JP2582665Y2 - 静電容量形圧力センサ - Google Patents
静電容量形圧力センサInfo
- Publication number
- JP2582665Y2 JP2582665Y2 JP1992057553U JP5755392U JP2582665Y2 JP 2582665 Y2 JP2582665 Y2 JP 2582665Y2 JP 1992057553 U JP1992057553 U JP 1992057553U JP 5755392 U JP5755392 U JP 5755392U JP 2582665 Y2 JP2582665 Y2 JP 2582665Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fixed electrode
- pressure sensor
- movable electrode
- electrode
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案はシリコン基板と絶縁基板
とを有し、該シリコン基板と絶縁基板に、互いに対向す
るように電極を接合して形成される静電容量形圧力セン
サに関する。
とを有し、該シリコン基板と絶縁基板に、互いに対向す
るように電極を接合して形成される静電容量形圧力セン
サに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の静電容量形圧力センサの構造を図
２を参照して説明する。シリコン基板２１は、圧力によ
り変形するダイアフラム部２５と、その下にキャビティ
ー部２３とからなり、シリコン基板２１のキャビティー
部２３方面には、不純物を拡散等によって形成した可動
電極２４とを有し、一方ガラス基板２２の前記可動電極
２４と対向する面には、圧力によって変形しない固定電
極２６が接合されている。又、静電容量形圧力センサの
動作原理は、前記可動電極２４を兼ねたダイアフラム部
２５に圧力が加わると前記可動電極２４であるダイアフ
ラム部２５が変形し、前記可動電極２４と対向する固定
電極２６間のギャップの変化が起こり、前記可動電極２
４と固定電極２６間の静電容量Ｃの関係式は数式１で表
され、
２を参照して説明する。シリコン基板２１は、圧力によ
り変形するダイアフラム部２５と、その下にキャビティ
ー部２３とからなり、シリコン基板２１のキャビティー
部２３方面には、不純物を拡散等によって形成した可動
電極２４とを有し、一方ガラス基板２２の前記可動電極
２４と対向する面には、圧力によって変形しない固定電
極２６が接合されている。又、静電容量形圧力センサの
動作原理は、前記可動電極２４を兼ねたダイアフラム部
２５に圧力が加わると前記可動電極２４であるダイアフ
ラム部２５が変形し、前記可動電極２４と対向する固定
電極２６間のギャップの変化が起こり、前記可動電極２
４と固定電極２６間の静電容量Ｃの関係式は数式１で表
され、
【数１】 ギャップの変化により静電容量が変化する。また圧力と
ギャップの間には一定の相関関係があり静電容量の変化
から圧力を検出することができる。
ギャップの間には一定の相関関係があり静電容量の変化
から圧力を検出することができる。
【０００３】またシリコン基板２１上の可動電極２４側
には、過大圧力を印加した場合可動電極２４と固定電極
２６の接触のため起こる電気的ショートにより静電容量
測定不可能となるのを防止するため、シリコン酸化膜及
びシリコン窒化膜等の絶縁膜２７を設置した。
には、過大圧力を印加した場合可動電極２４と固定電極
２６の接触のため起こる電気的ショートにより静電容量
測定不可能となるのを防止するため、シリコン酸化膜及
びシリコン窒化膜等の絶縁膜２７を設置した。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】従来のシリコン基板２
１の可動電極２４側に絶縁膜２７を設置する構造の場
合、絶縁膜２７は可動電極２４の全面を覆うことが不可
能であるため可動電極２４と固定電極２６の間のキャビ
ティー部２３内に水蒸気等の不純物が付着した場合絶縁
膜２７で覆われている部分以外の可動電極２４と固定電
極２６間にて電気的ショートを発生する恐れがあるとい
う欠点があった。
１の可動電極２４側に絶縁膜２７を設置する構造の場
合、絶縁膜２７は可動電極２４の全面を覆うことが不可
能であるため可動電極２４と固定電極２６の間のキャビ
ティー部２３内に水蒸気等の不純物が付着した場合絶縁
膜２７で覆われている部分以外の可動電極２４と固定電
極２６間にて電気的ショートを発生する恐れがあるとい
う欠点があった。
【０００５】本考案はかかる欠点を除去するため絶縁膜
の形成位置および形状を変更し、水蒸気等の不純物が付
着した場合においても可動電極と固定電極の電気的ショ
ートを防止することを目的とする。
の形成位置および形状を変更し、水蒸気等の不純物が付
着した場合においても可動電極と固定電極の電気的ショ
ートを防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】絶縁膜をガラス基板上に
形成した固定電極側に前記固定電極の形状に添う形で全
面を完全に覆うように設置する。
形成した固定電極側に前記固定電極の形状に添う形で全
面を完全に覆うように設置する。
【０００７】絶縁膜をガラス基板上に形成した固定電極
側に前記固定電極の形状に添う形で全面を完全に覆うよ
