RU97110284A - Емкостный датчик давления и способ его изготовления - Google Patents
Емкостный датчик давления и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU97110284A RU97110284A RU97110284/09A RU97110284A RU97110284A RU 97110284 A RU97110284 A RU 97110284A RU 97110284/09 A RU97110284/09 A RU 97110284/09A RU 97110284 A RU97110284 A RU 97110284A RU 97110284 A RU97110284 A RU 97110284A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- sensor
- diaphragm
- insulating layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 claims 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims 1
Claims (21)
1. Емкостный датчик давления, содержащий: подложку, имеющую 1) электрод, расположенный на ней, 2) первую и вторую части, занимаемые этим электродом, и 3) изолирующий слой, расположенный над этим электродом только в первой части; диафрагменный узел на подложке, включающий рамочную конструкцию и разделительную перегородку, определяющие первую область, которая перекрыта диафрагмой, и вторую открытую область; и первую и вторую области, расположенные на подложке так, что 1) первая часть подложки съюстирована с первой областью и диафрагмой так, что диафрагма, подложка, разделительная перегородка и соответствующая рамочная конструкция, определяющие первую область, образуют вакуумированную полость, а 2) вторая часть подложки съюстирована со второй открытой областью для облегчения доступа к электроду, разделительную перегородку, обычно разделяющую первую и вторую области и контактирующую с изолирующим слоем на электроде в первой части, при этом указанные изолирующий слой и электрод имеют заданную толщину, и изолирующий слой, деформируясь и плотно облегая электрод, создает уплотнение и поддерживает вакуумное состояние в вакуумированной полости.
2. Датчик по п. 1, в котором размеры рамочной конструкции и разделительной перегородки выбираются так, чтобы датчик выдерживал большие внешние силы, давления и предельные температуры, обеспечивая тем самым стабильность.
3. Датчик по п. 1, в котором заданная толщина изолирующего слоя равняется приблизительно 0,3 - 3,0 мкм.
4. Датчик по п. 1, в котором заданная толщина электрода равняется приблизительно 0,1 - 0,3 мкм.
5. Датчик по п. 1, в котором вакуумированная полость обладает электрической емкостью.
6. Датчик по п. 5, в котором изменение электрической емкости зависит от давления, воздействующего на диафрагму.
7. Датчик по п. 6, в котором давление вынуждает диафрагму соприкасаться с изолирующим слоем.
8. Датчик по п. 1, в котором электрод состоит из хрома и платины, обеспечивая таким образом хорошую адгезию к изолирующему слою.
9. Датчик по п. 1, в котором диафрагма прогибается и соприкасается с изолирующим слоем в зависимости от давления, воздействующего на диафрагму, реализуя таким образом работу в сенсорном режиме.
10. Датчик по п. 9, в котором указанный датчик имеет линейный рабочий диапазон в сенсорном режиме.
11. Датчик по п. 10, в котором указанный датчик способен выдерживать избыточное давление за счет прогиба до соприкосновения с изолирующим слоем.
12. Датчик по п. 11, в котором выходное напряжение в нелинейной области подавлено так, что линейный рабочий режим соответствует необходимому диапазону давлений.
13. Способ изготовления емкостного датчика давления, включающий следующие операции: вытравливание первой и второй выемки на первой стороне кремниевой пластины, первая и вторая выемки отделены разделительной перегородкой; проведение процесса диффузии для формирования Р+ слоя в указанных выемках; осаждение металлического слоя в форме электрода и контактной площадки на поверхность подложки, указанная подложка имеет первую и вторую части, причем электрод расположен в первой и второй части, а контактная площадка расположена во второй части; напыление стеклянного покрытия на поверхность и электрод; деформирование стеклянного покрытия до плотного облегания электрода; соединение кремниевой пластины с подложкой так, что первая выемка съюстирована с первой частью подложки, а вторая выемка съюстирована со второй частью подложки, причем первая выемка и первая часть формируют полость; вытравливание второй поверхности, противоположной первой поверхности, пластины для формирования 1) диафрагмы, съюстированной с первой выемкой и первой частью, и 2) покрывающего слоя, съюстированного со второй выемкой и второй частью; и удаление покрывающего слоя и соответствующей части стеклянного покрытия на электроде для вскрытия электрода, при этом полость уплотняется в результате деформации стеклянного покрытия до плотного облегания электрода и соединения.
