RU98119152A

RU98119152A - Способ получения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки и устройство для его осуществления

Info

Publication number: RU98119152A
Application number: RU98119152/02A
Authority: RU
Inventors: Даисуке Такеути; Хидейо Окуси; Кодзи Кадзимура; Хидеюки ВАТАНАБЕ
Original assignee: Эйдженси оф Индастриал Сайенс энд Текнолоджи оф Министри оф Интернэшнл Трейд энд Индастри
Priority date: 1997-11-21
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2000-07-20

Claims

1. Способ получения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки путем осуществления химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы, используя смешенный газ, состоящий из источника углерода и водорода в качестве химически активного газа, для осаждения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки на поверхности подложки, отличающийся тем, что включает этапы: осуществление химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы при концентрации источника углерода в смешенном газе, установленной на первом низком уровне, для осаждения высококачественной гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки при низкой скорости формирования пленки и затем осуществление химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы при концентрации упомянутого источника углерода, установленной на втором уровне, более высоком чем первый уровень.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первый уровень концентрации находится в диапазоне 0.025 - 0.3%, а второй уровень концентрации находится в диапазоне 0.3 - 1.0%.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что источником углерода является метан.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что концентрацию источника углерода устанавливают на втором уровне после того, как на поверхности подложки сформирована тонкая пленка толщиной порядка шероховатости поверхности подложки.

5. Устройство для получения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки путем осуществления химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы, используя смешенный газ, состоящий из источника углерода и водорода в качестве химически активного газа, для осаждения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки на поверхности подложки, отличающееся тем, что содержит реакционную камеру (12) для осуществления химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы при концентрации источника углерода в смешенном газе, установленной на первом низком уровне, для осаждения высококачественной гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки при низкой скорости формирования пленки, и затем осуществления химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы при концентрации упомянутого источника углерода, установленной на втором уровне, более высоком чем первый уровень, и устройство (13, 14), соединенное с реакционной камерой, для регулирования концентрации источника углерода в смешенном газе.

6. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что первый уровень концентрации находится в диапазоне 0.025 - 0.3%, а второй уровень концентрации находится в диапазоне 0.3 - 1.0%.

7. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что источником углерода является метан.