات الأتربة. يتم تحديد المورفولوجيا morphology والبنية الدقيقة microstructure للقضبان النامية عن طريق متغيرات عملية الترسيب. قد تتغير المورفولوجيا morphology للقضبان المترسبة من مدمج وسلس WS) هو موصوف؛ على سبيل المثال؛ في البراءة الأمريكية بي 7,755,717 82 6,350,313 لتغير مادة مسامية ومتشققة LS) هو موصوف؛ على سبيل المثال؛ في البراءة الأمريكية ٠١٠١/7147786 Yah Al ٠ 2010/219380). في إنتاج قضبان سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods سميكة (بقطر > (ae ٠ في مفاعلات Siemens وفقاً للتقنية (AGL لوحظ بشكل متكرر نسبياً بأن للقضبان مناطق بسطح خشن جداً Lad) 0000017). ينبغي فصل هذه المناطق الخشنة عن بقية sald) Bale عن طريق مراجعة بصرية بعد السحق؛ ويتم بيعها بأسعار رخيصة للغاية عن بقية قضبان Ye السيليكون silicon rod بصفة عامة تؤدي زيادة المتغيرات الأساسية أثناء حدوث الترسيب (درجة حرارة القضبان؛ معدل تدفق معين» التركيز) إلى زيادة معدل الترسيب ومن ثم تحسين في الجدوى الاقتصادية لعملية الترسيب. ب
_ _ مع ذلك؛ فإن كل متغير يخضع لحدود طبيعية؛ يقع خلل بزيادتها لعملية الإنتاج (وفقاً لتنظيم المفاعل المستخدم؛ تلك الحدود مختلفة إلى حد ما). إذاء على سبيل المثال؛ كان التركيز المختار لمكون يحتوي على السيليكون silicon—containing 01 كبيراً daa فقد يوجد ترسيب طور غازي متجانس. 5 .قد تكون نتيجة درجة حرارة القضبان المرتفعة بشكل كبير هى أن المورفولوجيا morphology لقضبان السيليكون silicon المراد ترسيبها لا تكون مدمجة Lo يكفي لتوفير مساحة مقطع عرضي فعال لتدفق التيار حيث يرتفع مع نمو قطر القضيب. يمكن أن تتسب كتثافة التيار العالية بشكل كبير في انصهار السيليكون silicon في حالة القضبان ذات الأقطار الكبيرة (خلال وفوق (ae ٠7١ فإن اختيار درجة الحرارة Jia ٠ أكثر خطورة؛ حيث يصبح السيليكون silicon ضمن القضبان سائلاً (بسبب وجود فرق كبير في درجة الحرارة بين السطح ومركز القضيب)؛ حتى عندما تكون المورفولوجيا مدمجة morphology .Is compact يعمل بوضوح أيضاً الطلب على المنتج من العملاء في صناعات شبه الموصل والطاقة الشمسية على تقييد النطاقات لمتغيرات العملية. Vo على سبيل المثال؛ تتطلب تطبيقات انصهار منطقة FZ zone melting قضبان سيليكون التي تكون إلى حد كبير جداً خالية من التشققات؛ المسامات؛ الانقطاع؛ الصدوع؛ إلخ. ومن ثم تكون متجانسة؛ كثيفة وصلبة. علاوة على ذلك بخصوص ناتج أفضل في سحب تطبيقات انصهار منطقة (FZ zone melting فينبغي على نحو مفضل أن يكون لديها بنية دقيقة محددة. يتم وصف مادة_ من هذا النوع وعملية dali) على سبيل المثال في البراءة الأمريكية Vag ٠ الممتداإ Al ٠ 2008/286550. بخصوص الإنتاج لقضبان إعادة شحن Ally شمى قضبان مقطوعة مطلوبة بالمثل؛ والتي يتم استخدامها بشكل أساسي في عملية تشوخرالسكي 02 لزيادة مستوى امتلاء AE pl) قضبان سيليكون عديد البلورات خام خالية من التشققات؛ ومنخفضة الإجهاد. ب
El بخصوص أغلب التطبيقات؛ مع ذلك؛ يتم سحق قضبان سيليكون عديد البلورات إلى قطع صغيرة . حسب المقاس Sale والتي من ثم يتم تصنيفها على سبيل المثال؛ في البراءة polysilicon يتم وصف عملية وجهاز طحن وفرز بولي سيليكون . 4 Al ٠ AA ١55148 Ya الأمريكية عن فرز يدوي لسيليكون 2009081108 AL 7008081158 Vag تكشف البراءة الأمريكية ©
عديد البلورات حسب المقاس والجودة. يشمل ذلك تنفيذ نظام تأين لمعادلة شحنات كهروستاتيكية neutralize electrostatic ناتجة من تأين هواء نشط active air ionization تنفذ المؤينات 65 إلى هواء الغرفة النقية بأيونات 1005 بحيث يتم تشتيت الشحنة الاستاتيكية static في عوازل وموصلات غير مؤرضة dissipated
٠ تكشف البراءة الأمريكية AL 7٠١777859746 Yah 2007235574 عن lea لطحن وفرز سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon مشتمل على تلقيم جزء بولي سيليكون خشن polysilicon fraction لداخل نظام سحق؛ نظام السحق ونظام الفرز من أجل تصنيف أجزاء البولي سيليكون؛ حيث يتم توفير الجهاز مع وحدة تحكم التي تتيح ضبط متغير لمتغير سحق aly على الأقل في نظام الفرز. يتم وضع قضبان بولي سيليكون polysilicon على صينية السحق
١ للطاحن المسبق. يتم تنفيذ التحكم في الجودة المرئية للقضبان من أجل الأجسام الغريبة؛ رواسب ومورفولوجيا morphology للسطح على صينية السحق. يتم وضع القضيب على de سحق؛ التي تنقل القضيب Jalal غرفة السحق آلياً. في معالجة لطحين خشن؛ قضبان بتشققات وغيرها من عيوب المادة يتم قبولها بمثابة sale أولية. مع ذلك؛ تؤثر المورفولوجيا لقضبان عديد البلورات morphology of polycrystalline rods
٠ والطحين الخشن منها بشدة على ol المنتج. dale كما تؤثر سلبياً المورفولوجيا المسامية porous and fissured morphology والمتشققة على خصائص التبلور. المسامي والمتشقق غير قابل للاستخدام بسبب النواتج غير المقبولة إقتصادياً.
ا
— أ — توجد عمليات بلورة أخرى (على سبيل المثال؛ صب AES والتي يتم استخدامها بكثير من التكرار لإنتاج الخلايا الشمسية) أقل حساسية للمورفولوجيا. هناء يمكن تعويض الأثر السلبي للمواد المسامية والمتشققة من الناحية الاقتصادية عن طريق تكاليف إنتاج أقل. يمثل ذلك مشكلة بأنه في إنتاج المواد المدمجة؛ Lam أيضاً أجزاء مسامية أحياناً في مناطق الطرف 0 العلوي للقضبان. في Alla طلب تطبيقات عميل؛ مع ذلك؛ فإن أجزاء القضيب المسامي غير
مرغوب cad ولذلك ينبغي تخطيط منحنيات تشغيل المفاعل "بشكل معتدل" عن الضرورة الفعلية؛ لتجنب الأجزاء المسامية الأخيرة كذلك. من ناحية أخرى؛ يؤدي Lad إنتاج السيليكون المسامي إلى أجزاء مدمجة في الأجزاء السفلية للقضبان وعلى حواف القضيب المواجهة لجدار المفاعل.
