Claims (7)
1. Способ травления карбида кремния, отличающийся тем, что обеспечивают подложку из карбида кремния, формируют слой маски путем нанесения слоя материала на подложку, причем данный материал имеет показатель твердости по Моосу 4 и выше, формируют рисунок на слое маски, путем открытия нижележащих участков подложки, и травят эти нижележащие участки подложки с использованием плазмы.1. The method of etching silicon carbide, characterized in that they provide a substrate of silicon carbide, form a mask layer by applying a layer of material on the substrate, and this material has a Mohs hardness of 4 or higher, form a pattern on the mask layer, by opening the underlying portions of the substrate , and etch these underlying portions of the substrate using plasma.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой маски формируют посредством нанесения слоя двуокиси кремния на подложку и нанесения слоя платины на двуокись кремния. 2. The method according to claim 1, characterized in that the layer of the mask is formed by applying a layer of silicon dioxide on a substrate and applying a layer of platinum on silicon dioxide.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой маски формируют посредством нанесения слоя LaB6 на подложку.3. The method according to claim 1, characterized in that the layer of the mask is formed by applying a layer of LaB 6 on the substrate.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой маски формируют посредством нанесения слоя никеля на подложку. 4. The method according to claim 1, characterized in that the mask layer is formed by applying a layer of Nickel on the substrate.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что наносят слой никеля толщиной по меньшей мере 50 нм. 5. The method according to claim 4, characterized in that a nickel layer is applied at least 50 nm thick.
6. Способ по пп.1 - 4 или 5, отличающийся тем, что нижележащие участки травят с использованием химического процесса травления смесью кислорода и гексафторида серы. 6. The method according to claims 1 to 4 or 5, characterized in that the underlying areas are etched using the chemical etching process with a mixture of oxygen and sulfur hexafluoride.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в химическом процессе травления смесью кислорода и гексафторида серы используют смесь 85% кислорода и 15% гексафторида серы. 7. The method according to claim 6, characterized in that in the chemical process of etching with a mixture of oxygen and sulfur hexafluoride, a mixture of 85% oxygen and 15% sulfur hexafluoride is used.