RU97110284A - Емкостный датчик давления и способ его изготовления - Google Patents

Емкостный датчик давления и способ его изготовления

Info

Publication number
RU97110284A
RU97110284A RU97110284/09A RU97110284A RU97110284A RU 97110284 A RU97110284 A RU 97110284A RU 97110284/09 A RU97110284/09 A RU 97110284/09A RU 97110284 A RU97110284 A RU 97110284A RU 97110284 A RU97110284 A RU 97110284A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
substrate
sensor
diaphragm
insulating layer
Prior art date
Application number
RU97110284/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2171455C2 (ru
Inventor
Вен Х. Ко
Original Assignee
Кэйс Вестерн Ресерв Юниверсити
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/343,712 external-priority patent/US5528452A/en
Application filed by Кэйс Вестерн Ресерв Юниверсити filed Critical Кэйс Вестерн Ресерв Юниверсити
Publication of RU97110284A publication Critical patent/RU97110284A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2171455C2 publication Critical patent/RU2171455C2/ru

Links

Claims (21)

1. Емкостный датчик давления, содержащий: подложку, имеющую 1) электрод, расположенный на ней, 2) первую и вторую части, занимаемые этим электродом, и 3) изолирующий слой, расположенный над этим электродом только в первой части; диафрагменный узел на подложке, включающий рамочную конструкцию и разделительную перегородку, определяющие первую область, которая перекрыта диафрагмой, и вторую открытую область; и первую и вторую области, расположенные на подложке так, что 1) первая часть подложки съюстирована с первой областью и диафрагмой так, что диафрагма, подложка, разделительная перегородка и соответствующая рамочная конструкция, определяющие первую область, образуют вакуумированную полость, а 2) вторая часть подложки съюстирована со второй открытой областью для облегчения доступа к электроду, разделительную перегородку, обычно разделяющую первую и вторую области и контактирующую с изолирующим слоем на электроде в первой части, при этом указанные изолирующий слой и электрод имеют заданную толщину, и изолирующий слой, деформируясь и плотно облегая электрод, создает уплотнение и поддерживает вакуумное состояние в вакуумированной полости.
2. Датчик по п. 1, в котором размеры рамочной конструкции и разделительной перегородки выбираются так, чтобы датчик выдерживал большие внешние силы, давления и предельные температуры, обеспечивая тем самым стабильность.
3. Датчик по п. 1, в котором заданная толщина изолирующего слоя равняется приблизительно 0,3 - 3,0 мкм.
4. Датчик по п. 1, в котором заданная толщина электрода равняется приблизительно 0,1 - 0,3 мкм.
5. Датчик по п. 1, в котором вакуумированная полость обладает электрической емкостью.
6. Датчик по п. 5, в котором изменение электрической емкости зависит от давления, воздействующего на диафрагму.
7. Датчик по п. 6, в котором давление вынуждает диафрагму соприкасаться с изолирующим слоем.
8. Датчик по п. 1, в котором электрод состоит из хрома и платины, обеспечивая таким образом хорошую адгезию к изолирующему слою.
9. Датчик по п. 1, в котором диафрагма прогибается и соприкасается с изолирующим слоем в зависимости от давления, воздействующего на диафрагму, реализуя таким образом работу в сенсорном режиме.
10. Датчик по п. 9, в котором указанный датчик имеет линейный рабочий диапазон в сенсорном режиме.
11. Датчик по п. 10, в котором указанный датчик способен выдерживать избыточное давление за счет прогиба до соприкосновения с изолирующим слоем.
12. Датчик по п. 11, в котором выходное напряжение в нелинейной области подавлено так, что линейный рабочий режим соответствует необходимому диапазону давлений.
13. Способ изготовления емкостного датчика давления, включающий следующие операции: вытравливание первой и второй выемки на первой стороне кремниевой пластины, первая и вторая выемки отделены разделительной перегородкой; проведение процесса диффузии для формирования Р+ слоя в указанных выемках; осаждение металлического слоя в форме электрода и контактной площадки на поверхность подложки, указанная подложка имеет первую и вторую части, причем электрод расположен в первой и второй части, а контактная площадка расположена во второй части; напыление стеклянного покрытия на поверхность и электрод; деформирование стеклянного покрытия до плотного облегания электрода; соединение кремниевой пластины с подложкой так, что первая выемка съюстирована с первой частью подложки, а вторая выемка съюстирована со второй частью подложки, причем первая выемка и первая часть формируют полость; вытравливание второй поверхности, противоположной первой поверхности, пластины для формирования 1) диафрагмы, съюстированной с первой выемкой и первой частью, и 2) покрывающего слоя, съюстированного со второй выемкой и второй частью; и удаление покрывающего слоя и соответствующей части стеклянного покрытия на электроде для вскрытия электрода, при этом полость уплотняется в результате деформации стеклянного покрытия до плотного облегания электрода и соединения.
14. Способ по п. 13, включающий также операцию выбора толщины стеклянного покрытия, обеспечивающей деформацию стеклянного покрытия до плотного облегания электрода.
15. Способ по п. 14, в котором толщина изолирующего слоя лежит в диапазоне 0,3-3 мкм (Прим. пер.: ранее было 0,3 - 3,0).
16. Способ по п. 13, в котором вытравливание для формирования первой и второй выемки, диафрагмы и покрывающего слоя определяет рамочную конструкцию, размеры которой выбираются так, чтобы датчик выдерживал большие внешние силы и предельные температуры, обеспечивая тем самым стабильность.
17. Способ по п. 13, включающий также операцию по созданию вакуума в первой выемке во время соединения пластины с подложкой.
18. Способ по п. 13, в котором деформирование и соединение включают операцию по заданной термообработке подложки и кремниевой пластины.
19. Способ по п. 18, в котором операция по заданной термообработке состоит из: выдерживания стеклянной подложки, осажденного металлического электрода и напыленного стеклянного покрытия при первой температуре приблизительно в течение получаса; выдерживания стеклянной подложки, осажденного металлического электрода, напыленного стеклянного покрытия и кремниевой пластины при второй температуре приблизительно в течение получаса для соединения кремниевой пластины с подложкой; и медленного охлаждения подложки, осажденного металлического электрода, напыленного стеклянного покрытия и соединенной кремниевой пластины приблизительно в течение одного часа.
20. Способ по п. 19, в котором первая температура приблизительно равна 500oС.
21. Способ по п. 19, в котором вторая температура лежит в диапазоне 350 - 400oС для уменьшения остаточных напряжений в датчике.
RU97110284/09A 1994-11-22 1995-11-09 Емкостный датчик давления и способ его изготовления RU2171455C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/343,712 1994-11-22
US08/343,712 US5528452A (en) 1994-11-22 1994-11-22 Capacitive absolute pressure sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97110284A true RU97110284A (ru) 1999-05-27
RU2171455C2 RU2171455C2 (ru) 2001-07-27