في بعض الحالات؛ يتم تلوث أجزاء معينة من قضبان بشوائب بأكثر شدة عن غيرها. تكشف البراءة الأوربية ايه١ 79147 7 ئي بي EP 2479142 AL عن عملية لإنتاج طحين خشن من سيليكون عديد البلورات (polycrystalline silicon مشتملة على ترسيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على جسم داعم في مفاعل» سحب قضيب السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod ...من المفاعل وطحن قضبان السليكون إلى قطع خشنة
Vo ميليكونية؛ مع إزالة Ve مم على الأقل من طرف القطب الكهربائي لعمود السيليكون متعدد البلورات قبل الطحن. cla يتم بالتالي إزلة جزء من القضيب قبل طحن القضيب إلى قطع خشنة. تحتوي قطع السيليكون الخشنة التي تم الحصول عليها بطحن العمود الراسب على محتوى قليل من الكروم cchromium الحديد «iron النيكل cnickel النحاس copper والكوبالت .cobalt الوصف العام للاختراع
٠ أدت هذه المشاكل الى المستهدف من الاختراع. يتم تحقيق المستهدف بواسطة عملية لإنتاج سيليكون عديد البلورات «polycrystalline silicon مشتملة على ترسيب سيليكون متعدد البلورات على أجسام داعمة موجودة في مفاعل واحد على الأقل للحصول على قضبان سيليكون عديد البلورات (polycrystalline silicon rods تفكيك قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods من المفاعل الواحد على
ا
الأقل» طحن قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods المفككة إلى قطع خشنة؛ حيث يكون التفكيك لقضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods من المفاعل الواحد على الأقل متبوعاً ب ؛ والطحن لقضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon إلى قطع سيليكون خشنة مسبوقاً ب» تصنيف السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon © شكل قضيب إلى اثنين من درجات الجودة على الأقل على أساس سمة واحدة على الأقل؛ يجري إرسال الاثنين من درجات الجودة المذكورة إلى خطوات معالجة يتصور الاختراع بالتالى القيام بتصنيف قضبان السيليكون silicon rods المتفككة إلى اثنين من درجات الجودة. يسبق هذا التصنيف طحن القضبان إلى قطع خشنة.
Hale في إطار الاختراع؛ مفهوم من الطحن إلى قطع خشنة أنه يُعني خطوة الطحن قبل التغليف Yo أو خطوة تنظيف التي تسبق التغليف. polycrystalline silicon للسيليكون عديد البلورات يؤدي الطحن إلى قطع خشنة إلى مقاسات قطع التي يمكن تخصيصها إلى درجات المقاسات منها بمثابة المسافة الأطول بين نقطتين على السطح لقطعة سيليكون SS الآتية؛ يتم تخصيص : خشنة (تساوي الطول الأقصى) VO مقاس قطعة صفر [مم] ١ إلى ©؛ مقاس قطعة [ad ١ ؛ إلى ٠٠؛ مقاس قطعة ٠١ [ad ١ إلى te مقاس قطعة ؟ ٠١ [ad إلى Clo مقاس قطعة ؛ [al £0 إلى YY ٠ إلى ٠ [al 0 مقاس قطعة ١ إلى ف YY [al مقاس قطعة أ ا
A — — سحق قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon إلى قطع قضبان أو Ay سطح لقضيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod أو أخذ عينة من قضيب السيليكون silicon rod لأغراض التحليل؛ على الأخص التحليل بالنسبة إلى سمة التصنيف, لا ينبغي فهم ذلك بمثابة طحن لقضيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod في 0 إطار الاختراع.
يمكن القيام بالتصنيف إلى درجتي الجودة على الأقل باستخدام قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods المأخوذة من Jolie واحد فقط. مع ذلك؛ فمن المفضل أيضاً الأخذ في الاعتبار وجود عديد من المفاعلات Canal قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods من هذه المفاعلات.
على نحو مفضل؛ تؤدي الاثنين من خطوات المعالجة أيضاً المختلفة على الأقل إلى درجتي منتج مختلفة على الأقل للسيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على سبيل المثال من ثلاث درجات مظلات: استخدام لتطبيقات شبه الموصل (semiconductor استخدام لخلايا شمسية أحادية (البلورات) (monocrystalline) solar
-multi(crystalline) solar استخدام لخلايا شمسية عديدة (البلورات) Vo من الممكن أيضاً ملاحظة مقاسات مختلفة بمثابة درجات منتج مختلفة؛ على سبيل المثال؛ يمكن يمكن أن capes Class © قطعة خشنة lie أن تكون خطوة معالجة أخرى هي "طحن حتى بوصات". ١ معالجة أخرى مختلفة هي "طحن حتى مقاس قطعة خشنة sha تكون قد يكون تنفيذ التصنيف أن يتم تخصيص القضبان بالكامل بدرجات جودة محددة.
٠ 8 يكون التنفيذ أيضاً تخصيص أجزاء مقسمة من قضبان بدرجات جودة محددة. Jal يمكن لوسيلة نقل مملوءة بسيليكون أن يتم تخصيصها لدرجة جودة محددة على أساس عينة مأخوذة من وسيلة النقل.
