RU96116375A - Способ анизотропного травления кристаллов кремния - Google Patents
Способ анизотропного травления кристаллов кремнияInfo
- Publication number
- RU96116375A RU96116375A RU96116375/25A RU96116375A RU96116375A RU 96116375 A RU96116375 A RU 96116375A RU 96116375/25 A RU96116375/25 A RU 96116375/25A RU 96116375 A RU96116375 A RU 96116375A RU 96116375 A RU96116375 A RU 96116375A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- anisotropic etching
- silicon crystals
- working side
- value
- etching
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- -1 helium ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ анизотропного травления кристаллов кремния, включающий формирование на рабочей стороне подложки маски и обработку в анизотропно травящих растворах, отличающийся тем, что перед травлением нерабочую сторону облучают ионами гелия с энергией не менее 100 кэВ, причем дозу облучения определяют на рабочей стороне контрольного образца по изменению значения периода кристаллической решетки кристалла, когда его величина перестает зависеть от дозы.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96116375A RU2106717C1 (ru) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Способ анизотропного травления кристаллов кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96116375A RU2106717C1 (ru) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Способ анизотропного травления кристаллов кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2106717C1 RU2106717C1 (ru) | 1998-03-10 |
| RU96116375A true RU96116375A (ru) | 1998-10-10 |
Family
ID=20184396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96116375A RU2106717C1 (ru) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Способ анизотропного травления кристаллов кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2106717C1 (ru) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2355138B1 (en) * | 2010-01-28 | 2016-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid composition, method of producing silicon substrate, and method of producing liquid discharge head substrate |
| US10424711B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-09-24 | Yale University | Superconducting device with at least one enclosure |
| SG11201505617UA (en) | 2013-01-18 | 2015-09-29 | Univ Yale | Methods for making a superconducting device with at least one enclosure |
| CA2927326C (en) | 2013-10-15 | 2024-02-27 | Yale University | Low-noise josephson junction-based directional amplifier |
| US9948254B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-04-17 | Yale University | Wireless Josephson bifurcation amplifier |
| WO2016138406A1 (en) | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Yale University | Josephson junction-based circulators and related systems and methods |
| JP2018513580A (ja) | 2015-02-27 | 2018-05-24 | イェール ユニバーシティーＹａｌｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 量子増幅器を作製するための技術ならびに関連する系および方法 |
| WO2016138395A1 (en) | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Yale University | Techniques for coupling plannar qubits to non-planar resonators and related systems and methods |
| CA2981493A1 (en) | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Yale University | Wireless josephson parametric converter |
| WO2017123940A1 (en) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Yale University | Techniques for manipulation of two-quantum states and related systems and methods |
| RU2623681C1 (ru) * | 2016-09-22 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита |
| RU175042U1 (ru) * | 2017-06-20 | 2017-11-16 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Тестовый элемент для контроля качества анизотропного травления канавок |
| US11737376B2 (en) | 2017-12-11 | 2023-08-22 | Yale University | Superconducting nonlinear asymmetric inductive element and related systems and methods |
| US11223355B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-01-11 | Yale University | Inductively-shunted transmon qubit for superconducting circuits |
| US11791818B2 (en) | 2019-01-17 | 2023-10-17 | Yale University | Josephson nonlinear circuit |
-
1996
- 1996-08-07 RU RU96116375A patent/RU2106717C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU96116375A (ru) | Способ анизотропного травления кристаллов кремния | |
| EP0148448A3 (en) | Etching method | |
| JPS5676575A (en) | Manufacture of junction type field effect semiconductor device | |
| JPS52109369A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS51138181A (en) | Semi-conductor device | |
| JPS567439A (en) | Treating method for semiconductor substrate | |
| JPS5359368A (en) | Plasma etching | |
| JPS53145583A (en) | Semiconductor device and production of the same | |
| JPS5270754A (en) | Impurity doping method | |
| JPS5387164A (en) | Heat traetment method of compound crystal | |
| JPS535574A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| Toulemonde et al. | Laser Annealing of a-Si: H | |
| JPS5326575A (en) | Ion etching method | |
| RU99108307A (ru) | Способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур | |
| JPS5599720A (en) | Method and device of manufacturing semiconductor device | |
| NOSENKO et al. | An Influence of Surfaces upon the Efficiency of the Irradiation Frenkel'- Pair-Type Point-Defects' Formation | |
| JPS5327376A (en) | Forming method of high resistanc e layer | |
| JPS52120556A (en) | Treating method of aqueous polyvinyl alcohol solution | |
| JPS52144287A (en) | Preparation of semiconductor device | |
| JPS53116771A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS53142879A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS57154833A (en) | Etching method by reactive ion | |
| JPS52131453A (en) | Thermal treating method for chemical compound semiconductor | |
| JPS5299441A (en) | Solar heat heat focussing surface and its manufacturing method | |
| JPS57198618A (en) | Manufacture of semiconductor device having multiple crystalline layer |