RU92014713A

RU92014713A - Лазерная электронно-лучевая трубка

Info

Publication number: RU92014713A
Application number: RU92014713/09A
Authority: RU
Inventors: В.И. Козловский; Б.М. Лаврушин
Original assignee: Научно-производственное предприятие "Принсипиа Оптикс"
Filing date: 1992-12-28
Publication date: 1998-06-20

Claims

1. Лазерная электронно-лучевая трубка, содержащая источник электронного пучка и средства для его управления, лазерную мишень, выполненную по меньшей мере частично в виде гетероструктуры и включающую в себя образующие оптический резонатор два зеркала, одно из которых частично пропускающее, активную полупроводниковую среду, помещенную между зеркалами, и опорную подложку для оптического резонатора, отличающийся тем, что по меньшей мере часть гетероструктуры содержит напряженные элементы, у которых различие в параметрах кристаллической решетки в свободном состоянии составляет вплоть до 10% или более и которые в гетероструктуре имеют когерентные границы между собой.

2. Лазерная электронно-лучевая трубка по п.1, отличающаяся тем, что напряженные элементы являются напряженными слоями, ориентированными перпендикулярно оси оптического резонатора.

3. Лазерная электронно-лучевая трубка по п.2, отличающаяся тем, что по меньшей мере один напряженный слой имеет толщину одного монослоя.

4. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.2 и 3, отличающаяся тем, что напряженными слоями по меньшей мере части лазерной мишени являются чередующиеся слои с постоянной толщиной, выполненные по меньшей мере из двух соединений и образующие одномерную сверхрешетку.

5. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.1 - 4, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть активной полупроводниковой среды выполнена из одномерной сверхрешетки с напряженными слоями.

6. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.1 - 5, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть элементов активной полупроводниковой среды выполнена из по меньшей мере двух полупроводниковых соединений типов A^IIB^VI или A^IIIB^V, различающихся шириной запрещенной зоны по меньшей мере на 7 мэВ.

7. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.1 - 6, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть активной полупроводниковой среды выполнена из варизонного полупроводникового соединения.

8. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.2, 3, 5 и 6, отличающаяся тем, что каждый второй слой активной полупроводниковой среды имеет постоянную толщину и выполнен из полупроводникового соединения с постоянным составом, а остальные слои имеют различающуюся толщину и выполнены из твердого раствора полупроводниковых бинарных соединений одного типа, имеющего более широкую запрещенную зону, чем каждый второй слой, и состав которого изменяется согласованно с толщиной слоя на величину, необходимую для установления единого для всех слоем периода кристаллической решетки вдоль слоев.

9. Лазерная электронно-лучевая трубка по п.8, отличающаяся тем, что суммарная толщина соседних двух слоев изменяется вдоль направления оси оптического резонатора обратно пропорционально поглощенной этими двумя слоями доли энергии электронного пучка.

10. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.8 и 9, отличающаяся тем что слои полупроводникового соединения с постоянным составом выполнены из первого бинарного соединения A₁B₁, а слои с переменным составом выполнены из твердого раствора соединения A₁B₁ и второго бинарного соединения A₂B₂, причем молярная доля x соединения A₂B₂ в твердом растворе (A₁B₁)_1-x(A₂B₂)_x в каждом слое с переменным составом связана с толщиной этого слоя соотношением
x = C • {[1 + D (1+ h₁/h₂)]^0,5 - 1},
где x - молярная доля соединений A₂B₂ в твердом растворе (A₁B₁)_1-x(A₂B₂)₂;
h₁ - постоянная толщина слоев соединения A₁B₁, нм;
h₂ - переменная толщина слоев твердого раствора (A₁B₁)_1-x(A₂B₂)_x, нм;
C и D - положительные числа, зависящие от выбора элементов A₁, A₂, B₁ и B₂ и периода кристаллической решетки структуры с напряженными слоями вдоль слоев.

11. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.1 - 10, отличающаяся тем, что толщина активной полупроводниковой среды составляет 0,2 - 2,0 длины среднего спрямленного пробега электрона электронного пучка в активной полупроводниковой среде.

12. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.2 - 11, отличающаяся тем, что активная полупроводниковая среда и по меньшей мере одно из зеркал, находящееся между опорной подложкой и активной полупроводниковой средой, выполнены в виде единой гетероструктуры с напряженными слоями.

13. Лазерная электронно-лучевая трубка по пп.1 - 12, отличающаяся тем, что опорная подложка выполнена монокристаллической, а зеркало, находящееся между подложкой и средой, и активная полупроводниковая среда последовательно когерентно наращены на нее, причем период кристаллической решетки опорной подложки вдоль поверхности лазерной мишени совпадает с периодом кристаллической решетки активной полупроводниковой среды и зеркала, находящегося между подложкой и средой.