ا
q — — يتم على نحو مفضل استخدام سمات التصنيف المذكورة في هذه الوثيقة على نحو منفرد أو بأي توليفات ممكنة. قد تكون سمة التصنيف سمة "موضع السيليكون في القضيب" position of the silicon inthe .rod © قد تكون سمة التصنيف سمة "موضع القضيب في المفاعل" position of the rod in the reactor قد تكون سمة التصنيف سمة قابلة للإدراك بصرياً. قد تكون السمة القابلة للقياس هذه سمة قابلة للقياس ميكانيكياً مختارة من المجموعة المتكونة من Ys صلادة القضبان أو أجزاء قضيب»؛ القوة المرنة للقضبان أو أجزاء قضيب؛ 38 الشد للقضبان أو أجزاء قضيب» القوة الانضغاطية للقضبان أو أجزاء القضيب؛ قوة القص للقضبان أو أجزاء cad صوت القضبان أو أجزاء قضيب بعد استثارة ميكانيكية؛ تردد اهتزاز فعلي للقضبان أو أجزاء قضيب» صفات جزء من القضبان أو أجزاء قضيب»؛ على نحو عفوي أو على ARN بطرق متعددة (ميكانيكياً «mechanically حرارياً «thermally كهربائياً «(electrically إجهادات بداخل ١ القضبان أو أجزاء قضيب والقصور SI للقضبان أو أجزاء قضيب؛ وتوليفة من السمات المذكورة. قد تكون السمة القابلة للقياس هذه بالمثل سمة ALE للقياس بوسائل كهرومغناطيسية/ _ذرية «electromagnetic/nuclear مختارة من المجموعة المتكونة من توصيلية حرارية للقضبان أو أجزاء قضيب؛ مقاومة كهربائية للقضبان أو أجزاء قضيب electromagnetic permeability cof the rods or rod parts ٠ نفاذية كهرومغناطيسية للقضبان أو أجزاء قضيب electromagnetic permeability of the rods or rod parts ؛ معاملات انكسار للقضبان أو أجزاء قضيب للموجات الكهرومغناطيسية refractive indices of the rods or rod parts for electromagnetic waves معاملات انكسار للقضبان أو أجزاء قضيب للصوت refractive indices of the rods or rod parts for sound موجات تحت صوتية وفوق Tey
“yam color of لون القضبان أو أجزاء قضيب cinfrasound and ultrasound waves صوتية absorption طيف امتصاص للقضبان أو أجزاء قضيب the rods or rod parts طيف انبعاث للقضبان أو أجزاء قضيب بعد استثارة spectrum of the rods or rod parts (على سبيل المثال؛ emission spectrum of the rods or rod parts after excitation أو في الحالة بدون استتارة؛ (optically بصرياً electrically Lil eS thermally Lj ©
X-ray diffraction للقضبان أو أجزاء قضيب X-ray صفات حيود الأشعة السينية صفات امتصاص الاشعة السينية للقضبان أو ccharacteristics of the rods or rod parts صفات X-ray absorption characteristics of the rods or rod parts أجزاء قضيب neutron diffraction characteristics of the rods حيود نيترون للقضبان أو أجزاء قضيب neutron absorption صفات امتصاص نيترون للقضبان أو أجزاء قضيب cor rod parts ٠ shal 008180160150065؛ صفات رنين مغزلي نيترون للقضبان أو of the rods or rod parts قضيب «nuclear spin resonance characteristics of the rods or rod parts سعوةٌ كهربائية للقضبان أو أجزاء قضيب «electrical capacitance of the rods or rod parts استقراء كهرومغناطيسي للقضبان أو أجزاء قضيب electromagnetic inductivity of the magnetization of the rods or المغنطة للقضبان أو أجزاء قضيب rods or rod parts Yo magnetic moment of the rods العزم المغناطيسي للقضبان أو أجزاء قضيب crod parts magnetic susceptibility of القابلية المغناطيسية للقضبان أو أجزاء قضيب cor rod parts radioactivity of the النشاط الراديوي للقضبان أو أجزاء قضيب the rods or rod parts isotope composition of تكوين النظائر من قضبان أو أجزاء قضيب crods or rod parts neutron قابلية تنشيط نيترون للقضبان أو أجزاء قضيب the rods or rod parts ٠ gloss of the بريق القضبان أو أجزاء قضيب cactivatability of the rods or rod parts rods or rod parts الانعكاسية للسطح للقضبان أو أجزاء قضيب لأطوال عديدة مختلفة من إشعاع كير رمعناطيسي reflectivity of the surface of the rods or rod parts for (various wavelengths of electromagnetic radiation الانعكاسية لأسطح جزء من Yo القضبان أو أجزاء قضيب لأطوال موجية عديدة من إشعاع كهرومغناطيسي reflectivity of fracture surfaces of the rods or rod parts for various wavelengths of Tey
— \ \ — celectromagnetic radiation معامل نقل الحرارة للسطح أو سطح جزءٍ من القضبان أو shal قضيب heat transfer coefficient of the surface or fracture surface of the rods cor rod parts ممانعة كهربائية للقضبان أو أجزاء قضيب لموجات كهرومغناطيسية أو صوتية بترددات مختلفة impedance of the rods or rod parts for electromagnetic or sound waves of different frequencies © وقابلية الاستقطاب الكهربائية للقضبان أو أجزاء قضيب electrical polarizability of the rods or rod parts والنفاذية الكهربائية للقضبان Jf أجزاء قضيب electrical permittivity of the rods or rod parts وتوليفة من السمات المذكورة. قد يتم إضافياً اختيار السمة القابلة للقياس من المجموعة المتكونة من أصبغة على الأسطح ٠ - للقضبان أو أجزاء قضيب؛ تشوهات السطح للقضبان أو أجزاء قضيب؛ بنية السطح للقضبان أو أجزاء قضيب؛ سمك القضبان أو أجزاء قضيب؛ شكل القضبان أو أجزاء قضيب»؛ طول القضبان؛ وزن القضبان أو أجزاء قضيب؛ مسامية القضبان أو أجزاء قضيب؛ كثافة القضبان أو أجزاء قضيب ومظهر القضبان أو أجزاء قضيب (انطباع جودة مرئي شخصي) وتوليفة من السمات المذكورة. Yo قد تكون سمة التصنيف على سبيل JE قطر القكضيب . قد تكون سمة التصنيف سمة "تلوث السطح أو الحجم". في هذه الحالة؛ فمن الممكن التصنيف عن طريق تلوث سطح القضبان أو أجزاء قضيب بمعادن؛ بغير المعادن؛ أو بتركيبات؛ عن طريق تلوث حجم القضبان أو أجزاء قضيب بالمعادن؛ بغير المعادن» أو بالتركيبات؛ وعن طريق تلوث السطح للقضبان أو أجزاء قضيب بالأتربة (على سبيل (JB ٠ أتربة سيليكون dust 511000)؛ أو عن طريق توليفة من السمات المذكورة. من سمات التصنيف المفضلة الأخرى درجة Sha الهواء والتركيبة (بما في ذلك الملوثات) على تفكيك قضيب وفي الزمن المستغرق حتى التصنيف » حالة مفاعل الترسيب بعد الترسيب (السلامة؛ الرواسب لمواد متنوعة)؛ أي اتصال للقضبان أو أجزاء قضيب مع مواد خارجية. ا
_ \ \ —_
من سمات التصنيف المناسبة أيضاً البنية البلورية crystal structure للقضبان أو أجزاء قضيب؛
مقاس البذرة البلورية size ©1ا007/5181؛ النوع؛ الشكل والترتيب في مناطق بداخل أو على السطح
للقضبان أو أجزاء قضيب؛ الواجهة البينية للقضبان الخيطية filament rods مع السيليكون
المترسب deposited silicon (لون؛ شكل؛ سمك وتركيبة أي طبقة متوسطة موجودة؛ 38 © الرابطة؛ إلخ.) ووجود أو عدم وجود تجويفات lo) سبيل المثال مملوءة غاز) بداخل القضبان أو
أجزاء قضيب؛ وتوليفة من السمات المذكورة.
cpl من الممكن أيضاً التصنيف عن طريق صفات التفاعل للقضبان أو أجزاء قضيب مع
المركبات الكيميائية المتعددة؛ الرائحة للقضبان أو أجزاء قضيب؛ وانبعاث الجسيمات للقضبان أو
أجزاء قضيب.
