RU99102192A - Способ егиазаряна изготовления р-п перехода ионной имплантацией - Google Patents
Способ егиазаряна изготовления р-п перехода ионной имплантациейInfo
- Publication number
- RU99102192A RU99102192A RU99102192/28A RU99102192A RU99102192A RU 99102192 A RU99102192 A RU 99102192A RU 99102192/28 A RU99102192/28 A RU 99102192/28A RU 99102192 A RU99102192 A RU 99102192A RU 99102192 A RU99102192 A RU 99102192A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ion implantation
- egiazaryan
- transition
- production
- semiconductor material
- Prior art date
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ Егиазаряна изготовления р-п переходов ионной имплантацией в полупроводниковом материале, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств р-п перехода, изготовленного в полупроводниковом материале, сначала производят бомбардировку поверхности полупроводникового материала ионами веществ (аморфизацию полупроводника), а затем поверхность полупроводникового материала подвергают бомбардировке ионами примеси, а далее материал обжигают.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99102192A true RU99102192A (ru) | 2000-12-20 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2733924C1 (ru) * | 2020-01-14 | 2020-10-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления сверхмелких переходов |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2733924C1 (ru) * | 2020-01-14 | 2020-10-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления сверхмелких переходов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BR9205169A (pt) | Processo para fabricacao de uma celula solar,processo para estruturacao de material e celula solar | |
| WO1997036318A3 (en) | A method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer of sic and such a device | |
| EP0974817A4 (en) | CIRCUIT BOARD AND SENSOR, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
| KR900005556A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| TW340239B (en) | Plasma etching electrode and the manufacturing process | |
| TW200735227A (en) | Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices | |
| KR950034842A (ko) | 저 접합 누설 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 | |
| TW345691B (en) | Integrated circuit fabrication | |
| KR880006132A (ko) | 입자 제조 방법 | |
| RU99102192A (ru) | Способ егиазаряна изготовления р-п перехода ионной имплантацией | |
| TW200717655A (en) | Manufacturing method of solid-state imaging device | |
| US4320168A (en) | Method of forming semicrystalline silicon article and product produced thereby | |
| CA2033325A1 (en) | Superconducting wire and method of manufacturing the same | |
| MY130338A (en) | Method of forming ultra shallow junctions | |
| RU2005114336A (ru) | Способ егиазаряна изготовления p-n перехода ионной импантанцией | |
| KR910001943A (ko) | 바이포울러 씨모스의 제조방법 | |
| EP0726594A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS5637670A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5688322A (en) | Processing method for semiconductor substrate | |
| KR940001025Y1 (ko) | N-웰 bicmos 구조 | |
| KR940016408A (ko) | 저속 전자선용 형광체 및 그 제조방법 | |
| KR950015566A (ko) | 대칭적 이온 주입 방법 | |
| JPS6412420A (en) | Manufacture of superconducting film | |
| KR950002017A (ko) | 반도체 소자의 유전체막 형성방법 | |
| JPS57128921A (en) | Manufacture of semiconductor element |