Family

ID=23347305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97110284/09A RU2171455C2 (ru) 1994-11-22 1995-11-09 Емкостный датчик давления и способ его изготовления

Country Status (13)

Country Link
US (2) US5528452A (ru)
EP (2) EP0818046B1 (ru)
JP (1) JPH10509241A (ru)
KR (1) KR100355421B1 (ru)
CN (1) CN1092836C (ru)
AU (1) AU686916B2 (ru)
BR (1) BR9509747A (ru)
CA (1) CA2205169C (ru)
DE (2) DE69529477T2 (ru)
ES (1) ES2118672T1 (ru)
PL (1) PL179139B1 (ru)
RU (1) RU2171455C2 (ru)
WO (1) WO1996016418A1 (ru)

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6484585B1 (en) 1995-02-28 2002-11-26 Rosemount Inc. Pressure sensor for a pressure transmitter
JPH0915074A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力検出装置及びその製造方法
US5888412A (en) * 1996-03-04 1999-03-30 Motorola, Inc. Method for making a sculptured diaphragm
US5706565A (en) * 1996-09-03 1998-01-13 Delco Electronics Corporation Method for making an all-silicon capacitive pressure sensor
US6324914B1 (en) 1997-03-20 2001-12-04 Alliedsignal, Inc. Pressure sensor support base with cavity
US6058780A (en) * 1997-03-20 2000-05-09 Alliedsignal Inc. Capacitive pressure sensor housing having a ceramic base
US5936164A (en) * 1997-08-27 1999-08-10 Delco Electronics Corporation All-silicon capacitive pressure sensor
US5994161A (en) * 1997-09-03 1999-11-30 Motorola, Inc. Temperature coefficient of offset adjusted semiconductor device and method thereof
US6387318B1 (en) 1997-12-05 2002-05-14 Alliedsignal, Inc. Glass-ceramic pressure sensor support base and its fabrication
CA2310735A1 (en) 1997-12-09 1999-06-17 William Frank Dunn Pressure sensor for a tire and method therefor
US5902932A (en) 1998-01-09 1999-05-11 Granville-Phillips Company Force balancing capacitance manometer
JP3447062B2 (ja) * 1998-03-12 2003-09-16 株式会社山武 センサおよびその製造方法
US6359333B1 (en) 1998-03-31 2002-03-19 Honeywell International Inc. Wafer-pair having deposited layer sealed chambers
US6036872A (en) * 1998-03-31 2000-03-14 Honeywell Inc. Method for making a wafer-pair having sealed chambers
US6922134B1 (en) 1998-04-14 2005-07-26 The Goodyear Tire Rubber Company Programmable trimmer for transponder
US7260371B1 (en) 1998-04-14 2007-08-21 The Goodyear Tire & Rubber Company Programmable modulation index for transponder
US6159385A (en) * 1998-05-08 2000-12-12 Rockwell Technologies, Llc Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation
JP2000002611A (ja) 1998-06-12 2000-01-07 Fujikura Ltd 圧力センサ
US6074891A (en) * 1998-06-16 2000-06-13 Delphi Technologies, Inc. Process for verifying a hermetic seal and semiconductor device therefor
US6452427B1 (en) 1998-07-07 2002-09-17 Wen H. Ko Dual output capacitance interface circuit
US6236096B1 (en) 1998-10-06 2001-05-22 National Science Council Of Republic Of China Structure of a three-electrode capacitive pressure sensor
US6294113B1 (en) * 1998-11-16 2001-09-25 General Electric Company Touch sensing method
US6232150B1 (en) 1998-12-03 2001-05-15 The Regents Of The University Of Michigan Process for making microstructures and microstructures made thereby
WO2000047429A1 (en) 1999-02-11 2000-08-17 Emtop Limited Signal transmission in a tire pressure sensing system
US6338284B1 (en) 1999-02-12 2002-01-15 Integrated Sensing Systems (Issys) Inc. Electrical feedthrough structures for micromachined devices and methods of fabricating the same
EP1187731B1 (en) 1999-05-17 2003-11-12 The Goodyear Tire & Rubber Company Rf transponder comprising a power-on reset circuit and a method of controlling operation of a transponder of such kind
