RU2011148896A - Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока - Google Patents
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011148896A RU2011148896A RU2011148896/28A RU2011148896A RU2011148896A RU 2011148896 A RU2011148896 A RU 2011148896A RU 2011148896/28 A RU2011148896/28 A RU 2011148896/28A RU 2011148896 A RU2011148896 A RU 2011148896A RU 2011148896 A RU2011148896 A RU 2011148896A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- led
- reflective coating
- led arrays
- matrices
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 31
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract 30
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims abstract 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920006302 stretch film Polymers 0.000 claims 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 6
- 210000004349 growth plate Anatomy 0.000 claims 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
1. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:формирование пластины устройства с матрицами СИД;разъединение матриц СИД на пластине устройства;разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД;удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; иразлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.2. Способ по п.1, в котором отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами.3. Способ по п.2, в котором отражающее покрытие является силиконом, эпоксидной смолой или акриловым материалом, а отражающие частицы являются оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония.4. Способ по п.2, в котором нанесение отражающего слоя в промежутки между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью золь-гель процесса, процесса втирания, процесса центрифугирования или процесса формования.5. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:формирование пластины устройства с матрицами СИД;разъединение матриц СИД на пластине устройства;разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; иразлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИ
Claims (27)
1. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД;
удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и
разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.
2. Способ по п.1, в котором отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами.
3. Способ по п.2, в котором отражающее покрытие является силиконом, эпоксидной смолой или акриловым материалом, а отражающие частицы являются оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония.
4. Способ по п.2, в котором нанесение отражающего слоя в промежутки между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью золь-гель процесса, процесса втирания, процесса центрифугирования или процесса формования.
5. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
где части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение, и
отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой.
6. Способ по п.5, в котором отражающим покрытием является алюминий, серебро, хром, золото, никель, ванадий, платина, палладий или их сочетание.
7. Способ по п.5, в котором применение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью осаждения из пара или напыления.
8. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя перенос матриц СИД с растягивающейся пленки на пленку для переноса с целью создания промежутков между матрицами СИД.
9. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя растяжение растягивающейся пленки для разделения в боковом направлении матриц СИД до нанесения отражающего покрытия на матрицы СИД и в промежутки между матрицами СИД.
10. Способ по п.9, в котором разлом и разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя:
ослабление или разлом отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
повторное растяжение растягивающейся пленки, чтобы сильнее разделить матрицы СИД.
11. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя:
удаление любого отражающего покрытия с верхней части матриц СИД.
12. Способ по п.11, в котором удаление отражающего покрытия с верхней части матриц СИД включает в себя процесс отделения, травления, лазерной абляции или пескоструйного травления.
13. Способ по п.11, дополнительно включающий в себя:
установку матриц СИД на другую растягивающуюся пленку другой стороной матриц СИД; и
удаление растягивающейся пленки с матриц СИД.
14. Способ по п.13, дополнительно включающий в себя:
тестирование матриц СИД после установки матриц СИД на другую растягивающуюся пленку с другой стороны матриц СИД.
15. Способ по п.1, в котором указанное формирование пластины устройства с матрицами СИД включает в себя:
формирование СИД устройств на пластине для выращивания для формирования пластины устройства, причем СИД устройства включают в себя слой n-типа над пластиной для выращивания, светоизлучающий слой над слоем n-типа и слой p-типа над светоизлучающим слоем;
соединение пластины для переноса с p-стороной пластины устройства, причем p-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою p-типа, чем к слою n-типа;
удаление пластины для выращивания с n-стороны пластины устройства, причем n-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою n-типа, чем к слою p-типа;
соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса с p-стороны пластины устройства.
16. Способ по п.15, в котором:
соединение пластины для перемещения включает в себя использование связывающего материала, который разъединяет при воздействии теплом, раствором или светом, для соединения пластины для переноса с p-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса включает в себя применение тепла, раствора или света, чтобы отделить пластину для переноса от пластины устройства.
17. Способ по п.15, в котором удаление пластины для выращивания включает в себя использование лазерного отделения для отделения пластины для выращивания от пластины устройства.
18. Способ по п.15, дополнительно включающий в себя процесс, делающий слой n-типа шероховатым до соединения пропускающего слоя с n-стороной пластины устройства.
19. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает в себя нанесение силикона или эпоксидной смолы на n-сторону пластины устройства, чтобы соединить пропускающую пластину с n-стороной пластины устройства.
20. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает применение прямого молекулярного, соединения плавлением или анодного соединения.
21. Способ по п.20, дополнительно включающий в себя формирование оксидного или стеклянного слоя на n-стороне пластины устройства до соединения пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства.
22. Способ по п.15, в котором СИД устройства дополнительно включают в себя контактные площадки над слоем p-типа, причем каждая контактная площадка электрически соединена со слоем n-типа или слоем p-типа.
23. Способ по п.1, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на первую поверхность, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.
24. Способ по п.23, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.
25. Способ по п.5, включающий в себя удаление отражающего покрытия с поверхностей матриц СИД.
26. Способ по п.25, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на поверхности матриц СИД, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.
27. Способ по п.26, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/433,972 US20100279437A1 (en) | 2009-05-01 | 2009-05-01 | Controlling edge emission in package-free led die |
| US12/433,972 | 2009-05-01 | ||
| US12/577,623 | 2009-10-12 | ||
| US12/577,623 US8236582B2 (en) | 2008-07-24 | 2009-10-12 | Controlling edge emission in package-free LED die |
| PCT/IB2010/051489 WO2010125482A1 (en) | 2009-05-01 | 2010-04-06 | Controlling edge emission in package-free led die |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011148896A true RU2011148896A (ru) | 2013-06-10 |
| RU2524048C2 RU2524048C2 (ru) | 2014-07-27 |
Family
ID=42309710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011148896/28A RU2524048C2 (ru) | 2009-05-01 | 2010-04-06 | Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8236582B2 (ru) |
| EP (1) | EP2425462B1 (ru) |
| JP (1) | JP5647229B2 (ru) |
| KR (1) | KR101663340B1 (ru) |
| CN (1) | CN102439739B (ru) |
| RU (1) | RU2524048C2 (ru) |
| TW (1) | TWI528593B (ru) |
| WO (1) | WO2010125482A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
| US9362459B2 (en) | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
| US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
| US9105824B2 (en) * | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
| US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
| US10274183B2 (en) * | 2010-11-15 | 2019-04-30 | Cree, Inc. | Lighting fixture |
| US8227271B1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-07-24 | Himax Technologies Limited | Packaging method of wafer level chips |
| US8436386B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture |
| US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
| US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
| KR102082499B1 (ko) * | 2011-08-26 | 2020-02-27 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 반도체 구조를 프로세싱하는 방법 |
| CN111554781B (zh) * | 2012-03-19 | 2024-04-12 | 亮锐控股有限公司 | 磷光体施加前后发光器件的单个化 |
| US8748202B2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-06-10 | Bridgelux, Inc. | Substrate free LED package |
| US9543478B2 (en) | 2012-11-07 | 2017-01-10 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device including a filter and a protective layer |
| JP6680670B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2020-04-15 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | トップエミッション型半導体発光デバイス |
| DE102013112886A1 (de) * | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| CN113658943A (zh) * | 2013-12-13 | 2021-11-16 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
| KR102282141B1 (ko) | 2014-09-02 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| TWI546934B (zh) * | 2014-10-20 | 2016-08-21 | Playnitride Inc | Led陣列擴張方法及led陣列單元 |
| US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
| WO2017062119A1 (en) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | Koninklijke Philips N.V. | FLIP-CHIP SMT LEDs WITH VARIABLE NUMBER OF EMITTING SURFACES |
| JP6974324B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2021-12-01 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップｌｅｄ |
| CN107464859A (zh) * | 2016-06-03 | 2017-12-12 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管结构、组件及其制造方法 |
| CN108336075B (zh) * | 2017-01-20 | 2020-03-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法 |
| FR3087936B1 (fr) * | 2018-10-24 | 2022-07-15 | Aledia | Dispositif electronique |
