RU2524048C2 - Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока - Google Patents
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока Download PDFInfo
- Publication number
- RU2524048C2 RU2524048C2 RU2011148896/28A RU2011148896A RU2524048C2 RU 2524048 C2 RU2524048 C2 RU 2524048C2 RU 2011148896/28 A RU2011148896/28 A RU 2011148896/28A RU 2011148896 A RU2011148896 A RU 2011148896A RU 2524048 C2 RU2524048 C2 RU 2524048C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- led
- reflective coating
- matrices
- led arrays
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 118
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 68
- 229920006302 stretch film Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 210000004349 growth plate Anatomy 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKMKTIVRRLOHAJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);thallium(1+) Chemical compound [O-2].[Tl+].[Tl+] WKMKTIVRRLOHAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003438 thallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковым источникам света. Согласно изобретению предложен способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя: формирование пластины устройства с матрицами СИД; разъединение матриц СИД на пластине устройства; разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД; нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД; удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД, при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение. Также предложен другой вариант способа изготовления СИД, в котором отражающее покрытие выполнено из тонкой металлической пленки. Таким образом выполнение отражающего покрытия на боковых сторонах матриц СИД обеспечивает возможность регулирования краевого излучения, улучшение равномерности света при изменении угла и увеличение яркости. 2 н. и 25 з.п. ф-лы, 17 ил.
Description
Перекрестные ссылки на родственные заявки
Данная заявка является частичным продолжением патента U.S. №12/433,972, озаглавленного «Регулирование краевого излучения в матрице СИД, отделенной от блока», поданного 1 мая 2009 года, который принадлежит тому же правообладателю и включен сюда в качестве ссылки. Эта заявка является родственной заявке на патент US №12/178,902, озаглавленной «Полупроводниковое светоизлучающее устройство, включающее в себя пропускающий слой и направляющую свет структуру», поданной 24 июля 2008 года, которая принадлежит тому же правообладателю и включена сюда в качестве ссылки.
Область техники, к которой относится изобретение
Данное раскрытие относится к светоизлучающим диодам (СИД) и, в частности, к матрицам СИД, отделенным от блока.
Описание предшествующего уровня техники
Полупроводниковые СИД являются одними из наиболее эффективных источников света, доступных на данный момент. Материалы, представляющие в данный момент интерес для систем производства светоизлучающих устройств высокой яркости, способных работать в видимом спектре излучения, включают в себя полупроводники III-V групп; например двойные, тройные и четверные сплавы галлия, алюминия, индия, азота, фосфора и мышьяка. III-V устройства излучают свет в видимом спектре излучения. Устройства на основе GaAs и GaP обычно используются, чтобы излучать свет с большими длинами волн, такой как от желтого до красного, в то время как III-нитридные устройства обычно используются, чтобы излучать свет с меньшими длинами волн, такой как от практически УФ до зеленого.
В галлийнитридных СИД обычно используется прозрачная сапфировая подложка в связи с тем, что кристаллическая структура сапфира аналогична кристаллической структуре нитрида галлия.
Некоторые из GaN СИД формируются в виде перевернутых кристаллов с обоими электродами на одной поверхности, где электроды СИД соединены с электродами на подложке без использования проводов для соединения. В этом случае свет передается через прозрачную сапфировую подложку и слои СИД напротив подложки. Подложка представляет собой границу раздела между СИД и внешним источником питания. Электроды на подложке, соединенные с электродами СИД, могут проходить за СИД или проходить к противоположной стороне подложки для соединения с помощью проводов или установки на поверхность печатной платы.
Сущность изобретения
В некоторых вариантах осуществления данного изобретения матрицы светоизлучающих диодов (СИД) на пластине устройства разделены, чтобы создать пространство между матрицами СИД, и отражающее покрытие наносится на матрицы СИД и на промежутки между матрицами СИД. Когда матрицы СИД снова разделяют, части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД. Отражающее покрытие на боковых сторонах матриц СИД может регулировать краевое излучение, улучшать равномерность света при изменении угла и увеличивать яркость. Отражающее покрытие может являться полимером или смолой с отражающими частицами, или тонкой металлической пленкой.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 является блок-схемой способа производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине с использованием отражающего покрытия для регулирования краевого излучения матриц СИД;
Фиг. 2-13 изображают виды в поперечном сечении процессов из способа с фиг.1, когда отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами; и
Фиг. 14-17 изображают виды в поперечном сечении процессов из способа с фиг.1, когда отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой, каждый из которых осуществляется в соответствии с вариантами осуществления изобретения.