BR9917308A (pt) 1999-05-17 2002-02-19 Goodyear Tire & Rubber Oscilador de relaxação para transponder
US6369712B2 (en) 1999-05-17 2002-04-09 The Goodyear Tire & Rubber Company Response adjustable temperature sensor for transponder
US6995672B1 (en) 1999-05-17 2006-02-07 The Goodyear Tire & Rubber Co. Relaxation oscillator for transponder
US6980084B1 (en) 1999-05-17 2005-12-27 The Goodyear Tire & Rubber Company Power-on reset for transponder
US6803755B2 (en) 1999-09-21 2004-10-12 Rockwell Automation Technologies, Inc. Microelectromechanical system (MEMS) with improved beam suspension
US6798312B1 (en) 1999-09-21 2004-09-28 Rockwell Automation Technologies, Inc. Microelectromechanical system (MEMS) analog electrical isolator
US6514789B2 (en) * 1999-10-26 2003-02-04 Motorola, Inc. Component and method for manufacture
US6775632B1 (en) 1999-12-14 2004-08-10 The Goodyear Tire & Rubber Company Calibration of a transponders for a tire pressure monitoring system
US6658928B1 (en) 1999-12-14 2003-12-09 The Goodyear Tire & Rubber Company Method of monitoring pressure in a pneumatic tire
US6561038B2 (en) 2000-01-06 2003-05-13 Rosemount Inc. Sensor with fluid isolation barrier
US6508129B1 (en) 2000-01-06 2003-01-21 Rosemount Inc. Pressure sensor capsule with improved isolation
US6505516B1 (en) 2000-01-06 2003-01-14 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensing with moving dielectric
US6520020B1 (en) 2000-01-06 2003-02-18 Rosemount Inc. Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor
CN1151367C (zh) 2000-01-06 2004-05-26 罗斯蒙德公司 微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长
CA2312646A1 (en) * 2000-06-28 2001-12-28 Institut National D'optique Hybrid micropackaging of microdevices
US6686653B2 (en) 2000-06-28 2004-02-03 Institut National D'optique Miniature microdevice package and process for making thereof
DE10031129A1 (de) * 2000-06-30 2002-01-17 Grieshaber Vega Kg Überlastfester Drucksensor
US7548015B2 (en) * 2000-11-02 2009-06-16 Danfoss A/S Multilayer composite and a method of making such
WO2004027970A1 (en) 2002-09-20 2004-04-01 Danfoss A/S An elastomer actuator and a method of making an actuator
US8181338B2 (en) * 2000-11-02 2012-05-22 Danfoss A/S Method of making a multilayer composite
DE10054247C2 (de) * 2000-11-02 2002-10-24 Danfoss As Betätigungselement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7518284B2 (en) * 2000-11-02 2009-04-14 Danfoss A/S Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite
JP3591458B2 (ja) * 2000-12-15 2004-11-17 松下電器産業株式会社 半導体装置の実装構造および半導体装置
CN100362314C (zh) * 2001-01-10 2008-01-16 米其林技术公司 用于评估变形和应力的方法和装置
US6860154B2 (en) 2001-01-16 2005-03-01 Fujikura Ltd. Pressure sensor and manufacturing method thereof
US6794271B2 (en) * 2001-09-28 2004-09-21 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned bridge
US6761829B2 (en) 2001-04-26 2004-07-13 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device using an internal void
US6768628B2 (en) 2001-04-26 2004-07-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device incorporating a wafer level cap
US6815243B2 (en) 2001-04-26 2004-11-09 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method of fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned substrate
US6756310B2 (en) 2001-09-26 2004-06-29 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for constructing an isolate microelectromechanical system (MEMS) device using surface fabrication techniques
