RU2666445C1 - Кристаллический материал, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор неразрушющего контроля и прибор визуализации - Google Patents

Кристаллический материал, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор неразрушющего контроля и прибор визуализации Download PDF

Info

Publication number
RU2666445C1
RU2666445C1 RU2017140421A RU2017140421A RU2666445C1 RU 2666445 C1 RU2666445 C1 RU 2666445C1 RU 2017140421 A RU2017140421 A RU 2017140421A RU 2017140421 A RU2017140421 A RU 2017140421A RU 2666445 C1 RU2666445 C1 RU 2666445C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystalline material
crystal
material according
wavelength
scintillation light
Prior art date
Application number
RU2017140421A
Other languages
English (en)
Inventor
Сунсуке КУРОСАВА
Акира ЙОСИКАВА
Кей КАМАДА
Юуи ЙОКОТА
Юдзи ОХАСИ
Такахико ХОРИАЙ
Ясухиро СОДЗИ
Рикито МУРАКАМИ
Original Assignee
Тохоку Юниверсити
Си Энд Эй КОРПОРЕЙШН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тохоку Юниверсити, Си Энд Эй КОРПОРЕЙШН filed Critical Тохоку Юниверсити
Application granted granted Critical
Publication of RU2666445C1 publication Critical patent/RU2666445C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77742—Silicates
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/02—Devices for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
    • A61B6/03—Computerised tomographs
    • A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/02—Devices for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
    • A61B6/03—Computerised tomographs
    • A61B6/037—Emission tomography
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/4208—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
    • A61B6/4216—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector using storage phosphor screens
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/4208—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
    • A61B6/4258—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector for detecting non x-ray radiation, e.g. gamma radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/241—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion containing two or more rare earth metals, e.g. NdPrO3 or LaNdPrO3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0838—Aluminates; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7706—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7721—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/10—Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/08—Downward pulling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
    • C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
    • C30B28/08—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
    • C30B28/10—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by pulling from a melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/34—Silicates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G01T1/1611—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting using both transmission and emission sources sequentially
    • G01T1/1612—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting using both transmission and emission sources sequentially with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G01T1/1615—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting using both transmission and emission sources simultaneously
    • G01T1/1617—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting using both transmission and emission sources simultaneously with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G01T1/2023—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Pulmonology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного кристаллического материала для детекторов излучения, используемых для приборов позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ), рентгеновской компьютерной томографии (КТ), различных радиметров в области физики высоких энергий, ресурсодобывающих приборов. Кристаллический материал представлен общей химической формулой (REABM')(Si,M'')O, имеет структуру типа пирохлора, обладает нестехиометрическим составом и представляет собой конгруэнтно плавящийся состав. В химической формуле A содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Gd, Y, La, Sc, Yb и Lu; B содержит по меньшей мере один или более, выбранных из La, Gd, Yb, Lu, Y и Sc; 0,1 < y < 0,4; RE содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Ce, Pr, Nd, Eu, Tb и Yb; 0 < x < 0,1; M' и M'' содержат по меньшей мере один или более, выбранных из Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, Fe, Ta и W; 0 ≤ s < 0,01 и 0 ≤ t < 0,01; и 0 < |α| < 0,3, и 0 ≤ |β| < 0,3, и 0 ≤ |γ| < 0,5. Полученный материал имеет высококачественное прозрачное объемное тело, обладает большой величиной свечения и коротким временем жизни флюоресценции. 7 н. и 8 з.п. ф-лы, 14 ил., 3 табл.

Description

Область техники
[0001] Настоящее изобретение относится к кристаллическому материалу, способу изготовления кристалла, детектору излучения, прибору неразрушающего контроля и прибору визуализации.
Предпосылки изобретения
[0002] Сцинтилляционные монокристаллы используют для детекторов излучения, которые выявляют гамма-излучение, рентгеновское излучение, альфа-излучение, нейтронное излучение и т.п. Такие детекторы излучения широко используются для приборов медицинской визуализации (приборов визуализации), таких как приборы позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ) и приборы рентгеновской компьютерной томографии (КТ), различных радиометров в области физики высоких энергий, ресурсодобывающих приборов (для добычи ресурсов, такой как каротаж нефтяных скважин), и т.п.
[0003] Детектор излучения, как правило, включает в себя сцинтиллятор, который поглощает гамма-излучение, рентгеновское излучение, альфа-излучение или нейтронное излучение и преобразует это излучение в сцинтилляционный свет, и фотодетектор, такой как светоприемный элемент, который принимает сцинтилляционный свет и преобразует сцинтилляционный свет в электрический сигнал, или т.п. В физике высоких энергий или в системах визуализации на основе позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ) изображения создаются, например, в результате взаимодействия между сцинтиллятором и радиацией, генерируемой за счет радиоактивного распада. В системах визуализации на основе позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ) гамма-излучение, генерируемое за счет взаимодействия между позитронами и соответствующими электронами в исследуемом объекте, попадает в сцинтиллятор и преобразуется в фотоны, которые могут быть обнаружены фотодетектором. Фотоны, испускаемые из сцинтиллятора, могут быть обнаружены с использованием фотодиодов (ФД), кремниевых фотоумножителей (Si-ФУ), фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) или других фотодетекторов.
[0004] ФЭУ обладает большим квантовым выходом (эффективностью преобразования фотонов в электроны (сигналом тока)) в диапазоне длин волны примерно 400 нм и используется в сочетании со сцинтиллятором, имеющим максимальную длину волны испускания в основном примерно 400 нм. Для массива сцинтилляторов, в котором сцинтилляторы расположены в виде матрицы, в сочетании используется позиционно-чувствительный ФЭУ (ПЧ-ФЭУ) или т.п. При этой конфигурации можно определить, какой пиксель массива сцинтилляторов обнаружил фотон, из расчета удельного веса.
[0005] Полупроводниковые фотодетекторы, такие как фотодиоды (ФД), лавинные фотодиоды (ЛФД) и кремниевые фотоумножители (Si-ФУ), имеют широкое применение, в частности, в детекторах излучения и в устройства визуализации. Известны различные полупроводниковые фотодетекторы. Выполненные из кремниевых полупроводников ФД и Si-ФУ, например, обладают квантовой эффективностью 50% или более в волновой области от 350 нм до 900 нм и имеют более высокую квантовую эффективность, чем ФЭУ, квантовая эффективность которых составляет 45% самое большее. В вышеуказанной волновой области чувствительность является более высокой в волновой полосе от 500 нм до 700 нм и с максимумами примерно на 600 нм, в которых квантовая эффективность составляет примерно 80%. С учетом данных обстоятельств эти полупроводниковые фотодетекторы используются в сочетании со сцинтилляторами, обладающими максимальной длиной волны испускания в диапазоне от 350 нм до 900 нм, с центром примерно при 600 нм. Аналогично ФЭУ, также и для ФД, ЛФД и Si-ФУ существуют матрицы ФД, обладающие чувствительностью выявления местоположения, матрицы позиционно-чувствительных лавинных фотодиодов (ПЧЛФД) и матрицы Si-ФУ. Эти элементы также могут определять, какой пиксель массива сцинтилляторов обнаружил фотон. Кроме того, даже у сцинтилляторов с коротковолновым свечением 350 нм или менее сцинтилляционный свет преобразуется в свет с диапазоном длин волн, в котором обладают чувствительностью кремниевые полупроводники, например, с использованием Si-ФУ для короткой длины волны или преобразующего длину волны элемента, с получением тем самым детекторов излучения, которые выполняют считывание с помощью кремниевых полупроводников.
[0006] Желательно, чтобы сцинтиллятор, предназначенный для этих детекторов излучения, обладал высокой плотностью и большим атомным числом (высоким коэффициентом фотоэлектрического поглощения) с учетом эффективности детектирования, большой величиной свечения с учетом высокого разрешения по энергии и коротким временем жизни флуоресценции (временем задержки флуоресценции) с учетом необходимости высокоскоростного отклика. В дополнение, в новейших системах требуется, чтобы многочисленные сцинтилляторы были плотно расположены с длинной, узкой формой (примерно 5 мм × 30 мм, например, для ПЭТ) в целях получения многослойной структуры и повышенного разрешения, и важные факторы выбора включают удобство в обращении, обрабатываемость, возможность получения крупных кристаллов и цена. Также важно, чтобы длина волны свечения сцинтилляторов соответствовала диапазону длин волн с высокой чувствительностью детектирования фотодетекторов.
[0007] Примеры сцинтилляторов, в настоящее время пригодных для применения в различных детекторах излучения, включают сцинтиллятор Ce:Gd2Si2O7, имеющий структуру типа пирохлора. Этот сцинтиллятор обладает преимуществами химической стабильности, отсутствия расплывания и наличия большой величины свечения. Сцинтиллятор со структурой типа пирохлора и со свечением от уровня 4f5d Ce3+, описанный в непатентном документе 1, например, имеет короткое время жизни флуоресценции в примерно 80 нс или менее, а также имеет большую величину свечения. Однако, с другой стороны, как описано в непатентном документе 1, сцинтиллятор обладает той проблемой, что из-за наличия перитектического состава на фазовой диаграмме рост монокристалла из расплава невозможен, и поэтому сложно получать крупное прозрачное тело.