Использование одинаковых ссылочных номеров на различных фигурах указывает на одинаковые или схожие элементы.
Подробное описание
Фиг.1 является блок-схемой способа 100 для производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине с использованием отражающего покрытия для регулирования краевого излучения матриц СИД в некоторых вариантах осуществления данного изобретения. Способ 100 включает в себя процессы со 102 по 130.
В процессе 102 примерные матрицы СИД 200 формируются на пластине для выращивания. Для упрощения одна матрица СИД 200 изображена на фиг.2. Матрица СИД 200 включает в себя пластину для выращивания 202, слой n-типа 204, эпитаксиально выращенный на пластине для выращивания, светоизлучающий слой 206 (также часто называемый «активным слоем»), эпитаксиально выращенный на слое n-типа, слой p-типа 208, эпитаксиально выращенный на светоизлучающем слое, проводящий отражающий слой 210, сформированный на слое p-типа, и защитный металлический слой 212, сформированный на проводящем отражающем слое. Диэлектрик 214 сформирован на структурах. Отверстия сформированы в различных слоях, чтобы обеспечить доступ к слою n-типа 204, и в проводящем отражающем слое 210, чтобы обеспечить доступ к слою p-типа 208. Одна или более контактные площадки n-типа 216 сформированы, чтобы электрически контактировать со слоем n-типа 204, и одна или более контактные площадки p-типа 218 сформированы, чтобы электрически контактировать с проводящим отражающим слоем 210. Вместо матриц СИД 200 способ 100 может быть применен к другим типам матриц СИД или к другим светоизлучающим устройствам, которые имеют краевое излучение. За процессом 102 следует процесс 104.
В процессе 104 пластина для переноса 302 временно соединяется с пластиной устройства 220. Здесь и далее в процессе «пластина устройства» относится к структуре на одной пластине, включающей в себя матрицы СИД 200. Удаляемый связывающий материал 304 сначала наносится на верхнюю часть пластины устройства 220, а затем пластина для переноса 302 соединяется с верхней частью пластины устройства, как изображено на фиг.3. Связывающий материал 304 может являться связывающим материалом, разъединяющим при воздействии тепла, раствора или света. Удаляемый связывающий материал 302 может быть нанесен с помощью процесса центрифугирования, процесса натирания или процесса распыления, или другого подходящего процесса. За процессом 104 следует процесс 106.
В процессе 106 пластина устройства 220 переворачивается, и пластина для выращивания 202 удаляется, как изображено на фиг.4. Пластина для выращивания 202 может быть удалена с помощью процесса лазерного отделения. За процессом 106 следует процесс 108.
В процессе 108 слой n-типа 204 делают шероховатым, чтобы улучшить выделение света, как изображено на фиг.5. Слой n-типа 204 может быть сделан шероховатым с помощью физического процесса (например, шлифования или притирания) или с помощью химического процесса (например, травления). Например, слой n-типа 204 может быть сделан шероховатым путем фотоэлектрического травления. За процессом 108 следует процесс 110.
В процессе 110 пропускающая пластина 602 соединяется с пластиной устройства 220, как изображено на фиг.6. Прозрачный связывающий материал 604 сначала наносится на верхнюю часть пластины устройства 220, а затем пропускающая пластина 602 соединяется с верхней частью пластины устройства.
Прозрачный связывающий материал 604 может являться силиконом, эпоксидной смолой или другим подходящим материалом. Прозрачный связывающий материал 604 может быть нанесен с помощью процесса центрифугирования, процесса натирания или процесса распыления, или другого подходящего процесса. Прозрачный связывающий материал 604 может иметь коэффициент отражения, равный или более 1,4.
