RU2690092C1 - Корпус свч интегральной схемы - Google Patents

Корпус свч интегральной схемы Download PDF

Info

Publication number
RU2690092C1
RU2690092C1 RU2018127404A RU2018127404A RU2690092C1 RU 2690092 C1 RU2690092 C1 RU 2690092C1 RU 2018127404 A RU2018127404 A RU 2018127404A RU 2018127404 A RU2018127404 A RU 2018127404A RU 2690092 C1 RU2690092 C1 RU 2690092C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
board
metallization
rim
ceramic
metal
Prior art date
Application number
RU2018127404A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Матвеевич Савченко
Алексей Сергеевич Будяков
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО"
Priority to RU2018127404A priority Critical patent/RU2690092C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2690092C1 publication Critical patent/RU2690092C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом является исключение возможности нахождения резонансной частоты корпуса интегральной схемы в ее рабочем диапазоне частот. Указанный технический результат обеспечивает корпус СВЧ интегральной схемы, состоящий из керамической платы, на одной стороне которой расположены внешние выводные площадки металлизации, первого слоя керамики с полосковыми линиями металлизации, электрически соединенными с внешними выводными площадками через металлизированные отверстия в плате и первом слое керамики, площадки металлизации на плате для размещения кристалла микросхемы, второго слоя керамики, к металлизации которого припаян металлический ободок для герметизации корпуса металлической крышкой, металлизации, электрически соединяющей ободок с площадкой металлизации на плате. При этом ободок соединен с площадкой металлизации на плате металлизированными отверстиями, количество и размеры которых выбраны таким образом, чтобы собственный резонанс корпуса находился за пределами рабочего диапазона частот микросхемы. 3 ил., 2 табл.

