JP2012525697A - 無パッケージのｌｅｄのエッジ発光の制御 - Google Patents

Abstract

発光ダイオード（LED）がウェーハ規模で製造される。製造方法は、切り離されたLEDをキャリヤ・ウェーハ又は伸縮性フィルム上に載置するステップと、LED間に隙間をつくるためにLEDの間隔を拡げるステップと、反射コーティングをLED上及びLED間の隙間に付加するステップと、LED間の隙間にある反射コーティングを、多少の反射コーティングがLEDの横方向の側面上に残留するよう破壊又は分離するステップと、を含む。LEDの横方向の側面上にある反射コーティングの部分が、エッジ発光を制御するのを助けることができる。

Description

本出願は、2009年5月1日に出願された「無パッケージのLEDのエッジ発光の制御」という表題の米国特許公報US 12/433,972の一部継続出願であり、当該公報は本願明細書で普通に指定され、組み込まれている。本出願は、2008年7月24日に出願された「ウインドウ層と導光構造とを含む半導体発光デバイス」という表題の米国特許公報US 12/178,902号に関連しており、当該公報は本願明細書で普通に指定され、組み込まれている。

本発明は発光ダイオード（LED）、特に無パッケージのLEDに関する。

半導体LEDは、現在利用可能な最も効率的な光源の一つである。可視スペクトルをカバーして動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在関心のある材料システムは、III群乃至V群の半導体、例えば、ガリウム（Ga)、アルミニウム（Al)、インジウム（In)、窒素（Ni)、リン（P)、及びヒ素（As)の二元、三元、及び四元の合金を含む。III群乃至V群のデバイスは、可視スペクトルをカバーする光を発する。GaAsベース及びGaPベースのデバイスは、黄色から赤色など、より長い波長の光を発するためにしばしば用いられ、一方、三元の窒素化合物のデバイスは、近紫外線から緑色など、より短い波長の光を発するためにしばしば用いられる。

サファイヤの結晶構造が窒化ガリウムの結晶構造と類似しているため、窒化ガリウム（GaN)のLEDは透明なサファイヤ成長基板を通常使用する。

GaNのLEDの幾つかは、両方の電極を同じ表面上に備えたフリップチップとして形成され、LEDの電極は、ワイヤボンディングを使用すること無くサブマウント上の電極に接続される。この場合、光は透明なサファイヤ基板を通じて伝播され、LED層がサブマウントに向かい合わせになる。サブマウントは、LEDと外部電源との間のインターフェースを提供する。回路基板にワイヤボンディング又は表面実装するために、LEDの電極へと接続されたサブマウント上にある電極がLEDを越えて延在してもよいし、又はサブマウントの反対側まで延在してもよい。

本発明の幾つかの実施例では、デバイス・ウェーハ上にある複数の発光ダイオード（LED）のチップは、LED間に隙間をつくるために間隔を拡げられて、反射性のコーティングが、LEDの上とLED間の隙間とに付加される。LEDの間隔が再度拡げられたとき、反射コーティングの一部がLEDの横方向の側面に残留する。LEDの横方向の側面上の反射コーティングは、エッジ発光を制御し、角度に対する色の均一性を改善し、輝度を改善する。反射コーティングは反射粒子を有するポリマ若しくは樹脂、又は薄い金属フィルムでもよい。

LEDのエッジ発光を制御するために反射コーティングを使用する発光ダイオード（LED）をウェーハ規模で製造するための方法のフロー図を示す。 図2〜図13は反射コーティングが反射粒子を有するポリマ又は樹脂である場合の図1の方法のプロセスにおける断面図を例示する。 成長ウェーハ上に形成されたLEDの断面図を示す。 形成されたデバイス・ウェーハ上にキャリヤ・ウェーハを接合する様子を示す。 デバイス・ウェーハがひっくり返され、成長ウェーハが取り除かれる様子を示す。 光の抽出を改善するために、n型層が凹凸を付けられたことを示す。 ウインドウ・ウェーハがデバイス・ウェーハに接合される様子を示す。 キャリヤ・ウェーハがデバイス・ウェーハから取り除かれる様子を示す。 デバイス・ウェーハが底面側から伸縮性フィルムに載置される様子を示す。 LEDを横方向に切り離し、チップ間に隙間をつくるために伸縮性フィルムが伸張された様子を示す。 反射粒子を有するポリマ又は樹脂による反射コーティングが付加された様子を示す。 更に横方向にLEDを切り離すために伸縮性フィルムが再度伸張された様子を示す。 LEDの上部の反射コーティングのあらゆる部分が取り除かれた様子を示す。 LEDがひっくり返され、別の伸縮性フィルムに載せ換えられた様子を示す。 図14〜図17は反射コーティングが薄い金属フィルムである場合の図1の方法のプロセスにおける断面図を例示する。 薄い金属フィルムによる反射コーティングが付加された様子を示す。 横方向にLEDを切り離すために伸縮性フィルムが再度伸張された様子を示す。 LED上部の薄い金属フィルムの部分が取り除かれる様子を示す。 LEDがひっくり返され、別の伸縮性フィルム1302に載せ換えられた様子を示す。