Если пропускающая пластина 602 состоит из или включает в себя оксидное стекло, керамику или другие подобные диэлектрические материалы, прозрачный связывающий материал 604 может быть заменен оксидом, стеклом или другим подходящим диэлектрическим связывающим слоем, нанесенным на шероховатую поверхность пластины устройства 220. В одном или более вариантах осуществления связывающий слой может являться диоксидом кремния или оксинитридом кремния. В одном или более вариантах осуществления связывающий слой может являться любым прозрачным связывающим материалом, раскрытым в заявке на патент US №12/561,342 с номером дела PH012893US1, поданной 17 сентября 2009 года, таким как оксид алюминия, оксид сурьмы, оксид мышьяка, оксид висмута, оксид бора, бромид свинца, хлорид свинца, оксид свинца, оксид лития, оксид фосфора, фторид калия, оксид калия, оксид кремния, оксид натрия, оксид теллура, оксид таллия, оксид вольфрама, фторид цинка и оксид цинка. Заявка на патент US №12/561,342 принадлежит тому же правообладателю и включена сюда в качестве ссылки.
Связывающий слой может быть нанесен на пластину устройства 220 путем химического осаждения из паровой фазы (CVD), усиленного плазмой CVD (PECVD), или любой другой подходящей технологией осаждения. Поверхности связывающего слоя и/или пропускающей пластины могут быть отполированы путем химико-механической полировки (CMP) или любой другой подходящей технологией полировки. Пропускающая пластина 602 может быть затем соединена с пластиной устройства 220 с использованием прямого молекулярного соединения, соединения плавлением или анодного соединения.
Пропускающая пластина 602 обеспечивает механическую прочность пластины устройства 220 при последующей обработке. Пропускающая пластина 602 может включать в себя структуру регулирования длины волны для изменения спектра излучения для обеспечения желаемого цвета, такого как янтарный для сигнального освещения, или различных цветов для излучения белого света. Структура может являться керамическим люминофором, подходящей прозрачной подложкой или передающим слоем, таким как сапфировый или стеклянный слой, или фильтром, таким как распределенный брэгговский отражатель. Структура керамического люминофора подробно описана в патенте US №7,361,938, который принадлежит тому же правообладателю и включен сюда в качестве ссылки. За процессом 110 следует процесс 112.
В процессе 112 пластина для переноса 302 удаляется с пластины устройства 220, как изображено на фиг.7. Пластина для переноса 302 может быть удалена путем приложения тепла для размягчения, применения раствора для растворения, или использования света для фотохимического воздействия на связывающий материал. Любой оставшийся временный связывающий материал 304 может быть удален с помощью подходящего раствора. За процессом 112 следует процесс 114.
В процессе 114 пластина устройства 220 устанавливается нижней стороной на растягивающуюся пленку 802, как изображено на фиг.8. Растягивающаяся пленка 802 может являться синей лентой, белой лентой, УФ лентой, или другими подходящими материалами, которые делают возможным соединение с гибкой (растягивающейся) подложкой. За процессом 114 следует процесс 116. Растягивающиеся пленки доступны для покупки, например, у Furukawa Electric Co. и Semiconductor Equipment Corp.
В процессе 116 матрицы СИД 200 в пластине устройства 220 разделяются на отдельные матрицы. Матрицы СИД 200 могут быть разделены с использованием лазера, скрайбера или пилы. На данном этапе матрицы СИД 200 являются, по сути, завершенными устройствами, готовыми к тестированию. Тем не менее, матрицы СИД 200 могут иметь краевое излучение, что ухудшает равномерность цвета при изменении угла. За процессом 116 следует процесс 118.
В процессе 118 растягивающаяся пленка 802 растягивается, чтобы в боковом направлении разделить матрицы СИД 200 и создать промежутки между ними, как изображено на фиг.9. В альтернативном варианте осуществления матрицы СИД 200 переносятся на жесткую пластину для переноса с растягивающейся пленки 802. Матрицы СИД 200 могут быть перенесены с помощью ленты или взяты и помещены на жесткую пластину для переноса, чтобы создать промежутки между матрицами СИД. Когда матрицы СИД 200 переносятся с помощью ленты, растягивающаяся пленка 802 растягивается, чтобы создать промежутки между матрицами СИД до переноса матриц СИД на жесткую пластину для переноса. За процессом 118 следует процесс 120.
В процессе 120 отражающее покрытие наносится на верхнюю часть матриц СИД 200 и в промежутки между ними. До нанесения отражающего покрытия диэлектрик может быть расположен над верхней частью и/или боковыми сторонами матриц СИД 200, чтобы увеличить отражающую способность и/или предотвратить короткое замыкание матриц СИД отражающим покрытием. Диэлектрик имеет противоотражающие свойства и может являться пленкой из, например, диоксида кремния (SiO2), фторида магния (MgF2), нитрида кремния (Si3N4 или SiNx) и т.д.