EP1407464B1 (en) * 2001-07-17 2011-03-09 SMC Kabushiki Kaisha Micro-electromechanical sensor
US6664786B2 (en) 2001-07-30 2003-12-16 Rockwell Automation Technologies, Inc. Magnetic field sensor using microelectromechanical system
US6690178B2 (en) 2001-10-26 2004-02-10 Rockwell Automation Technologies, Inc. On-board microelectromechanical system (MEMS) sensing device for power semiconductors
DE10157848B4 (de) * 2001-11-24 2005-01-13 Eads Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit abgeschlossenem Innenraum und mikromechanisches Bauelement mit abgeschlossenem Innenraum
ATE384935T1 (de) * 2001-12-21 2008-02-15 Danfoss As Dielektrisches betätigungsglied oder sensorstruktur und herstellungsverfahren
US6848316B2 (en) * 2002-05-08 2005-02-01 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly
US6858541B2 (en) * 2002-08-05 2005-02-22 Honeywell International, Inc. Etch stop control for MEMS device formation
US6736015B1 (en) 2002-11-04 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Robust, wireless microelectro mechanical system (MEMS) shear force sensor
WO2004053782A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-24 Danfoss A/S Tactile sensor element and sensor array
ES2309502T3 (es) * 2003-02-24 2008-12-16 Danfoss A/S Vendaje de compresion elastico electroactivo.
US6975193B2 (en) * 2003-03-25 2005-12-13 Rockwell Automation Technologies, Inc. Microelectromechanical isolating circuit
DE10313738A1 (de) * 2003-03-27 2004-10-07 Robert Bosch Gmbh Kapazitiver mikromechanischer Drucksensor
US6955094B1 (en) * 2003-07-18 2005-10-18 Cleveland Medical Devices Inc. Sensor for measuring shear forces
US7096736B2 (en) * 2003-08-04 2006-08-29 The Goodyear Tire & Rubber Company Passive tire pressure sensor and method
US20050101843A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Welch Allyn, Inc. Wireless disposable physiological sensor
US6949807B2 (en) * 2003-12-24 2005-09-27 Honeywell International, Inc. Signal routing in a hermetically sealed MEMS device
JP2005201818A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Alps Electric Co Ltd 圧力センサ
KR20050075659A (ko) * 2004-01-17 2005-07-21 삼성전자주식회사 디지털 출력을 갖는 압력센서, 그 제조방법 및 그 센싱방법
US7087451B2 (en) * 2004-03-24 2006-08-08 Intel Corporation Microfabricated hot wire vacuum sensor
US7802482B2 (en) * 2005-08-10 2010-09-28 Horiba Stec Co., Ltd. Diaphragm attaching structure of electrostatic capacity type pressure gauge
JP4585426B2 (ja) * 2005-10-31 2010-11-24 アルプス電気株式会社 静電容量型圧力センサ
US7493823B2 (en) * 2006-06-16 2009-02-24 Honeywell International Inc. Pressure transducer with differential amplifier
US7880371B2 (en) * 2006-11-03 2011-02-01 Danfoss A/S Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite
US7732999B2 (en) 2006-11-03 2010-06-08 Danfoss A/S Direct acting capacitive transducer
CN100436306C (zh) * 2006-11-23 2008-11-26 西北工业大学 一种触觉传感器及其制作方法
US20110189027A1 (en) * 2008-04-30 2011-08-04 Morten Kjaer Hansen Pump powered by a polymer transducer
US20110186759A1 (en) * 2008-04-30 2011-08-04 Danfoss Polypower A/S Power actuated valve
DE102008054415A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Robert Bosch Gmbh Anordnung zweier Substrate mit einer SLID-Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
KR101068444B1 (ko) 2008-12-19 2011-09-28 에이디반도체(주) 정전용량 터치 스위치의 터치캡
DE102009001924A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Drucksensor
US8141430B2 (en) * 2009-07-01 2012-03-27 Brooks Instrument, Llc Monolithic vacuum manometer utilizing electrostatic interference as a means of detection
