RU2701867C1 - Способ получения твердого электролита RbAg4I5 - Google Patents
Способ получения твердого электролита RbAg4I5 Download PDFInfo
- Publication number
- RU2701867C1 RU2701867C1 RU2018118036A RU2018118036A RU2701867C1 RU 2701867 C1 RU2701867 C1 RU 2701867C1 RU 2018118036 A RU2018118036 A RU 2018118036A RU 2018118036 A RU2018118036 A RU 2018118036A RU 2701867 C1 RU2701867 C1 RU 2701867C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mixture
- iodides
- electrolyte
- rbag
- silver
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910002781 RbAg4I5 Inorganic materials 0.000 title abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- MSFPLIAKTHOCQP-UHFFFAOYSA-M silver iodide Chemical class I[Ag] MSFPLIAKTHOCQP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 5
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Chemical class [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 25
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009690 centrifugal atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011325 microbead Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B9/00—General methods of preparing halides
- C01B9/06—Iodides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Primary Cells (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам получения твердого электролита с высокой ионной проводимостью и может быть использовано в электротехнической и электронной промышленности. Способ получения твердого электролита RbAg4I5 включает приготовление смеси иодидов рубидия и серебра в стехиометрическом соотношении, механообработку смеси иодидов в планетарной мельнице, постсинтетический отжиг материала в инертной атмосфере. Исходную смесь иодидов серебра и рубидия подвергают механообработке в планетарной мельнице в атмосфере инертного газа при защитном освещении в течение 200-400 часов. Изобретение позволяет улучшить проводимость электролита, а именно повысить ионную и понизить электронную проводимости при комнатной и при пониженных температурах твердого электролита RbAg4I5. 3 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к способам получения твердого электролита с высокой ионной проводимостью и может быть использовано в электротехнической и электронной промышленности при изготовлении первичных и вторичных источников тока, работоспособных в широком интервале температур и применяемых для электропитания устройств различного назначения. Кроме того, изобретение может быть использовано при изготовлении суперконденсаторов высокой емкости - ионисторов.
Практическое применение твердого электролита RbAg4I5 для изготовления химических источников тока (ХИТ) и ионисторов требует, чтобы применяемый материал имел максимально высокую ионную проводимость с целью минимизации внутреннего электросопротивления ячейки, а также как можно более низкое значение электронной проводимости - для исключения саморазряда устройства при хранении.
Известен способ получения твердого электролита RbAg4I5 (см. патент US 3,519,404), согласно которому смесь иодидов рубидия и серебра, приготовленную в мольном стехиометрическом соотношении 1:4, расплавляют в инертной атмосфере, выдерживают расплав в течение часа, после чего его закаляют на термостойком стекле. Полученное таким образом вещество измельчают в фарфоровой ступке, компактируют прессованием в таблетку и отжигают в атмосфере аргона при 175°C в течение 40 часов. Согласно данным рентгенофазового анализа, продукт после отжига представляет собой RbAg4I5, содержащий небольшое количество исходных реагентов. Для получения однофазного материала его повторно измельчают, компактируют и проводят дополнительный отжиг при 165°C в течение ночи. Итоговый продукт, согласно рентгенографическим данным, не содержит примесных фаз и обладает ионной проводимостью 0,20 См/см и электронной проводимостью ≈ 10-8 См/см при комнатной температуре.
Известна модификация этой методики (см. Rossi М., Pistoia G., Scrosati В. А Reversible solid-state battery with RbAg4I5 as electrolyte // J. Electrochem. Soc. 1969. V.116. №12), заключающаяся в плавлении смеси исходных иодидов рубидия и серебра в вакууме вместо аргона. Последующая закалка расплава и отжиг при 165°C в течение 20 часов позволяют получить материал с ионной проводимостью 0,25 См/см при комнатной температуре.
К недостаткам данных способов следует отнести их малопригодность для получения значительных количеств твердого электролита. Прежде всего, при запаивании кварцевых сосудов перед плавлением смеси, а также перед проведением постсинтетических отжигов возможно частичное разложение как исходного иодида серебра, так и образовавшегося электролита под действием света с выделением металлического серебра и побочных фаз - Rb2AgI3 и AgI. Образование побочных фаз не всегда удается зафиксировать методом РФА, однако на кривых ДТА обнаруживаются пики, относящиеся к AgI и эвтектике RbAg4I5*Rb2AgI3. Кроме того, при быстром охлаждении всего объема расплава происходит перитектический распад электролита с образованием фаз AgI и Rb2AgI3, отрицательно влияющих на электропроводность материала.