| US20220093579A1 (en) * | 2019-01-28 | 2022-03-24 | Sakai Display Products Corporation | Micro led device and method for manufacturing same |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2950106B2 (ja) * | 1993-07-14 | 1999-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 光素子実装体の製造方法 |
| JP2001345484A (ja) | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードチップ及び発光ダイオードランプ |
| US20020017652A1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
| JP4639520B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体チップの製造方法 |
| RU2207663C2 (ru) * | 2001-07-17 | 2003-06-27 | Ооо Нпц Оэп "Оптэл" | Светодиод |
| US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| JP4357311B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-11-04 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードチップ |
| JP4386789B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2009-12-16 | ローム株式会社 | 発光ダイオード素子の製造方法 |
| US7361938B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| JP4667803B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2011-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102004060358A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
| US7256483B2 (en) | 2004-10-28 | 2007-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package-integrated thin film LED |
| JP4901117B2 (ja) | 2005-03-04 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| KR100606551B1 (ko) | 2005-07-05 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 제조방법 |
| KR100723247B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| CN100452327C (zh) * | 2006-05-19 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法 |
| KR101271225B1 (ko) | 2006-10-31 | 2013-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법 |
| TW200830577A (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-16 | Uni Light Touchtek Corp | Method for manufacturing light emitting diode devices |
| EP2109651B1 (en) | 2007-02-07 | 2011-09-28 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter |
| JP5158472B2 (ja) | 2007-05-24 | 2013-03-06 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2009
- 2009-10-12 US US12/577,623 patent/US8236582B2/en active Active
-
2010
- 2010-03-29 TW TW099109424A patent/TWI528593B/zh active
- 2010-04-06 JP JP2012507854A patent/JP5647229B2/ja active Active
- 2010-04-06 EP EP10718705.6A patent/EP2425462B1/en active Active
- 2010-04-06 RU RU2011148896/28A patent/RU2524048C2/ru active
- 2010-04-06 CN CN201080019399.8A patent/CN102439739B/zh active Active
- 2010-04-06 KR KR1020117028811A patent/KR101663340B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-06 WO PCT/IB2010/051489 patent/WO2010125482A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012525697A (ja) | 2012-10-22 |
| EP2425462A1 (en) | 2012-03-07 |
| EP2425462B1 (en) | 2013-07-03 |
| US8236582B2 (en) | 2012-08-07 |
| RU2524048C2 (ru) | 2014-07-27 |
| CN102439739B (zh) | 2015-11-25 |
| WO2010125482A1 (en) | 2010-11-04 |
| US20100029023A1 (en) | 2010-02-04 |
| TW201044641A (en) | 2010-12-16 |
| CN102439739A (zh) | 2012-05-02 |
| TWI528593B (zh) | 2016-04-01 |
| KR101663340B1 (ko) | 2016-10-06 |
| JP5647229B2 (ja) | 2014-12-24 |
| KR20120014021A (ko) | 2012-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011148896A (ru) | Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока | |
| US11791446B2 (en) | Micro-device with strengthened connecting layers | |
| JP6203759B2 (ja) | Ｌｅｄチップの製造方法 | |
| KR101931395B1 (ko) | 가요성 발광 반도체 디바이스 | |
| JP2022126660A (ja) | 発光素子の選択領域におけるエラストマー層の形成 | |
| TWI572068B (zh) | 發光元件 | |
| US10600941B2 (en) | Electronic device and method for fabricating the same | |
| JP6668608B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| EP2056363A3 (en) | Light emitting diode package and method for fabricating same | |
| JP2012529772A (ja) | 基板から電気的に絶縁されたｐ型およびｎ型のコンタクトをもつ薄膜ＬＥＤ | |
| WO2012106110A3 (en) | Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal leds | |
| JP2013077679A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| KR101622399B1 (ko) | Ｌｅｄ 장치 | |
| US11011670B2 (en) | Optical device layer transferring method | |
| JP2016521013A5 (ru) | ||
| CN102709204B (zh) | 一种led芯片的键合方法 | |
| JP4409560B2 (ja) | 半導体素子のヒートシンクの製造方法 | |
| CN112820752B (zh) | 微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法 | |
| CN104518067B (zh) | 一种长寿命led发光模组及其加工方法 | |
| KR102650690B1 (ko) | Uv led 패키지 | |
| TW200614524A (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| TWI440223B (zh) | 背切式發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| JP2009182072A (ja) | 半導体発光装置 | |
| TWI602326B (zh) | 發光元件 | |
| TW201743479A (zh) | 發光元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |