RU96102597A - Высоковольтный опрокидывающий диод - Google Patents

Высоковольтный опрокидывающий диод

Info

Publication number
RU96102597A
RU96102597A RU96102597/25A RU96102597A RU96102597A RU 96102597 A RU96102597 A RU 96102597A RU 96102597/25 A RU96102597/25 A RU 96102597/25A RU 96102597 A RU96102597 A RU 96102597A RU 96102597 A RU96102597 A RU 96102597A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
tipping
high voltage
diodes
diode according
diode
Prior art date
Application number
RU96102597/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2137255C1 (ru
Inventor
Фогель Манфред
Херден Вернер
Конрад Йоханн
Шпитц Рихард
Гебель Херберт
Original Assignee
Роберт Бош Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE4417164A external-priority patent/DE4417164C1/de
Application filed by Роберт Бош Гмбх filed Critical Роберт Бош Гмбх
Publication of RU96102597A publication Critical patent/RU96102597A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2137255C1 publication Critical patent/RU2137255C1/ru

Links

Claims (9)

1. Высоковольтный опрокидывающий диод с большим количеством включенных последовательно отдельных чипов с опрокидывающими диодами, причем высокозапирающий p-n-переход каждого отдельного опрокидывающего диода покрыт изолирующим слоем, отличающийся тем, что отдельные опрокидывающие диоды являются изготовленными по методу планарной техники чипами с опрокидывающими диодами, а высокозапирающий p-n-переход (33) каждого опрокидывающего диода расположен на верхней стороне (32) чипа с опрокидывающими диодами, что расположенный на верхней стороне (32) чипа с опрокидывающими диодами электрод (К) и расположенный на нижней стороне чипа с опрокидывающими диодами электрод (А) покрыты электропроводящим слоем (35 или 31), что на верхней стороне чипа с опрокидывающими диодами нанесен электроизолирующий слой (36) из синтетического материала, который имеет углубление в зоне электрода, и что соединительный слой электропроводяще и механически соединяет друг с другом отдельные чипы с опрокидывающими диодами.
2. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.1, отличающийся тем, что электропроводящий слой из синтетического материала выполнен с возможностью фотоструктурирования.
3. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.1 или 2, отличающийся тем, что электроизолирующий слой из синтетического материала состоит из полиимида.
4. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.3, отличающийся тем, что толщина полиимидного слоя составляет от 10 до 200 мкм.
5. Высоковольтный опрокидывающий диод по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что соединительным слоем является электропроводящий клей.
6. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.5, отличающийся тем, что клей является предварительно отверждаемым клеем.
7. Высоковольтный опрокидывающий диод по п.5 или 6, отличающийся тем, что клеем является металлосодержащий полиимидный клей.
8. Высоковольтный опрокидывающий диод по одному из пп.5 - 7, отличающийся тем, что клей нанесен в виде толстого слоя методом трафаретной печати.
9. Высоковольтный опрокидывающий диод по одному из пп.1 - 4, отличающийся тем, что соединительным слоем является паяное соединение.
RU96102597A 1994-05-17 1995-05-10 Высоковольтный опрокидывающий диод RU2137255C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4417164A DE4417164C1 (de) 1994-05-17 1994-05-17 Hochspannungskippdiode insb. geeignet als Zündspannungsverteiler eines Verbrennungsmotors
DEP4417164.1 1994-05-17
PCT/DE1995/000615 WO1995031827A1 (de) 1994-05-17 1995-05-10 Hochspannungskippdiode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU96102597A true RU96102597A (ru) 1998-05-10
RU2137255C1 RU2137255C1 (ru) 1999-09-10

Family

ID=6518229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96102597A RU2137255C1 (ru) 1994-05-17 1995-05-10 Высоковольтный опрокидывающий диод

