RU92007528A - Способ изготовления полупроводниковых приборов - Google Patents
Способ изготовления полупроводниковых приборовInfo
- Publication number
- RU92007528A RU92007528A RU92007528/25A RU92007528A RU92007528A RU 92007528 A RU92007528 A RU 92007528A RU 92007528/25 A RU92007528/25 A RU 92007528/25A RU 92007528 A RU92007528 A RU 92007528A RU 92007528 A RU92007528 A RU 92007528A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor devices
- manufacturing semiconductor
- metallized wiring
- barrier
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 2
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводниковых приборов относится к микроэлектронике, в частности к производству мощных СВЧ транзисторов, и может быть использован при изготовлении многослойной металлизации. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными структурами барьерно - адгезионных слоев металла, формирование фоторезистивной маски под металлизированную разводку, электрохимическое осаждение слоя металлизированной разводки, удаление фоторезистивной маски и расположенных под ней слоев металла. Кроме того, после нанесения барьерно - адгезионного слоя на него наносят дополнительный слой металла, а перед электрохимическим осаждением слоя металлизированной разводки проводят удаление дополнительного слоя металла.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU92007528A true RU92007528A (ru) | 1995-02-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI853602L (fi) | Foerfarande foer tillverkning av kopparoeron foer mikrokretsar. | |
| DE3485039D1 (de) | Planare verkettete schaltung fuer integrierte schaltkreise. | |
| SE8105918L (sv) | Sett att bilda en metalliserad dielektrisk konstuktion | |
| RU92007528A (ru) | Способ изготовления полупроводниковых приборов | |
| EP0178181A3 (en) | Methods for producing an aperture in a surface | |
| JPS61180458A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS57145340A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| TW331018B (en) | Method of fabricating semiconductor devices | |
| KR960006963B1 (ko) | 반도체 장치의 이중 금속배선 형성방법 | |
| JPH04343228A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5867043A (ja) | 半導体装置の装造方法 | |
| JPS5710249A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR910010684A (ko) | 필름캐리어제조용 필름재 및 제조방법 | |
| JPH02260443A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58197852A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW377503B (en) | Structure of multilevel interconnects in semiconductor components and the method of manufacturing the same | |
| KR930011112A (ko) | 알루미늄 배선 형성방법 | |
| JPS56153751A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6489343A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH03239331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970053587A (ko) | 다층의 금속층을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 | |
| JPS5575241A (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| RU92011859A (ru) | Способ формирования разводки | |
| JPS60246649A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS5793549A (en) | Manufacture of semiconductor device |