14. Способ по п. 13, включающий также операцию выбора толщины стеклянного покрытия, обеспечивающей деформацию стеклянного покрытия до плотного облегания электрода.
15. Способ по п. 14, в котором толщина изолирующего слоя лежит в диапазоне 0,3-3 мкм (Прим. пер.: ранее было 0,3 - 3,0).
16. Способ по п. 13, в котором вытравливание для формирования первой и второй выемки, диафрагмы и покрывающего слоя определяет рамочную конструкцию, размеры которой выбираются так, чтобы датчик выдерживал большие внешние силы и предельные температуры, обеспечивая тем самым стабильность.
17. Способ по п. 13, включающий также операцию по созданию вакуума в первой выемке во время соединения пластины с подложкой.
18. Способ по п. 13, в котором деформирование и соединение включают операцию по заданной термообработке подложки и кремниевой пластины.
19. Способ по п. 18, в котором операция по заданной термообработке состоит из: выдерживания стеклянной подложки, осажденного металлического электрода и напыленного стеклянного покрытия при первой температуре приблизительно в течение получаса; выдерживания стеклянной подложки, осажденного металлического электрода, напыленного стеклянного покрытия и кремниевой пластины при второй температуре приблизительно в течение получаса для соединения кремниевой пластины с подложкой; и медленного охлаждения подложки, осажденного металлического электрода, напыленного стеклянного покрытия и соединенной кремниевой пластины приблизительно в течение одного часа.
20. Способ по п. 19, в котором первая температура приблизительно равна 500oС.
21. Способ по п. 19, в котором вторая температура лежит в диапазоне 350 - 400oС для уменьшения остаточных напряжений в датчике.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/343,712 | 1994-11-22 | ||
US08/343,712 US5528452A (en) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | Capacitive absolute pressure sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU97110284A true RU97110284A (ru) | 1999-05-27 |
RU2171455C2 RU2171455C2 (ru) | 2001-07-27 |
Family
ID=23347305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU97110284/09A RU2171455C2 (ru) | 1994-11-22 | 1995-11-09 | Емкостный датчик давления и способ его изготовления |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5528452A (ru) |
EP (2) | EP0818046B1 (ru) |
JP (1) | JPH10509241A (ru) |
KR (1) | KR100355421B1 (ru) |
CN (1) | CN1092836C (ru) |
AU (1) | AU686916B2 (ru) |
BR (1) | BR9509747A (ru) |
CA (1) | CA2205169C (ru) |
DE (2) | DE69529477T2 (ru) |
ES (1) | ES2118672T1 (ru) |
PL (1) | PL179139B1 (ru) |
RU (1) | RU2171455C2 (ru) |
WO (1) | WO1996016418A1 (ru) |
Families Citing this family (120)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6484585B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-11-26 | Rosemount Inc. | Pressure sensor for a pressure transmitter |
JPH0915074A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力検出装置及びその製造方法 |
US5888412A (en) * | 1996-03-04 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Method for making a sculptured diaphragm |
US5706565A (en) * | 1996-09-03 | 1998-01-13 | Delco Electronics Corporation | Method for making an all-silicon capacitive pressure sensor |
US6324914B1 (en) | 1997-03-20 | 2001-12-04 | Alliedsignal, Inc. | Pressure sensor support base with cavity |
US6058780A (en) * | 1997-03-20 | 2000-05-09 | Alliedsignal Inc. | Capacitive pressure sensor housing having a ceramic base |
US5936164A (en) * | 1997-08-27 | 1999-08-10 | Delco Electronics Corporation | All-silicon capacitive pressure sensor |
US5994161A (en) * | 1997-09-03 | 1999-11-30 | Motorola, Inc. | Temperature coefficient of offset adjusted semiconductor device and method thereof |
US6387318B1 (en) | 1997-12-05 | 2002-05-14 | Alliedsignal, Inc. | Glass-ceramic pressure sensor support base and its fabrication |
CA2310735A1 (en) | 1997-12-09 | 1999-06-17 | William Frank Dunn | Pressure sensor for a tire and method therefor |
US5902932A (en) | 1998-01-09 | 1999-05-11 | Granville-Phillips Company | Force balancing capacitance manometer |
JP3447062B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2003-09-16 | 株式会社山武 | センサおよびその製造方法 |
US6359333B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-03-19 | Honeywell International Inc. | Wafer-pair having deposited layer sealed chambers |
US6036872A (en) * | 1998-03-31 | 2000-03-14 | Honeywell Inc. | Method for making a wafer-pair having sealed chambers |
US6922134B1 (en) | 1998-04-14 | 2005-07-26 | The Goodyear Tire Rubber Company | Programmable trimmer for transponder |