٠ يتصور الاختراع على نحو مفضل أيضاً فصل sia من عمود سيليكون لتصنيف هذا الجزء على أساس سمة التصنيف»؛ على سبيل JED عن طريق إزالة السطح أو سحق القضيب إلى قطع أكثر تفضيلاً؛ يلي الطحن إلى قطع خشنة؛ على نحو إضافي؛ تصنيف القطع الخشنة على أساس سمة تصنيف واحدة على الأقل مختارة من المجموعة المتكونة من المسامية؛ الشروخ؛ الثقوب؛
١ 5 أ لأصبغة 4[ وقطر القكضيب وشكله . من المفضل أيضاً التصنيف قبل وأثناء الترسيب. كما هو مذكور بالفعل al فمن المفضل الأخذ في الاعتبار وجود عديد من المفاعلات وتصنيف قضبان السيليكون عديد البلورات من هذه المفاعلات. تتمثل التصنيفات المناسبة قبل الترسيب في غازات التفاعل (تلوث بمعادن؛ بغير معادن وغازات
Yo خارجية) والقضبان الخيطية المستعملة (سمك؛ شكل؛ طول؛ وتلوث على السطح وفي الحجم). أثناء الترسيب؛ تتمثتل سمة تصنيف مفيدة في إحدى المختارات من المجموعة المتكونة من نوع مفاعل مختارء تنظيم مختار للمفاعل (أقطاب كهربائية؛ فووهات؛ حاكمات تسرب؛ إلخ.)؛ درجة حرارة الترسيب وهيئتها أثناء الترسيب؛ معدل تدفق غازات التفاعل وهيئته أثناء الترسيب؛ تركيبة
ب
— \ _ وتركيز غازات التفاعل وهيئتها أثناء الترسيب وزمن الترسيب. من المفضل أيضاً دمج اثنين أو أكثر من سمات التصنيف من المجموعة المذكورة. في تجسيم مفضل؛ يتأثر التصنيف بالموضع في القضيب. يحدث ذلك على سبيل المثال» عندما يتم ترسيب sale مدمجة إلى حد كبير » كما هو مطلوب 2 لعمليات عميل قد ثم طلبهاء في مفاعل .Siemens كما هو مذكور أعلاه؛ تحدث أجزاء مسامية أيضاً في مواضع قضيب محددة. على وجه الخصوص؛ الأطراف العلوية أغلبها مسامي بشكل كبير ٠ القصد هو تصنيف مواضع القضبان إلى مدمج ومسامي . بهذه الطريقة؛ يتم aad] مواضع القضيب لدرجتي الجودة بالمدمج والمسامي. يتم إزالة أجزاء القضيب المسامية؛ مما يؤدي ذلك إلى أجزاء قضيب تتضمن أجزاء مدمجة فقط وأجزاء قضيب تتضمن أجزاء مسامية فقط. يتم ٠ أيضاً معالجة أجزاء القضيب التي تتضمن أيضاً أجزاء مسامية؛ بالطحن إلى قطع خشنة لصناعة الطاقة الشمسية (درجة منتج شمسي). يتم تخصيص أجزاء القضيب المدمجة إلى درجة منتج شبه موصل (CZ (FZ) يتم اختيارياً طحن أجزاء القضيب المدمجة إلى قطع خشنة. الوصف التفصيلى: Lam مميزات هذا التجسيم من حقيقة أن الأجزاء المسامية في الترسيب لم تعد في إمكانها التأثير Vo على أد اء عملية البلورة حيث أنها قد انفصلت مسبقاً ٠ من ناحية أخرى؛ يتم تخصيصض أجزاء العمود المسامية إلى درجة المنتج الشمسي فقط ومعالجتها lg Ab في هذه Aad لا تفي الأجزاء المسامية قط بالطلبات للسيليكون الشمسي لكن حقيقياً تؤدي إلى تحسين في الأداء. يعمل ذلك على إتاحة أسرع ترسيب ومن ثم أقل تكلفة في إنتاج المادة المدمجة. في تجسيم مفضل آخرء يتأثر التصنيف بالموضع في المفاعل. ٠ هذا على أساس اعتبار اختيار القضبان بواسطة مواضعها في المفاعل أثناء الترسيب. يؤثر ترتيب القضبان في المفاعل على جودة القضبان المترسبة. تشمل مفاعلات حديثة ٠١ قضيب خيطي filament rods على الأقل التي تعمل مثابة أجسام داعمة لترسيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon يوفر المفاعل أيضاً فوهات مدخل غاز لغاز التفاعل في ب
-؟١- غرفة المفاعل؛ والتي تمثل فوهات مصطفة رأسياً إلى أعلى بالنسبة إلى لوحة قاعدة لغرفة المفاعل. قد يتم توفير الفونية أيضاً في مركز لوحة القاعدة. يتم على نحو مفضل وضع واحدة أو أكثر من فوهات غاز منبعث في وسط المفاعل حول الفوهات المركزية central nozzles أو جنباً إلى جنب مع الفوهات المركزية و/أو بين جدار مفاعل وقضبان السيليكون الخارجية. على نحو مفضل؛ لغرفة المفاعل مقطع عرضي مستدير أو متوائم مع عدد القضبان الخيطية
filament rods والانتفاع الأمثل لحيز (Sd) على سبيل المثال؛ مقطع عرضي سداسي. في هذا الإطار؛ من المفيد عندما يكون لكل قضيب سيليكون silicon rod (باستثناء قضبان بجانب جدار المفاعل)؛ بمسافة ١5١ إلى £00 مم؛ ثلاث قضبان سيليكون silicon rods أخرى وواحد إلى ثلاثة فوهات لغاز داخل. يُشار إلى قضبان السيليكون الأخرى الثلاثة المذكورة بقضبان
٠ متقاربة أو قضبان متجاورة. على نحو مفضل؛ تتراوح المسافة من الفوهات والقضبان المتجاورة بين You 5 ٠٠ مم. قد تختلف المسافات الفردية بين قضبان السيليكون silicon rods المتقاربة أو الفووهات؛ إلا أنه من الفضل أن تكون بين ١5١ و50 cae أكثر تفضيلاً بين Fou 5 70١8 مم. أي فرق في المسافات من قضبان السيليكون silicon rods المتقاربة الفردية والفووهات؛ على نحو (Junie أقل من Yoon أكثر تفضيلاً J من 9675 وأكثر تفضيلاً بعد أقل من .96٠0 لقضبان
١5 _ السيليكون بجانب جدار المفاعل؛ بنفس المسافة؛ ١ إلى ¥ قضبان سيليكون silicon rods أخرى و١ إلى ؟ فوهات مداخل غاز. تقع الزوايا بين الاتجاهات من قضيب سيليكون silicon rod إلى القضبان المتجاورة ومن قضيب السيليكون rod 511000 إلى الفووهات المتجاورة على نحو مفضل بين 98 و950١ درجة؛ أكثر تفضيلاً بين sls Aap ١٠50و ٠١5 تفضيلاً بعد ١١5 و5١ درجة.