複数の異なる図における同じ参照番号の使用は、類似のエレメント又は同一のエレメントを示す。

図1は、LEDのエッジ発光を制御するために反射性のコーティングを使用する、本発明の幾つかの実施例による発光ダイオード（LED）をウェーハ規模で製造する方法100のフロー図を示す。当該方法100はプロセス102乃至プロセス130を含む。

プロセス102において、一例であるLED200が成長ウェーハ上に形成される。説明を簡単にするために、たった一つのLED200が図2に例示されている。LED200は、成長ウェーハ202と、成長ウェーハ上でエピタキシャルに成長したn型層204と、n型層上でエピタキシャルに成長した（「活性層」とも普通に呼ばれる）発光層206と、発光層上でエピタキシャルに成長したp型層208と、p型層上に形成された導電性のある反射層210と、当該導電性のある反射層上に形成された保護金属層212と、を含む。誘電体214が上記の構造の上に形成される。n型層204へのアクセス、及びp型層208に対する導電性の反射層210へのアクセスを提供するために、複数の開口部が種々異なる層に形成される。一つ以上のn型のボンディングパッド216がn型層204を電気的に接触させるために形成され、一つ以上のp型のボンディングパッド218が反射層210を電気的に接触させるために形成される。本方法100が、LED200の代わりに、エッジ発光を有する他のタイプのLED又は他の発光デバイスに適用されてもよい。プロセス102の後にプロセス104が続く。

プロセス104において、キャリヤ・ウェーハ302がデバイス・ウェーハ220に一時的に接合される。これ以降「デバイス・ウェーハ220」は、プロセスにおいてLED200を含むウェーハ規模での構造を指す。除去可能な接着剤304がデバイス・ウェーハ220上に最初に付加され、図3に示すように、次にキャリヤ・ウェーハ302がデバイス・ウェーハの表面に接合される。接着剤304は熱解放型、溶媒解放型、又は露光解放型の接着剤である。除去可能な接着剤302は、スピン塗布プロセス、ワイピング塗布プロセス、スプレー塗布プロセス、又は他の適切なプロセスで付加されることができる。プロセス104の後にプロセス106が続く。

プロセス106において、図4に示すようにデバイス・ウェーハ220がひっくり返され、成長ウェーハ202が取り除かれる。成長ウェーハ202はレーザリフトオフ法によって取り除かれてもよい。プロセス106の後にプロセス108が続く。

プロセス108において、図5に示すようにn型層204は、光の抽出を改善するために凹凸を付けられる。n型層204は物理的なプロセス（例えば研削又はラッピング）又は化学的なプロセス（例えばエッチング）で凹凸を付けられてもよい。例えばn型層204は、フォト電気化学エッチングによって凹凸を付けられてもよい。プロセス108の後にプロセス110が続く。

プロセス110において、図6に示すようにウインドウ・ウェーハ602がデバイス・ウェーハ220に接合される。透明な接着剤604が、デバイス・ウェーハ220上に最初に付加され、次にウインドウ・ウェーハ602がデバイス・ウェーハの上部に接合される。

透明な接着剤604は、シリコン、エポキシ、又は他の適切な材料である。透明な接着剤604は、スピン塗布プロセス、ワイピング塗布プロセス、スプレー塗布プロセス、又は他の適切なプロセスで付加される。当該透明な接着剤604は1.4以上の屈折率を有する。

ウインドウ・ウェーハ602が酸化物ガラス、セラミック、又は他の類似の誘電材料を含むか又はこれらの材料で構成される場合、デバイス・ウェーハ220の凹凸の付けられた面に付加される透明な接着剤604が、酸化物、ガラス、又は他の適切な誘電性の接合層と置き換えられる。一つ以上の実施例では、当該接合層は二酸化珪素又は酸窒化シリコンである。一つ以上の実施例では当該接合層は、2009年9月17日に出願された米国特許公報US 12/561,342、出願人整理番号PH012893US1において開示されている酸化アルミニウム、酸化アンチモン、酸化ヒ素、ビスマス酸化物、酸化ホウ素、臭化鉛、塩化鉛、酸化鉛、酸化リチウム、酸化リン、フッ化カリウム、酸化カリウム、酸化シリコン、酸化ナトリウム、酸化テルル、酸化タリウム、酸化タングステン、フッ化亜鉛、及び酸化亜鉛など、何れかの透明な接合材料である。米国特許公報US 12/561,342は本発明と共願され、引用され組み込まれている。

接合層は、化学蒸着（CVD）、プラズマ強化CVD（PECVD）、又は他の適切な蒸着技術を介してデバイス・ウェーハ220に付加される。接合層の表面及び/又はウインドウ・ウェーハの表面が、化学機械平坦化（CMP）又は他の適切な研磨テクニックを介して研磨される。ウインドウ・ウェーハ602は次に、直接分子結合、融着、又は陽極接合を用いてデバイス・ウェーハ220へと接合される。

ウインドウ・ウェーハ602は、後続するプロセスのために機械的な強度をデバイス・ウェーハ220に提供する。ウインドウ・ウェーハ602は、信号燈用の琥珀色又は白色発光素子用の複数の色など、所望の色を提供するために発光スペクトルを変換するための波長変換構造部を含む。波長変換構造部はセラミック蛍光体、サファイヤ層、若しくはガラス層などの適切な透明基板又は透明担体、さもなければ分布ブラッグ反射器などのフィルタでもよい。セラミック蛍光体の構造部が米国特許公報US 7,361,938において詳細に説明されており、本願明細書でも普通に指定され、引用されて組み込まれている。プロセス110の後にプロセス112が続く。

プロセス112において、図7に示すように、キャリヤ・ウェーハ302がデバイス・ウェーハ220から取り除かれる。キャリヤ・ウェーハ302は、軟化させるために熱を加えることによって、溶解させるために溶媒を付加することによって、又は接着剤を光化学的に変化させるために光を照射することによって取り除かれる。残存している何らかの一時的な接着剤304も、適切な溶媒により除去されることができる。プロセス112の後にプロセス114が続く。

プロセス114において、図8に示すように、デバイス・ウェーハ220は底面側から伸縮性フィルム802に載置される。当該伸縮性フィルム802は、可撓性（伸長可能な）基板に対して粘着性を与える青色テープ、白色テープ、UVテープ、又は他の適切な材料である。プロセス114の後にプロセス116が続く。伸縮性フィルムは、例えば古河電気及びSemiconductor Equipment社から市販されている。

プロセス116において、デバイス・ウェーハ220のLED200が個々のチップへと切り離される。LED200はレーザ、画線器、又は鋸を用いて切り離される。この時点でLED200は、テスト可能な基本的に完結したデバイスである。しかしながら当該LED200は、角度に対する色の均一度を劣化させるエッジ発光をもっている。プロセス116の後にプロセス118が続く。

プロセス118において、図9に示すように、LED200の間隔を横方向に拡げ、チップ間に隙間をつくるために伸縮性フィルム802が伸張される。代替の実施例では、LED200が伸縮性フィルム802から剛体のキャリヤ・ウェーハへと載せ換えられる。LED間に隙間をつくるために、LED200はテープに載せ換えられてもよいし、又は取り上げられて剛体のキャリヤ・ウェーハ上に載置されてもよい。LED200がテープに載せ換えられた場合、当該LEDを剛体のキャリヤ・ウェーハに載せ換える前にLED間に隙間をつくるために、伸縮性フィルム802が伸張される。プロセス118の後にプロセス120が続く。

プロセス120において、反射コーティングがLED200の上部及び同チップ間の隙間に付加される。反射コーティングが付加される前に、反射率を上昇させるため及び/又は反射コーティングがLEDを短絡させるのを防止するために、誘電体がLED200の上部及び/又は側面に蒸着される。当該誘電体は非反射特性を有し、例えば二酸化珪素（SiO₂）、フッ化マグネシウム（MgF₂）、窒化シリコン（Si₃N₄又はSiN_x）などのフィルムである。

