RU97116300A - Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры - Google Patents

Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры

Info

Publication number
RU97116300A
RU97116300A RU97116300/25A RU97116300A RU97116300A RU 97116300 A RU97116300 A RU 97116300A RU 97116300/25 A RU97116300/25 A RU 97116300/25A RU 97116300 A RU97116300 A RU 97116300A RU 97116300 A RU97116300 A RU 97116300A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
control electrode
analyzer
detector
secondary electron
emf
Prior art date
Application number
RU97116300/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2134468C1 (ru
Inventor
В.Г. Дюков
Д.С. Кибалов
В.К. Смирнов
Original Assignee
Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ"
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ" filed Critical Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ"
Priority to RU97116300A priority Critical patent/RU2134468C1/ru
Priority claimed from RU97116300A external-priority patent/RU2134468C1/ru
Publication of RU97116300A publication Critical patent/RU97116300A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2134468C1 publication Critical patent/RU2134468C1/ru

Links

Claims (2)

1. Способ контроля полупроводниковой структуры, включающий воздействие на поверхность объекта электронного зонда, выявление областей, проявляющих контактную разность потенциалов при изменении потенциала управляющего электрода анализатора энергии вторичных электронов, облучение выявленных областей объекта равномерным потоком импульсного оптического излучения с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны материала объекта, измерение наведенной фото - ЭДС в режиме потенциального контраста с линеаризацией с последующим расчетом электрофизических параметров контролируемой структуры, отличающийся тем, что в ходе измерения наведенной фото - ЭДС изменяют ток и энергию электронов зонда, интенсивность импульсов оптического излучения, частоту их следования, длительность и уровень постоянной подсветки таким образом, чтобы влияние электронного зонда на наведенную фото - ЭДС было минимально.
2. Устройство контроля полупроводниковой структуры, содержащее электронно - зондовое устройство с отклоняющей системой, анализатор энергии вторичных электронов порогового типа, расположенный наклонно относительно оси электронно - зондового устройства и включающий двухэлектродный иммерсионный объектив с коническими электродами и управляющий электрод, детектор вторичных электронов, источник оптического излучения, направленный на предметный столик для размещения объекта исследования и соединенный с генератором импульсов, компьютер с монитором и интерфейсом, соединенный с отклоняющей системой и выполненный с возможностью подключения к детектору вторичных электронов, усилитель, выполненный с возможностью подключения его выхода к управляющему электроду, синхронный детектор, выход которого выполнен с возможностью подключения к компьютеру, измерительный вход подключен к управляющему электроду, а опорный вход подключен к генератору импульсов, отличающееся тем, что дополнительно введенный источник напряжения постоянного тока подключен к суммирующему входу усилителя, компьютер подключен к управляющему электроду анализатора и к опорному входу синхронного детектора, анализатор установлен наклонно относительно детектора вторичных электронов, иммерсионный объектив анализатора выполнен бездиафрагменным, а управляющий электрод выполнен в виде диафрагмы.
RU97116300A 1997-09-30 1997-09-30 Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры RU2134468C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97116300A RU2134468C1 (ru) 1997-09-30 1997-09-30 Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97116300A RU2134468C1 (ru) 1997-09-30 1997-09-30 Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97116300A true RU97116300A (ru) 1999-07-10
RU2134468C1 RU2134468C1 (ru) 1999-08-10

Family

ID=20197622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97116300A RU2134468C1 (ru) 1997-09-30 1997-09-30 Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2134468C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU94028284A (ru) Способ фотонной сканирующей туннельной микроскопии и фотонный сканирующий туннельный микроскоп
US20110190641A1 (en) Biological information measurement apparatus
DE59804934D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur vermessung, kalibrierung und verwendung von laser-pinzetten
KR930014870A (ko) 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치
JPS5932145A (ja) 電位検出装置
RU97116300A (ru) Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры
JPH0621862B2 (ja) 多現象同時測光方式による海洋レーザ観測装置
JPH08211321A (ja) 光ビームスキャナ
RU2134468C1 (ru) Способ и устройство для контроля полупроводниковой структуры
JPH057581Y2 (ru)
JPS5686776A (en) Information write-in method
JP2001004719A (ja) 電流変化測定装置
JPH04132540A (ja) 角層の厚さ測定方法及びその測定装置
JPS6250648A (ja) 電子線照射による試料中の注目元素の分析方法
SU537549A1 (ru) Способ измерени дозы ионизирующего излучени
SU972379A1 (ru) Способ измерени электрокинетических параметров частиц суспензий и устройство дл его осуществлени
JPS6243551A (ja) 半導体の少数キヤリア寿命測定装置
SU1434355A1 (ru) Способ измерени потенциала плоских зон полупроводникового электрода в растворе электролита
JPS6224748B2 (ru)
JPS556737A (en) Scan electron microscope
JPS54105973A (en) Axis matching device for electron beam device
JPH0230659B2 (ru)
JPS62232842A (ja) 走査電子顕微鏡
JPS597270A (ja) 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置
JPS63167254A (ja) 電子計数装置