٠ إذا تم إنتاج قضبان سيليكون متعدد البلورات polycrystalline silicon rods في مفاعلات التي لها Jie ذلك الترتيب للقضبان؛ لدى هؤلاء مستوى فشار أقل إلى حد كبير. بخصوص نفس جودة القضيب؛ فمن الممكن العمل أسرع كثيراً ومن ثم إجراء عمليات ترسيب إقتصادية أكثر بشكل كبير. (على سبيل المثال بسبب درجة الحرارة المرتفعة لقضبان السيليكون (silicon rods
Tey
اج \ _
cline من الممكن للقضبان في وسط المفاعل الوصول إلى درجات حرارة أعلى ومن ثم تنمو أكثر
سريعاً وبمسامية أعلى من القضبان على الجانب الخارجي؛ بالقرب من جدار المفاعل.
من خلال اختيار القضبان؛ لقد كان في الإمكان ترسيب مادة لدرجتي جودة مختلفتين بداخل شحن
مفاعل؛ أي مادة مدمجة بالكامل تقريباً مناسبة لعمليات شبه موصل بعد التنظيف؛ وسيليكون
© مسامي poroussilicon غير مكلف كما هو مستخدم لعمليات الطاقة الشمسية. كانت التكاليف
الكلية هنا أقل منها في الإنتاج المنفصل للمادتين.
في تجسيم مفضل cae يتأثر التصنيف وفقاً للمورفولوجيا .morphology
في حالات محددة؛ فمن المستحيل التنبؤ بالمورفولوجيا Morphology ومن ثم مناسبة المادة
لعمليات عميل محددة من الموضع للسيليكون silicon في القضيب أو القضيب في المفاعل. ٠ في هذه call 8 يتبع تفكيك القضبان التصنيف مباشرةٌ على أساس المورفولوجيا
morphology للقضبان (ثقوب؛ تشققات؛ إلخ.): في هذه الحالة؛ يتم تصنيف إما القضبان بأكملها
أو أجزاء من هذه القضبان (على سبيل (JE متضمنة أسطح متقشرة) إلى درجات جودة محددة.
أحد أمثلة طريقة ممكنة لهذا الغرض وهي طريقة اختبارات عدم التلوث وعدم التلف لجسم بولي
سيليكون polysilicon مشكل بعيب مادة؛ التي فيها تمر موجات فوق صوتية خلال جسم بولي Ve مسيليكون polysilicon المشكل؛ مع اقتران فوق صوتي عن طريق ماء منزوع المعادن خالي من
الفقاعات بتقنية نفث الماء؛ ومع تسجيل الموجات فوق الصوتية بجهاز استقبال فوق صوتي بعد
مرورها من خلال جسم البولي سيليكون polysilicon المشكل؛ بحيث يتم اكتشاف العيوب في مادة
البولي سيليكون ©75500ا00. يمكن إيجاد تفاصيل هذه الطريقة في البراءة الأمريكية ايه١
vy الا Al Y [NY IN [NY 20080053232. بهذ الطريقة؛ من الممكن فرز عيوب ذات مساحة ١ بروز أكبر من 7 6 مم مربع ٠ سمة التصنيف الممكنة هي وجود أو عدم وجود عيوب بهذا
المقاس. وفقاً لذلك؛ يتم إنجاز فرز إلى درجتي جودة. قد يكون جسم البولي سيليكون polysilicon
المشكل المفحوص قضيب سيليكون عديد البلورات أو جزء منفصل من قضيب.
يتم إرسال درجة الجودة مع العيوب إلى عملية معالجة أخرى مختلفة ومن ثم؛ وعلى نحو اختياري؛
إلى درجة منتج مختلفة عن درجة الجودة الأخرى.
ب
_ أ \ _
بالإضافة إلى سمات التصنيف المذكورة؛ فمن الممكن أيضاً التصنيف بسمات ظاهرية أخرى.
قد تكون السمات الظاهرية الأخرى؛ على سبيل (Ji رواسب أو أصبغة؛ التي يمكن أن تحدث
La على قضيب واحد في دفعة. إذا حدثت السمة الظاهرة على أحد القضبان فقط؛ يتم استبعاد
هذا القضيب فقط اختيارياً. يتم إرسال بقية الدفعة إلى الاستخدام المخطط له. يتم تخصيص
fo] القكضيب المستبعد إلى an جودة منخفضة أخرى.
من المفضل أيضاً القيام بتلك التصنيفات بسمات مورفولوجيا Slew morphological ظاهرية
أخرى بعد طحن قضبان السيليكون rods 51000؛ أي؛ إلى قطع خشنة.
في هذه الحالة؛ يتم تصنيف القطع الخشنة على أساس سمة واحدة على الأقل إلى درجتي جودة؛
في هذه الحالة يتم إرسال درجتي الجودة على الأقل المذكورة إلى خطوتي معالجة أخرى مختلفة ٠ على الأقل؛ في هذه الحالة تؤدي خطوتا المعالجة المختلفة على الأقل المذكورة إلى درجتي منتج
قد يتبع هذا التصنيف للقطع الخشنة أيضاً معالجة كيميائية رطبة. على وجه الخصوص بعد
معالجة كيميائية رطبة؛ تحدث أصبغة في الغالب على قطع خشنة منفردة. يتم وصف معالجة
كيميائية رطبة مناسبة في البراءة الأوربية بي١ 793 905 ٠ ئي بي EP 0 905 796 Bl ١ إنه لمن المفضل على وجه الخصوص تزويد عمال على خط التنظيف بكتالوج أصبغة مبينة
الأصبغة التي تحدث Sale على قطع خشنة.