[0008] В сцинтилляторах со структурой типа пирохлора, описанных в патентном документе 1 и патентном документе 2 и в непатентном документе 2, пытались стабилизировать структуру путем замещения церием (Ce) позиций редкоземельного элемента. При такой стабилизации этот кристалл может быть получен в виде крупного монокристалла способами выращивания из расплава, такими как метод плавающей зоны, метод Чохральского, метод микровытягивания и метод Бриджмена. Однако повышенное содержание Ce в позициях редкоземельного элемента приводит к возникновению проблемы, что величина свечения резко понижается (концентрационное гашение).
[0009] В патентном документе 3 и патентном документе 4, а также в непатентном документе 3 осуществлена попытка стабилизировать структуру путем замещения позиций редкоземельного элемента (особенно La) одним или более элементами, выбранными из Y, Yb, Sc, La и Lu. При такой стабилизации ожидалось, что этот кристалл можно будет получать в виде крупного монокристалла такими способами выращивания из расплава, как метод плавающей зоны, метод Чохральского, метод микровытягивания и метод Бриджмена. Хотя эта попытка дает некоторые эффекты, в (R,R')2Si2O7 стехиометрический состав (R+R'):Si:O=2:2:7 представляет собой неконгруэнтно плавящийся состав, при получении объемного монокристалла образуются примеси, которые захватываются в виде гетерофазы, что вызывает образование трещин и дефектов, и, таким образом, была вновь обнаружена та проблема, что объемный монокристалл с большим диаметром не может быть получен с высоким выходом.
[0010] Кроме того, нестехиометрический состав смещает баланс электрических зарядов, что может вызвать такие проблемы, как возникновение механического напряжения в кристалле и влияние на время жизни флуоресценции.
Перечень цитат
[0011] Патентная литература
Патентный документ 1: публикация заявки на патент Японии № 2009-74039
Патентный документ 2: WO 2003/083010
Патентный документ 3: WO 2014/104238
Патентный документ 3: WO 2014/104238
Патентный документ 4: WO 2015/037726
[0012] Непатентная литература
Непатентный документ 1: S. Kawamura, J. H. Kaneko, M. Higuchi, T. Yamaguchi, J. Haruna, Y. Yagi, K. Susa, F. Fujita, A. Homma, S. Nishiyama, H. Ishibashi, K. Kurashige and M. Furusaka, IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, San Diego, USA, 29 October-5 November 2006, pp. 1160-1163.
Непатентный документ 2: S. Kawamura, M. Higuchi, J. H. Kaneko, S. Nishiyama, J. Haruna, S. Saeki, S. Ueda, K. Kurashige, H. Ishibashi and M. Furusaka, Crystal Growth & Design, volume 9 (3), 2009, pages 1470-1473.
Непатентный документ 3: A. Suzuki, S. Kurosawa, T. Shishido, J. Pejchal, Y. Yokota, Y. Futami, A. Yoshikawa, "Fast and High-Energy-Resolution Oxide Scintillator: Ce-Doped (La,Gd)2Si2O7", Appl. Phys. Express vol. 5, 2012, page 102601.
Сущность изобретения
Техническая проблема
[0013] Сцинтилляторы поглощают высокоэнергетические фотоны и преобразуют их в низкоэнергетические фотоны; для поглощения высокоэнергетических фотонов требуется крупное прозрачное тело. Используемые в качестве сцинтилляторов кристаллы, такие как Ce:Gd2Si2O7 и Ce:(Gd,La)2Si2O7, обладают большой величиной свечения, имеют короткое время жизни флуоресценции и демонстрируют превосходные характеристики, но обладают той проблемой, что трудно получить объемное тело, которое обладает высоким качеством, является прозрачным и обладает высокой степенью кристаллизации.
[0014] Настоящее изобретение было создано ввиду вышесказанного, и его задача состоит в том, чтобы предложить кристаллического материала, который имеет нестехиометрический состав с отрегулированным электрическим зарядом, представляет собой конгруэнтно плавящийся состав, может обеспечить высококачественное, прозрачное объемное тело, имеет большую величину свечения и короткое время жизни флуоресценции, способ его изготовления и детектор излучения, прибор визуализации и прибор неразрушающего контроля, содержащие такой кристаллический материал.
Решение проблемы
[0015] Для решения указанной проблемы и поставленной задачи предложен кристаллический материал, представленный общей формулой (1): (RE x A 1- x - y - s B y M' s ) 2+ α (Si 1- t ,M'' t ) 2+ β O 7+ γ (1), причем кристаллический материал имеет структуру типа пирохлора, обладает нестехиометрическим составом и является конгруэнтно плавящимся составом, при этом в Формуле (1) A содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Gd, Y, La, Sc, Yb и Lu; B содержит по меньшей мере один или более, выбранных из La, Gd, Yb, Lu, Y и Sc; 0,1 ≤ y < 0,4; RE содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Ce, Pr, Nd, Eu, Tb и Yb; 0 < x < 0,1; M' и M'' содержат по меньшей мере один или более, выбранных из Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, Fe, Ta и W; 0 ≤ s < 0,01 и 0 ≤ t < 0,01; и 0 < |α| < 0,3 и 0 ≤ |β| < 0,3 и 0 ≤ |γ| < 0,5. При выборе нестехиометрического состава и конгруэнтно плавящегося состава достигается резкое повышение степени кристаллизации. В вышеуказанной формуле || представляет абсолютную величину; 0 < |α| < 0,3 означает 0 < α < 0,3 или 0 > α > -0,3. Аналогично, 0 ≤ |β| < 0,3 означает 0 < β < 0,3 или 0 > β > -0,3 или β=0. Аналогично, 0 ≤ |γ| < 0,5 означает 0 < γ < 0,5 или 0 > γ > -0,5 или γ=0.
[0016] Предложен кристаллический материал согласно настоящему изобретению, в котором диапазоны x, y, s, t, α, β и γ дополнительно представлены как 0 < x < 0,05, 0,1 < y < 0,40, 0 ≤ s < 0,005 и 0 ≤ t < 0,005, 0,001 < |α| < 0,15 и 0,001 ≤ |β| < 0,15 и 0,001 < |γ| < 0,2.
[0017] Предложен кристаллический материал согласно настоящему изобретению, в котором диапазоны x, y, s, t, α, β и γ дополнительно представлены как 0 < x < 0,04, 0,1 < y < 0,35, 0 ≤ s < 0,005 и 0 ≤ t < 0,005, 0,01 < |α| < 0,1 и 0,01 ≤ |β| < 0,1 и 0,001 ≤ |γ| < 0,2.
[0018] Предложен кристаллический материал согласно настоящему изобретению, в котором в общей формуле (1) RE представляет собой Ce; A представляет собой Gd; а B представляет собой один или более, выбранных из La и Y.
[0019] Предложен кристаллический материал согласно настоящему изобретению, в котором кристаллический материал испускает сцинтилляционный свет при облучении излучением с содержащейся в сцинтилляционном свете определенной флуоресцентной компонентой, обладающей временем жизни флуоресценции 2 мкс или менее и максимальной длиной волны флуоресценции в диапазоне 250 нм или более и 900 нм или менее.
[0020] Предложен кристаллический материал согласно настоящему изобретению, в котором кристаллический материал испускает сцинтилляционный свет при облучении излучением с содержащейся в сцинтилляционном свете определенной флуоресцентной компонентой, обладающей временем жизни флуоресценции 80 нс или менее и максимальной длиной волны флуоресценции в диапазоне 300 нм или более и 700 нм или менее.
[0021] Предложен кристаллический материал согласно настоящему изобретению, в котором кристаллический материал испускает сцинтилляционный свет при облучении излучением с величиной свечения содержащейся в сцинтилляционном свете определенной флуоресцентной компоненты, превышающей 13000 фотонов/МэВ в диапазоне температуры окружающей среды от комнатной температуры до 150°C, и кристаллический материал не обладает расплыванием.
[0022] Предложен способ изготовления кристалла, включающий в себя: перемешивание исходных материалов, содержащих A, Si и RE, с обеспечением соотношения элементов кристаллического материала согласно настоящему изобретению, повышение температуры перемешанных исходных материалов до расплавления перемешанных исходных материалов, а затем охлаждение исходных материалов и получение кристалла со структурой типа пирохлора и со степенью кристаллизации 50% или более.
[0023] Предложен детектор излучения, включающий в себя: сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала согласно настоящему изобретению; и фотодетектор, который принимает сцинтилляционный свет от сцинтиллятора.
[0024] Предложен детектор излучения, включающий в себя: сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала согласно настоящему изобретению; преобразующий длину волны элемент, который принимает сцинтилляционный свет от сцинтиллятора и преобразует длину волны света с длинами волн от 260 нм до 350 нм, содержащихся в сцинтилляционном свете, в любую длину волны в диапазоне от 320 нм до 700 нм; и фотодетектор, который принимает свет с длиной волны, преобразованной преобразующим длину волны элементом.
[0025] Предложен детектор излучения, включающий в себя сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала согласно настоящему изобретению, обладающий позиционной чувствительностью.
[0026] Предложен прибор визуализации, включающий в себя детектор излучения согласно настоящему изобретению.
