RU2733924C1 - Способ изготовления сверхмелких переходов - Google Patents
Способ изготовления сверхмелких переходов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2733924C1 RU2733924C1 RU2020101537A RU2020101537A RU2733924C1 RU 2733924 C1 RU2733924 C1 RU 2733924C1 RU 2020101537 A RU2020101537 A RU 2020101537A RU 2020101537 A RU2020101537 A RU 2020101537A RU 2733924 C1 RU2733924 C1 RU 2733924C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- junctions
- manufacturing
- temperature
- technology
- kev
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления переходов с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния с ориентацией (100), по стандартной технологии выращивают слой термического окисла 200 нм, формируют контакты, а после отжига при температуре 300°С в течение 9 минут проводят имплантацию ионов Ga с энергией 15 кэВ, дозой 4*1013-3*1015 см-2, при токе 300 нА. Затем структуру подвергают отжигу при температуре 700°С в течение 30 с в атмосфере азота. Технический результат: обеспечение возможности снижения токов утечек, повышения качества и параметров приборов, увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления переходов с пониженными токами утечки.
Известен способ изготовления мелких переходов [Патент 5310711 США, МКИ H01L 21/22] путем формирования 50 нм р-n-переходов с поверхностной концентрацией примеси порядка 1019 см-3. Полупроводниковая пластина свободная от оксидных покрытый помещается в среду инертного газа, нагревается до 1100°С и выдерживается в смеси легирующих газов в течение 10-30 мин. В таких полупроводниковых структурах из-за низкой технологичности образуются области неоднородности, которые ухудшают электрические параметры приборов.
Известен способ изготовления мелких переходов [Патент 5340770 США, МКИ H01L 21/225] путем диффузии примесей из твердофазных источников, в качестве которых применяются стеклообразные слои наносимые центрифугированием для снижения плотности дефектов и токов утечек переходов.
Недостатками способа являются:
- повышенные значения тока утечки;
- высокая плотность дефектов;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем проведения имплантации ионов Ga с энергией 15 кэВ, дозой 4*1013-3*1015 см-2, с последующей термообработкой структуры при температуре 700°С в течение 30 с в атмосфере азота.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния с ориентацией (100), по стандартной технологии выращивали слой термического окисла 200 нм, формировали контакты и после отжига при температуре 300°°С в течение 9 мин, проводили имплантацию ионов Ga с энергией 15 кэВ, дозой 4*1013-3*1015 см-2, при токе 300 нА. Затем структуру подвергали отжигу при температуре 700°С в течение 30 с в атмосфере азота.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,7%.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления сверхмелких переходов путем проведения имплантации ионов Ga с энергией 15 кэВ дозой 4*1013-3*1015 см-2, с последующей термообработкой структуры при температуре 700°С в течение 30 с в атмосфере азота, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления сверхмелких переходов, включающий выращивание на пластинах кремния с ориентацией (100) слоя термического окисла и проведение отжига, отличающийся тем, что после отжига, который проводят при температуре 300°С в течение 9 минут, проводят имплантацию ионов Ga с энергией 15 кэВ, дозой 4*1013-3*1015 см-2 при токе 300 нА с последующей термообработкой при температуре 700°С в течение 30 с в атмосфере азота.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020101537A RU2733924C1 (ru) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | Способ изготовления сверхмелких переходов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020101537A RU2733924C1 (ru) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | Способ изготовления сверхмелких переходов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2733924C1 true RU2733924C1 (ru) | 2020-10-08 |
Family
ID=72927156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020101537A RU2733924C1 (ru) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | Способ изготовления сверхмелких переходов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2733924C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5340770A (en) * | 1992-10-23 | 1994-08-23 | Ncr Corporation | Method of making a shallow junction by using first and second SOG layers |
| RU99102192A (ru) * | 1999-02-01 | 2000-12-20 | Э.Л. Егиазарян | Способ егиазаряна изготовления р-п перехода ионной имплантацией |
| RU2687087C1 (ru) * | 2018-07-12 | 2019-05-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ формирования гексагональной фазы кремния |
-
2020
- 2020-01-14 RU RU2020101537A patent/RU2733924C1/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5340770A (en) * | 1992-10-23 | 1994-08-23 | Ncr Corporation | Method of making a shallow junction by using first and second SOG layers |
| RU99102192A (ru) * | 1999-02-01 | 2000-12-20 | Э.Л. Егиазарян | Способ егиазаряна изготовления р-п перехода ионной имплантацией |
| RU2687087C1 (ru) * | 2018-07-12 | 2019-05-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ формирования гексагональной фазы кремния |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004014856A (ja) | 半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20010071250A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 및 실리콘 웨이퍼 | |
| JPS6245712B2 (ru) | ||
| US7294561B2 (en) | Internal gettering in SIMOX SOI silicon substrates | |
| US8236676B2 (en) | Integrated circuit having doped semiconductor body and method | |
| US20100090227A1 (en) | Method for the formation of a gate oxide on a sic substrate and sic substrates and devices prepared thereby | |
| RU2733924C1 (ru) | Способ изготовления сверхмелких переходов | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2659328C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2654984C1 (ru) | Способ изготовления легированных областей | |
| RU2586444C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2734060C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2819702C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2402101C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2431904C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2388108C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2726904C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2804603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2804604C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2330349C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов | |
| Jianming | Proton-implanted new type silicon material subjected to two-step furnace annealing |