US7260371B1 (en) | 1998-04-14 | 2007-08-21 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Programmable modulation index for transponder |
US6159385A (en) * | 1998-05-08 | 2000-12-12 | Rockwell Technologies, Llc | Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation |
JP2000002611A (ja) | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
US6074891A (en) * | 1998-06-16 | 2000-06-13 | Delphi Technologies, Inc. | Process for verifying a hermetic seal and semiconductor device therefor |
US6452427B1 (en) | 1998-07-07 | 2002-09-17 | Wen H. Ko | Dual output capacitance interface circuit |
US6236096B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-05-22 | National Science Council Of Republic Of China | Structure of a three-electrode capacitive pressure sensor |
US6294113B1 (en) * | 1998-11-16 | 2001-09-25 | General Electric Company | Touch sensing method |
US6232150B1 (en) | 1998-12-03 | 2001-05-15 | The Regents Of The University Of Michigan | Process for making microstructures and microstructures made thereby |
WO2000047429A1 (en) | 1999-02-11 | 2000-08-17 | Emtop Limited | Signal transmission in a tire pressure sensing system |
US6338284B1 (en) | 1999-02-12 | 2002-01-15 | Integrated Sensing Systems (Issys) Inc. | Electrical feedthrough structures for micromachined devices and methods of fabricating the same |
EP1187731B1 (en) | 1999-05-17 | 2003-11-12 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Rf transponder comprising a power-on reset circuit and a method of controlling operation of a transponder of such kind |
BR9917308A (pt) | 1999-05-17 | 2002-02-19 | Goodyear Tire & Rubber | Oscilador de relaxação para transponder |
US6369712B2 (en) | 1999-05-17 | 2002-04-09 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Response adjustable temperature sensor for transponder |
US6995672B1 (en) | 1999-05-17 | 2006-02-07 | The Goodyear Tire & Rubber Co. | Relaxation oscillator for transponder |
US6980084B1 (en) | 1999-05-17 | 2005-12-27 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Power-on reset for transponder |
US6803755B2 (en) | 1999-09-21 | 2004-10-12 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectromechanical system (MEMS) with improved beam suspension |
US6798312B1 (en) | 1999-09-21 | 2004-09-28 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectromechanical system (MEMS) analog electrical isolator |
US6514789B2 (en) * | 1999-10-26 | 2003-02-04 | Motorola, Inc. | Component and method for manufacture |
US6775632B1 (en) | 1999-12-14 | 2004-08-10 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Calibration of a transponders for a tire pressure monitoring system |
US6658928B1 (en) | 1999-12-14 | 2003-12-09 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Method of monitoring pressure in a pneumatic tire |
US6561038B2 (en) | 2000-01-06 | 2003-05-13 | Rosemount Inc. | Sensor with fluid isolation barrier |
US6508129B1 (en) | 2000-01-06 | 2003-01-21 | Rosemount Inc. | Pressure sensor capsule with improved isolation |
US6505516B1 (en) | 2000-01-06 | 2003-01-14 | Rosemount Inc. | Capacitive pressure sensing with moving dielectric |
US6520020B1 (en) | 2000-01-06 | 2003-02-18 | Rosemount Inc. | Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor |
CN1151367C (zh) | 2000-01-06 | 2004-05-26 | 罗斯蒙德公司 | 微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长 |
CA2312646A1 (en) * | 2000-06-28 | 2001-12-28 | Institut National D'optique | Hybrid micropackaging of microdevices |
US6686653B2 (en) | 2000-06-28 | 2004-02-03 | Institut National D'optique | Miniature microdevice package and process for making thereof |
DE10031129A1 (de) * | 2000-06-30 | 2002-01-17 | Grieshaber Vega Kg | Überlastfester Drucksensor |
US7548015B2 (en) * | 2000-11-02 | 2009-06-16 | Danfoss A/S | Multilayer composite and a method of making such |
WO2004027970A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Danfoss A/S | An elastomer actuator and a method of making an actuator |
US8181338B2 (en) * | 2000-11-02 | 2012-05-22 | Danfoss A/S | Method of making a multilayer composite |
DE10054247C2 (de) * | 2000-11-02 | 2002-10-24 | Danfoss As | Betätigungselement und Verfahren zu seiner Herstellung |
US7518284B2 (en) * | 2000-11-02 | 2009-04-14 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
JP3591458B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2004-11-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の実装構造および半導体装置 |
CN100362314C (zh) * | 2001-01-10 | 2008-01-16 | 米其林技术公司 | 用于评估变形和应力的方法和装置 |