[0027] Предложен прибор неразрушающего контроля, включающий в себя детектор излучения согласно настоящему изобретению.
Предпочтительные эффекты изобретения
[0028] Настоящее изобретение дает эффект обеспечения возможности заметно снизить время и затраты, требуемые для роста, по сравнению с существующими кристаллами со структурой типа пирохлора со стехиометрическим составом, тогда как кристалл с конгруэнтно плавящимся составом сохраняет превосходные характеристики, включая наличие большой величины свечения и короткого времени жизни флуоресценции (высвечивания).
Краткое описание чертежей
[0029] ФИГ. 1 представляет собой фотографию полученного кристалла (Ce0,015Gd0,750La0,235)1,95Si2,01O6,94 и фотографию среза и отполированного разреза этого кристалла.
ФИГ. 2 представляет собой фотографию полученного кристалла (Ce0,015Gd0,7499La0,235Mg0,0001)1,997Si2,05O7,10 и фотографию среза и отполированного разреза этого кристалла.
ФИГ. 3 представляет собой фотографию матрицы пикселей.
ФИГ. 4 представляет собой фотографию полученного кристалла (Ce0,013La0,132Gd0,855)1,66Si2,48O7,02.
ФИГ. 5 представляет собой фотографию среза и отполированного разреза полученного кристалла (Ce0,013La0,132Gd0,855)1,66Si2,48O7,02.
ФИГ. 6 представляет собой фотографию среза и отполированного разреза полученного кристалла (Ce0,023Gd0,751La0,226)2Si2O7.
ФИГ. 7 представляет собой график, иллюстрирующий профили коэффициента пропускания по Примеру 1 и Сравнительному примеру 1.
ФИГ. 8 представляет собой график, иллюстрирующий спектры распределения высоты волны (Пример 1 и Сравнительный пример 10), полученные путем облучения кристаллов гамма-излучением 137Cs (662 кэВ).
ФИГ. 9 представляет собой график, иллюстрирующий профиль кривой затухания флуоресценции кристалла по Примеру 1, полученной путем облучения кристалла гамма-излучением 137Cs (662 кэВ).
ФИГ. 10 представляет собой диаграмму, иллюстрирующую реконструированное изображение, полученное путем облучения детектора излучения с матрицей пикселей и многопиксельным счетчиком фотонов (МПСФ) в сочетании с гамма-излучением 137Cs (662 кэВ).
ФИГ. 11 представляет собой схему, иллюстрирующую детектор излучения согласно варианту воплощения настоящего изобретения.
ФИГ. 12 представляет собой схему, иллюстрирующую прибор неразрушающего контроля согласно варианту воплощения настоящего изобретения.
ФИГ. 13 представляет собой схему, иллюстрирующую прибор визуализации согласно варианту воплощения настоящего изобретения.
ФИГ. 14 представляет собой схему, иллюстрирующую детектор излучения согласно варианту воплощения настоящего изобретения.
Описание вариантов воплощения
[0030] Далее подробно описаны варианты воплощения кристаллического материала, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор визуализации и прибор неразрушающего контроля согласно настоящему изобретению со ссылкой на прилагаемые чертежи. Настоящее изобретение не ограничено этими вариантами воплощения.
[0031] Кристаллический материал согласно варианту воплощения настоящего изобретения представляет собой кристаллический материал, который представлен общей формулой (1):
(RExA1-x-y-sByM's)2+α(Si1-t,M''t)2+βO7+γ (1),
имеет структуру типа пирохлора, обладает нестехиометрическим составом и является конгруэнтно плавящимся составом. В Формуле (1) A содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Gd, Y, La, Sc, Yb и Lu; B содержит по меньшей мере один или более, выбранных из La, Gd, Yb, Lu, Y и Sc; 0,1 < y < 0,4; RE содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Ce, Pr, Nd, Eu, Tb и Yb; 0 < x < 0,1; M' и M'' содержат по меньшей мере один или более, выбранных из Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, Fe, Ta и W; 0 ≤ s < 0,01 и 0 ≤ t < 0,01; и 0 < |α| < 0,3 и 0 ≤ |β| < 0,3 и 0 ≤ |γ| < 0,5. Что касается RE, помимо редкоземельных элементов, в качестве активатора свечения также могут быть выбраны переходные металлы. Это сочетание диапазонов x, y, s, t, α, β и γ определено как диапазон составов (1).
[0032] Предпочтительно, диапазоны x, y, s, t, α, β и γ в Формуле (1) дополнительно представлены как 0 < x < 0,05, 0,1 < y < 0,40, 0 ≤ s < 0,005 и 0 ≤ t < 0,005, 0,001 < |α| < 0,15 и 0,001 ≤ |β| < 0,15 и 0,001 ≤ |γ| < 0,2. Это сочетание диапазонов x, y, s, t, α, β и γ определено как диапазон составов (2).
[0033] Более предпочтительно, диапазоны x, y, s, t, α, β и γ в Формуле (1) дополнительно представлены как 0 < x < 0,04, 0,1 < y < 0,35, 0 ≤ s < 0,005 и 0 ≤ t < 0,005, 0,01 < |α| < 0,1 и 0,01 ≤ |β| < 0,1 и 0,001 ≤ |γ| < 0,2. Это сочетание диапазонов x, y, s, t, α, β и γ определено как диапазон составов (3).
[0034] При этих составах кристаллический материал согласно настоящему варианту воплощения представляет собой кристаллический материал, который имеет большую величину свечения сцинтилляционного света, генерируемого за счет облучения излучением, и короткое время жизни флуоресценции. В общей формуле (1) RE предпочтительно представляет собой Ce, A предпочтительно представляет собой Gd, а B предпочтительно представляет собой один или более элементов, выбранных, например, из La и Y.
[0035] Хотя ожидается, что кристаллы пиросиликата, имеющие известную структуру типа пирохлора, обладают большой величиной свечения, стехиометрический состав не является конгруэнтно плавящимся составом, приводя к возникновению той проблемы, что становится крайне сложным получать прозрачные объемные тела, а выход или степень кристаллизации (доля недефектного продукта среди полученных кристаллов) в ходе производства кристаллов становится хуже. Напротив, кристаллический материал согласно настоящему варианту воплощения может быть предназначен для решения этих проблем. В качестве примеров, x, y, s, t, α, β и γ с диапазоном составов (1) могут достигать степени кристаллизации 55% или более, они же с диапазоном составов (2) могут достигать степени кристаллизации 60% или более, и они же с диапазоном составов (3) могут достигать степени кристаллизации, например, 70% или более.
[0036] Как проиллюстрировано на ФИГ. 11, например, кристаллический материал согласно настоящему варианту воплощения может быть использован в качестве детектора 100 излучения, при его применении в сочетании с фотодетектором 102, который может принимать сцинтилляционный свет, генерируемый кристаллическим материалом 101 согласно настоящему варианту воплощения в качестве кристаллического материала. Кроме того, как проиллюстрировано на ФИГ. 12, например, кристаллический материал согласно настоящему варианту воплощения также может быть использован в качестве измеряющего излучение прибора или прибора добычи ресурса, в качестве прибора 200 неразрушающего контроля, включающего в себя детектор 100 излучения, путем облучения измеряемого объекта 202 излучением, исходящим из источника 201 излучения, и обнаружения прошедшего через измеряемый объект 202 излучения детектором 100 излучения.
[0037] В кристаллическом материале согласно настоящему варианту воплощения время жизни флуоресценции содержащейся в сцинтилляционном свете флуоресцентной компоненты может составлять 10 мкс или менее, а ее максимальная длина волны флуоресценции может находиться в диапазоне 150 нм или более и 900 нм или менее. Кроме того, время жизни флуоресценции может составлять 2 мкс или менее, а ее максимальная длина волны флуоресценции может находиться в диапазоне 250 нм или более и 900 нм или менее. Время жизни флуоресценции, таким образом, является коротким, а для измерения флуоресценции требуется лишь короткое время замера, и можно получить высокое разрешение по времени, то есть интервал замера можно снизить. Достижение высокого разрешения по времени может увеличить число замеров на единицу времени. Кристаллический материал, обладающий столь коротким по времени испусканием, может быть подходящим образом использован в качестве сцинтиллятора для детектирования излучения с высокоскоростным откликом для ПЭТ, однофотонной эмиссионной компьютерной томографии (ОФЭКТ) и КТ в качестве приборов визуализации. Как проиллюстрировано на ФИГ. 13, например, источник 201 излучения и детектор 100 излучения расположены в симметричных точках на периферии круга, и при сканировании по периферии снимаются томографические изображения измеряемого объекта 202, что позволяет применять его в качестве прибора 300 визуализации с помощью КТ.