JP5540797B2 (ja) * 2010-03-19 2014-07-02 ソニー株式会社 センサ装置および表示装置
US8656772B2 (en) 2010-03-22 2014-02-25 Honeywell International Inc. Flow sensor with pressure output signal
CN101963863B (zh) 2010-09-30 2015-07-08 华为终端有限公司 用户触摸操作模式自适应的方法和装置
US8616065B2 (en) 2010-11-24 2013-12-31 Honeywell International Inc. Pressure sensor
CN102169038B (zh) * 2011-01-10 2012-10-10 中国电子科技集团公司第五十五研究所 用于三明治结构mems硅电容压力传感器侧墙保护方法
US8695417B2 (en) 2011-01-31 2014-04-15 Honeywell International Inc. Flow sensor with enhanced flow range capability
CN102183335B (zh) 2011-03-15 2015-10-21 迈尔森电子(天津)有限公司 Mems压力传感器及其制作方法
WO2012178095A1 (en) * 2011-06-22 2012-12-27 Ifluidics, Inc. Electromotive system for high-throughput screening
DE102011081887A1 (de) * 2011-08-31 2013-02-28 Robert Bosch Gmbh Polymerschichtsystem-Drucksensorvorrichtung und Polymerschichtsystem-Drucksensorverfahren
WO2013067023A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Mems hemispherical resonator gyroscope
US8891222B2 (en) 2012-02-14 2014-11-18 Danfoss A/S Capacitive transducer and a method for manufacturing a transducer
US8692442B2 (en) 2012-02-14 2014-04-08 Danfoss Polypower A/S Polymer transducer and a connector for a transducer
US9003897B2 (en) 2012-05-10 2015-04-14 Honeywell International Inc. Temperature compensated force sensor
US9052217B2 (en) 2012-11-09 2015-06-09 Honeywell International Inc. Variable scale sensor
CN103162894A (zh) * 2013-01-14 2013-06-19 楚雄师范学院 一种电容压力传感器
FI125958B (en) * 2013-05-10 2016-04-29 Murata Manufacturing Co Improved safe measuring box
JP6176609B2 (ja) 2013-08-21 2017-08-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体物理量センサ
CN103440980A (zh) * 2013-08-26 2013-12-11 铜陵亿亨达电子有限责任公司 带有压力开关的脉冲电容器
US9470593B2 (en) 2013-09-12 2016-10-18 Honeywell International Inc. Media isolated pressure sensor
DE102013113843A1 (de) 2013-12-11 2015-06-11 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Drucksensor
US9719872B2 (en) * 2015-09-29 2017-08-01 Rosemount Inc. High over-pressure capable silicon die pressure sensor with extended pressure signal output
US10060813B2 (en) 2015-09-29 2018-08-28 Rosemount Inc. High over-pressure capable silicon die pressure sensor
CN106092332B (zh) * 2016-07-18 2018-12-18 上海集成电路研发中心有限公司 自监控真空泄露的器件、制备方法、系统及自监控方法
US10203258B2 (en) 2016-09-26 2019-02-12 Rosemount Inc. Pressure sensor diaphragm with overpressure protection
JP2020046177A (ja) 2016-12-20 2020-03-26 株式会社村田製作所 圧力センサ素子およびそれを備えた圧力センサモジュール
CN107957273B (zh) * 2018-01-16 2024-05-03 北京先通康桥医药科技有限公司 具有触压和超声功能的传感器
CN108426658B (zh) * 2018-03-26 2020-05-19 温州大学 环接触高量程电容式微压力传感器
DE102018221051A1 (de) * 2018-04-05 2019-10-10 Continental Reifen Deutschland Gmbh Vorrichtung zum Messen einer mechanischen Kraft, umfassend eine erste, zweite, dritte, vierte und fünfte Schicht sowie die Verwendungen der Vorrichtung und Reifen oder technischer Gummiartikel umfassend die Vorrichtung
CN109141691A (zh) * 2018-09-10 2019-01-04 沈阳工业大学 一种联动膜电容式压力敏感芯片及其制造方法
CN110044537A (zh) * 2019-03-27 2019-07-23 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 压力传感器及其制造方法
CN112034204A (zh) * 2020-08-01 2020-12-04 沈阳工业大学 一种联动接触电容式加速度敏感芯片及其制造方法
DE102020210605A1 (de) 2020-08-20 2022-02-24 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Korrektur eines Offsets und/oder einer Empfindlichkeit eines zweiten Sensors mithilfe eines ersten Sensors, Sensorsystem
CN112964417B (zh) * 2021-04-09 2023-04-14 午芯(辽宁省)高科技有限公司 一种双动极板电容式压力敏感芯片