Description

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой.
К важным требованиям, предъявляемым к корпусу мощной СВЧ интегральной схемы относятся:
- герметичность и надежность с точки зрения защиты от воздействия окружающей среды, отрицательно влияющей на параметры прибора;
- эффективный отвод тепла от тепловыделяющих элементов схемы, с целью получения максимально допустимой выходной СВЧ мощности;
- обеспечение работы полупроводникового СВЧ прибора в требуемом диапазоне частот;
- минимальные массогабаритные характеристики.
Известен металлокерамический корпус для установки кристаллов микросхем, содержащий основание из керамического материала, коваровые рамку и крышку, контактные площадки, выведенные на боковые и нижнюю поверхности основания, проводники, соединяющие внутренние контактные площадки с внешними, отличающийся тем, что основания корпусов изготовлены по технологии с низкой температурой обжига, проводники продублированы проводящими столбиками в слоях керамики [1].
Данное техническое решение направлено на уменьшение габаритных размеров корпуса и шага внешних выводов, но не направлено на обеспечение работы СВЧ микросхемы в требуемом диапазоне частот.
Известен металлокерамический корпус микросхемы, содержащий металлизированную керамическую плату с углублением для кристалла, металлический ободок, соединенный пайкой с платой, и металлическую крышку, приваренную к ободку, в котором соединение крышки с корпусом осуществляется через две рамки, соединенных твердым припоем. Одна из рамок имеет на наружной поверхности фаску, ограничивающую ширину паяного шва между рамками [2].
Данное техническое решение направлено на повышение качества и надежности герметизации микросхем методом односторонней контактной шовной сварки, но не направлено на обеспечение работы СВЧ микросхемы в требуемом диапазоне частот.
Ближайшим аналогом является корпус интегральной схемы СВЧ диапазона, содержащий металлическое основание, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину с микрополосковыми линиями на ее противоположной стороне по периферии для электрического соединения с интегральной схемой СВЧ-диапазона, которые электрически соединены с внешними выводами посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине, и крышку, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной, в центре диэлектрической пластины выполнено отверстие для размещения в нем интегральной схемы СВЧ-диапазона с возможностью теплового контакта интегральной схемы СВЧ-диапазона с основанием. Крышка с металлическим основанием электрически соединена металлизацией с металлическим основанием [3].
Основным недостатком данного корпуса является отсутствие возможности вывода резонансной частоты корпуса за пределы диапазона рабочих частот микросхемы. Совпадение резонансной частоты корпуса с диапазоном рабочих частот микросхемы может спровоцировать возбуждение генерации микросхемы. Известно, что паразитные реактивности корпусов существенно влияют на электрические характеристики СВЧ микросхем, в частности, на рабочий диапазон частот. В данном техническом решении корпус позволяет улучшить электрические характеристики только за счет коротких соединительных проводников и согласования микрополосковых линий и внешних выводов, но, в то же время, исключена возможность вывода резонансной частоты корпуса за пределы диапазона рабочих частот микросхемы.
Техническим результатом изобретения является возможность вывода резонансной частоты корпуса за пределы диапазона рабочих частот микросхемы.
Указанный технический результат обеспечивает конструкция корпуса СВЧ микросхемы, содержащая керамическую плату, на одной стороне которой расположены внешние выводные площадки и заземляющая металлизация, а на противоположной стороне по периферии выполнены полосковые линии, электрически соединенные с внешними выводными площадками через отверстия в плате, в центре платы выполнено отверстие для размещения на заземляющей площадке которой кристалла микросхемы, по периферии платы со стороны полосковых линий расположена керамическая рамка с металлизированной поверхностью, к которой припаян металлический ободок, к которому присоединена герметизирующая металлическая крышка электрически соединенная с заземляющей металлизацией, отличающийся тем, что ободок соединен с заземляющей металлизацией группой металлизированных отверстий, количество и размеры которых выбраны таким образом, что бы собственный резонанс корпуса находился за пределами диапазона частот, предназначенном для эксплуатации корпуса.
Техническим результатом, обеспечиваемым предполагаемым изобретением является исключение возможности нахождения резонансной частоты корпуса интегральной схемы в ее рабочем диапазоне частот.
Указанный технический результат обеспечивает корпус СВЧ интегральной схемы, состоящий из керамической платы, на одной стороне которой расположены внешние выводные площадки металлизации, первого слоя керамики, полосковые линии металлизации, электрически соединенные с внешними выводными площадками через металлизированные отверстия в плате и первом слое керамики, площадки металлизации на плате для размещения кристалла микросхемы, второго слоя керамики к металлизации которого припаян металлический ободок для герметизации корпуса металлической крышкой, металлизации, электрически соединяющей ободок с площадкой металлизации на плате, отличающийся тем, что ободок соединен с площадкой металлизации на плате металлизированными отверстиями, количество и размеры которых выбраны таким образом, чтобы собственный резонанс корпуса находился за пределами рабочего диапазона частот микросхемы. Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.