[0038] Максимальная длина волны флуоресценции флуоресцентной компоненты находится в диапазоне 150 нм или более и 900 нм или менее. Поэтому максимальная длина волны флуоресценции может быть выявлена за счет комбинирования с полупроводниковыми фотодетекторами, такими как ФД, ЛФД и Si-ФУ, образованными из кремниевых полупроводников. Когда максимальная длина волны флуоресценции флуоресцентной компоненты составляет, в частности, 250 нм или более и 400 нм или менее, она эффективна тем, что максимальная длина волны флуоресценции преобразуется в любую длину волны 300 нм или более и 900 нм или менее, то есть любую длину волны в том диапазоне, в котором вышеуказанные фотодетекторы обладают достаточной чувствительностью по длине волны, с использованием преобразующего длину волны элемента. Примеры преобразующего длину волны элемента включают такой, который преобразует длину волны света с длинами волн от 260 нм до 350 нм, содержащуюся в сцинтилляционном свете, в любую длину волны в диапазоне от 320 нм до 700 нм. Как проиллюстрировано на ФИГ. 14, например, при использовании пластикового оптоволоконного кабеля для преобразования длины волны (например, Y11(200)M-S, изготовленного компанией Kuraray Co., Ltd.) или т.п. в качестве преобразующего длину волны элемента 103, сцинтилляционный свет, испускаемый кристаллическим материалом 101, может быть преобразован по длине волны, а затем принят фотодетектором 104. Тип комбинируемого фотодетектора может быт подходящим образом использован в соответствии с максимальной длиной волны флуоресценции и т.п.; например, могут быть использованы ФЭУ или ПЧ-ФЭУ.
[0039] В кристаллическом материале согласно настоящему варианту воплощения, когда время жизни флуоресценции содержащейся в сцинтилляционном свете флуоресцентной компоненты составляет 80 нс или менее, а его максимальная длина волны флуоресценции находится в диапазоне 300 нм или более и 700 нм или менее, может быть достигнуто детектирование сцинтилляционного света с еще более высоким разрешением и еще более высокой чувствительностью. Когда время жизни флуоресценции составляет 60 нс или менее, а его максимальная длина волны флуоресценции находится в диапазоне 320 нм или более и 700 нм или менее, достигается детектирование сцинтилляционного света с еще более высоким разрешением и с еще более высокой чувствительностью, что является предпочтительным. Регулировка времени жизни флуоресценции и максимальной длины волны флуоресценции может быть достигнута за счет регулировки состава кристаллического материала. При повышенной концентрации Ce, например, время жизни флуоресценции сокращается. При добавлении малого количества элементов, которые могут быть одновалентными, двухвалентными или четырехвалентными или более, время жизни флуоресценции может сокращаться. Примеры таких элементов, которые могут быть одновалентными, двухвалентными или четырехвалентными или более, включают Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, Fe, Ta и W, но не ограничены ими.
[0040] В кристаллическом материале согласно настоящему варианту воплощения с величиной свечения флуоресцентной компоненты при температуре окружающей среды 0°C в качестве стандарта, величина свечения флуоресцентной компоненты в диапазоне температуры окружающей среды от комнатной температуры до 150°C может превышать 13000 фотонов/МэВ, а ее степень затухания от стандарта может составлять менее 50%. Кроме того, величина свечения флуоресцентной компоненты при комнатной температуре, после оставления в окружающей среде с температурой 400°C или более на 12 часов или более, не имела флуктуаций, составляющих 20% или более, без какого-либо расплывания и т.п., и его механическая прочность была высокой. Следовательно, кристаллический материал согласно настоящему варианту воплощения может уменьшить снижение величины свечения даже в высокотемпературной окружающей среде, и поэтому он является крайне полезным в качестве кристаллического материала, используемого в высокотемпературной среде или в среде с высокой вибрацией.
[0041] В частности, сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала согласно настоящему варианту воплощения, и фотодетектор, который принимает испускаемый из сцинтиллятора свет и функционирует при температуре окружающей среды от комнатной температуры или более и 200°C или менее, скомбинированы с образованием детектора излучения, вследствие чего детектор излучения может быть использован без охлаждения для добычи ресурса и т.п., что требует проведения измерения в высокотемпературной среде и в среде с высокой вибрацией, что, таким образом, является предпочтительным.
[0042] Далее описан способ изготовления монокристалла кристаллического материала (способ изготовления кристалла) согласно настоящему варианту воплощения. В способе изготовления монокристалла любого состава в качестве исходных материалов может быть использовано общее оксидное сырье; при использовании в качестве монокристалла для применения в сцинтилляторе особо предпочтительным является использование высокочистых исходных материалов с 99,99% или более (4N или более). Эти исходные материалы, содержащие A, Si и RE, взвешивают, смешивают и перемешивают с образованием целевого состава (с соотношением элементов согласно настоящему варианту воплощения) при формировании расплава и используют в качестве сырья для выращивания кристалла. Кроме того, особо предпочтительно, чтобы эти исходные материалы содержали как можно меньше примесей, отличных от целевого состава (например, 1 млн-1 или менее).
[0043] Составы исходных материалов сырья представляют собой нестехиометрические составы, желательно приготовленные с учетом того, что расплав имеет долю конгруэнтно плавящегося состава согласно настоящему варианту воплощения. В этом случае желательно учитывать потери в процессе изготовления кристалла, такие как потери при прокаливании.
[0044] Рост кристалла предпочтительно выполняют в атмосфере инертного газа (Ar, N2, He и т.п.). Может быть использован смешанный газ, образованный из инертного газа (Ar, N2, He и т.п.) и газообразного кислорода. Однако, при выполнении выращивания кристалла в атмосфере смешанного газа, парциальное давление кислорода предпочтительно составляет 2% или менее с целью предотвращения окисления тигля. Однако, при использовании способа изготовления, в котором не используется какой-либо тигель, такого как метод плавающей зоны, парциальное давление кислорода может быть задано на уровне до 100%. В более поздних процессах, таких как отжиг после роста кристалла, может быть использован газообразный кислород, инертный газ (Ar, N2, He и т.п.) и смешанный газ, образованный из инертного газа (Ar, N2, He и т.п.) и газообразного кислорода. В более поздних процессах, при использовании смешанного газа, любой состав смеси с парциальным давлением кислорода 0-100% можно использовать без ограничения, состоящего в том, что парциальное давление кислорода составляет 2% или менее.
[0045] Примеры способа изготовления монокристалла кристаллического материала согласно настоящему варианту воплощения включают, но не ограничены ими, различные способы выращивания кристаллов, такие как, помимо метода микровытягивания, метод Чохральского (метод вытягивания вверх), метод Бриджмена, метода зонной плавки, метод выращивания пленок с профилированными краями (EFG), метод плавающей зоны и метод Бернулли. Для получения крупных монокристаллов предпочтительным является метод Чохральского или метод Бриджмена. При использовании крупных монокристаллов, выход монокристаллов повышается, а потери на обработку могут быть относительно снижены. Следовательно, могут быть получены кристаллические материалы с более низкими затратами и более высоким качеством, чем кристаллические материалы, полученные таким способом, который позволяет извлекать монокристалл из поликристаллического тела, как описано в патентном документе 1. Однако, кристаллический материал согласно настоящему варианту воплощения не ограничен монокристаллом и может представлять собой поликристаллическое спеченное тело, такое как керамика.
[0046] При использовании лишь небольшого монокристалла в качестве монокристалла для применения в сцинтилляторе, метод плавающей зоны, метод зонной плавки, метод EFG, метод микровытягивания или метод Чохральского является предпочтительным из-за отсутствия или меньшей необходимости в последующей обработке. Метод микровытягивания или метод зонной плавки является особо предпочтительным по причине способности тиглей к смачиванию, и т.п.
[0047] Примеры материалов, которые могут быть использованы для тигля и подогревателя, включают платину, иридий, родий, рений и сплавы этих элементов.
[0048] При изготовлении монокристалла для применения в сцинтилляторе, может быть использован высокочастотный осциллятор, светоконцентрирующий нагреватель и резистивный нагреватель.
[0049] Далее описаны способы изготовления монокристалла с использованием метода микровытягивания, метода Чохральского и метода плавающей зоны в качестве примеров способа изготовления монокристалла кристаллического материала согласно настоящему варианту воплощения; способ изготовления монокристалла кристаллического материала согласно настоящему варианту воплощения не ограничен этими методами.
[0050] Метод микровытягивания можно осуществлять, используя аппарат для микровытягивания с регулируемой атмосферой с помощью известного высокочастотного индукционного нагрева. Аппарат для микровытягивания представляет собой аппарат для изготовления монокристалла, включающий в себя, например, тигель, содержащий расплав сырья, держатель затравочного кристалла, удерживающий затравочный кристалл находящимся в контакте с расплавом сырья, вытекающим из отверстия, предусмотренного в дне тигля, перемещающий механизм, который перемещает держатель затравочного кристалла вниз, регулятор скорости перемещения, который регулирует скорость перемещающего механизма, и блок индукционного нагрева (например, катушку высокочастотного индукционного нагрева), который нагревает тигель. Такой аппарат для изготовления монокристалла формирует границу раздела твердой и жидкой фаз непосредственно под тиглем и перемещает затравочный кристалл вниз, с получением таким образом монокристалла.
[0051] В аппарате для микровытягивания тигель образован из углерода, платины, иридия, родия, рения или сплава этих элементов. Подогреватель в качестве нагревательного элемента, образованный из углерода, платины, иридия, родия, рения или сплава этих элементов, расположен по периметру дна тигля. Мощности соответствующих блоков индукционного нагрева тигля и подогревателя регулируются для корректировки лучистой теплоты, с управлением тем самым температурой и ее распределением по границе раздела твердой и жидкой фаз расплава сырья, вытягиваемого из отверстия, предусмотренного в дне тигля.