من المفيد بالمثتل عندما يتم تزويد العمال أيضاً بمنظومة استخدام التي تعطيه أو تعطيها معلومات؛
على أساس التصنيف وفقاً لكتالوج الأصبغة؛ Jie الاستخدام الذي يتم إليه إرسال القطع الخشنة
الظاهرية. هذه التدابير» Jie توفير كتالوج أصبغة أو سمات بصفة عامة ومنظومة استخدام؛ مفيدة
في جميع التجسيمات؛ .قد يسبق أو يلى التصنيف لقضبان السيليكون عديدة البلورات
polycrystalline silicon rods الإزالة للقطب الكهربائي الكربوني .carbon electrode لا
ب
ل \ — تُحتبر الإزالة للقطب الكهربائي الكربوني carbon electrode ولقطع خشنة سيليكونية ملوثة بكربون carbon-contaminated Si chunks خطوة تصنيف في إطار هذا الاختراع. تمتل سمة تصنيف gal محتوى عامل الإشابة. في هذه الحالة؛ يمكن أن يتأثر القياس عند نقاط عديدة على قضيب aad dail gs عينة. ا لهذا الغرض؛ يتم إدخال عينات صغيرة التي تم إنتاجها من قضيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod (على سبيل (JOB عن طريق التثقيب) لداخل وعاء سيليكوني silicon vessel ومعالجتها مع الوعاء السيليكوني silicon vessel ليعطي بلورة واحدة. cla مع ذلك؛ من الضروري طرح التركيزات في الشحنة والتلوث للوعاء السيليكوني من الملوث الكلي المحدد. A في تلك الحالة يتم تحليل المواد المنبعثة ) Al الومنيوم « As زرنيخ؛ P فسفور « B بورون) عن طريق التألق الضوئي ل 1398 SEMI MF على بلورة FZ أحادي تم انتاجها من مادة متعددة البلورات )1723 1 (SEMI يتم تقسيم رقاقة من قضيب أحادي البلورات المنتج من عمود سيليكون عديد البلورات أو من قطع خشنة من سيليكون عديد البلورات عن طريق (FZ حفرها ب 17/118103 حمض النتريك/ ١ ميدروفلوريك؛ غسلها ب VA ميجاأوم ماء وتجفيفها. يتم إجراء قياسات التألق الضوئي على هذه الرقاقة. قد Jods خطوتي المعالجة الأخرى المختلفة على الأقل؛ على سبيل المثال؛ إرسال درجة جودة واحدة تحوي محتوى عامل إشابة مرتفع بشكل كبير عند السطح إلى معالجة Liles رطبة؛ في حين يتم أيضاً معالجة درجة الجودة الأخرى بدون خطوة التنظيف تلك. Ye بخصوص درجتي المنتج على الأقل؛ ينبغي إجراء تمييز أول بين شبه الموصل والشمسي. في حالة شبه الموصل»؛ يتم إجراء مفاضلة بين FZ (منتج: قضيب) أو قطع خشنة CZ التي قد يتم أو لا يتم تنظيفها. في حالة الشمسيء يتم sha) التفضيل وفقاً لطبيعة عملية الترسيب. ا
م -١ توفر درجة منتج واحدة قضيب سيليكون عديد بلورات polycrystalline silicon rod بقطر Yo. مم على الأقل؛ متضمن نواة (A) لها مسامية من صفر إلى أقل من ١09 وقضيب رفيع (جسم داعم» خيط) ومنطقتين متتاليتين على الأقل 8 و© لها مسامية مختلفة بعامل من ٠,7 إلى YY المنطقة الخارجية © أقل مسامية من المنطقة 8. © تُعتبر منطقة قضيب السيليكون silicon rod الذي له مسامية أقل من 0.0٠ بمثابة منطقة مدمجة في إطار الاختراع. بالتالي تكون نواة قضيب السيليكون مدمجة في درجة المنتج هذه. يُشار إلى منطقة بمسامية من 09 إلى ١,١ ب sald كثيفة' أو "'طبقة SAGES تشتمل منطقة © على مادة كثيفة. على نحو مفضل»؛ تتسع النواة A عبر مدى قطرى حتى To مم يتسع Sale القكضيب الرفيع الذي أ ثم عليه ترسيب النواة م بمليمترات قليلة وحتى ١١ مم. بالتالي؛ fas النواة Gale A على سبيل (JE بقطر 9 مم وتتسع حتى قطر لا يزيد عن ٠١ مم. تتسع النواة / على نحو مفضل حتى قطر لا يزيد عن 5٠0 مم؛ أكثر تفضيلاً لا يزيد عن ٠ © مم. على نحو (Jade للمنطقة 5 التي تلي النواة A مسامية أكبر من orl إلى Y 7 وتمتد عبر مدى قطرى من ١59 إلى 9+6 من قطر قضيب السيليكون rod 5110010. على نحو مفضل»؛ ١ تمتد المنطقة 8 عبر مدى قطرى من Ye إلى 90860. على نحو مفضل للمنطقة © التي تلي مسامية أقل من oo) إلى 6,١ وتمتد عبر مدى قطرى من +965 إلى 96٠ من القطر الكلي لقضيب السيليكون . على نحو مفضل تمتد المنطقة C عبر مدى قطرى من Te إلى 970٠٠ أكثر تفضيلاً عبر مدى من Ye إلى RANE على نحو (unde تكون مسامية المنطقة © ثابتة. وأكثر تفضيلاً عندما تتناقص مسامية المنطقة CY مع تزايد القطر. ag) لمن المفضل على نحو إضافي عندما تم تطبيق طبقة lg > إلى منطقتي 8 و المساميتين؛ تتراوح مسامية 2 من صفر إلى أقل من ١09 (مدمجة) بمدى قطرى من 9690 إلى 90٠ من القطر الكلى . يتراوح مدى قطرى مفضل على وجه الخصوصض من 0 إلى NAR) على نحو مفضل؛ للطبقة Z سمك 1,5 مم على الأقل. ا
_ \ q —_
عن طريق طحن مثل ذلك القضيب السيليكون عديد البلورات «polycrystalline silicon rod
فمن الممكن إنتاج قطع خشنة من سيليكون عديدة البلورات .polycrystalline silicon chunks
يتم طحن القضبان على نحو مفضل بطريقة Ailes للبراءة ايه١ YF VIF ؟ ئي بي 2 مع
Al 163 423 مع إزالة متتالية للأتربة من القطع الخشنة عن طريق هواء مضغوط أو ثلج جاف.
© بالمثل من المفضل؛ بطريقة مماثلة للبراءة 8097495 يو اس 8074905 (US سحق القضبان
إلى قطع خشنة؛ تصنيف أو فرزها إلى قطع خشنة بدرجات مقاس من حوالى #9,» مم إلى ٠٠١
مم؛ ثم تعريضها لعملية تنظيف كيميائي رطب - كما هو موصوف في البراءة بي YAY 40
ني بي 81 796 905 0 .EP
توجد سمة للقطع الخشنة من سيليكون عديد البلورات التي تم الحصول عليها وهي أنها تتضمن ٠ قطع خشنة لها مساميات مختلفة و/أو قطع خشنة مشتملة على مناطق لها مساميات مختلفة.
بالتالي؛ يمكن أيضاً تصنيف القطع الخشنة عن طريق المسامية.
تتراوح مساميات القطع الخشنة الفردية من صفر إلى ca Yo
تتمثل ١ نتيح dail في درجتي جودة :
القطع الخشنة الفردية لها مسامية من صفر إلى أقل من Lis ١.09 من النواة المدمجة لقضيب ١ السيليكون أو من الطبقة Z الموجودة اختيارياً.
قطع خشنة أخرى لها درجات متنوعة من المسامية وتتراوح مساميتها من ١.١ إلى CY
يتم تركيب المسامية الشاملة لعينة من إجمالي المجموع للفراغات المتصلة ببعضها البعض وبالبيئة؛
والفراغات غير المتصلة ببعضها البعض. المسامية الشاملة؛ أي؛ يتم تحديد التناسب لسعة المسام
الكلية (مسام مفتوحة أو مغلقة) في السعة الكلية للبولي سيليكون polysilicon بالتوحيد القياسي DIN-EN 1936 ٠ من حساب الكثافة الظاهرية والكثافة الحقيقية؛ أي
المسامية الكلية - ١ - (الكثافة الظاهرية/4 7,77 [جم/سم مكعب]).
