KR930014870A - 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치 - Google Patents

집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치 Download PDF

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KR930014870A
KR930014870A KR1019920023187A KR920023187A KR930014870A KR 930014870 A KR930014870 A KR 930014870A KR 1019920023187 A KR1019920023187 A KR 1019920023187A KR 920023187 A KR920023187 A KR 920023187A KR 930014870 A KR930014870 A KR 930014870A
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focused ion
irradiating
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다카시 가이토
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하라 레이노스케
세이코 덴시고교 가부시키가이샤
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    • G—PHYSICS
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    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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Abstract

본 발명은 반도체집적회로의 표면에 형성된 비활성필름을 제거함이 없이 반도체집적회로의 동작을 분석하고 또한 동작불능의 원인을 분석하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로 AC신호가 입력되는 반도체회로가 표면의 설정부위에 집속이온빔을 스캐닝하면서 조사하고 동시에 이온조사에 의해 발생된 대전현상을 중화시키기 위하여 그 부위에 전자빔을 조사하여 집속이온빔 조사로 인해 샘플의 표면으로부터 방출되는 제2전자를 검출하고 그 검출된 신호가 스캐닝신호와 매칭될때 반도체집적회로의 영상을 디스플레이에 표시함으로써 반도체집적회의 동작을 분석하게 되는 것이다.

Description

접속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 실시예의 단면도.
제2도는 샘플의 단면도.

Claims (4)

  1. 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법에 있어서 비활성필름이 피복된 반도체 집적회로의 분석해야 할 부분에 AC신호를 인가하는 단계와, 스캐닝하면서 분석하여야 할 부분을 포함하는 특정영역에 집속이온빔을 조사하는 스캐닝하는 단계와 상기 집속이온빔의조사에 의해 발생된 대전을 중화시키도록 집속이온빔의 조사시에 반도체 집적회로의 전자빔을 조사하는 단계와 집속이온빔의 조사에 의해 반도체 집적회로로부터 발생된 제2전자를 검출하는 단계와 검출된 제2전자의 강도에 따라 반도체 집적회로의 영상을 디스플레이상에 표시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로의 동작분석방법.
  2. 집속이온빔을이용한 집적회로의 동작분석장치에 있어서 이온빔을 발생하는 액체금속 이온발생원과 상기 이온을 집속이온빔으로 집속하는 렌즈와 반도체 집적회로 표면의 기설정된 부위에 집속이온빔을 스캐닝하면서 조사하는 스캐닝전극과 상기 반도체 집적회로의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사유니트와 상기 반도체 집적회로에 AC신호를 출력하는 신호출력수단과 상기 반도체집적회로에 집속이온빔의 조사에 의해 발생된 제2전자를 검출하는 제2전자검출기와, 상기 제2전자검출기로부터 출력되는 신호와 상기 스캐팅 전극으로부터 출력되는 신호에 따른 회로의 영상을 표시하는 디스플레이로 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로의 동작분석방법.
  3. 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법에 있어서 비활성필름이 피복된 반도체 집적회로의 분석해야 할 부분에 AC신호를 인가하는 단계와, 분석하여야 할 부분을 포함하는 특정영역에 스캐닝하면서 집속이온빔을 조사하는 단계와 상기 집속이인빔의 조사에 의해 발생되는 대전을 중화시키도록 집속이온빔의 조사시에 반도체 집적회로에 전자빔을 간헐적으로 조사하는 단계와 상기 집속이온빔의 조사에 의해 반도체 집적회로로부터 발생되는 제2전자를 검출하는 단계와, 상기 이온빔의 조사에 의해 발생되는 검출된 제2전자의 강도에 따라 반도체 집적회로의 영상을 디스플레이상에 표시하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 집적회로의 동작분석방법.
  4. 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작을 분석하는 방법에 있어서, 비활성필름이 피복된 반도체 집적회로의 분석해야 할 부분에 AC신호를 인가하는 단계와, 분석하여야 할 부분을 포함하는 특정영역에 스캐닝하면서 집속이온빔을 간헐적으로 조사하는 단계와 상기 집속이온빔의 조사에 의해 발생되는 대전을 중화시키도록 반도체 집적회로에 전자빔과 상기 이온빔을 교번적으로 조사하는 단계와 상기 집속이온빔의 좌에 의해 반도체 집적회로로부터 발생되는 제2전자를 검출하는 단계와 상기 이온빔의 조사에 의해 발생되는 검출된 제2전자의 강도에 따라 반도체 집적회로의 영상을 디스플레이에 표시하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 집적회로의 동작분석방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920023187A 1991-12-04 1992-12-03 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치 KR930014870A (ko)

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