[0052] Аппарат для микровытягивания с регулируемой атмосферой представляет собой аппарат, в котором использована нержавеющая сталь (SUS) в качестве материала камеры и кварц в качестве материала окна, который включает в себя ротационный насос для обеспечения контроля атмосферы и может создавать уровень вакуума внутри себя 1×10-3 Торр или менее до замещения газа. В камеру может быть введен газообразный Ar, N2, H2, O2 или He и т.п. с его потоком, точно регулируемым прилагаемым газовым расходомером; виды атмосферного газа не ограничены этими газами.
[0053] При использовании этого аппарата приготовленные вышеуказанным способом исходные материалы для выращивания кристалла помещают в тигель. Печь откачивают до высокого вакуума и вводят в печь газообразный Ar или смешанный газ из газообразных Ar и O2, таким образом создавая внутри печи атмосферу инертного газа или атмосферу с низким парциальным давлением кислорода. Затем, на катушку высокочастотного индукционного нагрева постепенно подают высокочастотное питание для нагрева тигля и повышения его температуры до расплавления исходных материалов, тем самым надлежащим образом расплавляя сырье в тигле.
[0054] Впоследствии затравочный кристалл, удерживаемый держателем затравочного кристалла, плавно поднимают при определенной скорости с помощью перемещающего механизма. Кончик затравочного кристалла приводят в контакт с достаточно совместимым с ним отверстием на нижнем конце тигля, а затем затравочный кристалл опускают для его охлаждения, регулируя температуру расплава, с выращиванием таким образом кристалла.
[0055] Хотя затравочный кристалл предпочтительно равен объекту выращивания кристалла или близок к нему как по структуре, так и по составу, затравочный кристалл не ограничен этим примером. Затравочный кристалл предпочтительно имеет четкую кристаллографическую ориентацию.
[0056] При кристаллизации всего приготовленного сырья для выращивания кристалла и исчерпании расплава рост кристалла прекращается. С целью сохранения состава выращиваемого кристалла однородным и с целью увеличения длины может быть встроено устройство для непрерывной загрузки сырья для выращивания кристалла. При таком встраивании кристалл можно выращивать при загрузке сырья для выращивания кристалла.
[0057] Далее описан метод Чохральского. Метод Чохральского можно выполнять с использованием аппарата для вытягивания вверх с регулируемой атмосферой с помощью известного высокочастотного индукционного нагрева. Аппарат для вытягивания вверх представляет собой аппарат для получения монокристалла, включающий в себя, например, тигель, содержащий расплав сырья, держатель затравочного кристалла, удерживающий затравочный кристалл находящимся в контакте с расплавом сырья, перемещающий механизм, который перемещает держатель затравочного кристалла вверх, регулятор скорости перемещения, который регулирует скорость перемещающего механизма, и блок индукционного нагрева (например, катушку высокочастотного индукционного нагрева), который нагревает тигель. Такой аппарат для получения монокристалла формирует границу раздела твердой и жидкой фаз на верхней стороне расплава и перемещает затравочный кристалл вверх, с получением таким образом монокристалла.
[0058] Хотя затравочный кристалл предпочтительно равен объекту выращивания кристалла или близок к нему как по структуре, так и по составу, они ничем не ограничены. Затравочный кристалл предпочтительно имеет четкую кристаллографическую ориентацию.
[0059] Метод микровытягивания, метод Чохральского, метод Бриджмена и метод Бернулли позволяют выполнять выращивание кристалла в основном с конгруэнтно плавящимся составом.
[0060] Далее описан метод плавающей зоны. Метод плавающей зоны представляет собой метод, который позволяет собирать свет галогенной лампы или т.п. обычно двумя - четырьмя вращающимися эллипсоидными зеркалами, размещать часть стержневидного поликристаллического образца на их эллипсоидных фокусах, поднимать температуру поликристаллического образца за счет оптической энергии для его расплавления, перемещать плавящуюся часть за счет плавного перемещения зеркал (фокусных точек), при плавном охлаждении расплавленной части, с преобразованием таким образом стержневидного образца в крупный монокристалл.
[0061] В методе плавающей зоны не используется какой-либо тигель и поэтому можно выращивать кристалл с более высокой чистотой. Кроме того, кристалл можно выращивать даже при условии, при котором рост кристалла затруднен из-за окисления тигля в атмосфере кислорода.
[0062] Хотя далее подробно описаны примеры и сравнительный пример настоящего изобретения со ссылкой на чертежи, изобретение не ограничено ими. В дальнейших примерах концентрация Ce описана либо как концентрация в конкретном кристалле, либо как концентрация в расплаве (приготовление).
(Пример 1)
[0063] Кристалл, представленный составом (Ce0,015Gd0,750La0,235)1,95Si2,01O6,94, был получен методом Чохральского. Этот кристалл представляет собой оксид типа пирохлора. ФИГ. 1 - фотография разреза (толщина 15 мм, отполированная до зеркального блеска грань 15 мм × 15 мм) полученного кристалла (Ce0,015Gd0,750La0,235)1,95Si2,01O6,94. Как проиллюстрировано на ФИГ. 1, полученный монокристалл, через который виден находящийся под ним рисунок, представлял собой прозрачное объемное тело.
(Пример 2)
[0064] Кристалл, представленный составом (Ce0,015Gd0,7499La0,235Mg0,0001)1,99Si2,05O7,10, был получен методом Чохральского. Этот кристалл представляет собой оксид типа пирохлора. ФИГ. 2 - фотография разреза (толщина 15 мм, отполированная до зеркального блеска грань 15 мм × 15 мм) полученного кристалла (Ce0,015Gd0,7499La0,235Mg0,0001)1,99Si2,05O7,10. Как проиллюстрировано на ФИГ. 2, полученный монокристалл, через который виден находящийся под ним рисунок, представлял собой прозрачное объемное тело.
(Примеры 3-25)
[0065] В дополнение к указанному выше, методом Чохральского были получены кристаллы, представленные соответствующими составами, приведенными в Таблице 1. Эти кристаллы представляют собой оксиды типа пирохлора, представленные формулой A2B2O7. Полученные монокристаллы, через которые виден находящийся под ними рисунок, представляли собой прозрачные объемные тела.
(Пример 21)
[0066] ФИГ. 3 представляет собой фотографию матрицы пикселей, образованной с использованием кристалла по Примеру 1. Размер пикселя составляет 2,5 мм × 2,5 мм × 5 мм, а число пикселей равно числу: 12 × 12.
(Сравнительный пример 1)
[0067] Кристалл, представленный составом (Ce0,013Gd0,855La0,132)1,66Si2,48O7,02, был получен методом Чохральского. Этот кристалл представляет собой оксид типа пирохлора, представленный формулой A2B2O7. ФИГ. 4 - фотография полученного кристалла (Ce0,013Gd0,855La0,132)1,66Si2,48O7,02. ФИГ. 5 - фотография разреза (толщиной 1 мм и отполированного до зеркального блеска) кристалла. Как проиллюстрировано на ФИГ. 4 и ФИГ. 5, полученный монокристалл представлял собой желтое, непрозрачное объемное тело.
(Сравнительный пример 2)
[0068] Кристалл, представленный составом (Ce0,023Gd0,751La0,226)2Si2O7, был получен методом Чохральского. Этот кристалл представляет собой оксид типа пирохлора, представленный формулой A2B2O7. ФИГ. 6 - фотография полученного кристалла (Ce0,023Gd0,751La0,226)2Si2O7. Как проиллюстрировано на ФИГ. 6, полученный монокристалл представлял собой желтое, непрозрачное объемное тело.
[0069] В Таблице 1 приведены α, β и γ и состояние кристалла для Примеров 1-25 и Сравнительных примеров 1-9.