うに設置することにより、過大圧力印加時の可動電極と
固定電極の接触による電気的ショートを防止し、更に可
動電極と固定電極の間のキャビティー部内に水蒸気等の
不純物が付着した場合においても可動電極と固定電極の
電気的ショートを防止する。
側に前記固定電極の形状に添う形で全面を完全に覆うよ
うに設置することにより、過大圧力印加時の可動電極と
固定電極の接触による電気的ショートを防止し、更に可
動電極と固定電極の間のキャビティー部内に水蒸気等の
不純物が付着した場合においても可動電極と固定電極の
電気的ショートを防止する。
【０００８】
【実施例】以下本考案に係わる静電容量形圧力センサの
実施例について図１を参照して説明する。
実施例について図１を参照して説明する。
【０００９】図１は、本考案の静電容量形圧力センサの
断面図である。
断面図である。
【００１０】静電容量形圧力センサは、シリコン基板１
１とガラス基板１２とを接合した２層構造である。
１とガラス基板１２とを接合した２層構造である。
【００１１】シリコン基板１１は、圧力により変形する
ダイアフラム部１４とその下に設けたキャビティー部１
３とで形成される。また、前記シリコン基板１１のキャ
ビティー部１３側に不純物の拡散によって形成した可動
電極１５が設けてある。またガラス基板１２の一方面に
は蒸着、スパッタ等により形成された圧力により変形し
ない固定電極１６が設置され、上記シリコン基板１１と
ガラス基板１２は、各基板上の電極面を対向させるよう
に静電接着等の接着技術を用いて接合されている。また
ガラス基板１２上の固定電極１６には、塗布、蒸着、ス
パッタ、ＣＶＤ等により形成された有機絶縁膜、シリコ
ン酸化膜およびシリコン窒化膜等の絶縁膜１７が固定電
極１６の形状に添う形で全面を覆うように設置されてい
る。
ダイアフラム部１４とその下に設けたキャビティー部１
３とで形成される。また、前記シリコン基板１１のキャ
ビティー部１３側に不純物の拡散によって形成した可動
電極１５が設けてある。またガラス基板１２の一方面に
は蒸着、スパッタ等により形成された圧力により変形し
ない固定電極１６が設置され、上記シリコン基板１１と
ガラス基板１２は、各基板上の電極面を対向させるよう
に静電接着等の接着技術を用いて接合されている。また
ガラス基板１２上の固定電極１６には、塗布、蒸着、ス
パッタ、ＣＶＤ等により形成された有機絶縁膜、シリコ
ン酸化膜およびシリコン窒化膜等の絶縁膜１７が固定電
極１６の形状に添う形で全面を覆うように設置されてい
る。
【００１２】上記のように絶縁膜１７を設置することに
より過大圧力印加時の可動電極１５と固定電極１６の接
触による電気的ショートを防止し、更に可動電極１５と
固定電極１６の間のキャビティー部１３内に水蒸気等の
不純物が付着した場合でも固定電極１６が完全に絶縁膜
１７で封止された状態にあるため可動電極１５と固定電
極１６の電気的ショートを防止することができる。
より過大圧力印加時の可動電極１５と固定電極１６の接
触による電気的ショートを防止し、更に可動電極１５と
固定電極１６の間のキャビティー部１３内に水蒸気等の
不純物が付着した場合でも固定電極１６が完全に絶縁膜
１７で封止された状態にあるため可動電極１５と固定電
極１６の電気的ショートを防止することができる。
【００１３】
【考案の効果】本考案によればゴミおよび湿度変化等に
より可動電極と固定電極の間で電気的ショートが起こら
ない耐環境性の良い静電容量形圧力センサを供給するこ
とができる。
より可動電極と固定電極の間で電気的ショートが起こら
ない耐環境性の良い静電容量形圧力センサを供給するこ
とができる。
【図１】本考案の静電容量形圧力センサの断面図であ
る。
る。
【図２】従来の静電容量形圧力センサの断面図である。
１１，２１ シリコン基板 １２，２２ ガラス基板 １３，２３ キャビティー部 １４，２５ ダイアフラム部 １５，２４ 可動電極 １６，２６ 固定電極 １７，２７ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 圧力により変形するダイアフラム部とそ
の下に設けたキャビティー部とで形成されたシリコン基
板と、絶縁基板とを有し、前記キャビティー部側におけ
る前記シリコン基板には可動電極が不純物の拡散によっ
て形成され、前記絶縁基板には固定電極が前記可動電極
と対向するように形成されてなる静電容量形圧力センサ
において、前記固定電極のみにその全体を覆うように絶
縁膜を設けて構成されたことを特徴とする静電容量形圧
力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992057553U JP2582665Y2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 静電容量形圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992057553U JP2582665Y2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 静電容量形圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618940U JPH0618940U (ja) | 1994-03-11 |