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5710463A (ru)
EP (1) EP0714555B1 (ru)
JP (1) JP3714954B2 (ru)
KR (1) KR960703491A (ru)
BR (1) BR9506229A (ru)
DE (2) DE4417164C1 (ru)
ES (1) ES2131825T3 (ru)
RU (1) RU2137255C1 (ru)
WO (1) WO1995031827A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19604890B4 (de) * 1996-02-10 2007-01-25 Robert Bosch Gmbh Lichtkippdiode
DE19610862A1 (de) * 1996-03-20 1997-09-25 Bosch Gmbh Robert Induktive Zündeinrichtung
DE19739684B4 (de) * 1997-09-10 2006-04-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Chipstapeln
DE19835265B4 (de) * 1998-08-04 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Leistungsbauelement in einem Gehäuse
US20050275106A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Fricke Peter J Electronic isolation device
US7129805B2 (en) * 2005-02-01 2006-10-31 Continental Microwave & Tool Company, Inc. Method of increasing the operating frequency in a series-shunt configured PIN diode switch
US7339776B1 (en) * 2006-12-12 2008-03-04 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Silicon carbide diode voltage limiter
JP5557571B2 (ja) * 2010-03-29 2014-07-23 新電元工業株式会社 ダイオードモジュール
US8575990B2 (en) 2011-10-14 2013-11-05 Silicon Power Corporation Matrix-stages solid state ultrafast switch
RU2492549C1 (ru) * 2012-03-20 2013-09-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ сборки трехмерного электронного модуля
US9935206B2 (en) * 2013-05-10 2018-04-03 Ixys Corporation Packaged overvoltage protection circuit for triggering thyristors

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363150A (en) * 1964-05-25 1968-01-09 Gen Electric Glass encapsulated double heat sink diode assembly
US3373335A (en) * 1964-12-22 1968-03-12 Electronic Devices Inc Stacked assembly of rectifier units incorporating shunt capacitors
US3416046A (en) * 1965-12-13 1968-12-10 Dickson Electronics Corp Encased zener diode assembly and method of producing same
JPS5116264B2 (ru) * 1971-10-01 1976-05-22
DE2706560C2 (de) * 1975-08-18 1982-09-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Hochspannungskaskade
US4535350A (en) * 1981-10-29 1985-08-13 National Semiconductor Corporation Low-cost semiconductor device package and process
DE3621929A1 (de) * 1986-06-30 1988-01-07 Bosch Gmbh Robert Stapelfoermige diodenanordnung mit hoher spannungsfestigkeit
DE3731412A1 (de) * 1986-11-08 1988-05-11 Bosch Gmbh Robert Hochspannungsschalter
WO1989011734A1 (en) * 1988-05-21 1989-11-30 Robert Bosch Gmbh Manufacture of diodes
US4989063A (en) * 1988-12-09 1991-01-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hybrid wafer scale microcircuit integration
DE4032131A1 (de) * 1990-10-10 1992-04-16 Bosch Gmbh Robert Hochspannungsschalter
US5245412A (en) * 1992-02-18 1993-09-14 Square D Company Low capacitance silicon transient suppressor with monolithic structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3142783A (en) Electrical circuit system
KR920001701A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
RU96102597A (ru) Высоковольтный опрокидывающий диод
RU99120099A (ru) Силовой полупроводниковый модуль
RU99112481A (ru) Пьезоэлектрический исполнительный элемент с контактированием нового типа и способ изготовления
KR970030749A (ko) 집적 회로 패키지
KR970077555A (ko) 적층형 버텀 리드 패키지
KR930020654A (ko) 반도체 메모리 모듈
KR940022755A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법과 반도체장치용 리드프레임(Lead frame)
KR970077228A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 구조물
ATE65346T1 (de) Mit lot versehenes kontaktelement.
WO2001020686A8 (en) Two-terminal cell-interconnected-circuits using mechanically-stacked photovoltaic cells for line-focus concentrator arrays
KR830004676A (ko) 회로 패키지들의 제조방법
KR910007096A (ko) Tab 테이프와 반도체 칩을 접속하는 방법 및 그것에 사용하는 범프시이트와 범프부착 tab 테이프
DE3482719D1 (de) Halbleiterelement und herstellungsverfahren.
KR890004431A (ko) 반도체 장치
US4538143A (en) Light-emitting diode displayer
KR960703491A (ko) 고전압 브레이크오버 다이오드(High-voltage breakover diode)
JPS6298783A (ja) 発光ダイオ−ド
KR890015403A (ko) 반도체집적회로장치
KR970053697A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조방법
KR970701912A (ko) 칩형 복합전자부품
JPS6250063B2 (ru)
JPS6361150U (ru)
KR920001699A (ko) 반도체장치