В зависимости от варианта осуществления отражающее покрытие может являться полимером или смолой 1002 с отражающими частицами (здесь и далее вместе называемыми «отражающим покрытием 1002»), как изображено на фиг.10, или тонкой металлической пленкой 1402, как изображено на фиг.14. Процессы со 120 по 130 сначала описаны для вариантов осуществления с использованием отражающего покрытия 1002 со ссылкой на фиг. 10-13, а затем далее описаны для вариантов осуществления с использованием тонкой металлической пленки 1402 со ссылкой на фиг. 14-17.
Ссылаясь на фиг.10, отражающее покрытие 1002 может быть нанесено на верхнюю часть матриц СИД 200. Вогнутые углубления в отражающем покрытии 1002 могут образоваться в промежутках между матрицами СИД 200. Отражающее покрытие 1002 может являться силиконом, эпоксидной смолой, акриловым материалом и т.д. Отражающие частицы в отражающем покрытии 1002 могут являться оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония. Отражающее покрытие 1002 может быть нанесено с помощью золь-гель процесса, процесса втирания или процесса центрифугирования.
Как вариант отражающее покрытие может быть нанесено только в промежутки между матрицами СИД 200 с использованием процесса формования. В процессе формования матрицы СИД 200 помещены в форму, где половины формы располагаются на уровне верхней и нижней частей матриц СИД, оставляя только промежутки между матрицами СИД в качестве отверстий для прохождения материала отражающего покрытия. Материал отражающего покрытия затем вводится в форму и проводится через промежутки между матрицами СИД 200. За процессом 120 следует процесс 122.
В процессе 122 отражающее покрытие 1002 в промежутках между матрицами СИД 200 (с или без диэлектрического покрытия для увеличения отражающей способности и/или предотвращения короткого замыкания), как вариант ломается или ослабляется (например, раскалывается). Отражающее покрытие 1002 в промежутках между матрицами СИД 200 может быть сломано или ослаблено с помощью лазера, скрайбера или пилы. Если отражающее покрытие 1002 хрупкое, процесс разбивания с помощью бруска может быть применен, при котором матрицы СИД 200 проводятся над закругленным бруском, для того чтобы сломать или ослабить отражающее покрытие в промежутках между матрицами СИД. Отражающее покрытие 1002 не обязательно должно быть сломано или ослаблено, если вогнутые углубления, которые ослабляют отражающее покрытие 1002, автоматически формируются в промежутках между матрицами СИД 200. За процессом 122 следует процесс 124.
В процессе 124 растягивающаяся пленка 802 снова растягивается, чтобы еще сильнее разделить матрицы СИД в боковом направлении, как изображено на фиг.11. Этот этап не осуществляется в альтернативном варианте осуществления с процессом 118, в котором используется жесткая пластина для переноса. За процессом 124 следует процесс 126.
В процессе 126 любые части отражающего покрытия 1002 на верхней части матрицы СИД 200 могут быть удалены, как изображено на фиг.12. После этого остаются только части отражающего материала 1002 на боковых сторонах СИД устройств 200. Части отражающего покрытия 1002 на боковых сторонах матриц СИД 200 могут регулировать краевое излучение, улучшать однородность цвета при изменении угла и увеличивать яркость. Части отражающего покрытия 1002 на верхней части матриц СИД 200 могут быть удалены с помощью процесса отделения, травления, лазерной абляции, или пескоструйной обработки. Жертвенный слой для процесса отделения может быть нанесен до формирования отражающего покрытия 1002 над матрицами СИД 200. За процессом 126 следует процесс 128.
В процессе 128 матрицы СИД 200 переворачиваются и переносятся на другую растягивающуюся пленку 1302, как изображено на фиг.13. Матрицы СИД 200 устанавливаются нижней стороной на растягивающуюся пленку 1302, и затем растягивающаяся пленка 802 удаляется таким образом, что контактные площадки n-типа 216 и контактные площадки p-типа 218 (не изображены на фиг.13) матриц СИД доступны для тестирования на верхней стороне. Может быть возможным тестирование матриц СИД 200 без переноса их на вторую растягивающуюся пленку 1302, если контактные площадки 216 и 218 доступны через первую растягивающуюся пленку 802. За процессом 128 следует процесс 130.