Металлический ободок с металлической крышкой, электрически соединенные с площадкой металлизации, являются паразитными реактивными элементами корпуса и оказывают влияние на величину резонансной частоты корпуса, которая может находиться в пределах диапазона рабочих частот СВЧ микросхемы, что может спровоцировать возбуждение микросхемы.
В случае отсутствия заземляющей металлизации, из-за обратной связи между входом и выходом микросхемы через проходную емкость, образованную ободком с крышкой, как правило, микросхема возбуждается.
Параметры колебательного контура, образованного ободком с крышкой, можно изменять посредством уменьшения индуктивности данного контура, которая состоит из индуктивности крышки с металлическим ободком и индуктивности заземляющей металлизации.
Как правило, заземляющей металлизацией в корпусах СВЧ микросхем является металлизация боковых стенок керамического изолятора. Толщина такой металлизации составляет 10-20 мкм, что ограничивает возможность уменьшения индуктивности контура. Соединение ободка с площадкой металлизации, предназначенной для монтажа микросхемы, отверстиями с металлизацией может существенно снизить индуктивность заземляющей металлизации и, следовательно, вывести резонансную частоту корпуса из диапазона рабочих частот СВЧ микросхемы.
Сущность заявленного технического решения поясняется чертежами, где:
На фиг. 1 представлено сечение корпуса сбоку.
На фиг. 2 изображен вид сверху.
На фиг. 3 изображен вид снизу.
Металлокерамический корпус, предназначенный для сборки микросхемы широкополосного усилителя с выходной мощностью до 2 Вт, работающей в диапазоне частот 12,5-17 ГГц с размерами 5×5×1,8 мм3. Корпус состоит из керамической платы 1, на одной стороне которой расположены внешние выводные площадки 9, а на керамическом слое 2 выполнены полосковые линии 7, электрически соединенные с внешними выводными площадками 9 через металлизированные отверстия 8 в плате 1 и слое 2. На плате 1 выполнена металлизированная площадка 11 для размещения кристалла микросхемы. К металлизации керамического слоя 3 припаян металлический ободок 4 для герметизации корпуса металлической крышкой 5. Ободок 4 электрически соединен с металлизированной площадкой 11 металлизированными отверстиями 6. Со стороны внешних выводных площадок 9 на плате 1 под металлизированной площадкой 11 сформирована металлизированная площадка 12, предназначенная для поверхностного монтажа собранной в корпусе микросхемы. Площадка 11 электрически соединена с площадкой 12 металлизированными отверстиями 10.
Резонансная частота корпуса подбирается размерами и количеством металлизированных отверстий 6, электрически соединяющих металлический ободок с металлизированной площадкой 11. Изменение размеров и количества металлизированных отверстий 6 приводит к изменению частоты резонанса эквивалентного колебательного контура, формируемого паразитной индуктивностью металлизированных отверстий 6 и паразитной емкостью ободка 4 и металлической крышки 5 на металлизированную площадку 11.
Технический эффект предлагаемого технического решения подтверждается результатами измерения резонансной частоты на изготовленных металлокерамических корпусах с металлизацией боковых стенок керамического изолятора и с металлизированными отверстиями электрически соединяющими металлический ободок с металлизированной площадкой для размещения кристалла микросхемы и на корпусах только с металлизированными отверстиями электрически соединяющими ободок с металлизированной площадкой для размещения кристалла микросхемы.
Определение резонансной частоты проводилось с помощью анализатора цепей Agilent Е8362 В, позволяющим проводить измерения на частотах от 10МГц до 26 ГГц.
Результаты испытаний приведены в таблицах 1 и 2. Резонансная частота корпуса с металлизацией только боковых стенок керамического изолятора равнялась 13,4 ГГц и находилась в диапазоне рабочих частот микросхемы.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
В металлокерамических корпусах с металлизацией боковых стенок керамического изолятора и с дополнительными металлизированными отверстиями (таблица 1) диаметром 0,2 мм и длиной 1,2 мм резонансную частоту корпуса выводят за пределы диапазона рабочих частот микросхемы 8 отверстий. Резонансную частоту корпуса с металлизированными отверстиями диаметром 0,3 мм и длиной 1,2 мм выводят за пределы диапазона рабочих частот микросхемы 6 отверстий. Резонансную частоту корпуса с металлизированными отверстиями диаметром 0,4 мм и длиной 1,2 мм выводят за пределы диапазона рабочих частот микросхемы 3 отверстия.
В металлокерамических корпусах только с металлизированными отверстиями (таблица 2) диаметром 0,2 мм и длиной 1,2 мм резонансную частоту корпуса выводят за пределы диапазона рабочих частот микросхемы 10 отверстий. Резонансную частоту корпуса с металлизированными отверстиями диаметром 0,3 мм и длиной 1,2 мм выводят за пределы диапазона рабочих частот микросхемы 7 отверстий. Резонансную частоту корпуса с металлизированными отверстиями диаметром 0,4 мм и длиной 1,2 мм выводят за пределы диапазона рабочих частот микросхемы 5 отверстий.
Источники информации:
1. Патент на полезную модель №: 129297, 2013 г.
2. А.С. СССР №1457744, 1986 г.
3. Патент РФ 2079931, 1997 г.