US6860154B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-03-01 | Fujikura Ltd. | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
US6794271B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-09-21 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned bridge |
US6761829B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-07-13 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device using an internal void |
US6768628B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-07-27 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device incorporating a wafer level cap |
US6815243B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-11-09 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Method of fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned substrate |
US6756310B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-06-29 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Method for constructing an isolate microelectromechanical system (MEMS) device using surface fabrication techniques |
EP1407464B1 (en) * | 2001-07-17 | 2011-03-09 | SMC Kabushiki Kaisha | Micro-electromechanical sensor |
US6664786B2 (en) | 2001-07-30 | 2003-12-16 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Magnetic field sensor using microelectromechanical system |
US6690178B2 (en) | 2001-10-26 | 2004-02-10 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | On-board microelectromechanical system (MEMS) sensing device for power semiconductors |
DE10157848B4 (de) * | 2001-11-24 | 2005-01-13 | Eads Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit abgeschlossenem Innenraum und mikromechanisches Bauelement mit abgeschlossenem Innenraum |
ATE384935T1 (de) * | 2001-12-21 | 2008-02-15 | Danfoss As | Dielektrisches betätigungsglied oder sensorstruktur und herstellungsverfahren |
US6848316B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-01 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
US6858541B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-02-22 | Honeywell International, Inc. | Etch stop control for MEMS device formation |
US6736015B1 (en) | 2002-11-04 | 2004-05-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Robust, wireless microelectro mechanical system (MEMS) shear force sensor |
WO2004053782A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Danfoss A/S | Tactile sensor element and sensor array |
ES2309502T3 (es) * | 2003-02-24 | 2008-12-16 | Danfoss A/S | Vendaje de compresion elastico electroactivo. |
US6975193B2 (en) * | 2003-03-25 | 2005-12-13 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectromechanical isolating circuit |
DE10313738A1 (de) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Robert Bosch Gmbh | Kapazitiver mikromechanischer Drucksensor |
US6955094B1 (en) * | 2003-07-18 | 2005-10-18 | Cleveland Medical Devices Inc. | Sensor for measuring shear forces |
US7096736B2 (en) * | 2003-08-04 | 2006-08-29 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Passive tire pressure sensor and method |
US20050101843A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-12 | Welch Allyn, Inc. | Wireless disposable physiological sensor |
US6949807B2 (en) * | 2003-12-24 | 2005-09-27 | Honeywell International, Inc. | Signal routing in a hermetically sealed MEMS device |
JP2005201818A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Alps Electric Co Ltd | 圧力センサ |
KR20050075659A (ko) * | 2004-01-17 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 디지털 출력을 갖는 압력센서, 그 제조방법 및 그 센싱방법 |
US7087451B2 (en) * | 2004-03-24 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Microfabricated hot wire vacuum sensor |
US7802482B2 (en) * | 2005-08-10 | 2010-09-28 | Horiba Stec Co., Ltd. | Diaphragm attaching structure of electrostatic capacity type pressure gauge |
JP4585426B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-11-24 | アルプス電気株式会社 | 静電容量型圧力センサ |
US7493823B2 (en) * | 2006-06-16 | 2009-02-24 | Honeywell International Inc. | Pressure transducer with differential amplifier |
US7880371B2 (en) * | 2006-11-03 | 2011-02-01 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
US7732999B2 (en) | 2006-11-03 | 2010-06-08 | Danfoss A/S | Direct acting capacitive transducer |
CN100436306C (zh) * | 2006-11-23 | 2008-11-26 | 西北工业大学 | 一种触觉传感器及其制作方法 |
US20110189027A1 (en) * | 2008-04-30 | 2011-08-04 | Morten Kjaer Hansen | Pump powered by a polymer transducer |
US20110186759A1 (en) * | 2008-04-30 | 2011-08-04 | Danfoss Polypower A/S | Power actuated valve |