В процессе 130 отдельные матрицы СИД 200 могут быть протестированы, пока они зафиксированы на растягивающейся пленке 1302.
Процессы со 120 по 130 теперь будут описаны для вариантов осуществления с использованием тонкой металлической пленки 1402 со ссылкой на фиг. 14-17.
Ссылаясь на фиг.14, тонкая металлическая пленка формируется над верхней частью и боковыми сторонами матриц СИД 200 и в промежутках между ними. Тонкая металлическая пленка 1402 может являться любым отражающим металлом или сплавом, таким как алюминий (Al), серебро (Ag), хром (Cr), золото (Au), никель (Ni), ванадий (V), платина (Pt), палладий (Pd) и т.д. и их сочетанием. Тонкая металлическая пленка 1402 может быть сформирована путем осаждения из пара или распыления. За процессом 120 следует процесс 122.
В процессе 122 тонкая металлическая пленка 1402 в промежутках между матрицами СИД 200, как вариант, ломается или ослабляется (например, раскалывается). Отражающее покрытие 1402 в промежутках между матрицами СИД 200 может быть сломано или ослаблено с помощью лазера, скрайбера или пилы. Если отражающее покрытие 1402 хрупкое, процесс разбивания с помощью бруска может быть применен, при котором матрицы СИД 200 проводятся над закругленным бруском, для того чтобы сломать или ослабить отражающее покрытие в промежутках между матрицами СИД. В альтернативном варианте осуществления процесса 118, использующем жесткую пластину для переноса, тонкая металлическая пленка 1402 в промежутках между матрицами СИД 200 может быть вытравлена. За процессом 122 следует процесс 124.
В процессе 124 растягивающаяся пленка 802 снова растягивается, чтобы еще сильнее разделить матрицы СИД в боковом направлении, как изображено на фиг.15. Этот этап не осуществляется в альтернативном варианте осуществления с процессом 118, в котором используется жесткая пластина для переноса. За процессом 124 следует процесс 126.
В процессе 126 любые части тонкой металлической пленки 1402 на верхней части матрицы СИД 200 могут быть удалены, как изображено на фиг.16. После этого остаются только части тонкой металлической пленки 1402 на боковых сторонах СИД устройств 200. Тонкая металлическая пленка 1402 на боковых сторонах матриц СИД 200 могут регулировать краевое излучение, улучшать однородность цвета при изменении угла и увеличивать яркость. Части тонкой металлической пленки 1402 на верхней части матриц СИД 200 могут быть удалены с помощью процесса отделения, травления, лазерной абляции, или пескоструйной обработки. Жертвенный слой для процесса отделения может быть нанесен до формирования отражающего покрытия 1402 над матрицами СИД 200. В альтернативном варианте осуществления процесса 118 с использованием жесткой пластины для переноса процессы 122 и 126 могут быть совмещены в один процесс травления. За процессом 126 следует процесс 128.
В процессе 128 матрицы СИД 200 переворачиваются и переносятся на другую растягивающуюся пленку 1302, как изображено на фиг.17. Матрицы СИД 200 устанавливаются нижней стороной на растягивающуюся пленку 1302, и затем растягивающаяся пленка 802 удаляется таким образом, что контактные площадки n-типа 216 и контактные площадки p-типа 218 (не изображены на фиг.17) матриц СИД доступны для тестирования на верхней стороне. Может быть возможным тестирование матриц СИД 200 без переноса их на вторую растягивающуюся пленку 1302, если контактные площадки 216 и 218 доступны через первую растягивающуюся пленку 802. За процессом 128 следует процесс 130.
В процессе 130 отдельные матрицы СИД 200 могут быть протестированы, пока они зафиксированы на растягивающейся пленке 1302. Различные другие варианты применения и комбинации особенностей раскрытых вариантов осуществления находятся в рамках объема изобретения. Например, когда отражающее покрытие является полимерной смолой, заполненной отражающими частицами, очень тонкий слой может быть оставлен на верхней части матриц СИД 200, чтобы служить в качестве оптического рассеивателя или чтобы заставить верхнюю часть матриц иметь тот же цвет, что и у отражающих частиц (например, белый). Многочисленные варианты осуществления охвачены приведенной далее формулой изобретения.
Claims (27)
1. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД;
удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и
разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД;
удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и
разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.