実施例によっては反射コーティングは、図10で示すような反射粒子を有するポリマ又は樹脂1002でもよいし（これ以降ひとまとめにして「反射コーティング1002」とする）又は図14で示すような薄い金属フィルム1402でもよい。プロセス120乃至プロセス130は、最初に反射コーティング1002を使用している実施例に対して図10乃至図13を引用して説明され、次に薄い金属フィルム1402を使用している実施例に対して図14乃至図17を引用して説明される。

図10を参照すると、反射コーティング1002がLED200の上部に付加されている。反射コーティング1002の凹メニスカスが、LED200間の隙間に形成されている。反射コーティング1002はシリコン、エポキシ、アクリルなどでもよい。反射コーティング1002中の反射粒子は酸化チタン、酸化亜鉛、シリカ、アルミナ、又は酸化ジルコニウムでもよい。反射コーティング1002はソル‐ゲル・プロセス、ワイピング塗布プロセス、又はスピン塗布プロセスにより付加されることができる。

代替的には反射コーティング1002は、モールド成形プロセスを用いてLED200間の隙間のみに付加されてもよい。モールド成形プロセスではLED200は、LED間の隙間のみを反射コーティング材の通路として残すようLEDの上部と底部とに型部材が載置された金型内に置かれる。次に反射コーティング材が金型内へと導かれ、LED200間の隙間に強制的に通過させられる。プロセス120の後にプロセス122が続く。

プロセス122において、LED200間の隙間の反射コーティング1002は（反射率を増すため及び/又は短絡を防止するための誘電体コーティングの有無にかかわらず）オプションで破壊されるか又は弱められる（例えば切断される）。LED200間の隙間にある反射コーティング1002が、レーザ、画線器、又は鋸によって破壊又は弱められてもよい。反射コーティング1002が脆い場合、LED間の隙間にある反射コーティングを破壊又は弱めるために、丸みをつけられた棒の上をLED200が通過する棒破壊プロセスが用いられることが可能である。反射コーティング1002を弱める凹メニスカスがLED200間の隙間に自動的に形成された場合、反射コーティング1002が破壊又は弱められる必要はないかもしれない。プロセス122の後にプロセス124が続く。

プロセス124において、図11に示すように、横方向にLED200の間隔を更に拡げるために伸縮性フィルム802が再度伸張される。このステップは、剛体のキャリヤ・ウェーハを用いたプロセス118の代替実施例では実施されない。プロセス124の後にプロセス126が続く。

プロセス126において、図12に示すように、LED200の上部の反射コーティング1002のあらゆる部分が取り除かれる。結局、LEDデバイス200の横方向の側面にある反射コーティング1002の部分だけが残る。LED200の横方向の側面にある反射コーティング1002の部分がエッジ発光を制御し、角度に対する色の均一度を改善し、明るさを改善する。LED200の上部の反射コーティング1002の部分は、リフトオフ法、エッチング、レーザ・アブレーション、又は研磨グリットブラストによって取り除かれる。反射コーティング1002がLED200上に形成される前に、リフトオフ法用の犠牲層がプロセス120で蒸着されてもよい。プロセス126の後にプロセス128が続く。

プロセス128において、図13に示すように、LED200がひっくり返され、別の伸縮性フィルム1302に載せ換えられる。LED200が伸縮性フィルム1302へと底面から載置され、次に伸縮性フィルム802が除去され、LEDのn型ボンディングパッド216及びp型ボンディングパッド218（図13には示されていない）がテストのために上側に露出する。ボンディングパッド216及び同218が第1の伸縮性フィルム802を通してアクセス可能である場合、LEDを第2の伸縮性フィルム1302に載せ換えることなく当該LED200をテストすることが可能である。プロセス128の後にプロセス130が続く。

プロセス130において、LEDが伸縮性フィルム1302に貼られると共に、個々のLED200がテストされる。

プロセス120乃至プロセス130がここで、薄い金属フィルム1402を用いている実施例に対して図14乃至図17を引用して説明される。

図14を参照すると、薄い金属フィルム1402がLED200の上面及び側面、並びに同チップ間の隙間に形成される。薄い金属フィルム1402はアルミニウム（Al）、銀（Ag）、クロミウム（cr）、金（Au）、ニッケル（Ni）、バナジウム（V）、プラチナ（Pt）、パラジウム（Pd）等などの何らかの反射する金属又は合金、及びこれらの組み合わせである。薄い金属フィルム1402が蒸着又はスパッタリングにより形成されてもよい。プロセス120の後にプロセス122が続く。

