RU96102597A - Высоковольтный опрокидывающий диод - Google Patents
Высоковольтный опрокидывающий диодInfo
- Publication number
- RU96102597A RU96102597A RU96102597/25A RU96102597A RU96102597A RU 96102597 A RU96102597 A RU 96102597A RU 96102597/25 A RU96102597/25 A RU 96102597/25A RU 96102597 A RU96102597 A RU 96102597A RU 96102597 A RU96102597 A RU 96102597A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tipping
- high voltage
- diodes
- diode according
- diode
- Prior art date
Links
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 6
- 229920001721 Polyimide Polymers 0.000 claims 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 3
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
Claims (9)
1. Высоковольтный опрокидывающий диод с большим количеством включенных последовательно отдельных чипов с опрокидывающими диодами, причем высокозапирающий p-n-переход каждого отдельного опрокидывающего диода покрыт изолирующим слоем, отличающийся тем, что отдельные опрокидывающие диоды являются изготовленными по методу планарной техники чипами с опрокидывающими диодами, а высокозапирающий p-n-переход (33) каждого опрокидывающего диода расположен на верхней стороне (32) чипа с опрокидывающими диодами, что расположенный на верхней стороне (32) чипа с опрокидывающими диодами электрод (К) и расположенный на нижней стороне чипа с опрокидывающими диодами электрод (А) покрыты электропроводящим слоем (35 или 31), что на верхней стороне чипа с опрокидывающими диодами нанесен электроизолирующий слой (36) из синтетического материала, который имеет углубление в зоне электрода, и что соединительный слой электропроводяще и механически соединяет друг с другом отдельные чипы с опрокидывающими диодами.
2. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.1, отличающийся тем, что электропроводящий слой из синтетического материала выполнен с возможностью фотоструктурирования.
3. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.1 или 2, отличающийся тем, что электроизолирующий слой из синтетического материала состоит из полиимида.
4. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.3, отличающийся тем, что толщина полиимидного слоя составляет от 10 до 200 мкм.
5. Высоковольтный опрокидывающий диод по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что соединительным слоем является электропроводящий клей.
6. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.5, отличающийся тем, что клей является предварительно отверждаемым клеем.
7. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.5 или 6, отличающийся тем, что клеем является металлосодержащий полиимидный клей.
8. Высоковольтный опрокидывающий диод по одному из пп.5 - 7, отличающийся тем, что клей нанесен в виде толстого слоя методом трафаретной печати.
9. Высоковольтный опрокидывающий диод по одному из пп.1 - 4, отличающийся тем, что соединительным слоем является паяное соединение.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4417164A DE4417164C1 (de) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | Hochspannungskippdiode insb. geeignet als Zündspannungsverteiler eines Verbrennungsmotors |
DEP4417164.1 | 1994-05-17 | ||
PCT/DE1995/000615 WO1995031827A1 (de) | 1994-05-17 | 1995-05-10 | Hochspannungskippdiode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU96102597A true RU96102597A (ru) | 1998-05-10 |
RU2137255C1 RU2137255C1 (ru) | 1999-09-10 |
Family
ID=6518229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU96102597A RU2137255C1 (ru) | 1994-05-17 | 1995-05-10 | Высоковольтный опрокидывающий диод |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5710463A (ru) |
EP (1) | EP0714555B1 (ru) |
JP (1) | JP3714954B2 (ru) |
KR (1) | KR960703491A (ru) |
BR (1) | BR9506229A (ru) |
DE (2) | DE4417164C1 (ru) |
ES (1) | ES2131825T3 (ru) |
RU (1) | RU2137255C1 (ru) |
WO (1) | WO1995031827A1 (ru) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19604890B4 (de) * | 1996-02-10 | 2007-01-25 | Robert Bosch Gmbh | Lichtkippdiode |
DE19610862A1 (de) * | 1996-03-20 | 1997-09-25 | Bosch Gmbh Robert | Induktive Zündeinrichtung |
DE19739684B4 (de) * | 1997-09-10 | 2006-04-13 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Chipstapeln |
DE19835265B4 (de) * | 1998-08-04 | 2006-02-23 | Infineon Technologies Ag | Leistungsbauelement in einem Gehäuse |
US20050275106A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Fricke Peter J | Electronic isolation device |