2. Способ по п.1, в котором отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами.
3. Способ по п.2, в котором отражающее покрытие является силиконом, эпоксидной смолой или акриловым материалом, а отражающие частицы являются оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония.
4. Способ по п.2, в котором нанесение отражающего покрытия в промежутки между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью золь-гель процесса, процесса втирания, процесса центрифугирования или процесса формования.
5. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
где части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение, и
отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой.
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
где части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение, и
отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой.
6. Способ по п.5, в котором отражающим покрытием является алюминий, серебро, хром, золото, никель, ванадий, платина, палладий или их сочетание.
7. Способ по п.5, в котором нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью осаждения из пара или напыления.
8. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя перенос матриц СИД с растягивающейся пленки на пленку для переноса с целью создания промежутков между матрицами СИД.
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя перенос матриц СИД с растягивающейся пленки на пленку для переноса с целью создания промежутков между матрицами СИД.
9. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя растяжение растягивающейся пленки для разделения в боковом направлении матриц СИД до нанесения отражающего покрытия на матрицы СИД и в промежутки между матрицами СИД.
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя растяжение растягивающейся пленки для разделения в боковом направлении матриц СИД до нанесения отражающего покрытия на матрицы СИД и в промежутки между матрицами СИД.
10. Способ по п.9, в котором разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя:
ослабление или разлом отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
повторное растяжение растягивающейся пленки, чтобы сильнее разделить матрицы СИД.
ослабление или разлом отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
повторное растяжение растягивающейся пленки, чтобы сильнее разделить матрицы СИД.
11. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя:
удаление любого отражающего покрытия с верхней части матриц СИД.
удаление любого отражающего покрытия с верхней части матриц СИД.
12. Способ по п.11, в котором удаление отражающего покрытия с верхней части матриц СИД включает в себя процесс отслаивания, травления, лазерной абляции или пескоструйного травления.
13. Способ по п.11, дополнительно включающий в себя:
установку матриц СИД на другую растягивающуюся пленку другой стороной матриц СИД; и
удаление растягивающейся пленки с матриц СИД.
установку матриц СИД на другую растягивающуюся пленку другой стороной матриц СИД; и
удаление растягивающейся пленки с матриц СИД.
14. Способ по п.13, дополнительно включающий в себя:
тестирование матриц СИД после установки матриц СИД на другую растягивающуюся пленку с другой стороны матриц СИД.
тестирование матриц СИД после установки матриц СИД на другую растягивающуюся пленку с другой стороны матриц СИД.
15. Способ по п.1, в котором указанное формирование пластины устройства с матрицами СИД включает в себя:
формирование СИД устройств на пластине для выращивания для формирования пластины устройства, причем СИД устройства включают в себя слой n-типа над пластиной для выращивания, светоизлучающий слой над слоем n-типа, и слой p-типа над светоизлучающим слоем;
соединение пластины для переноса с p-стороной пластины устройства, причем p-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою p-типа, чем к слою n-типа;
удаление пластины для выращивания с n-стороны пластины устройства, причем n-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою n-типа, чем к слою p-типа;
соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса с p-стороны пластины устройства.
формирование СИД устройств на пластине для выращивания для формирования пластины устройства, причем СИД устройства включают в себя слой n-типа над пластиной для выращивания, светоизлучающий слой над слоем n-типа, и слой p-типа над светоизлучающим слоем;
соединение пластины для переноса с p-стороной пластины устройства, причем p-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою p-типа, чем к слою n-типа;
удаление пластины для выращивания с n-стороны пластины устройства, причем n-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою n-типа, чем к слою p-типа;
соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса с p-стороны пластины устройства.
16. Способ по п.15, в котором:
соединение пластины для перемещения включает в себя использование связывающего материала, который разъединяет при воздействии теплом, раствором или светом, для соединения пластины для переноса с p-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса включает в себя применение тепла, раствора или света, чтобы отделить пластину для переноса от пластины устройства.
соединение пластины для перемещения включает в себя использование связывающего материала, который разъединяет при воздействии теплом, раствором или светом, для соединения пластины для переноса с p-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса включает в себя применение тепла, раствора или света, чтобы отделить пластину для переноса от пластины устройства.
17. Способ по п.15, в котором удаление пластины для выращивания включает в себя использование лазерного отслаивания для отделения пластины для выращивания от пластины устройства.