| JP2582665Y2 true JP2582665Y2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13059006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992057553U Expired - Lifetime JP2582665Y2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 静電容量形圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582665Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007078439A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Sony Corp | 容量検出型センサ素子 |
| JP4787648B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436984A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-19 | Fuji Electric Co Ltd | Pressure measuring apparatus |
| JPH02272340A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式圧力検出器 |
| JPH03170826A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 容量型圧力センサ |
| EP0544934B1 (de) * | 1991-11-30 | 1996-10-02 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Verfahren zum Stabilisieren der Oberflächeneigenschaften von in Vakuum temperaturzubehandelnden Gegenständen |
-
1992
- 1992-08-17 JP JP1992057553U patent/JP2582665Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618940U (ja) | 1994-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU97110284A (ru) | Емкостный датчик давления и способ его изготовления | |
| JP2582665Y2 (ja) | 静電容量形圧力センサ | |
| EP0677877A3 (en) | Insulating gate type semiconductor device and power inverter using such a device | |
| JPS62182643A (ja) | 曲面ガラスへの結露センサの取付け方法 | |
| JPH10221288A (ja) | 湿度センサ | |
| JPS631235Y2 (ja) | ||
| EP1187184A3 (en) | Thin film capacitor for temperature compensation | |
| JPH0720536U (ja) | 温湿度センサ | |
| JPH0189375U (ja) | ||
| JPH0495741A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH05231975A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| US6201464B1 (en) | Thermistor device having uninsulated peripheral edge | |
| JPH0521807Y2 (ja) | ||
| JPH07318445A (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 | |
| JPH0727168U (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3023444B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPS5821835U (ja) | 接触型温度検出装置 | |
| JPS6161443U (ja) | ||
| JPH04146672A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH0528947U (ja) | ロードセル | |
| JPS5886505U (ja) | 静電容量式膜厚計 | |
| JPH0618342A (ja) | 圧力センサー | |
| JPH0262646U (ja) | ||
| KR970030099A (ko) | 플라즈마 표시소자 | |
| JPS6375857U (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980624 |