RU93008617A - Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки - Google Patents
Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейкиInfo
- Publication number
- RU93008617A RU93008617A RU93008617/25A RU93008617A RU93008617A RU 93008617 A RU93008617 A RU 93008617A RU 93008617/25 A RU93008617/25 A RU 93008617/25A RU 93008617 A RU93008617 A RU 93008617A RU 93008617 A RU93008617 A RU 93008617A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- photopeleted
- cell
- heteroepitaxial structure
- heteroepitaxial
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 5
- 231100000488 structural defect Toxicity 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Цель изобретения - увеличение обнаружительной способности ячеек ФПУ, выполненных на гетероэпитаксиальных полупроводниковых слоях, имеющих дефекты структуры на границе раздела с подложкой, и увеличение рабочей температуры. Для этого в гетероэпитаксиальном слое полупроводника дополнительно формируют p+-слой, расположенный между двумя n+-слоями.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93008617A RU2065224C1 (ru) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93008617A RU2065224C1 (ru) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU93008617A true RU93008617A (ru) | 1995-02-27 |
| RU2065224C1 RU2065224C1 (ru) | 1996-08-10 |
Family
ID=20137288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93008617A RU2065224C1 (ru) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2065224C1 (ru) |
-
1993
- 1993-02-15 RU RU93008617A patent/RU2065224C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2738394B1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur en carbure de silicium, et son procede de fabrication | |
| EP0177300A3 (en) | Bypass diode assembly for photovoltaic modules | |
| JPS5644194A (en) | Memory device | |
| RU93008617A (ru) | Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки | |
| JPS57100761A (en) | Semiconductor light sensitive device | |
| CA2051048A1 (en) | Superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer and method for manufacturing the same | |
| JPH0456351U (ru) | ||
| DE68918746T2 (de) | Halbleitersubstrat mit dünner Supraleiterschicht. | |
| JPS55108790A (en) | Semiconductor luminous device | |
| JPS5737852A (en) | Semiconductor integrated circuit and programming method for said circuit | |
| JPS5721875A (en) | Photosensor | |
| JPS57192085A (en) | Solar cell and manufacture thereof | |
| JPS57122580A (en) | Solar battery | |
| JPS57157578A (en) | Active crystalline silicon thin film photovoltaic element | |
| JPS54101687A (en) | Solar battery unit | |
| JPS5567161A (en) | Semiconductor memory storage | |
| JPS56138946A (en) | Semiconductor device | |
| JPS56158472A (en) | Semiconductor device | |
| KR890011136A (ko) | 고효율 실리콘 태양전지 | |
| JPS54153586A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5561056A (en) | High resistance structure of integrated circuit | |
| KR880003443A (ko) | 격자상수가 경사진 에피텍샬층을 지닌 광기전성셀 | |
| JPS5541789A (en) | Integrated semiconductor device and manufacturing the same | |
| JPS5690557A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS57197833A (en) | Semiconductor device |