DE102008054415A1 (de) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zweier Substrate mit einer SLID-Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
KR101068444B1 (ko) | 2008-12-19 | 2011-09-28 | 에이디반도체(주) | 정전용량 터치 스위치의 터치캡 |
DE102009001924A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensor |
US8141430B2 (en) * | 2009-07-01 | 2012-03-27 | Brooks Instrument, Llc | Monolithic vacuum manometer utilizing electrostatic interference as a means of detection |
JP5540797B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | センサ装置および表示装置 |
US8656772B2 (en) | 2010-03-22 | 2014-02-25 | Honeywell International Inc. | Flow sensor with pressure output signal |
CN101963863B (zh) | 2010-09-30 | 2015-07-08 | 华为终端有限公司 | 用户触摸操作模式自适应的方法和装置 |
US8616065B2 (en) | 2010-11-24 | 2013-12-31 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
CN102169038B (zh) * | 2011-01-10 | 2012-10-10 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 用于三明治结构mems硅电容压力传感器侧墙保护方法 |
US8695417B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-04-15 | Honeywell International Inc. | Flow sensor with enhanced flow range capability |
CN102183335B (zh) | 2011-03-15 | 2015-10-21 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
WO2012178095A1 (en) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Ifluidics, Inc. | Electromotive system for high-throughput screening |
DE102011081887A1 (de) * | 2011-08-31 | 2013-02-28 | Robert Bosch Gmbh | Polymerschichtsystem-Drucksensorvorrichtung und Polymerschichtsystem-Drucksensorverfahren |
WO2013067023A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Mems hemispherical resonator gyroscope |
US8891222B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-11-18 | Danfoss A/S | Capacitive transducer and a method for manufacturing a transducer |
US8692442B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-04-08 | Danfoss Polypower A/S | Polymer transducer and a connector for a transducer |
US9003897B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-04-14 | Honeywell International Inc. | Temperature compensated force sensor |
US9052217B2 (en) | 2012-11-09 | 2015-06-09 | Honeywell International Inc. | Variable scale sensor |
CN103162894A (zh) * | 2013-01-14 | 2013-06-19 | 楚雄师范学院 | 一种电容压力传感器 |
FI125958B (en) * | 2013-05-10 | 2016-04-29 | Murata Manufacturing Co | Improved safe measuring box |
JP6176609B2 (ja) | 2013-08-21 | 2017-08-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体物理量センサ |
CN103440980A (zh) * | 2013-08-26 | 2013-12-11 | 铜陵亿亨达电子有限责任公司 | 带有压力开关的脉冲电容器 |
US9470593B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-10-18 | Honeywell International Inc. | Media isolated pressure sensor |
DE102013113843A1 (de) | 2013-12-11 | 2015-06-11 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensor |
US9719872B2 (en) * | 2015-09-29 | 2017-08-01 | Rosemount Inc. | High over-pressure capable silicon die pressure sensor with extended pressure signal output |
US10060813B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-08-28 | Rosemount Inc. | High over-pressure capable silicon die pressure sensor |
CN106092332B (zh) * | 2016-07-18 | 2018-12-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 自监控真空泄露的器件、制备方法、系统及自监控方法 |
US10203258B2 (en) | 2016-09-26 | 2019-02-12 | Rosemount Inc. | Pressure sensor diaphragm with overpressure protection |
JP2020046177A (ja) | 2016-12-20 | 2020-03-26 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサ素子およびそれを備えた圧力センサモジュール |
CN107957273B (zh) * | 2018-01-16 | 2024-05-03 | 北京先通康桥医药科技有限公司 | 具有触压和超声功能的传感器 |
CN108426658B (zh) * | 2018-03-26 | 2020-05-19 | 温州大学 | 环接触高量程电容式微压力传感器 |
DE102018221051A1 (de) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | Continental Reifen Deutschland Gmbh | Vorrichtung zum Messen einer mechanischen Kraft, umfassend eine erste, zweite, dritte, vierte und fünfte Schicht sowie die Verwendungen der Vorrichtung und Reifen oder technischer Gummiartikel umfassend die Vorrichtung |
CN109141691A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-01-04 | 沈阳工业大学 | 一种联动膜电容式压力敏感芯片及其制造方法 |
CN110044537A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-07-23 | 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 | 压力传感器及其制造方法 |
CN112034204A (zh) * | 2020-08-01 | 2020-12-04 | 沈阳工业大学 | 一种联动接触电容式加速度敏感芯片及其制造方法 |
DE102020210605A1 (de) | 2020-08-20 | 2022-02-24 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Korrektur eines Offsets und/oder einer Empfindlichkeit eines zweiten Sensors mithilfe eines ersten Sensors, Sensorsystem |