Claims (1)

  1. Корпус СВЧ интегральной схемы, состоящий из керамической платы, на одной стороне которой расположены внешние выводные площадки металлизации, первого слоя керамики с полосковыми линиями металлизации, электрически соединенными с внешними выводными площадками через металлизированные отверстия в плате и первом слое керамики, площадки металлизации на плате для размещения кристалла микросхемы, второго слоя керамики, к металлизации которого припаян металлический ободок для герметизации корпуса металлической крышкой, металлизации, электрически соединяющей ободок с площадкой металлизации на плате, отличающийся тем, что ободок соединен с площадкой металлизации на плате металлизированными отверстиями, количество и размеры которых выбраны таким образом, чтобы собственный резонанс корпуса находился за пределами рабочего диапазона частот микросхемы.
RU2018127404A 2018-07-26 2018-07-26 Корпус свч интегральной схемы RU2690092C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018127404A RU2690092C1 (ru) 2018-07-26 2018-07-26 Корпус свч интегральной схемы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018127404A RU2690092C1 (ru) 2018-07-26 2018-07-26 Корпус свч интегральной схемы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2690092C1 true RU2690092C1 (ru) 2019-05-30

Family

ID=67037634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018127404A RU2690092C1 (ru) 2018-07-26 2018-07-26 Корпус свч интегральной схемы

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2690092C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2749572C1 (ru) * 2020-09-14 2021-06-15 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Корпус СВЧ для изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ
RU225033U1 (ru) * 2023-03-23 2024-04-12 Дмитрий Евгеньевич Миненко Корпус модуля оптического передатчика на базе радиофотонной интегральной схемы для широкополосных систем передачи, приема и обработки радиосигналов

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2079931C1 (ru) * 1992-12-31 1997-05-20 Государственное научно-производственное предприятие "Исток" Корпус интегральной схемы свч-диапазона
RU2386190C1 (ru) * 2008-12-05 2010-04-10 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") Корпус интегральной схемы
RU129297U1 (ru) * 2012-09-07 2013-06-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533" Металлокерамический корпус для установки кристаллов микросхем
RU2489769C1 (ru) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2079931C1 (ru) * 1992-12-31 1997-05-20 Государственное научно-производственное предприятие "Исток" Корпус интегральной схемы свч-диапазона
RU2386190C1 (ru) * 2008-12-05 2010-04-10 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") Корпус интегральной схемы
RU2489769C1 (ru) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона
RU129297U1 (ru) * 2012-09-07 2013-06-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533" Металлокерамический корпус для установки кристаллов микросхем

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2749572C1 (ru) * 2020-09-14 2021-06-15 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Корпус СВЧ для изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ
RU225033U1 (ru) * 2023-03-23 2024-04-12 Дмитрий Евгеньевич Миненко Корпус модуля оптического передатчика на базе радиофотонной интегральной схемы для широкополосных систем передачи, приема и обработки радиосигналов
RU228726U1 (ru) * 2024-06-13 2024-09-09 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Крышка для герметизации металлокерамических корпусов микросхем

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6587008B2 (en) Piezoelectric oscillator and a method for manufacturing the same
US9237668B2 (en) Electronic component package and piezoelectric resonator device
CN104051352A (zh) 基于高温共烧陶瓷的毫米波芯片外壳及其制造方法
US7102462B2 (en) Surface acoustic wave device
JPH1174396A (ja) 高周波用入出力端子ならびに高周波用半導体素子収納用パッケージ
JP3451018B2 (ja) 水晶発振器
RU2690092C1 (ru) Корпус свч интегральной схемы
JP2002190710A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP3525076B2 (ja) 表面実装型の温度補償水晶発振器
JP2000077943A (ja) 温度補償型水晶発振器
JP2008154114A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JPS62196853A (ja) パツケ−ジ
RU2148872C1 (ru) Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона
JP2007013569A (ja) 圧電発振器
RU2749572C1 (ru) Корпус СВЧ для изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ
RU195681U1 (ru) Конструкция тактового пьезоэлектрического генератора
RU166742U1 (ru) Конструкция термокомпенсированного кварцевого генератора
JP2002100932A (ja) 圧電発振器
JP2005268257A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2002124829A (ja) 発振器およびそれを用いた電子装置
RU222294U1 (ru) Конструкция микроминиатюрного тактового генератора с дифференциальными выходами
JP2008235451A (ja) 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子装置の製造方法
CN109672407A (zh) 一种温度补偿晶体振荡器
JP2012049874A (ja) 表面実装型圧電発振器の搭載構造
RU183394U1 (ru) Мощная гибридная свч интегральная схема

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200727

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20210727