プロセス122において、LED200間の隙間にある薄い金属フィルム1402は、オプションで破壊又は弱められる（例えば切断される）。LED200間の隙間にある反射コーティング1402は、レーザ、画線器、又は鋸によって破壊又は弱められることが可能である。反射コーティング1402が脆い場合、LED間の隙間にある反射コーティングを物理的に破壊又は弱めるために、丸みをつけられた棒の上をLED200が通過する棒破壊プロセスが用いられることが可能である。剛体のキャリヤ・ウェーハを用いるプロセス118の代替実施例では、LED200間の隙間にある薄い金属フィルム1402がエッチングされることができる。プロセス122の後にプロセス124が続く。

プロセス124において、図15に示すように、横方向にLED200の間隔を更に拡げるために伸縮性フィルム802が再度伸張される。このステップは、剛体のキャリヤ・ウェーハを用いるプロセス118の代替実施例においては実施されない。プロセス124の後にプロセス126が続く。

プロセス126において、図16に示すように、LED200上部の薄い金属フィルム1402の部分が取り除かれる。結局、LEDデバイス200の横方向の側面にある薄い金属フィルム1402の部分だけが残る。LED200の横方向の側面にある薄い金属フィルム1402がエッジ発光を制御し、角度に対する色の均一度を改善し、明るさを改善する。LED200の上部にある薄い金属フィルム1402の部分は、リフトオフ法、エッチング、レーザ・アブレーション、又は研磨グリットブラストによって取り除かれる。反射コーティング1402がLED200上に形成される前に、リフトオフ法用の犠牲層がプロセス120で蒸着されてもよい。剛体のキャリヤ・ウェーハを用いるプロセス118の代替実施例では、プロセス122及び同126は、一回のエッチングに集約されることができる。プロセス126の後にプロセス128が続く。

プロセス128において、図17に示すように、LED200がひっくり返され、別の伸縮性フィルム1302に載せ換えられる。LED200が底面から伸縮性フィルム1302へと載置され、次に伸縮性フィルム802が除去されて、LEDのn型ボンディングパッド216及びp型ボンディングパッド218（図13には示されていない）がテストのために上側に露出する。ボンディングパッド216及び同218が第1の伸縮性フィルム802を通してアクセス可能である場合、LEDを第2の伸縮性フィルム1302に載せ換えることなくLED200をテストすることが可能である。プロセス128の後にプロセス130が続く。

プロセス130において、LEDが伸縮性フィルム1302に貼られると共に、個々のLED200がテストされる。開示された実施例の特徴の様々な組合せ及び様々の他の改作は本発明の範囲内である。例えば反射コーティングが、反射粒子を加えられた重合樹脂である場合、光学拡散体として役立つため、又はチップの上部を反射粒子と同色（例えば白）に見えさせるために、非常に薄い層がLED200の上部に残ってもよい。多数の実施例が以下の請求項に包含される。

Claims (22)