CN112964417B (zh) * | 2021-04-09 | 2023-04-14 | 午芯(辽宁省)高科技有限公司 | 一种双动极板电容式压力敏感芯片 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4467394A (en) * | 1983-08-29 | 1984-08-21 | United Technologies Corporation | Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer |
FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
JPH0750789B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-05-31 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力変換装置の製造方法 |
FI78784C (fi) * | 1988-01-18 | 1989-09-11 | Vaisala Oy | Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
US5320705A (en) * | 1988-06-08 | 1994-06-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor |
EP0507813A1 (en) * | 1989-12-28 | 1992-10-14 | British Technology Group Ltd | Semiconductor cavity device with electric lead |
JP2918299B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1999-07-12 | 沖電気工業株式会社 | 半導体圧力センサおよびそれを有する半導体装置の製造方法 |
JP2724419B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1998-03-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力センサ |
US5241864A (en) * | 1992-06-17 | 1993-09-07 | Motorola, Inc. | Double pinned sensor utilizing a tensile film |
US5264075A (en) * | 1992-11-06 | 1993-11-23 | Ford Motor Company | Fabrication methods for silicon/glass capacitive absolute pressure sensors |
US5332469A (en) * | 1992-11-12 | 1994-07-26 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachined differential pressure sensor |
-
1994
- 1994-11-22 US US08/343,712 patent/US5528452A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-09 AU AU41581/96A patent/AU686916B2/en not_active Ceased
- 1995-11-09 KR KR1019970703433A patent/KR100355421B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-09 EP EP95939941A patent/EP0818046B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-09 DE DE69529477T patent/DE69529477T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-09 DE DE0818046T patent/DE818046T1/de active Pending
- 1995-11-09 JP JP8516951A patent/JPH10509241A/ja not_active Ceased
- 1995-11-09 CA CA002205169A patent/CA2205169C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-09 CN CN95197303A patent/CN1092836C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-09 ES ES95939941T patent/ES2118672T1/es active Pending
- 1995-11-09 PL PL95320670A patent/PL179139B1/pl unknown
- 1995-11-09 BR BR9509747A patent/BR9509747A/pt not_active IP Right Cessation
- 1995-11-09 WO PCT/US1995/014770 patent/WO1996016418A1/en active IP Right Grant
- 1995-11-09 RU RU97110284/09A patent/RU2171455C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-11-09 EP EP02014372A patent/EP1286147A1/en not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-04-10 US US08/630,519 patent/US5585311A/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU97110284A (ru) | Емкостный датчик давления и способ его изготовления | |
JP2782546B2 (ja) | 半導体ウエーハ及びその形成法とトランスジューサ及びその製法 | |
KR987000672A (ko) | 용량성 절대압력센서 및 방법(capacitive absolute pressure sensor and method) | |
EP0569899B1 (en) | An overpressure-protected, polysilicon, capacitive differential pressure sensor and method of making the same | |
EP0010204B2 (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly | |
EP0156757B1 (en) | Capacitive pressure sensor with low parasitic capacitance | |
EP0169241B1 (en) | Method for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors | |
US5349492A (en) | Capacitive pressure sensor | |
US4773972A (en) | Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers | |
US4415948A (en) | Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer | |
US4625561A (en) | Silicon capacitive pressure sensor and method of making | |
JP4812915B2 (ja) | 圧力センサのための可撓膜を備えたマイクロシステムとその製造法 | |
JP2001033329A (ja) | 圧力センサ | |
US4405970A (en) | Silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer | |
JPH0533732B2 (ru) | ||
JPS62500545A (ja) | 脆性ダイヤフラムを使用した圧力感知セル | |
US20050206243A1 (en) | Microelectromechanical system able to switch between two stable positions | |
JP3428729B2 (ja) | 容量式圧力変換器 | |
EP0962752A1 (en) | Method for making glass pressure capacitance transducers in batch | |
US5600072A (en) | Capacitive pressure sensor and method for making the same | |
JP2004191137A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP3061249B2 (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 | |
US6756138B1 (en) | Micro-electromechanical devices | |
JPH1038734A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法並びにそのセンサを用いた血圧計 | |
JP2582665Y2 (ja) | 静電容量形圧力センサ |