Таблица 1
Пример № α β γ Состояние кристалла Степень кристаллизации [%]
Пример 1 (Ce0,015Gd0,750La0,235)1,95Si2,01O6,94 -0,05 0,01 -0,06 A 70
Пример 2 (Ce0,015Gd0,7499La0,235Mg0,0001)1,997Si2,05O7,10 -0,003 0,05 0,10 A 75
Пример 3 (Ce0,015Gd0,7495La0,235Mg0,0005)1,99Si2,03O7,05 -0,01 0,03 0,05 A 70
Пример 4 (Ce0,015Gd0,749La0,235Mg0,001)1,95Si2,00O7,08 -0,05 0,00 -0,08 A 55
Пример 5 (Ce0,015Gd0,7498La0,235Ca0,0002)1,98Si2,06O7,09 -0,02 0,06 0,09 A 70
Пример 6 (Ce0,015Gd0,7498La0,235Sr0,0002)1,95Si2,04O7,01 -0,05 0,04 0,01 A 70
Пример 7 (Ce0,015Gd0,7499La0,235Zr0,0001)1,96Si2,05O7,04 -0,04 0,05 0,04 A 70
Пример 8 (Ce0,015Gd0,7498La0,235Zr0,0002)1,96Si2,05O7,04 -0,04 0,05 0,04 A 70
Пример 9 (Ce0,015Gd0,75La0,235)1,96(Si0,999Zr0,001)2,06O7,02 -0,04 0,04 0,02 A 70
Пример 10 (Ce0,015Gd0,7498La0,235Hf0,0002)1,99Si2,03O7,05 -0,01 0,03 0,05 A 70
Пример 11 (Ce0,015Gd0,741La0,235Sc0,009)1,88Si2,07O6,98 -0,12 0,07 -0,04 A 60
Пример 12 (Ce0,015Gd0,742La0,235Ti0,004K0,004)1,93Si2,04O6,97 -0,06 0,03 -0,03 A 55
Пример 13 (Nd0,005Gd0,750La0,245)1,99Si2,02O7,02 -0,01 0,02 0,02 A 70
Пример 14 (Ce0,015Gd0,735La0,235Tb0,015)1,98Si2,02O7,01 -0,02 0,02 0,01 A 70
Пример 15 (Ce0,015Gd0,735La0,235Fe0,005)1,93Si2,03O6,98 -0,14 0,10 -0,02 A 55
Пример 16 (Ce0,015Gd0,742La0,235Li0,004Ta0,004)1,94Si2,03O6,97 -0,06 0,03 -0,03 A 55
Пример 17 (Ce0,001Gd0,750La0,249)1,97Si2,09O7,14 -0,03 0,09 0,14 A 70
Пример 18 (Ce0,095Gd0,700La0,205)1,98Si2,12O7,21 -0,02 0,12 0,21 A 55
Пример 19 (Ce0,010Gd0,600La0,390)1,98Si2,06O7,07 -0,02 0,05 0,07 A 60
Пример 20 (Ce0,01Gd0,89La0,10)1,98Si2,00O6,97 -0,02 0,00 -0,03 A 55
Пример 21 (Ce0,010Gd0,650La0,240Y0,100)1,99Si2,08O7,15 -0,01 0,08 0,15 A 75
Пример 22 (Ce0,010Yb0,990)1,99Si2,11O6,79 -0,01 0,00 0,00 A 55
Пример 23 (Ce0,010Lu0,890Gd0,100)1,94Si2,06O7,01 -0,06 0,05 0,01 A 70
Пример 24 (Pr0,01Eu0,01Gd0,740La0,24)1,89Si2,04O6,91 -0,11 0,04 -0,09 A 60
Пример 25 (Ce0,015Gd0,742La0,235W0,004Na0,004)1,91Si2,01O6,88 -0,09 0,01 -0,12 A 55
Сравнительный пример 1 (Ce0,013Gd0,855La0,132)1,68Si2,48O7,02 -0,34 0,48 0,02 B 0
Сравнительный пример 2 (Ce0,023Gd0,751La0,226)2Si2O7 0 0 0 B 0
Сравнительный пример 3 (Ce0,013Gd0,854La0,132Mg0,001)1,66Si2,48O7,02 -0,34 0,48 0,02 B 0
Сравнительный пример 4 (Ce0,013Gd0,8548La0,132Ca0,0002)1,66Si2,48O7,02 -0,34 0,48 0,02 B 0
Сравнительный пример 5 (Ce0,013Gd0,8548La0,132Sr0,0002)1,66Si2,48O7,02 -0,34 0,48 0,02 B 0
Сравнительный пример 6 (Ce0,023Gd0,750La0,226Mg0,001)2Si2O7 0 0 0 B 0
Сравнительный пример 7 (Ce0,023Gd0,7508La0,226Ca0,0002)2Si2O7 0 0 0 B 0
Сравнительный пример 8 (Ce0,023Gd0,7508La0,226Sr0,0002)2Si2O7 0 0 0 B 0
Сравнительный пример 9 (Ce0,007Gd0,726La0,227)2Si2O7 0 0 0 A 5
Обозначения: A: прозрачное объемное тело, B: непрозрачное объемное тело, и α, β и γ определяются Формулой (1).
(Сравнительный пример 10)
[0070] В качестве известного Сравнительного примера 10 приготовили имеющийся в продаже кристалл (Ce0,01Gd0,99)2SiO5 (Ce1%:GSO) с размером 5 мм × 5 мм × 5 мм.
[0071] Затем кристалл по Примеру 1 разрезали до толщины 1 мм и отполировали до зеркального блеска и измеряли его коэффициент пропускания в направлении по толщине 1 мм. Для измерения свечения использовали работающий в УФ и видимой области спектрофотометр (модель: V-530), изготовленный компанией JASCO Corporation. Также аналогичное измерение выполнили для кристаллов по Примерам 2-6 и Сравнительным примерам 1-8. ФИГ. 7 представляет собой график, иллюстрирующий профили пропускания, полученные в Примере 1 и Сравнительном примере 1. На ФИГ. 7 горизонтальная ось - это длина волны (нм), а вертикальная ось - линейный коэффициент пропускания (%). Было выявлено, что максимальный диапазон длины волны свечения был на примерно 360-430 нм, за счет измерения радиолюминесценции (возбуждение альфа-излучением 5,5 МэВ) с использованием спектроскопа (модель: Instrument FLS920) производства компании Edingurg; в этом диапазоне свечения был продемонстрирован линейный коэффициент пропускания в 40% или более, что было достаточным значением. Кристаллы по Примерам 2-6 также продемонстрировали профили той же формы, тогда как некоторые из кристаллов по Сравнительным примерам 1-8 в некоторых случаях продемонстрировали линейный коэффициент пропускания в 10% или менее (толщина 1 мм), что может быть трудно применить в детектировании гамма-излучения.
[0072] Кроме того, была оценена величина свечения кристалла, полученного в Примере 1. Кристалл оптически связали с фотоэлектронным умножителем (R7600U-200, изготовленным компанией Hamamatsu Photonics K.K.) в качестве фотодетектора с оптической смазкой (6262A, изготовленной компанией Ohyo Koken Kogyo K.K.) и облучали гамма-излучением или альфа-излучением с использованием герметизированного источника излучения 137Cs (источника гамма-излучения), обладающего активностью 1 МБк, или герметизированного источника излучения 241Am (источника альфа-излучения), обладающего активностью 4 МБк, возбуждая для испускания света.
[0073] К фотоэлектронному умножителю было приложено напряжение 700 В для преобразования сцинтилляционного света в электрический сигнал. Выдаваемый из фотоэлектронного умножителя электрический сигнал представляет собой сигнал в форме импульса, отражающего принятый сцинтилляционный свет, в котором высота волны импульса указывает на интенсивность свечения сцинтилляционного света. Выдаваемый из фотоэлектронного умножителя таким образом электрический сигнал формировали и усиливали усилителем-формирователем и затем вводили в амплитудный анализатор кратной волны для анализа и создавали спектры распределения высоты волны. Также, аналогичным образом был создан спектр распределения высоты волны для кристалла (Ce1%:GSO) по Сравнительному примеру 10. Температура в ходе измерения была комнатной температурой (21°C).
[0074] ФИГ. 8 представляет собой график, иллюстрирующий спектры распределения высоты волны (Пример 1 и Сравнительный пример 10), полученные путем облучения кристаллов гамма-излучением 137Cs (662 кэВ). На ФИГ. 8 горизонтальная ось - это число каналов многоканального анализатора (МКА), которое указывает на величину сигналов. Вертикальная ось отображает число отсчетов (произвольные единицы). Что касается горизонтальной оси, то вызванный гамма-излучением 662 кэВ максимум фотоэлектрического поглощения, находящийся на более правой стороне чертежа, указывает на большую величину свечения. Как видно из ФИГ. 8, кристалл по Примеру 1 продемонстрировал более высокую величину свечения, чем у кристалла по Сравнительному примеру 10. На ФИГ. 8 величина свечения кристалла по Примеру 1 составляла 36000 фотонов/МэВ или более.
Также для Примеров 2-10 удалось определить величины свечения, которые перечислены в Таблице 2. Однако для Сравнительных примеров 1-8 величины свечения оказались неизмеримыми.
[0075] Таблица 2
Таблица 2
Пример № α β γ Величина свечения [фотонов/МэВ]
Пример 1 -0,05 0,01 -0,06 43000
Пример 2 -0,003 0,05 0,10 40000
Пример 3 -0,01 0,03 0,05 37000
Пример 4 -0,05 0,00 -0,08 34000
Пример 5 -0,02 0,06 0,09 35000
Пример 6 -0,05 0,04 0,01 33000
Пример 7 -0,04 0,05 0,04 41000
Пример 8 -0,04 0,05 0,04 40000
Пример 9 -0,04 0,04 0,02 35000
Пример 10 -0,01 0,03 0,05 38000
Сравнительный пример 1 -0,34 0,48 0,02 Неизмеримая
Сравнительный пример 2 0 0 0 Неизмеримая
Сравнительный пример 3 -0,34 0,48 0,02 Неизмеримая
Сравнительный пример 4 -0,34 0,48 0,02 Неизмеримая
Сравнительный пример 5 -0,34 0,48 0,02 Неизмеримая
Сравнительный пример 6 0 0 0 Неизмеримая
Сравнительный пример 7 0 0 0 Неизмеримая
Сравнительный пример 8 0 0 0 Неизмеримая
Сравнительный пример 9 0 0 0 30000
[0076] Затем определяли время затухания кристалла по Примеру 1. Кристалл оптически связали с фотоэлектронным умножителем (R7600U-200, изготовленным компанией Hamamatsu Photonics K.K.) с оптической смазкой (6262A, изготовленной компанией Ohyo Koken Kogyo Co., Ltd.) и облучали гамма-излучением с использованием герметизированного источника излучения 137Cs с активностью 1 МБк, возбуждая для испускания света. У поступающих из фотоэлектронного умножителя сигналов измеряли распределение сигналов во времени осциллографом (TDS 3034B, изготовленным компанией Tektronix, Inc.) для определения времени затухания.
[0077] ФИГ. 9 представляет собой график, иллюстрирующий профиль кривой затухания флуоресценции кристалла по Примеру 1. На ФИГ. 9 горизонтальная ось показывает время, тогда как вертикальная ось показывает электрическое напряжение, соответствующее интенсивности свечения. Сплошная линия представляет собой результат, полученный при подгонке следующей функцией I(t) с временем t в качестве переменной для определения коэффициента затухания, где
I(t)=0,098⋅exp(-t/71 нс)+0,040⋅exp(-t/287 нс)+0,00241.
В частности, время затухания флуоресценции кристалла по Примеру 1 составляло 71 нс, что было пригодно для построения высокоскоростного сцинтиллятора.
[0078] Затем измеряли соответствующие величины свечения кристаллов по Примерам 1-10 и Сравнительным примерам 19 и 20 в высокотемпературной среде 150°C. Кристаллы оптически связали с фотоэлектронным умножителем (R1288AH, изготовленным компанией Hamamatsu Photonics K.K.) в качестве фотодетектора с оптической смазкой (6262A, изготовленной компанией Ohyo Koken Kogyo K.K.) и облучали гамма-излучением с использованием герметизированного источника излучения 137Cs (источника гамма-излучения) с активностью 1 МБк или более, возбуждая для испускания света. В этом процессе кристаллы и фотоэлектронный умножитель были нагреты при высокой температуре в 150°C с использованием термостатируемой печи (VTN-11, изготовленной компанией Isuzu Seisakusho Co., Ltd.). В дополнение, с помощью термопары проверяли, была ли достигнута среда целевой температуры вблизи кристаллов.
[0079] На фотоэлектронный умножитель подавали напряжение -1,340 В для преобразования исходящего из кристаллов сцинтилляционного света в электрический сигнал. Выдаваемый из фотоэлектронного умножителя электрический сигнал представляет собой сигнал в форме импульса, отражающего принятый сцинтилляционный свет, в котором высота волны импульса указывает на интенсивность свечения сцинтилляционного света. Выдаваемый из фотоэлектронного умножителя таким образом электрический сигнал формировали и усиливали усилителем-формирователем, а затем вводили в амплитудный анализатор кратной волны для анализа и создавали спектры распределения высоты волны. Также аналогичным образом создавали спектр распределения высоты волны для кристалла (Ce1%:GSO) по Сравнительному примеру 10.
[0080] Для Примеров 1-10, 19 и 20 удалось измерить величины свечения при 150°C, перечисленные в Таблице 3. Когда величины свечения измеряли также в условиях температур, отличных от 150°C, Примеры 1-10, 19 и 20 продемонстрировали величины свечения, превышающие 13000 фотонов/МэВ в диапазоне от комнатной температуры до 150°C. Однако для Сравнительных примеров 1-8 величины свечения были неизмеримыми в диапазоне от комнатной температуры до 150°C.
[0081] Таблица 3
Таблица 3
Пример № α β γ Величина свечения при 150°C [фотонов/МэВ]
Пример 1 -0,05 0,01 -0,06 32000 или более
Пример 2 -0,003 0,05 0,10 32000 или более
Пример 3 -0,01 0,03 0,05 30000 или более
Пример 4 -0,05 0,00 -0,08 30000 или более
Пример 5 -0,02 0,06 0,09 30000 или более
Пример 6 -0,05 0,04 0,01 30000 или более
Пример 7 -0,04 0,05 0,04 30000 или более
Пример 8 -0,04 0,05 0,04 28000 или более
Пример 9 -0,04 0,04 0,02 27000 или более
Пример 10 -0,01 0,03 0,05 30000 или более
Пример 19 -0,02 0,05 0,07 32000 или более
Пример 20 -0,02 0,00 -0,03 30000 или более
[0082] Далее, проведение ОФЭКТ и ПЭТ с позиционным разрешением является важной характеристикой. С использованием кристалла по Примеру 1 сформировали матрицу пикселей (см. ФИГ. 3). В качестве отражающего элемента может быть использован материал, выбранный из сульфата бария, тефлона (зарегистрированный товарный знак), оксида титана и пленки ESR; это не является ограничивающим.
[0083] Используя собранную матрицу (Пример 8), продемонстрировали принцип работы в ОФЭКТ и ПЭТ. В частности, кристалл сцинтиллятора по Примеру 1 скомбинировали с позиционно-чувствительным многопиксельным счетчиком фотонов (МПСФ, S12642-0808PA-50, изготовленным компанией Hamamatsu Photonics K.K.). МПСФ включает в себя множество упорядоченно расположенных лавинных фотодиодов в режиме Гейгера, и организовывали в матрицу 6 × 6 блоков МПСФ (размер пикселя: 50 мкм × 50 мкм). Матрицу (Пример 8) в сочетании с МПСФ облучали гамма-излучением с использованием герметизированного источника излучения 137Cs с активностью 1 МБк, а поступающие из соответствующих МПСФ сигналы обрабатывали для выполнения реконструкции изображения.
[0084] ФИГ. 10 представляет собой диаграмму, подвергнутую реконструкции изображения. Пиксели удалось отделить друг от друга и удалось корректно выполнить формирование изображения, продемонстрировав применение в датчиках изображения, таких как ОФЭКТ и ПЭТ, которым была придана позиционная чувствительность.
[0085] Настоящее изобретение не ограничено вышеописанными вариантами воплощения. В настоящее изобретение также включена любая конфигурация, полученная из подходящих сочетаний вышеописанных компонентов. Другие эффекты и модификации могут быть легко выведены специалистами в данной области техники. Поэтому более широкие варианты воплощения настоящего изобретения не ограничены вышеописанными вариантами воплощения и могут быть изменены различными способами.
[0086] Список ссылочных обозначений
100 - детектор излучения;
101 - кристаллический материал;
102, 104 - фотодетектор;
103 - преобразующий длину волны элемент;
200 - прибор неразрушающего контроля;
201 - источник излучения;
202 - измеряемый объект;
300 - прибор визуализации.

Claims (23)

1. Кристаллический материал, который представлен общей формулой (1):
(RExA1-x-y-sByM's)2+α(Si1-t,M''t)2+βO7+γ (1),
причем кристаллический материал имеет структуру типа пирохлора, обладает нестехиометрическим составом и является конгруэнтно плавящимся составом, при этом
в Формуле (1) A содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Gd, Y, La, Sc, Yb и Lu; B содержит по меньшей мере один или более, выбранных из La, Gd, Yb, Lu, Y и Sc; 0,1 ≤ y < 0,4; RE содержит по меньшей мере один или более, выбранных из Ce, Pr, Nd, Eu, Tb и Yb; 0 < x < 0,1; M' и M'' содержат по меньшей мере один или более, выбранных из Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, Fe, Ta и W; 0 ≤ s < 0,01 и 0 ≤ t < 0,01; и 0 < |α| < 0,3, и 0 ≤ |β| < 0,3, и 0 ≤ |γ| < 0,5.
2. Кристаллический материал по п. 1, причем диапазоны x, y, s, t, α, β и γ дополнительно представлены как 0 < x < 0,05, 0,1 < y < 0,40, 0 ≤ s < 0,005 и 0 ≤ t < 0,005, 0,001 < |α| < 0,15, и 0,001 ≤ |β| < 0,15, и 0,001 < |γ| < 0,2.
3. Кристаллический материал по п. 1, причем диапазоны x, y, s, t, α, β и γ дополнительно представлены как 0 < x < 0,04, 0,1 < y < 0,35, 0 ≤ s < 0,005 и 0 ≤ t < 0,005, 0,01 < |α| < 0,1, и 0,01 ≤ |β| < 0,1, и 0,001 ≤ |γ| < 0,2.
4. Кристаллический материал по п. 1, причем в общей формуле (1) RE представляет собой Ce; A представляет собой Gd; а B представляет собой один или более, выбранных из La и Y.
5. Кристаллический материал по п. 2, причем в общей формуле (1) RE представляет собой Ce; A представляет собой Gd; а B представляет собой один или более, выбранных из La и Y.
6. Кристаллический материал по п. 3, причем в общей формуле (1) RE представляет собой Ce; A представляет собой Gd; а B представляет собой один или более, выбранных из La и Y.
7. Кристаллический материал по любому из пп. 1-6, причем кристаллический материал испускает сцинтилляционный свет при облучении излучением с содержащейся в сцинтилляционном свете определенной флуоресцентной компонентой, обладающей временем жизни флуоресценции 2 мкс или менее и максимальной длиной волны флуоресценции в диапазоне 250 нм или более и 900 нм или менее.