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4467394A (en) * 1983-08-29 1984-08-21 United Technologies Corporation Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer
FI75426C (fi) * 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
JPH0750789B2 (ja) * 1986-07-18 1995-05-31 日産自動車株式会社 半導体圧力変換装置の製造方法
FI78784C (fi) * 1988-01-18 1989-09-11 Vaisala Oy Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
US5320705A (en) * 1988-06-08 1994-06-14 Nippondenso Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor
EP0507813A1 (en) * 1989-12-28 1992-10-14 British Technology Group Ltd Semiconductor cavity device with electric lead
JP2918299B2 (ja) * 1990-06-25 1999-07-12 沖電気工業株式会社 半導体圧力センサおよびそれを有する半導体装置の製造方法
JP2724419B2 (ja) * 1990-08-28 1998-03-09 日本特殊陶業株式会社 圧力センサ
US5241864A (en) * 1992-06-17 1993-09-07 Motorola, Inc. Double pinned sensor utilizing a tensile film
US5264075A (en) * 1992-11-06 1993-11-23 Ford Motor Company Fabrication methods for silicon/glass capacitive absolute pressure sensors
US5332469A (en) * 1992-11-12 1994-07-26 Ford Motor Company Capacitive surface micromachined differential pressure sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU97110284A (ru) Емкостный датчик давления и способ его изготовления
JP2782546B2 (ja) 半導体ウエーハ及びその形成法とトランスジューサ及びその製法
KR987000672A (ko) 용량성 절대압력센서 및 방법(capacitive absolute pressure sensor and method)
EP0569899B1 (en) An overpressure-protected, polysilicon, capacitive differential pressure sensor and method of making the same
EP0010204B2 (en) Semiconductor absolute pressure transducer assembly
EP0156757B1 (en) Capacitive pressure sensor with low parasitic capacitance
EP0169241B1 (en) Method for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors
US5349492A (en) Capacitive pressure sensor
US4773972A (en) Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
US4415948A (en) Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer
US4625561A (en) Silicon capacitive pressure sensor and method of making
JP4812915B2 (ja) 圧力センサのための可撓膜を備えたマイクロシステムとその製造法
JP2001033329A (ja) 圧力センサ
US4405970A (en) Silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer
JPH0533732B2 (ru)
JPS62500545A (ja) 脆性ダイヤフラムを使用した圧力感知セル
US20050206243A1 (en) Microelectromechanical system able to switch between two stable positions
JP3428729B2 (ja) 容量式圧力変換器
EP0962752A1 (en) Method for making glass pressure capacitance transducers in batch
US5600072A (en) Capacitive pressure sensor and method for making the same
JP2004191137A (ja) 静電容量型圧力センサ
JP3061249B2 (ja) 静電容量型圧力センサとその製造方法
US6756138B1 (en) Micro-electromechanical devices
JPH1038734A (ja) 静電容量型圧力センサ及びその製造方法並びにそのセンサを用いた血圧計
JP2582665Y2 (ja) 静電容量形圧力センサ