Известны способы получения твердого электролита RbAg4I5 через растворы. В качестве растворителей могут быть использованы ацетон (см. Иванов В.Е., Данилов А.В., Алесковский В.Б. Получение и свойства твердого электролита RbAg4I5 // Неорг. материалы. 1974. №3; Butherus A.D., Scrosati В., Mount J.I. Crystallization of RbAg4I5 from organic solvents // J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. №8) и жидкий аммиак (см. Громов О.Г., Волъфсон B.C., Кузьмин А.П., Кузнецов В.П. Синтез твердого электролита RbAg4I5 в жидком аммиаке // Журнал прикладной химии. 1976. №5). Ввиду ограниченной растворимости AgI и RbI в ацетоне этот метод не позволяет получить однофазный продукт: из ацетонового раствора удается выделить только эвтектику состава 3RbAg4I5*Rb2AgI3, обладающую ионной проводимостью 0,18 См/см при комнатной температуре.
Согласно аммиачному методу, смесь иодидов рубидия и серебра в стехиометрическом соотношении растворяют в жидком аммиаке, после чего раствор выливают на разогретую керамическую подложку. Остаток представляет собой однофазный RbAg4I5 с ионной проводимостью 0,24 См/см и электронной 3*10-9 См/см. Недостатком этого способа является применение высокотоксичного растворителя - жидкого аммиака, а также недостаточно низкая электронная проводимость твердого электролита.
Известен метод получения твердого электролита RbAg4I5 из расплава стехиометрической смеси RbI - 4AgI путем направленной кристаллизации (см. Загороднев В.К, Личкова Н.В. Получение твердого электролита RbAg4I5 из расплава при направленной кристаллизации // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. №6). Смесь иодидов рубидия и серебра помещают в кварцевую лодочку, затем в реактор и плавят в динамическом вакууме (р<0,1 Па), после чего проводят направленную кристаллизацию расплава. При скорости перемещения нагревателя 5 мм/ч получают слиток, значительная часть которого соответствует составу электролита с ионной проводимостью 0,33 См/см при комнатной температуре. Однако электронная проводимость материала, полученного таким способом, не снижается более, чем до 2*10-9 См/см.
В патенте RU 2407090, 20.12.2010 описан метод получения твердого электролита RbAg4I5, согласно которому получают расплав стехиометрического состава RbI - 4AgI в атмосфере азота или аргона при 300-320°C, который затем подвергают резкому охлаждению путем центробежного распыления в атмосфере азота или аргона. При этом образуются микрогранулы с крупностью частиц 100-500 мкм. Микрогранулы состоят из однофазного твердого электролита RbAg4I5 с ионной проводимостью 0,24-0,26 См/см при 25°C и электронной проводимостью 4*10-9 См/см. С целью дальнейшего снижения электронной проводимости материала проводят постсинтетический отжиг микрогранул при 180-190°C в инертной атмосфере в течение не менее 450 часов. Полученный электролит обладает электронной проводимостью 3-5*10-10 См/см при комнатной температуре при сохранении начальных значений ионной проводимости.
Однако применяемый метод закалки расплава исходных веществ не позволяет избежать появления примесных фаз в электролите, поскольку при остывании образующихся микрогранул имеет место перитектический распад RbAg4I5, о чем упоминается в самом патенте RU 2407090. Поэтому способ требует достаточно больших временных затрат, необходимых для полного избавления от примесных фаз и получения материала с максимально низкими значениями электронной проводимости.
Настоящее изобретение направлено на достижение технического результата, заключающегося в улучшении проводимости электролита, а именно, в повышении ионной и понижении электронной проводимости при комнатной, а также, что немаловажно, и при пониженных температурах твердого электролита RbAg4I5.
Для получения материала с максимально низким значением электронной проводимости, например, сокращают время постсинтетического отжига.
Технический результат достигается тем, что в способе получения твердого электролита RbAg4I5, включающем приготовление смеси иодидов рубидия и серебра в стехиометрическом соотношении, приготовление исходной смеси ведут при защитном освещении в инертной атмосфере, например, высокочистого аргона. Полученную смесь подвергают механообработке в планетарной мельнице, а затем термообработке.
При этом в планетарной мельнице полученную смесь подвергают механообработке в течение 1,5-4 часов, а термообработку (постсинтетический отжиг) проводят при 170-195°C в течение 200-400 ч., причем в качестве инертного газа для создания атмосферы при постсинтетическом отжиге, механообработке и приготовлении исходной стехиометрической смеси иодидов используется аргон, в частности высокочистый аргон, азот или гелий. В качестве материала для изготовления размольного стакана и размольных шаров планетарной мельницы используются агат, двуокись циркония, нитрид кремния (сиалон) или спеченный корунд и другие керамические материалы, химически инертные по отношению к исходным компонентам. Размольные шары предпочтительно берут в количестве 30-80 шт диаметром 5-10 мм.