1. 発光ダイオード（LED）構造のウェーハ規模での製造のための方法であって、当該方法は、
   −LEDを備えたデバイス・ウェーハを形成するステップと、
   −当該デバイス・ウェーハ中の前記LEDを切り離すステップと、
   −前記LED間に隙間をつくるために当該LEDを離すステップと、
   −前記LED間の隙間に反射コーティングを付加するステップと、
   −前記LED間の隙間にある前記反射コーティングを破壊又は分離するステップと、
   を含み、
   エッジ発光を制御するために、前記LEDの横方向の側面上にある前記反射コーティングの部分が残存することを特徴とする、方法。
2. 前記反射コーティングが、反射粒子を有するポリマ又は樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記反射コーティングがシリコン、エポキシ、又はアクリルであり、前記反射粒子が酸化チタン、酸化亜鉛、シリカ、アルミナ、又は酸化ジルコニウムであることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記LED間の隙間に前記反射コーティングを付加するステップが、ソル‐ゲル・プロセス、ワイピング塗布プロセス、スピン塗布プロセス、又は成形プロセスにて当該反射コーティングを付加するステップを含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
5. 前記反射コーティングが薄い金属フィルムであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
6. 前記反射コーティングはアルミニウム、銀、クロミウム、金、ニッケル、バナジウム、プラチナ、パラジウム、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 前記LED間の隙間に前記反射コーティングを付加するステップが、蒸着又はスパッタリングによって当該反射コーティングを付加するステップを含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
8. 前記デバイス・ウェーハ中の前記LEDを切り離すのに先立ち、当該LEDを備えた前記デバイス・ウェーハを伸縮性フィルムに載置するステップを更に含み、
   前記LEDを離すステップが、当該LED間に隙間をつくるために前記伸縮性フィルムからキャリヤ・ウェーハへと前記LEDを移すステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
9. 前記デバイス・ウェーハ中の前記LEDを切り離すのに先立ち、当該LEDを備えた前記デバイス・ウェーハを前記伸縮性フィルムに載置するステップを更に含み、
   前記LEDの間隔を拡げるステップが、前記反射コーティングを前記LED上と当該LED間の隙間とに付加するのに先立ち、当該LEDの間隔を横方向に拡げるために前記伸縮性フィルムを伸張させるステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
10. 前記LED間の隙間にある前記反射コーティングを破壊又は分離するステップが、
    −前記LED間の隙間にある前記反射コーティングを破壊又は弱めるステップと、
    −前記LEDの間隔を更に拡げるために前記伸縮性フィルムを再度伸張させるステップと、
    を含むことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
11. 前記LEDの上部からあらゆる反射コーティングを除去するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
12. 前記LEDの上部から前記反射コーティングを除去するステップが、リフトオフ法、エッチング、レーザ・アブレーション、又はグリットブラストを含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
13. 前記LEDを当該LEDの他の側から他の伸縮性フィルムに載置するステップと、
    前記伸縮性フィルムを当該LEDから取り除くステップと、
    を更に含む。請求項１１に記載の方法。
14. 前記LEDを前記他の伸縮性フィルムに載置した後に、当該LEDの他の側から当該LEDをテストするステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記LEDを備え前記デバイス・ウェーハを形成するステップが、
    −当該デバイス・ウェーハを形成するためにLEDデバイスを成長ウェーハ上に形成するステップであって、当該LEDデバイスが前記成長ウェーハ上にn形層、当該n形層上にある発光層、及び当該発光層上にあるp型層を有する、ステップと、
    −キャリヤ・ウェーハを前記n型層よりも前記p型層に近い側にある前記デバイス・ウェーハのp面に接合するステップと、
    −前記成長ウェーハを前記p型層よりも前記n型層に近い側にある前記デバイス・ウェーハのn面から取り除くステップと、
    −ウインドウ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記n面に接合するステップと、
    −前記キャリヤ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記p面から取り除くステップと、
    を含む、請求項１に記載の方法。
16. 前記キャリヤ・ウェーハを接合するステップが、当該キャリヤ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記p面に接合するために熱、溶媒、又は露光解放型接着剤を使用するステップと、
    前記キャリヤ・ウェーハを取り除くステップが、前記デバイス・ウェーハから当該キャリヤ・ウェーハを解放するために熱、溶媒、又は光を使用するステップと、
    を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
17. 前記成長ウェーハを取り除くステップが、当該成長ウェーハを前記デバイス・ウェーハから解放するためにレーザリフトオフ法を使用するステップを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
18. 前記ウインドウ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記n面に接合するのに先立ち、前記n形層に凹凸を付けるステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
19. 前記ウインドウ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記n面に接合するステップが、前記ウインドウ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記n面に接合するためにシリコン又はエポキシを当該デバイス・ウェーハの前記n面に付加するステップを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
20. 前記ウインドウ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記n面へと接合するステップが、直接分子結合、融着、又は陽極接合を使用するステップを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
21. 前記ウインドウ・ウェーハを前記デバイス・ウェーハの前記n面に接合するのに先立ち、酸化物又はガラスの層を前記デバイス・ウェーハの前記n面上に形成するステップを更に含む、請求項２０に記載の方法。
22. 前記LEDデバイスが、前記p型層上にボンディングパッドを更に有し、各々のボンディングパッドが前記n形層又は前記p型層に電気的に結合されていることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。

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