ب
— \ «=
يتم تحديد الكثافة الظاهرية بمثابة الكثافة للبولي سيليكون المتضمن فراغ المسام في الحالة الجافة
بالتوحيد القياسي 1936 DIN-EN (وزن عينات محددة من ناحية حجم أو قياس قوة الطفو للعينة
المشبعة في زثبق بتوازن هيدروستاتيكي .(hydrostatic balance
النواة المدمجة A لقضيب سيليكون عديد البلورات لها على نحو مفضل كثافة ظاهرية 1,771
© (مسامية صفر). المنطقة 8 لها على نحو مفضل BES ظاهرية من ٠,8 إلى 7,7. المنطقة © لها
على نحو مفضل كثافة ظاهرية من 7,١ إلى YF الطبقة > لها على نحو مفضل كثافة ظاهرية
.٠,75 إلى ٠,7 من
توفر درجة منتج Al قضيب سيليكون عديد البلورات مشتمل على طبقة خارجية من سيليكون عديد
البلورات لها سمك من 0,0٠ إلى cae ٠١ لهذه الطبقة الخارجية المتضمنة بلورات لها مقاس Ye متوسط أكبر من Yo ميكرومتر.
على نحو مفضل لا يزيد متوسط المقاس لبلورات Aaya) الخارجية عن Ae ميكرومتر . على نحو
(Junie يتراوح متوسط مقاس البلورات للطبقة الخارجية من 75 إلى Tr ميكرومتر؛ أكثر تفضيلاً
من YY إلى ٠0 ميكرومتر؛ أكثر تفضيلاً بعد من TO إلى 00 ميكرومتر.
على نحو مفضل؛ لقضيب السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod مسام أو بنية Yo مشققة تحت الطيقة الخارجية.
على نحو مفضل؛ البنية في باطن قضيب السيليكون عديد البلورات هي من نفس النوع (أي؛ لها
نفس البنية البلورية؛ نفس مقاس البلورة؛ إلخ. في (hd وتشتمل على مسام؛ ثغرات og Ua)
شروخ وتشققات.
على نحو مفضل» تتكون الطبقة الخارجية من بلورات لها مقاس متوسط أكبر من المقاس المتوسط ٠ لللبلورات التي تقع تحت الطبقة الخارجية.
يتيح الاختراع بالتالي تصنيف عن طريق أجزاء مدمجة ومسامية للسيليكون عديد البلورات
polycrystalline silicon يمكن بكثير من المرونة تشغيل عمليات الترسيب التي تشكل تكلفة
كبيرة في إنتاج البولي سيليكون. يتم أيضاً إرسال مادة عالية الجودة إلى استخدام عالي الجودة.
ا
_— \ \ _ يمكن أيضاً استخدام مادة مدمجة متكونة في الإنتاج لمنتجات شمسية لمنتجات مرتفعة الجودة (C2) TeV
Claims (1)
- "١ عناصر الحماية مشتملة على ترسيب سيليكون spolyerystaline silicon عملية لإنتاج سيليكون عديد البلورات .١ على أجسام داعمة موجودة في مفاعل واحد depositing polycrystalline silicon متعدد البلورات تفكيك (polycrystalline silicon rods على الأقل للحصول على قضبان سيليكون عديد البلورات «Ja من المفاعل الواحد على polycrystalline silicon rods قضبان السيليكون عديد البلورات المفككة إلى قطع خشنة؛ polycrystalline silicon rods طحن قضبان السيليكون عديد البلورات © حيث يكون التفكيك لقضبان السيليكون عديد البلورات من المفاعل الواحد على الأقل متبوعاً ب ؛ إلى قطع سيليكون خشنة polycrystalline silicon rods والطحن لقضبان السيليكون عديد البلورات في شكل قضيب إلى اثنين polyerystalline silicon مسبوقاً ب ؛ تصنيف السيليكون عديد البلورات من درجات الجودة على الأقل على أساس قطر القضيب وسمة إضافية واحدة على الأقل» يجري Alfie إرسال الاثنين من درجات الجودة المذكورة إلى خطوات سحق ٠ حيث تكون سمة التصنيف الواحدة على الأقل هي ٠١ العملية كما هي مذكورة في عنصر ." "position of the silicon in the rod" 'موضع السيليكون في القضيب" أو 7؛ حيث تكون سمة التصنيف الواحدة على الأقل هي ١ العملية كما هي مذكورة في عنصر .© ١ "position of the rod in the reactor’ '"موضع القضيب في المفاعل" حيث تكون سمة التصنيف الواحدة oF إلى ١ ؛. العملية كما هي مذكورة في أي من العناصر على الأقل هي سمة قابلة للإدراك بالرؤية. ٠١ حيث تكون سمة التصنيف الواحدة of إلى ١ العملية كما هي مذكورة في أي من العناصر 0 على الأقل هي سمة قابلة للقياس. إلى 0 حيث تكون سمة التصنيف الواحدة ١ العملية كما هي مذكورة في أي من العناصر LT .contamination of the surface or of the volume على الأقل هي سمة "تلوث السطح أو الحجم" Yo بLY العملية كما هي مذكورة في أي من العناصر ١ إلى 7؛ حيث يتم تخصيص جميع قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rods إلى درجتي جودة على الأقل. LA 0 العملية كما هي مذكورة في أي من العناصر ١ إلى 0 حيث يتم تخصيص أجزاء مفصولة من عمود سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod واحد إلى درجتي جودة على الأقل.4. العملية كما هي مذكورة في أي من العناصر ١ إلى 6؛ حيث يتبع طحن قضبان السيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon rod إلى قطع خشنة تصنيف القطع الخشنة على أساس Aan ٠ واحدة على الأقل مختارة من المجموعة المتكونة من مسامية؛ شروخ؛ ثقوب؛ أصبغة؛ قطر قضيب وشكل قضيب يتم إجراء التصنيف إلى درجتي جودة على الأقل . بمدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب TAT الرياض 57؟؟١١ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: patents @kacst.edu.sa
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE201310207251 DE102013207251A1 (de) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| PCT/EP2014/055837 WO2014173596A1 (de) | 2013-04-22 | 2014-03-24 | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA515370027B1 true SA515370027B1 (ar) | 2018-07-18 |
Family
ID=50397128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA515370027A SA515370027B1 (ar) | 2013-04-22 | 2015-10-21 | عملية لتحضير السليكون متعدد البلورات |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10400329B2 (ar) |
| EP (1) | EP2989052B1 (ar) |
| JP (1) | JP6567501B2 (ar) |
| KR (1) | KR101801757B1 (ar) |
| CN (2) | CN105339302A (ar) |
| DE (1) | DE102013207251A1 (ar) |
| ES (1) | ES2677489T3 (ar) |
| MY (1) | MY178822A (ar) |
| SA (1) | SA515370027B1 (ar) |
| TW (1) | TWI516446B (ar) |
| WO (1) | WO2014173596A1 (ar) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020234401A1 (de) | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium |
| WO2020233797A1 (de) | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium |
| KR20220017500A (ko) | 2019-06-11 | 2022-02-11 | 와커 헤미 아게 | 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| EP4021849B1 (de) * | 2019-08-29 | 2024-01-03 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur herstellung von siliciumbruchstücken |
| CN110967466B (zh) * | 2019-11-13 | 2022-05-17 | 鞍钢集团矿业有限公司 | 采场空区稳定性的评价方法 |
| WO2021121558A1 (de) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung und klassifizierung von polykristallinem silicium |
| CN111545327B (zh) * | 2020-05-19 | 2021-09-17 | 铜仁职业技术学院 | 一种矿石加工装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1015422A (ja) | 1996-07-03 | 1998-01-20 | Sumitomo Sitix Corp | 多結晶シリコンの破砕方法 |
| DE19741465A1 (de) | 1997-09-19 | 1999-03-25 | Wacker Chemie Gmbh | Polykristallines Silicium |
| DE10019601B4 (de) | 2000-04-20 | 2006-09-14 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
| JP2006206387A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン還元炉及び多結晶シリコンロッド |
| DE102005019873B4 (de) * | 2005-04-28 | 2017-05-18 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zum maschinellen Zerkleinern von Halbleitermaterialien |
