RU2467962C1 - Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол - Google Patents

Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол Download PDF

Info

Publication number
RU2467962C1
RU2467962C1 RU2011116695/03A RU2011116695A RU2467962C1 RU 2467962 C1 RU2467962 C1 RU 2467962C1 RU 2011116695/03 A RU2011116695/03 A RU 2011116695/03A RU 2011116695 A RU2011116695 A RU 2011116695A RU 2467962 C1 RU2467962 C1 RU 2467962C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
glass
reactor
iodides
synthesis
melt
Prior art date
Application number
RU2011116695/03A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Федорович Чурбанов
Алексей Алексеевич Сибиркин
Александр Павлович Вельмужов
Владимир Семенович Ширяев
Евгений Михайлович Дианов
Виктор Геннадьевич Плотниченко
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН)
Priority to RU2011116695/03A priority Critical patent/RU2467962C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2467962C1 publication Critical patent/RU2467962C1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/32Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
    • C03C3/321Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
    • C03C3/323Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te containing halogen, e.g. chalcohalide glasses

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к материалам для волоконной оптики и касается разработки способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона. Техническим результатом изобретения является снижение загрязняющих примесей в составе стекол. Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол включает загрузку компонентов шихты в реактор, при этом в качестве компонентов шихты используют халькогены и другие исходные веществ -макрокомпоненты стекла, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизацию и охлаждение. При этом в качестве компонентов шихты, наряду с халькогенами, используют летучие иодиды элементов. Синтез стеклообразующих соединений ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией, при управляемой скорости нагрева и выводе из реактора йода, образующегося при химическом превращении исходных йодидов, и возвращении в зону реакции непрореагировавших йодидов элементов до достижения заданного макросостава расплава. 1 пр., 1 табл.

Description

Заявляемое изобретение относится к материалам для волоконной оптики и касается разработки способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона. К тугоплавким халькогенидным стеклам относятся стекла с температурой стеклования выше 250°С, содержащие германий, сурьму, селен, серу, при концентрации йода не более 5-15% ат.
Халькойодидные стекла относятся к наиболее перспективным стеклам для волоконной оптики среднего ИК-диапазона. Это обусловлено их высокой прозрачностью в спектральном ИК-диапазоне 5-12 мкм.
В традиционных способах получения халькойодидных стекол исходными веществами служат элементы - макрокомпоненты стекла как компоненты шихты, плавлением которой синтезируют стеклообразующий расплав требуемого состава (см., например, Виноградова Г.З. - Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Изд-во «Наука». М, 1984, с.86, 100, 106).
Известный способ включает загрузку компонентов шихты в реактор, в заданных количествах, его вакуумирование, синтез стеклообразующего расплава в запаянном вакуумированном реакторе, его гомогенизацию и отверждение в стекло. Взвешивание исходных элементов даже в защитной атмосфере, последующее их измельчение и загрузка в реактор приводят к появлению на их поверхности оксидов и воды. Полное их удаление при вакуумировании реактора с шихтой не достигается, в том числе и из-за высокой летучести йода. Более того, способ не позволяет получать чистые халькойодидные стекла, в состав которых входят тугоплавкие элементы, например Ge (температура плавления 937°С). Синтез германийсодержащих халькойодидных стекол ведут при высокой температуре, порядка 800-900°С в течение длительного времени, что приводит к сильному загрязнению стекол материалом аппаратуры.
Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения тугоплавких высокочистых халькойодидных стекол заданного состава.
Эта задача решается за счет того, что в известном способе получения особо чистых халькойодидных стекол, включающем загрузку компонентов шихты в реактор, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизацию и охлаждение, согласно заявляемому изобретению, в качестве шихты, наряду с халькогенами, используют летучие иодиды элементов, синтез стеклообразующего расплава ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией, при управляемой скорости нагрева и выводе из реактора йода, образующего при химическом превращении исходных йодидов и возвращением в реакционную зону непрореагировавших иодидов, до достижения заданного содержания йода в расплаве.
Новым в способе является то, что в качестве компонентов шихты стеклообразующих соединений, наряду с халькогенами, используют летучие иодиды элементов в стеклообразующем соединении. Температуры плавления иодидов значительно ниже температур плавления простых веществ, например, температуры плавления германия и йодида германия составляют 937°С и 146°С, соответственно, температуры плавления сурьмы и йодида сурьмы составляют 631°С и 178°С, соответственно. Иодиды элементов реагируют с халькогенами при более низкой температуре, чем элементы. Это позволяет снизить температуру синтеза стеклообразующих соединений, продолжительность гомогенизации расплава и тем самым снизить возможность загрязнения стеклообразующего расплава материалом аппаратуры. В сравнении с прототипом, максимальная температура на всех этапах процесса на 150-250°С ниже температуры синтеза стекол из элементов.
Новым в способе является то, что, синтез стеклообразующего расплава ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией. При этом синтез ведут при управляемой скорости нагрева и вывода из реактора йода, образующегося при химическом превращении исходных йодидов, и возвращении в реакционную зону непрореагировавших йодидов, до достижения заданного содержания йода в расплаве. Это обеспечивает получение халькойодидных стекол заданного макросостава.
Селективное удаление йода из стеклообразующего расплава с одновременным сохранением в нем макрокомпонентов решается за счет того, что синтез ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией. При проведении синтеза в таком аппарате для полного разделения йодидов германия и сурьмы от йода массообменная секция должна обеспечивать эффективность разделения, обеспечиваемого 2-3 теоретическими ступенями разделения.
Упомянутые признаки являются существенными, т.к. каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи - разработки способа получения тугоплавких высокочистых халькойодидных стекол заданного состава. При этом максимальная температура на всех этапах процесса на 200-300°С ниже температуры синтеза стекол из элементов, что значительно снижает загрязняющее действие материала реактора.
Получены стекла систем Ge-S-I, Ge-Se-I, Ge-Se-Те-I, Ge-Sb-S-I, Ge-Ga-Те-I, Ge-Sb-Se-I. Содержание примесей по данным лазерной масс-спектрометрии: Si≤1·10-4 мас.%, содержание Fe, K, Ca-(2÷5)·10-5 мас.%, содержание примесей переходных элементов ниже предела обнаружения (см. таблицу). Содержание примеси водорода в форме Ch-Н, где Ch - атом халькогена, по данным ИК-спектроскопии, составляет (3÷5)·10-5% мол.
Пример.
В реактор, выполненный из кварцевого стекла, загружают йодид германия, йодид сурьмы и серу в количествах 259,4 г, 89,76 г и 34,44 г, соответственно. Реактор с упомянутым содержимым помещают в печь резистивного нагрева. При нагревании пар, находящийся над расплавом, поступает в разделительную секцию. Ее температура обеспечивает конденсацию йода в жидкость, которая течет вниз по секции. Часть жидкого йода, обогащенного йодидами германия, в виде флегмы стекает обратно в реактор, а часть йода отбирают в приемник. При этом происходит эффективное отделение йодидов германия и сурьмы от йода, образующегося при химическом превращении упомянутых йодидов. Синтез стеклообразующих соединений ведут при контролируемой скорости нагрева расплава и селективном удалении йода. В процессе синтеза температуру реакционной камеры поднимают ступенчато или плавно. Отбор йода ведут до достижения заданного макросостава расплава. Масса отобранного йода, в данном случае для получения стекла системы Ge-Sb-S-I с содержанием йода 10% ат., составляет 283 г. После этого реактор охлаждают, вакуумируют, отпайкой отделяют от основной системы и ведут гомогенизацию полученного расплава. Температура синтеза не превышает 650°С. После гомогенизации реактор извлекают из печи и отверждают расплав в стекло. Отжиг стекла проводят для снятия механических напряжений.
Содержание примесей в полученных стеклах составляет: Si≤1.8·10-4 мас.%, Fe, K, Ca-(2÷5)·10-5 мас.%, переходных элементов - ниже предела обнаружения (см. таблицу). Температура на всех этапах процесса не превышает 650°С, в то время как в прототипе эта температура составляет 800-900°С. В сравнении с прототипом, максимальная температура на всех этапах процесса на 150-250°С ниже температуры синтеза стекол из элементов.
Таблица.
Содержание примесей в полученных халькойодидных стеклах
Элемент Концентрация, ppm wt. Элемент Концентрация, ppm wt.
C ≤3.0 Mg <0.05
Al <0.04 K 0.5
Si 1-1.8 Ca 0.5
Ti <0.2 V <0.5
Cr <0.1 Mn <0.1
Fe 0.3 Co <0.1
Ni <0.1 Cu <0.2
Zn <0.3 As ≤7.5
Те <1.3 Sn <1.3
Bi <1.0 W <2.7

Claims (1)

  1. Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, включающий загрузку компонентов шихты в реактор, при этом в качестве компонентов шихты используют халькогены и другие исходные вещества - макрокомпоненты стекла, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизацию и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве компонентов шихты, наряду с халькогенами, используют летучие йодиды элементов, синтез стеклообразующих соединений ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией, при управляемой скорости нагрева и выводе из реактора йода, образующегося при химическом превращении исходных йодидов, и возвращении в зону реакции непрореагировавших йодидов элементов до достижения заданного макросостава расплава.
RU2011116695/03A 2011-04-28 2011-04-28 Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол RU2467962C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011116695/03A RU2467962C1 (ru) 2011-04-28 2011-04-28 Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011116695/03A RU2467962C1 (ru) 2011-04-28 2011-04-28 Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2467962C1 true RU2467962C1 (ru) 2012-11-27

Family

ID=49254844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011116695/03A RU2467962C1 (ru) 2011-04-28 2011-04-28 Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2467962C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2579096C1 (ru) * 2014-11-05 2016-03-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) Способ получения высокочистых халькойодидных стекол
RU2618257C1 (ru) * 2016-01-11 2017-05-03 Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) Способ получения особо чистых стекол системы германий - сера - йод
RU2648389C1 (ru) * 2017-06-20 2018-03-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) Способ получения особо чистых халькогенидных стекол системы германий-селен

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU550351A1 (ru) * 1974-07-26 1977-03-15 Московский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им. М.В.Ломоносова Способ получени халькогенидных стекол
SU833602A1 (ru) * 1979-07-04 1981-05-30 Ужгородский Государственный Университет Способ получени халькогенидныхСТЕКОл
RU2021218C1 (ru) * 1991-05-05 1994-10-15 Санкт-Петербургский государственный технологический университет СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА GeS2
EP1611060B1 (en) * 2003-04-15 2007-06-20 Umicore SA Method for vapor pressure controlled growth of infrared chalcogenide glasses

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU550351A1 (ru) * 1974-07-26 1977-03-15 Московский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им. М.В.Ломоносова Способ получени халькогенидных стекол
SU833602A1 (ru) * 1979-07-04 1981-05-30 Ужгородский Государственный Университет Способ получени халькогенидныхСТЕКОл
RU2021218C1 (ru) * 1991-05-05 1994-10-15 Санкт-Петербургский государственный технологический университет СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА GeS2
EP1611060B1 (en) * 2003-04-15 2007-06-20 Umicore SA Method for vapor pressure controlled growth of infrared chalcogenide glasses

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ВИНОГРАДОВА Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. - М.: Наука, с.86, 100, 106. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2579096C1 (ru) * 2014-11-05 2016-03-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) Способ получения высокочистых халькойодидных стекол
RU2618257C1 (ru) * 2016-01-11 2017-05-03 Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) Способ получения особо чистых стекол системы германий - сера - йод
RU2648389C1 (ru) * 2017-06-20 2018-03-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) Способ получения особо чистых халькогенидных стекол системы германий-селен

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101445323B (zh) 硫系红外玻璃及其制备工艺
EP2226304B1 (en) Infrared transmitting glass suitable for mold forming
JP6806078B2 (ja) 光学ガラス
RU2467962C1 (ru) Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол
CN102531335A (zh) 一种低羟基高纯硫系玻璃的动态全蒸馏提纯方法
CN105502935B (zh) 一种高纯硫系玻璃的制备方法
CN106927673A (zh) 一种光纤用高纯硫系玻璃的制备方法
CN109320093B (zh) 一种透明微晶玻璃材料及其制备方法
CN102786222A (zh) 一种含镓的高熔沸点硫系玻璃的制备装置及制备方法
CN101214935B (zh) 电子级红磷的生产工艺
CN101397190A (zh) 一种硒基透可见硫卤玻璃及其制备方法
WO2013191270A1 (ja) ガラスおよび光学素子の製造方法
Velmuzhov et al. Preparation of high-purity germanium telluride based glasses with low oxygen impurity content
JP5793164B2 (ja) ガラス、光学ガラス、プレス成形用ガラス素材および光学素子
Churbanov Recent advances in preparation of high-purity chalcogenide glasses in the USSR
JP4109105B2 (ja) カルコゲナイドガラスの製造方法
RU2698340C1 (ru) Способ получения особо чистых халькогенидных стекол
RU2455243C1 (ru) Способ получения высокочистых теллуритных стекол
CN103979792A (zh) 一种金掺杂的硫系玻璃及其制备方法
CN108503215B (zh) 一种硫系光学玻璃及其制备方法和光学元件
Guillevic et al. Fabrication of highly homogeneous As2Se3 glass under argon flow
RU2618257C1 (ru) Способ получения особо чистых стекол системы германий - сера - йод
RU2450983C2 (ru) Особо чистый сульфидно-мышьяковый материал для синтеза высокопрозрачных халькогенидных стекол и способ его получения
US9194057B2 (en) Production of radiation-resistant fluoride crystals, in particular calcium fluoride crystals
Vigreux-Bercovici et al. Te-rich Ge–As–Se–Te bulk glasses and films for future IR-integrated optics

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130429

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20141110