RU96120357A - Способ травления карбида кремния - Google Patents
Способ травления карбида кремнияInfo
- Publication number
- RU96120357A RU96120357A RU96120357/25A RU96120357A RU96120357A RU 96120357 A RU96120357 A RU 96120357A RU 96120357/25 A RU96120357/25 A RU 96120357/25A RU 96120357 A RU96120357 A RU 96120357A RU 96120357 A RU96120357 A RU 96120357A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- applying
- silicon carbide
- mask
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N Sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims 3
- FXOFAYKVTOLJTJ-UHFFFAOYSA-N fluoridooxygen(.) Chemical compound F[O] FXOFAYKVTOLJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (7)
1. Способ травления карбида кремния, отличающийся тем, что обеспечивают подложку из карбида кремния, формируют слой маски путем нанесения слоя материала на подложку, причем данный материал имеет показатель твердости по Моосу 4 и выше, формируют рисунок на слое маски, путем открытия нижележащих участков подложки, и травят эти нижележащие участки подложки с использованием плазмы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой маски формируют посредством нанесения слоя двуокиси кремния на подложку и нанесения слоя платины на двуокись кремния.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой маски формируют посредством нанесения слоя LaB6 на подложку.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой маски формируют посредством нанесения слоя никеля на подложку.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что наносят слой никеля толщиной по меньшей мере 50 нм.
6. Способ по пп.1 - 4 или 5, отличающийся тем, что нижележащие участки травят с использованием химического процесса травления смесью кислорода и гексафторида серы.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в химическом процессе травления смесью кислорода и гексафторида серы используют смесь 85% кислорода и 15% гексафторида серы.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/538,064 | 1995-10-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96120357A true RU96120357A (ru) | 1998-12-10 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2708812C1 (ru) * | 2019-05-08 | 2019-12-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2708812C1 (ru) * | 2019-05-08 | 2019-12-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890003002A (ko) | 드라이 에칭 방법 | |
| DE3863376D1 (de) | Materialien und verfahren zum aetzen von wolframpolyziden unter zuhilfenahme der silizide als maske. | |
| EP1006409A3 (en) | Method for patterning a semiconductor wafer using a mask that has several regions with different scattering ability | |
| KR960005829A (ko) | 강유전체막의 에칭방법 | |
| EP0358350A3 (en) | Forming a Prescribed Pattern on a Semiconductor Device Layer | |
| RU96120357A (ru) | Способ травления карбида кремния | |
| JPS6425419A (en) | Etching | |
| KR960035802A (ko) | 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용한 금속 배선 형성방법 | |
| TW325583B (en) | Method of etching a polysilicon layer | |
| KR970023814A (ko) | 반도체 건식에칭방법 | |
| KR980005631A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026300A (ko) | 미세 패턴 제조방법 | |
| JPS5787175A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| KR920007067A (ko) | 반도체 제조중 콘택트홀의 형성방법 | |
| JPS56115534A (en) | Formation of pattern | |
| KR900005849A (ko) | El표시소자의 투명전극 및 그 제조방법 | |
| ATE209395T1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| JPS57118641A (en) | Lifting-off method | |
| KR970077243A (ko) | 반도체 소자의 폴리머 제거방법 | |
| KR970008398A (ko) | 반도체 제조공정의 식각종료점 검출방법 | |
| KR960030413A (ko) | 반도체장치의 트렌치 형성방법 | |
| KR960001877A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| JPS6469064A (en) | Manufacture of oxide superconducting wiring | |
| JPS54162460A (en) | Electrode forming method | |
| JPS6466942A (en) | Formation of thin-film pattern |