Под защитным освещением понимается, например, неактиничное оранжево-красное освещение.
Приготовление исходной смеси в инертной атмосфере при защитном освещении необходимо, поскольку RbI и AgI способны частично окисляться кислородом воздуха, что отрицательно сказывается на электропроводности получаемого твердого электролита. Кроме того, иодид серебра способен разлагаться при воздействии дневного света с выделением металлического серебра, накопление которого в электролите вызывает рост электронной проводимости, а также способствует разложению образующегося электролита. Тщательная очистка аргона от следов влаги также предотвращает каталитический распад образующегося RbAg4I5.
Проведение процесса синтеза путем механообработки стехиометрической смеси иодидов рубидия и серебра при комнатной температуре позволяет избежать перитектического распада электролита согласно реакции:
Данный перитектический распад в той или иной степени неизбежно имеет место при расплавных методиках синтеза твердого электролита RbAg4I5. В процессе механообработки температура реакционной смеси не превышает 80°C.
Постсинтетический отжиг электролита, полученного в результате механообработки, необходим, поскольку, несмотря на однофазность полученного продукта по данным рентгенофазового анализа (РФА), в нем могут присутствовать следовые количества исходных реагентов, обнаруживаемые методом термического анализа. Проведение термообработки в интервале температур 170-195°C обеспечивает полноту протекания твердофазной реакции:
В то же время, температура отжига не должна повышаться выше 197°C (температура эвтектики), поскольку при этом образуется жидкая фаза. Проведение отжига в течение заданного времени (200-400 ч.) обусловлено необходимостью завершения протекания реакции (2) при заданном температурном интервале.
Сущность заявляемого изобретения и его преимущества могут быть пояснены следующими примерами.
Пример 1. Порошкообразную смесь сухих иодидов рубидия и серебра в количестве 15,00 гр AgI и 3.39 гр. RbI загружают в размольный стакан планетарной мельницы, изготовленный из агата и содержащий 70 шт. агатовых размольных шаров диаметром 5 мм и 10 шт размером 10 мм. Загрузку производят в инертной атмосфере (высокочистый аргон) при защитном освещении. Смесь подвергают механообработке в течение 2 часов при скорости вращения планетарного диска 380 об/мин. В результате механообработки образовался материал, согласно данным рентгенофазового анализа (РФА) и термического анализа представляющий собой твердый электролит RbAg4I5 с небольшой примесью исходных веществ. Ионная проводимость полученного электролита составила 0,24 См/см, электронная - 2*10-9 См/см. После отжига полученного электролита при 180°C в течение 350 часов в атмосфере высокочистого аргона ионная проводимость составила 0,25 См/см, а электронная -5* 10-10 См/см.
Пример 2. Порошкообразную смесь сухих иодидов рубидия и серебра в количестве 7,50 гр. AgI и 1,70 гр. RbI загружают в размольный стакан из диоксида циркония, содержащий 30 шт. размольных шаров диаметром 5 мм и 10 шт размольных шаров диаметром 10 мм из того же материала, что и размольный стакан. Загрузку смеси ведут в инертной атмосфере при защитном освещении. Смесь подвергают механообработке в течение 1,5 часов при скорости вращения планетарного диска 380 об/мин. В результате механообработки образовался твердый электролит RbAg4I5, содержащий 2 масс. % примеси исходных компонентов. Ионная проводимость полученного электролита составила 0,20 См/см, электронная - 3*10-9 См/см. Последующий отжиг электролита в атмосфере высокочистого аргона при 185°C в течение 400 часов привел к повышению ионной проводимости до 0,25 См/см и снижению электронной проводимости до 8*10-10 См/см.
Примеры показывают явное преимущество заявляемого способа по сравнению с известными.
Таким образом, заявленный способ действительно позволяет значительно улучшить проводимость электролита, а именно, повысить ионную и понизить электронную проводимости при комнатной и при пониженных температурах твердого электролита RbAg4I5. Кроме того, в предложенном способе сокращается время постсинтетического отжига.