US7129805B2 (en) * | 2005-02-01 | 2006-10-31 | Continental Microwave & Tool Company, Inc. | Method of increasing the operating frequency in a series-shunt configured PIN diode switch |
US7339776B1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-03-04 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Silicon carbide diode voltage limiter |
JP5557571B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-07-23 | 新電元工業株式会社 | ダイオードモジュール |
US8575990B2 (en) | 2011-10-14 | 2013-11-05 | Silicon Power Corporation | Matrix-stages solid state ultrafast switch |
RU2492549C1 (ru) * | 2012-03-20 | 2013-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ сборки трехмерного электронного модуля |
US9935206B2 (en) * | 2013-05-10 | 2018-04-03 | Ixys Corporation | Packaged overvoltage protection circuit for triggering thyristors |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3363150A (en) * | 1964-05-25 | 1968-01-09 | Gen Electric | Glass encapsulated double heat sink diode assembly |
US3373335A (en) * | 1964-12-22 | 1968-03-12 | Electronic Devices Inc | Stacked assembly of rectifier units incorporating shunt capacitors |
US3416046A (en) * | 1965-12-13 | 1968-12-10 | Dickson Electronics Corp | Encased zener diode assembly and method of producing same |
JPS5116264B2 (ru) * | 1971-10-01 | 1976-05-22 | ||
DE2706560C2 (de) * | 1975-08-18 | 1982-09-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Hochspannungskaskade |
US4535350A (en) * | 1981-10-29 | 1985-08-13 | National Semiconductor Corporation | Low-cost semiconductor device package and process |
DE3621929A1 (de) * | 1986-06-30 | 1988-01-07 | Bosch Gmbh Robert | Stapelfoermige diodenanordnung mit hoher spannungsfestigkeit |
DE3731412A1 (de) * | 1986-11-08 | 1988-05-11 | Bosch Gmbh Robert | Hochspannungsschalter |
WO1989011734A1 (en) * | 1988-05-21 | 1989-11-30 | Robert Bosch Gmbh | Manufacture of diodes |
US4989063A (en) * | 1988-12-09 | 1991-01-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hybrid wafer scale microcircuit integration |
DE4032131A1 (de) * | 1990-10-10 | 1992-04-16 | Bosch Gmbh Robert | Hochspannungsschalter |
US5245412A (en) * | 1992-02-18 | 1993-09-14 | Square D Company | Low capacitance silicon transient suppressor with monolithic structure |
-
1994
- 1994-05-17 DE DE4417164A patent/DE4417164C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-10 DE DE59505371T patent/DE59505371D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-10 EP EP95917288A patent/EP0714555B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-10 US US08/581,585 patent/US5710463A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-10 ES ES95917288T patent/ES2131825T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-10 WO PCT/DE1995/000615 patent/WO1995031827A1/de active IP Right Grant
- 1995-05-10 RU RU96102597A patent/RU2137255C1/ru active
- 1995-05-10 KR KR1019950705983A patent/KR960703491A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-05-10 JP JP52928595A patent/JP3714954B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-10 BR BR9506229A patent/BR9506229A/pt not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3142783A (en) | Electrical circuit system | |
KR920001701A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
RU96102597A (ru) | Высоковольтный опрокидывающий диод | |
RU99120099A (ru) | Силовой полупроводниковый модуль | |
RU99112481A (ru) | Пьезоэлектрический исполнительный элемент с контактированием нового типа и способ изготовления | |
KR970030749A (ko) | 집적 회로 패키지 | |
KR970077555A (ko) | 적층형 버텀 리드 패키지 | |
KR930020654A (ko) | 반도체 메모리 모듈 | |
KR940022755A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법과 반도체장치용 리드프레임(Lead frame) | |
KR970077228A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 구조물 | |
ATE65346T1 (de) | Mit lot versehenes kontaktelement. | |
WO2001020686A8 (en) | Two-terminal cell-interconnected-circuits using mechanically-stacked photovoltaic cells for line-focus concentrator arrays | |
KR830004676A (ko) | 회로 패키지들의 제조방법 | |
KR910007096A (ko) | Tab 테이프와 반도체 칩을 접속하는 방법 및 그것에 사용하는 범프시이트와 범프부착 tab 테이프 | |
DE3482719D1 (de) | Halbleiterelement und herstellungsverfahren. | |
KR890004431A (ko) | 반도체 장치 | |
US4538143A (en) | Light-emitting diode displayer | |
KR960703491A (ko) | 고전압 브레이크오버 다이오드(High-voltage breakover diode) | |
JPS6298783A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
KR890015403A (ko) | 반도체집적회로장치 | |
KR970053697A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
KR970701912A (ko) | 칩형 복합전자부품 | |
JPS6250063B2 (ru) | ||
JPS6361150U (ru) | ||
KR920001699A (ko) | 반도체장치 |