| DE102006016324A1 (de) | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zum flexiblen Klassieren von polykristallinen Silicium-Bruchstücken |
| DE102006016323A1 (de) | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von Polysilicium |
| KR100768148B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-10-17 | 한국화학연구원 | 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법 |
| DE102006040486A1 (de) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur zerstörungsfreien Materialprüfung von hochreinem polykristallinen Silicium |
| DE102007023041A1 (de) | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Wacker Chemie Ag | Polykristalliner Siliciumstab für das Zonenziehen und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP2036856B1 (en) * | 2007-09-04 | 2018-09-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon |
| KR101811872B1 (ko) * | 2007-09-20 | 2017-12-22 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 다결정 실리콘 반응로 및 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| DE102007047210A1 (de) | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Silicium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN101928001A (zh) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种制备粒状多晶硅的新型流化床反应装置 |
| JP5751748B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法 |
| JP5238762B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2013-07-17 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法 |
| DE102010039752A1 (de) | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102010040093A1 (de) * | 2010-09-01 | 2012-03-01 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| DE102010043702A1 (de) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Bestimmung von Verunreinigungen in Silicium |
| CN102515166A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-06-27 | 国电宁夏太阳能有限公司 | 一种多晶硅棒的制备方法 |
| DE102012200994A1 (de) | 2012-01-24 | 2013-07-25 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Bestimmung einer Oberflächen-Verunreinigung von polykristallinem Silicium |
-
2013
- 2013-04-22 DE DE201310207251 patent/DE102013207251A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-03-24 JP JP2016509348A patent/JP6567501B2/ja active Active
- 2014-03-24 EP EP14714215.2A patent/EP2989052B1/de active Active
- 2014-03-24 KR KR1020157032942A patent/KR101801757B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-24 CN CN201480035722.9A patent/CN105339302A/zh active Pending
- 2014-03-24 MY MYPI2015002591A patent/MY178822A/en unknown
- 2014-03-24 US US14/785,918 patent/US10400329B2/en active Active
- 2014-03-24 WO PCT/EP2014/055837 patent/WO2014173596A1/de active Application Filing
- 2014-03-24 CN CN201811540457.6A patent/CN110092383A/zh active Pending
- 2014-03-24 ES ES14714215.2T patent/ES2677489T3/es active Active
- 2014-04-22 TW TW103114536A patent/TWI516446B/zh active
-
2015
- 2015-10-21 SA SA515370027A patent/SA515370027B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110092383A (zh) | 2019-08-06 |
| JP6567501B2 (ja) | 2019-08-28 |
| EP2989052B1 (de) | 2018-05-30 |
| US10400329B2 (en) | 2019-09-03 |
| CN105339302A (zh) | 2016-02-17 |
| TWI516446B (zh) | 2016-01-11 |
| EP2989052A1 (de) | 2016-03-02 |
| ES2677489T3 (es) | 2018-08-02 |
| KR101801757B1 (ko) | 2017-11-27 |
| WO2014173596A1 (de) | 2014-10-30 |
| MY178822A (en) | 2020-10-20 |
| JP2016516666A (ja) | 2016-06-09 |
| DE102013207251A1 (de) | 2014-10-23 |
| KR20150141191A (ko) | 2015-12-17 |
| US20160068949A1 (en) | 2016-03-10 |
| TW201441151A (zh) | 2014-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA515370027B1 (ar) | عملية لتحضير السليكون متعدد البلورات | |
| Hrabe et al. | Effects of processing on microstructure and mechanical properties of a titanium alloy (Ti–6Al–4V) fabricated using electron beam melting (EBM), Part 2: Energy input, orientation, and location | |
| Bollmann | Interference effects in the electron microscopy of thin crystal foils | |
| Holdren Jr et al. | Reaction rate-surface area relationships during the early stages of weathering. II. Data on eight additional feldspars | |
| Ferrière et al. | Characterisation of ballen quartz and cristobalite in impact breccias: New observations and constraints on ballen formation | |
| US11214892B2 (en) | Method for manufacturing polycrystalline silicon fragment and method for managing surface metal concentration of polycrystalline silicon fragment | |
| DE102012207513A1 (de) | Polykristalliner Siliciumstab und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| JP6692526B2 (ja) | ルツボ検査装置、ルツボ検査方法、シリカガラスルツボの製造方法、シリコンインゴットの製造方法、ホモエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| CN104010969B (zh) | 多晶硅棒和用于生产多晶硅的方法 | |
| JP2016516666A5 (ar) | ||
| Wu et al. | Study on small crack growth behavior of laser powder bed fused Ti6Al4V alloy | |
| KR102402431B1 (ko) | 실리콘 로드에 존재하는 크랙의 검출 방법 | |
| Narykova et al. | The structure of the near-surface layer of the AAAC overhead power line wires after operation and its effect on their elastic, microplastic, and electroresistance properties | |
| Tan et al. | Effect of microstructure on the corrosion of CVD-SiC exposed to supercritical water | |
| SA516371537B1 (ar) | طريقة لإنتاج سيليكون عديد البلورات | |
| Çelik et al. | Decrepitation properties of some boron minerals | |
| Olszta et al. | A comparison of carbon impurities in pre-and post-melt uranium Part 1: Scanning electron microscopy analysis | |
| TWI781436B (zh) | 用於生產矽塊的方法 | |
| Monarumit et al. | Role of ilmenite micro-inclusion on Fe oxidation states of natural sapphires | |
| KR20170095129A (ko) | 다결정 실리콘 및 다결정 실리콘의 선별 방법 | |
| Huang et al. | Stiffness evaluation for solids containing dilute distributions of inclusions and microcracks | |
| Bandini et al. | A laboratory investigation of the mechanical behaviour of a volcanic ash | |
| Khair et al. | Morphological and microstructural characterizations of the fresh fuel plates for the SEMPER FIDELIS in-pile test | |
| Narykova et al. | The structure of the near-surface layer of the AAAC overhead power line wires after operation and its effect on their elastic, microplastic, and electroresistance properties., 2022, 12, 166 | |
| Faci et al. | Effects of mass and size of sand grains on the physical properties of eroded glass |