8. Кристаллический материал по любому из пп. 1-6, причем кристаллический материал испускает сцинтилляционный свет при облучении излучением с содержащейся в сцинтилляционном свете определенной флуоресцентной компонентой, обладающей временем жизни флуоресценции 80 нс или менее и максимальной длиной волны флуоресценции в диапазоне 300 нм или более и 700 нм или менее.
9. Кристаллический материал по любому из пп. 1-6, причем кристаллический материал испускает сцинтилляционный свет при облучении излучением с величиной свечения содержащейся в сцинтилляционном свете определенной флуоресцентной компоненты, превышающей 13000 фотонов/МэВ в диапазоне температуры окружающей среды от комнатной температуры до 150°C, и кристаллический материал не обладает расплыванием.
10. Способ изготовления кристалла, включающий перемешивание исходных материалов, содержащих A, Si и RE, с обеспечением соотношения элементов кристаллического материала по любому из пп. 1-6, повышение температуры перемешанных исходных материалов до расплавления перемешанных исходных материалов, а затем охлаждение исходных материалов и получение кристалла со структурой типа пирохлора и со степенью кристаллизации 50% или более.
11. Детектор излучения, содержащий:
сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала по любому из пп. 1-9;
и фотодетектор, который принимает сцинтилляционный свет от сцинтиллятора.
12. Детектор излучения, содержащий:
сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала по любому из пп. 1-9;
преобразующий длину волны элемент, который принимает сцинтилляционный свет от сцинтиллятора и преобразует длину волны света с длинами волн от 260 нм до 350 нм, содержащимися в сцинтилляционном свете, в любую длину волны в диапазоне от 320 нм до 700 нм; и
фотодетектор, который принимает свет с длиной волны, преобразованной преобразующим длину волны элементом.
13. Детектор излучения, содержащий сцинтиллятор, образованный из кристаллического материала по любому из пп. 1-9, обладающий позиционной чувствительностью.
14. Прибор визуализации, содержащий детектор излучения по любому из пп. 11-13.
15. Прибор неразрушающего контроля, содержащий детектор излучения по любому из пп. 11-13.
RU2017140421A 2015-05-27 2016-05-27 Кристаллический материал, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор неразрушющего контроля и прибор визуализации RU2666445C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-107986 2015-05-27
JP2015107986 2015-05-27
PCT/JP2016/065837 WO2016190439A1 (ja) 2015-05-27 2016-05-27 結晶材料、結晶製造法、放射線検出器、非破壊検査装置、および撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2666445C1 true RU2666445C1 (ru) 2018-09-07

Family

ID=57392957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017140421A RU2666445C1 (ru) 2015-05-27 2016-05-27 Кристаллический материал, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор неразрушющего контроля и прибор визуализации

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10011770B2 (ru)
EP (1) EP3305949B1 (ru)
JP (1) JP6715426B2 (ru)
RU (1) RU2666445C1 (ru)
WO (1) WO2016190439A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU196469U1 (ru) * 2019-11-19 2020-03-02 Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт интроскопии МНПО "СПЕКТР" Детектор рентгеновского излучения

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019038967A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 株式会社村田製作所 発光セラミックス及び波長変換装置
JP2019043820A (ja) * 2017-09-05 2019-03-22 国立大学法人東北大学 結晶材料、放射線検出器、非破壊検査装置、および撮像装置
WO2019168169A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 国立大学法人東北大学 蛍光体
RU185203U1 (ru) * 2018-06-08 2018-11-26 Общество с ограниченной ответственностью "Стагирит Медицинские Инновации" Детектирующий модуль портативного медицинского радиометра
CN109628953B (zh) * 2018-12-26 2020-10-23 浙江工业大学 一种铜电解液中去除砷锑铋的方法
CN110376633A (zh) * 2019-07-19 2019-10-25 东软医疗系统股份有限公司 医疗探测器及医疗成像设备
CN112965162A (zh) * 2021-03-04 2021-06-15 山东大学 一种基于单晶光纤声学各向异性和掺杂调制的高灵敏单晶光纤测温方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013152434A2 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Zecotek Photonics Inc. Multi-doped lutetium based oxyorthosilicate scintillators having improved photonic properties
US20140097385A1 (en) * 2004-08-09 2014-04-10 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Dense high-speed scintillator material of low afterglow
WO2014104238A1 (ja) * 2012-12-26 2014-07-03 国立大学法人東北大学 結晶材料、放射線検出器、撮像装置、非破壊検査装置、および照明機器
WO2015037726A1 (ja) * 2013-09-13 2015-03-19 Tdk株式会社 シンチレータ結晶材料、単結晶シンチレータ、放射線検出器、撮像装置および非破壊検査装置
WO2015037395A1 (ja) * 2013-09-12 2015-03-19 信越化学工業株式会社 シンチレータ材料、放射線検出器及び放射線検査装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1325774B1 (en) * 2000-09-08 2013-11-06 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Ceramic-metal composite body, composite structure for transporting oxide ion, and composite body having sealing property
TWI241340B (en) 2002-03-28 2005-10-11 Hitachi Chemical Co Ltd Fluorescent subtance and fluroscent substance compositon containing the same
JP2009074039A (ja) 2007-08-31 2009-04-09 Hitachi Chem Co Ltd 単結晶シンチレーター
WO2011078161A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社ネモト・ルミマテリアル 真贋判定用蛍光体および真贋判定手段
JP5564146B2 (ja) * 2011-09-08 2014-07-30 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよび蛍光体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140097385A1 (en) * 2004-08-09 2014-04-10 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Dense high-speed scintillator material of low afterglow
WO2013152434A2 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Zecotek Photonics Inc. Multi-doped lutetium based oxyorthosilicate scintillators having improved photonic properties
WO2014104238A1 (ja) * 2012-12-26 2014-07-03 国立大学法人東北大学 結晶材料、放射線検出器、撮像装置、非破壊検査装置、および照明機器
WO2015037395A1 (ja) * 2013-09-12 2015-03-19 信越化学工業株式会社 シンチレータ材料、放射線検出器及び放射線検査装置
WO2015037726A1 (ja) * 2013-09-13 2015-03-19 Tdk株式会社 シンチレータ結晶材料、単結晶シンチレータ、放射線検出器、撮像装置および非破壊検査装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHU, GE et al, Electronic structure and photo/cathodoluminescence properties investigation of green emission phosphor NaBaScSi 2 O 7 :Eu 2+ with high thermal stability "CrystEngComm", 2014, 16(27), 6089-6097. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU196469U1 (ru) * 2019-11-19 2020-03-02 Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт интроскопии МНПО "СПЕКТР" Детектор рентгеновского излучения

Also Published As

Publication number Publication date
US20180100101A1 (en) 2018-04-12
WO2016190439A1 (ja) 2016-12-01
US10011770B2 (en) 2018-07-03
EP3305949A1 (en) 2018-04-11
EP3305949B1 (en) 2020-03-11
JPWO2016190439A1 (ja) 2018-04-26
EP3305949A4 (en) 2019-03-27
JP6715426B2 (ja) 2020-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2666445C1 (ru) Кристаллический материал, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор неразрушющего контроля и прибор визуализации
Shah et al. LaBr/sub 3: Ce scintillators for gamma-ray spectroscopy
JP5952746B2 (ja) シンチレータ用ガーネット型単結晶、及びこれを用いた放射線検出器
RU2389835C2 (ru) Pr-СОДЕРЖАЩИЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОБСЛЕДОВАНИЯ
RU2670919C9 (ru) Люминофор и детектор излучения
JP6058030B2 (ja) 結晶材料、放射線検出器、撮像装置、非破壊検査装置、および照明機器
US20140061537A1 (en) Multi-doped lutetium based oxyorthosilicate scintillators having improved photonic properties
KR102409343B1 (ko) 단가 이온으로 코도핑된 가넷 신틸레이터
JP5674385B2 (ja) シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器
JP2012180399A (ja) シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器
JP5548629B2 (ja) シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器
JP2013002882A (ja) 放射線検出器
JP6078223B2 (ja) シンチレータ用ガーネット型単結晶およびこれを用いる放射線検出器
JP2017036160A (ja) 結晶材料、結晶製造法、放射線検出器、非破壊検査装置、および撮像装置
JP6341208B2 (ja) シンチレータ結晶材料、単結晶シンチレータ、放射線検出器、撮像装置および非破壊検査装置
Yanagida et al. Basic properties of ceramic Pr: LuAG scintillators
JP2013043960A (ja) シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器
JP2015212311A (ja) 発光体及び放射線検出器
JP2017066245A (ja) シンチレータ結晶材料、単結晶シンチレータ、放射線検出器、撮像装置および非破壊検査装置
JP7026896B2 (ja) 結晶材料、放射線検出器、非破壊検査装置、および撮像装置
JP2013040274A (ja) シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器
JP7478399B2 (ja) シンチレータおよびシンチレータ用単結晶の製造方法
JP2017132689A (ja) 結晶材料、結晶製造方法、放射線検出器、非破壊検査装置および撮像装置
Shah et al. LaBr/sub 3: Ce scintillators for gamma ray spectroscopy
Glodo et al. Novel high-stopping power scintillators for medical applications