Claims (4)
1. Способ получения твердого электролита RbAg4I5, включающий приготовление смеси иодидов рубидия и серебра в стехиометрическом соотношении, механообработку смеси иодидов в планетарной мельнице, постсинтетический отжиг материала в инертной атмосфере, при этом исходную смесь иодидов серебра и рубидия подвергают механообработке в планетарной мельнице в атмосфере инертного газа при защитном освещении в течение 200-400 часов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа для создания атмосферы при постсинтетическом отжиге, механообработке и приготовлении исходной стехиометрической смеси иодидов используют аргон, азот или гелий.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа для создания атмосферы при постсинтетическом отжиге, механообработке и приготовлении исходной стехиометрической смеси иодидов используют высокочистый аргон.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве материала для изготовления размольного стакана и размольных шаров планетарной мельницы используют агат, двуокись циркония, нитрид кремния (сиалон) или спеченный корунд.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018118036A RU2701867C1 (ru) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | Способ получения твердого электролита RbAg4I5 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018118036A RU2701867C1 (ru) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | Способ получения твердого электролита RbAg4I5 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2701867C1 true RU2701867C1 (ru) | 2019-10-02 |
Family
ID=68170803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018118036A RU2701867C1 (ru) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | Способ получения твердого электролита RbAg4I5 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2701867C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3519404A (en) * | 1969-04-17 | 1970-07-07 | North American Rockwell | Solid ionic conductors |
| RU2149832C1 (ru) * | 1997-12-16 | 2000-05-27 | Институт химии и химико-металлургических процессов СО РАН | Способ получения диоксида марганца гамма-модификации |
| RU2407090C1 (ru) * | 2009-12-03 | 2010-12-20 | Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДОГО ИОННОГО ЭЛЕКТРОЛИТА RbAg4I5 |
| RU165683U1 (ru) * | 2016-04-19 | 2016-10-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Точечный твердотельный источник ионов серебра |
| RU2640813C1 (ru) * | 2016-08-09 | 2018-01-12 | Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара" | Способ получения сверхпроводников на основе диборида магния |
-
2018
- 2018-05-16 RU RU2018118036A patent/RU2701867C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3519404A (en) * | 1969-04-17 | 1970-07-07 | North American Rockwell | Solid ionic conductors |
| RU2149832C1 (ru) * | 1997-12-16 | 2000-05-27 | Институт химии и химико-металлургических процессов СО РАН | Способ получения диоксида марганца гамма-модификации |
| RU2407090C1 (ru) * | 2009-12-03 | 2010-12-20 | Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДОГО ИОННОГО ЭЛЕКТРОЛИТА RbAg4I5 |
| RU165683U1 (ru) * | 2016-04-19 | 2016-10-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Точечный твердотельный источник ионов серебра |
| RU2640813C1 (ru) * | 2016-08-09 | 2018-01-12 | Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара" | Способ получения сверхпроводников на основе диборида магния |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Негатив фотографический", Энциклопедический словарь Ф.А.Брокгауза и И.А. Ефрона 1890-1907. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7892458B2 (en) | Metallic electroconductive 12CaO 7Al2O3 compound and process for producing the same | |
| KR101739218B1 (ko) | 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법 | |
| US9246188B2 (en) | Anti-perovskite solid electrolyte compositions | |
| JP6380263B2 (ja) | 硫化物固体電解質の製造方法 | |
| JP6678405B2 (ja) | リチウム固体電解質 | |
| JP2015196621A (ja) | 硫化リチウムの製造方法及び無機固体電解質の製造方法 | |
| TWI487679B (zh) | Crystallized glass and its manufacturing method | |
| RU2701867C1 (ru) | Способ получения твердого электролита RbAg4I5 | |
| WO2017057322A1 (ja) | 板状アルミナ粉末の製法 | |
| JP7119753B2 (ja) | Ｌｇｐｓ系固体電解質の製造方法 | |
| JP5058880B2 (ja) | 導電性セラミックス材料 | |
| JP4078414B2 (ja) | 硫化ランタン焼結体およびその製造方法 | |
| JP7226256B2 (ja) | 硫化物固体電解質材料の製造方法 | |
| JP6201680B2 (ja) | 導電性酸化亜鉛粉末およびその製造方法 | |
| RU2157020C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ | |
| RU2407090C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДОГО ИОННОГО ЭЛЕКТРОЛИТА RbAg4I5 | |
| JP7047485B2 (ja) | 硫化物固体電解質 | |
| RU2535104C1 (ru) | СПОСОБ СИНТЕЗА ПОРОШКА ИНТЕРМЕТАЛЛИДА NdNi5 В РАСПЛАВЕ СОЛЕЙ | |
| Wilhelm et al. | S 65. The carbides of uranium and thorium | |
| JP6881360B2 (ja) | 被覆硫化物固体電解質の製造方法 | |
| Parry et al. | Hybrid crystal formation in thermal transformations of potassium nitrite | |
| Klimova et al. | Preparation and properties of copper indium diselenide CuInSe 2 | |
| JP2005225750A (ja) | 爆発性組成物及びその製造方法 | |
| JP4788867B2 (ja) | ビスマス・エルビウム・タングステン酸化物固溶体の粉末からなる酸化物イオン伝導材料及びその製造方法 | |
| JP4649588B2 (ja) | ビスマス・テルビウム・タングステン酸化物固溶体からなる電気伝導材料及びその製造方法 |