18. Способ по п.15, дополнительно включающий в себя процесс, делающий слой n-типа шероховатым до соединения пропускающего слоя с n-стороной пластины устройства.
19. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает в себя нанесение силикона или эпоксидной смолы на n-сторону пластины устройства, чтобы соединить пропускающую пластину с n-стороной пластины устройства.
20. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает применение прямого молекулярного, соединения плавлением или анодного соединения.
21. Способ по п.20, дополнительно включающий в себя формирование оксидного или стеклянного слоя на n-стороне пластины устройства до соединения пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства.
22. Способ по п.15, в котором СИД устройства дополнительно включают в себя контактные площадки над слоем p-типа, причем каждая контактная площадка электрически соединена со слоем n-типа или слоем p-типа.
23. Способ по п.1, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на первую поверхность, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.
24. Способ по п.23, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.
25. Способ по п.5, включающий в себя удаление отражающего покрытия с поверхностей матриц СИД.
26. Способ по п.25, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на поверхности матриц СИД, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.
27. Способ по п.26, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/433,972 US20100279437A1 (en) | 2009-05-01 | 2009-05-01 | Controlling edge emission in package-free led die |
| US12/433,972 | 2009-05-01 | ||
| US12/577,623 | 2009-10-12 | ||
| US12/577,623 US8236582B2 (en) | 2008-07-24 | 2009-10-12 | Controlling edge emission in package-free LED die |
| PCT/IB2010/051489 WO2010125482A1 (en) | 2009-05-01 | 2010-04-06 | Controlling edge emission in package-free led die |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011148896A RU2011148896A (ru) | 2013-06-10 |
| RU2524048C2 true RU2524048C2 (ru) | 2014-07-27 |
Family
ID=42309710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011148896/28A RU2524048C2 (ru) | 2009-05-01 | 2010-04-06 | Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8236582B2 (ru) |
| EP (1) | EP2425462B1 (ru) |
| JP (1) | JP5647229B2 (ru) |
| KR (1) | KR101663340B1 (ru) |
| CN (1) | CN102439739B (ru) |
| RU (1) | RU2524048C2 (ru) |
| TW (1) | TWI528593B (ru) |
| WO (1) | WO2010125482A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
| US9362459B2 (en) | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
| US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
| US9105824B2 (en) * | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
| US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
| US10274183B2 (en) * | 2010-11-15 | 2019-04-30 | Cree, Inc. | Lighting fixture |
| US8227271B1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-07-24 | Himax Technologies Limited | Packaging method of wafer level chips |
| US8436386B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture |
| US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
| US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
| KR102082499B1 (ko) * | 2011-08-26 | 2020-02-27 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 반도체 구조를 프로세싱하는 방법 |
| CN111554781B (zh) * | 2012-03-19 | 2024-04-12 | 亮锐控股有限公司 | 磷光体施加前后发光器件的单个化 |
| US8748202B2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-06-10 | Bridgelux, Inc. | Substrate free LED package |
| US9543478B2 (en) | 2012-11-07 | 2017-01-10 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device including a filter and a protective layer |
| JP6680670B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2020-04-15 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | トップエミッション型半導体発光デバイス |
| DE102013112886A1 (de) * | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| CN113658943A (zh) * | 2013-12-13 | 2021-11-16 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
| KR102282141B1 (ko) | 2014-09-02 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| TWI546934B (zh) * | 2014-10-20 | 2016-08-21 | Playnitride Inc | Led陣列擴張方法及led陣列單元 |
| US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
| WO2017062119A1 (en) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | Koninklijke Philips N.V. | FLIP-CHIP SMT LEDs WITH VARIABLE NUMBER OF EMITTING SURFACES |
| JP6974324B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2021-12-01 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップｌｅｄ |
| CN107464859A (zh) * | 2016-06-03 | 2017-12-12 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管结构、组件及其制造方法 |
| CN108336075B (zh) * | 2017-01-20 | 2020-03-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法 |
| FR3087936B1 (fr) * | 2018-10-24 | 2022-07-15 | Aledia | Dispositif electronique |
| US20220093579A1 (en) * | 2019-01-28 | 2022-03-24 | Sakai Display Products Corporation | Micro led device and method for manufacturing same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2207663C2 (ru) * | 2001-07-17 | 2003-06-27 | Ооо Нпц Оэп "Оптэл" | Светодиод |
| JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
| EP1995780A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting apparatus |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2950106B2 (ja) * | 1993-07-14 | 1999-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 光素子実装体の製造方法 |
| JP2001345484A (ja) | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードチップ及び発光ダイオードランプ |
| US20020017652A1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
| JP4639520B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体チップの製造方法 |
| US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| JP4386789B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2009-12-16 | ローム株式会社 | 発光ダイオード素子の製造方法 |
| US7361938B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| JP4667803B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2011-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102004060358A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
| US7256483B2 (en) | 2004-10-28 | 2007-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package-integrated thin film LED |
| JP4901117B2 (ja) | 2005-03-04 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| KR100606551B1 (ko) | 2005-07-05 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 제조방법 |
| KR100723247B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| CN100452327C (zh) * | 2006-05-19 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法 |
| KR101271225B1 (ko) | 2006-10-31 | 2013-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법 |
| TW200830577A (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-16 | Uni Light Touchtek Corp | Method for manufacturing light emitting diode devices |
| EP2109651B1 (en) | 2007-02-07 | 2011-09-28 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter |
-
2009
- 2009-10-12 US US12/577,623 patent/US8236582B2/en active Active
-
2010
- 2010-03-29 TW TW099109424A patent/TWI528593B/zh active
- 2010-04-06 JP JP2012507854A patent/JP5647229B2/ja active Active
- 2010-04-06 EP EP10718705.6A patent/EP2425462B1/en active Active
- 2010-04-06 RU RU2011148896/28A patent/RU2524048C2/ru active
- 2010-04-06 CN CN201080019399.8A patent/CN102439739B/zh active Active
- 2010-04-06 KR KR1020117028811A patent/KR101663340B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-06 WO PCT/IB2010/051489 patent/WO2010125482A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2207663C2 (ru) * | 2001-07-17 | 2003-06-27 | Ооо Нпц Оэп "Оптэл" | Светодиод |
| JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
| EP1995780A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012525697A (ja) | 2012-10-22 |
| EP2425462A1 (en) | 2012-03-07 |
| EP2425462B1 (en) | 2013-07-03 |
| US8236582B2 (en) | 2012-08-07 |
| CN102439739B (zh) | 2015-11-25 |
| RU2011148896A (ru) | 2013-06-10 |
| WO2010125482A1 (en) | 2010-11-04 |
| US20100029023A1 (en) | 2010-02-04 |
| TW201044641A (en) | 2010-12-16 |
| CN102439739A (zh) | 2012-05-02 |
| TWI528593B (zh) | 2016-04-01 |
| KR101663340B1 (ko) | 2016-10-06 |
| JP5647229B2 (ja) | 2014-12-24 |
| KR20120014021A (ko) | 2012-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2524048C2 (ru) | Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока | |
| US10651335B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
| US20100279437A1 (en) | Controlling edge emission in package-free led die | |
| EP1724848B1 (en) | Method of manufacturing a light emitting device package | |
| TWI413273B (zh) | 封裝積體薄膜發光二極體 | |
| US8847248B2 (en) | Light-emitting device and the manufacturing method thereof | |
| KR100705718B1 (ko) | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
| EP1876653B1 (en) | Sub-mount for mounting light emitting diode and light emitting diode package | |
| CN100452447C (zh) | GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法 | |
| CN101820042B (zh) | 发光元件 | |
| US9484498B2 (en) | Light emitting structure having electrodes forming a concave surface and manufacturing method thereof | |
| US20130146936A1 (en) | Light emitting diode chip, light emitting diode package structure, and method for forming the same | |
| US20100308301A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| CN110556395A (zh) | 微型发光元件、图像显示元件及其制造方法 | |
| TW201933632A (zh) | 照明結構及製造發光裝置之方法 | |
| US20230378406A1 (en) | Light emitting device and led display apparatus having the same | |
| US20230069883A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor light-emitting device | |
| JP2011166146A (ja) | 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ及びその製造方法 | |
| US20230282797A1 (en) | Light emitting device and led display apparatus having the same | |
| KR100958590B1 (ko) | 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | |
| WO2018032865A1 (zh) | 一种薄膜垂直发光组件及其制作方法 | |
| CN100461469C (zh) | GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法 | |
| TW202327066A (zh) | 發光裝置及其形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |