RU2465685C2 - Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования - Google Patents

Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования Download PDF

Info

Publication number
RU2465685C2
RU2465685C2 RU2009144002/28A RU2009144002A RU2465685C2 RU 2465685 C2 RU2465685 C2 RU 2465685C2 RU 2009144002/28 A RU2009144002/28 A RU 2009144002/28A RU 2009144002 A RU2009144002 A RU 2009144002A RU 2465685 C2 RU2465685 C2 RU 2465685C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
sensor
cover
circuit
thermal radiation
Prior art date
Application number
RU2009144002/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2009144002A (ru
Inventor
Карстен ГИБЕЛЕР (GB)
Карстен ГИБЕЛЕР
Матиас ШРАЙТЕР (DE)
Матиас ШРАЙТЕР
Йорг ЦАПФ (DE)
Йорг ЦАПФ
Original Assignee
Пайриос Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пайриос Лтд. filed Critical Пайриос Лтд.
Publication of RU2009144002A publication Critical patent/RU2009144002A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2465685C2 publication Critical patent/RU2465685C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/04—Casings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/04—Casings
    • G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
    • G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Устройство (1) для обнаружения теплового излучения в виде стопы (10) из: по меньшей мере одной подложки (11) датчика, содержащей датчик (111) для преобразования теплового излучения в электрический сигнал; по меньшей мере одной подложки (12) контура с по меньшей мере одним считывающим контуром (121, 122) для считывания электрического сигнала; по меньшей мере одной крышки (13), покрывающей датчик; в котором для каждого из указанных элементов: крышка (13), подложка (12) и подложка (11) датчика используется соответствующая пластина; причем подложка датчика помещена между подложкой контура и крышкой; причем указанная стопа (10) представляет собой слоистую структуру; причем подложка датчика и крышка расположены друг относительно друга так, что между датчиком на подложке и крышкой имеется по меньшей мере одна первая полость (14), ограниченная подложкой датчика и крышкой; подложка контура и подложка датчика расположены друг относительно друга так, что между ними имеется по меньшей мере одна вторая полость (15), ограниченная этими подложками; первая и/или вторая полости вакуумированы или выполнены с возможностью их вакуумирования. Также предложен способ изготовления указанного устройства. Устройство согласно изобретению используют в датчиках движения, датчиках присутствия и в тепловизорах. Изобретение обеспечивает возможность создания компактного устройства для обнаружения теплового излучения, которое имеет уменьшенные по сравнению с известными габариты. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к устройству для обнаружения теплового излучения, содержащему по меньшей мере один датчик тепла, преобразующий тепловое излучение в электрический сигнал. В дополнение к устройству предлагаются способ его изготовления и способ использования.
Устройство для обнаружения теплового излучения известно, например, из документа № DE 10004216 А1. Это устройство описано как пиродетектор. Датчик представляет собой пироэлектрический датчик. Он имеет слоеную конструкцию с двумя электродными слоями и размещенным между ними пироэлектрическим слоем из чувствительного материала - титаноцирконата свинца (ТЦС). Электроды изготовлены, например, из платины или тепло-восприимчивого хромоникелевого сплава. Датчик тепла присоединен к подложке датчика из кремния (кремниевая пластина). Для электро- и теплоизоляции между датчиком и его подложкой помещен изолирующий слой. В изолирующем слое имеется вакуумированная полость, по размерам перекрывающая площадь датчика, днище полости и крышка над днищем и полостью. Днище выполнено из поликристаллического кремния. Крышка изготовлена из борофосфосиликатного стекла (БФСС). Для считывания, обработки и передачи сигналов в подложку датчика заделан считывающий контур. Он изготовлен по КМОП-технологии (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник).
Сравнимое устройство для обнаружения теплового излучения известно из документа № DE 19525071 А1. Датчик, как и в описанном выше устройстве, также представляет собой пироэлектрический датчик. Он размещен на слоеной подложке датчика. Датчик прикреплен к кремниевому слою подложки детектора на одном из электродных слоев. К кремниевому слою прилегает электрически изолированная диафрагма подложки детектора. Диафрагма, например, трехслойная, а именно Si3N4/SiO2/Si3N4. Как уже говорилось, диафрагма прикреплена к кремниевому слою подложки датчика. В кремниевом слое имеется окно для прохода излучения, т.е. окно датчика, площадь которого для всех практически значимых целей отвечает поверхности пироэлектрического датчика. Окно датчика представляет собой отверстие в кремниевом слое. То есть, несущий материал (кремний) удален до диафрагмы. Тепловое излучение проходит через окно датчика к датчику, где порождает электрический сигнал, который можно измерить. В связи с этим диафрагма характеризуется хорошей проводимостью теплового излучения. В кремниевый слой, сбоку от датчика, внедрен считывающий контур электрического сигнала. Подложка датчика одновременно служит и подложкой считывающего контура.
Известные датчики можно располагать рядами, образуя т.н. линейку или матрицу датчиков. В этом случае электрический сигнал от каждого из датчиков требуется считывать отдельно. Обычно датчики электрически соединяют с электродными слоями посредством проволочных выводов. Это, однако, означает, что для разводки датчиков требуется значительное место, что влечет за собой ограниченную, сравнительно низкую плотность монтажа датчиков (числа датчиков на единицу площади подложки).
Задача настоящего изобретения - предложить компактное устройство для обнаружения теплового излучения, которое имеет уменьшенные по сравнению с известными габариты.
Эта задача решается посредством устройства для обнаружения теплового излучения, содержащего стопу из:
- по меньшей мере одной подложки датчика;
- по меньшей мере одного датчика тепла для преобразования теплового излучения в электрический сигнал;
- по меньшей мере одной подложки контура со считывающим контуром для считывания электрического сигнала;
- по меньшей мере одной крышки, закрывающей датчик;
отличающегося тем, что подложка датчика и крышка размещены друг относительно друга таким образом, что между датчиком на подложке и крышкой имеется по меньшей мере одна первая полость, ограниченная подложкой датчика и крышкой,
тогда как подложка контура и подложка датчика размещены друг относительно друга таким образом, что между подложкой датчика и подложкой контура имеется по меньшей мере одна вторая полость, ограниченная подложкой датчика и подложкой контура,
и при этом первая и/или вторая полости вакуумированы или выполнены с возможностью вакуумирования.
Далее, для решения указанной задачи описан способ изготовления устройства для обнаружения теплового излучения, предусматривающий этапы, на которых:
a) берут по меньшей мере одну подложку датчика с по меньшей мере одним датчиком тепла для преобразования теплового излучения в электрический сигнал,
берут по меньшей мере одну подложку контура с по меньшей мере одним считывающим контуром для считывания электрического сигнала,
берут по меньшей мере одну крышку для закрытия датчика;
b) собирают в стопу и соединяют между собой подложку датчика, подложку контура и крышку таким образом, что
подложка датчика расположена между подложкой контура и крышкой,
между датчиком на подложке и крышкой имеется по меньшей мере одна полость, ограниченная подложкой датчика и крышкой,
подложка контура и подложка датчика расположены друг относительно друга так, что между ними имеется по меньшей мере одна вторая полость, ограниченная этими подложками,
и при этом первая и/или вторая полости вакуумированы или выполнены с возможностью вакуумирования.
Согласно изобретению можно получить компактную, малогабаритную слоеную конструкцию из подложки датчика, подложки контура и крышки. Крышка защищает датчик от вредного воздействия окружающей среды. К факторам такого воздействия относятся, например, пыль, влажный воздух или агрессивные химикаты, воздействующие на составные части датчика или заметно нарушающие его работу. Измерительный контур может быть внедрен непосредственно в подложку контура, например, посредством КМОП-технологии. Также может быть предусмотрено, что подложка контура соединена с датчиком только одним выводом. Этот провод электрически соединяет датчик с внутренней или внешней специализированной интегральной схемой (СИС). Внешняя СИС может быть неразъемно присоединена. Желательно, чтобы монтаж внешней СИС производился способом перевернутого кристалла (flip chip), как описано ниже. За счет полостей датчик в значительной мере теплоизолирован от подложки контура и от крышки.
Длина волны регистрируемого теплового излучения превышает 1 мкм. Предпочтительно выбирать длину волны в диапазоне 5-15 мкм. Работа датчика тепла основана, к примеру, на эффекте Зеебека. Предпочтительно датчик тепла представляет собой пироэлектрический датчик. Как описано выше, пироэлектрический датчик содержит слой пироэлектрически чувствительного материала, обложенный с двух сторон материалом электродов. Пироэлектрически чувствительный материал представляет собой, например, керамику, как ниобат лития (LiNbO3) или титаноцирконат свинца. Также возможно использование ферроэлектрических полимеров, таких как поливинилиденфторид (ПВДФ). В качестве материалов для электродных слоев можно использовать, например, платину или сплав на ее основе. Также могут быть предусмотрены хромоникелевый электрод или электрод из электропроводного оксида. Обычно датчик имеет форму прямоугольника со стороной порядка 25-200 мкм.
Независимо от того, какой именно эффект используется для обнаружения теплового излучения, в любом случае требуется, чтобы тепловое излучение было поглощено теплочувствительным материалом, из которого изготовлен датчик, воплощающий данный эффект. Поглощение происходит непосредственно в теплочувствительном материале. Однако может быть предусмотрено, что тепловое излучение поглощается электродом или электродным слоем датчика. Кроме того, также возможна компоновка, при которой тепловое излучение поглощается поглощающим телом, непосредственно прилегающим к датчику, в результате чего часть поглощенного таким образом тепла передается конвективным или прямым переносом теплочувствительному материалу. Поглощающее тело служит в качестве передатчика энергии.
Например, поглощающее тело нанесено в виде покрытия непосредственно на датчик.
Предпочтительно элементы устройства для обнаружения теплового излучения уложены в стопу таким образом, что тепловое излучение непосредственно проходит до датчика. С учетом этого в одном из вариантов осуществления в подложке датчика, подложке контура и/или крышке имеется по меньшей мере одно окно для прохода излучения с хорошей проводимостью теплового излучения, чтобы оно могло облучать датчик. Окно для прохода излучения заделано в крышку, подложку датчика и/или подложку контура. Датчик и окно взаимно расположены таким образом, что облучению подвергается лицевая поверхность датчика, обращенная прочь от узла крепления (облучение с лицевой стороны) и/или тыльная поверхность датчика, обращенная к элементу датчика (облучение с обратной стороны). Окно для прохода излучения имеет максимум пропускания в направлении датчика. Коэффициент пропускания берется как можно более высокий, например не менее 50%, в частности от 70 до почти 95%.
Для изготовления подложки датчика, подложки контура и крышки можно использовать любой предпочтительный материал. Наиболее пригодны полупроводниковые материалы, такие как чистый германий или иные полупроводниковые составы, поскольку позволяют интеграцию электрических цепей или их элементов. В одном из вариантов осуществления подложка контура и/или крышка изготовлены из кремния. В любом случае кремниевая пластина используется в качестве крышки, подложки контура и подложки датчика. Для заделки необходимых конструкций и функциональных узлов в подложку можно применить КМОП-технологию. К тому же, малый коэффициент поглощения теплового излучения кремнием позволяет без труда заделать окно для прохода излучения в кремниевую пластину: сама пластина образует такое окно. Соответствующим размещением функциональных узлов можно добиться того, чтобы к датчику свободно проходил незатененный поток теплового излучения.
Характеристики пропускания зависят не только от коэффициента поглощения материала, из которого изготовлено окно для прохода излучения. Другой решающий фактор - толщина окна. Желательно, чтобы окно для прохода излучения представляло собой область с уменьшенной толщиной подложки датчика или контура. В одном из вариантов осуществления датчик размещен против апертуры в подложке контура или в крышке. В обоих случаях на апертуру приходится область уменьшенной толщины. В этой области толщина подложки контура или крышки уменьшена, например, удалением материала. Апертура образует окно для прохода излучения, которое выполнено заодно с крышкой или подложкой контура и сквозь которое тепловое излучение проходит к датчику. Желательно, чтобы датчик несколько отстоял от любой из апертур. Апертура в крышке представляет собой часть первой полости между подложкой датчика и крышкой. Апертура в подложке контура представляет собой часть второй полости между подложкой датчика и подложкой контура.
В одном из вариантов осуществления подложка датчика, подложка контура и/или крышка соединены неразъемным соединением, в частности герметичным. Соединение подложки датчика с подложкой контура и/или подложки датчика с крышкой производят при изготовлении. Неразъемное соединение устроено так, что образующиеся в стопе полости могут быть вакуумированы. Элементы стопы, находящиеся в полостях, например датчик, защищены от воздействия окружающей среды герметичным соединением. Полностью исключено химическое взаимодействие с окружающей средой. Это позволяет применять устройство в агрессивных средах. При этом герметичное соединение позволяет вакуумировать полости. Это повышает чувствительность к тепловому излучению.
Постоянные соединения между подложкой датчика и крышкой и между подложками датчика и контура могут быть выполнены одновременно или последовательно. Каждое из соединений можно выполнить с использованием любого подходящего материала, например клея. Весьма желательно выполнять электрическое соединение электродных слоев датчика со считывающим контуром одновременно с выполнением неразъемного соединения. Для этого в одном из вариантов осуществления неразъемное соединение выполняют электропроводным материалом. Это относится, в частности, к неразъемному соединению между подложками контура и датчика. Однако электропроводное неразъемное соединение может также быть желательно между крышкой и датчиком, если элементы электрической цепи датчика заделаны в крышку.
Так называемый способ монтажа с перевернутым кристаллом (flip chip) предназначен для неразъемного монтажа. Под этим понимается технология накладного монтажа электрических цепей (AVT), которая показала свою эффективность в электронике в первую очередь для монтажа бескорпусных полупроводниковых элементов и ИС. В рамках способа перевернутого кристалла полупроводниковый элемент без выводов монтируют непосредственно на подложку, рабочей стороной вниз. Соединение производят посредством так называемых столбиковых выводов из электропроводного материала. Это позволяет обойтись очень короткими выводами, что в результате дает весьма компактный монтаж, и это преимущество используется в настоящем изобретении. Далее, короткие выводы позволяют минимизировать распределенные индуктивность и емкость, искажающие электрический сигнал. Это сказывается наилучшим образом, если требуется соединить сравнительно малое число датчиков. Далее, способ перевернутого кристалла позволяет одновременно выполнять несколько электрических соединений, что влечет за собой экономию времени и себестоимости.
Для выполнения монтажа перевернутым кристаллом, а следовательно и для выполнения неразъемного соединения, могут применяться различные технологии. В одном из вариантов реализации способ выбирают из числа склейки, пайки и/или сварки. Можно равным образом рассматривать варианты склейки и пайки эвтектическим припоем. В случае пайки капли припоя наносят на одну или обе опорные части или элементы устройства, которые требуется соединить. Названные способы предпочтительны по отношению к клеевому соединению, поскольку при использовании клея может иметь место дегазация органического состава (растворителя, адгезивного вещества). В частности, эту опасность следует иметь в виду применительно к вакуумированным полостям. Тем не менее может быть необходимо или желательно прибегнуть к использованию клея.
При использовании клея имеется несколько вариантов. Можно применять клей, не проводящий электричество. В этом случае наносят столбиковые выводы на контактные площадки соответствующих опорных частей. Столбиковые выводы выполняют, например, из алюминия или золота. Затем на подложку наносят слой клея и размещают на нем соответствующий элемент. При сушке клей усыхает и формирует электрические контакты.
Как вариант, можно применять анизотропный электропроводный клей. Такой клей представляет собой смесь из не проводящего электричество адгезивного вещества с добавлением к нему небольшого количества электропроводных частиц. Готовый клей размещают на контактных площадках опорных частей. В силу низкого содержания электропроводных частиц, они не входят в контакт одна с другой после нанесения клея. Электрическая цепь не замыкается. Когда же элемент помещают на свое место, непроводящее адгезивное вещество между контактными площадками опорных частей сжимается под давлением до вхождения проводящих частиц в контакт, в результате чего замыкается электрическая цепь между контактными площадками подложки и элемента.
Согласно одному из вариантов осуществления заявляемого способа, во время или после выполнения соединения производят вакуумирование первой и/или второй полостей. К примеру, соединение составленных в стопу элементов производят в вакуумной камере. Вакуумирование соответствующей полости происходит одновременно с выполнением неразъемного соединения. Также может быть предусмотрено, что вакуумирование полости производят после ее образования. Также следует отметить, что полости можно вакуумировать одновременно или последовательно. В случае одновременного вакуумирования полости могут быть соединены уравнительным каналом. Тогда в обеих полостях имеет место одинаковое давление.
Устройство может иметь единственный датчик. Однако, учитывая использование устройства в качестве датчика присутствия или тепловизора, желательны и даже необходимы несколько датчиков. Поэтому в одном из вариантов осуществления предусмотрена по меньшей мере одна линейка или матрица из множества датчиков. То есть, единичный датчик представляет собой один элемент изображения в такой линейке или матрице. Она характеризуется расположением датчиков в строки и столбцы. При расположении датчиков в ряд (строку) в одном направлении образуется одномерная линейка. При расположении датчиков в строки и столбцы образуется двумерная матрица. Матрица датчиков может содержать, например, 240×320 отдельных элементов. Это отвечает сравнительно низкому разрешению стандарта QVGA. Также может быть целесообразно выбрать распределение датчиков в области. Для каждого датчика может быть предусмотрено окно для прохода излучения. Однако желательно предусмотреть единое окно для многих или всех элементов. Это упрощает изготовление устройства.
Согласно еще одному варианту осуществления, устройство оснащено кожухом. Стопа элементов помещена в кожух, который защищает ее от вредного воздействия окружающей среды, например от влажности, а также от механического повреждения. Необходимо предусмотреть, чтобы кожух не оказывал заметных помех проходу теплового излучения к датчику. Для этого в кожух вставлено окно для прохода излучения с высоким коэффициентом пропускания по тепловому излучению.
Кожух содержит корпус из любого материала, предпочтительно из литьевого состава. Для изготовления кожуха можно применять литье, в том числе под давлением. Эти технологии весьма желательны с точки зрения себестоимости. Способ предусматривает нанесение синтетического материала без или с частичной поперечной связью на стопу. Затем материал высушивают термоиндукционным способом или отверждают УФ-светом. Для выполнения окна для прохода излучения применяют, например, маску, которую удаляют после нанесения или после отверждения материала. Это выполняют, например, в разборной форме, оснащенной подпружиненным вкладышем. Можно также выполнить окно для прохода излучения из материала с более высоким коэффициентом пропускания по тепловому излучению, которое остается внутри кожуха после нанесения и отверждения синтетического материала.
Описанный способ можно применять для изготовления единичного устройства для обнаружения теплового излучения. Предпочтительно, однако, параллельно изготавливать несколько устройств разом. В одном из вариантов осуществления несколько заявляемых устройств изготавливают в виде схем на общих пластинах. Затем готовые устройства разделяют. Три опорные части, т.е. подложку контура, подложку датчика и крышку, собирают в стопы, как описано выше, в виде общих пластин, в частности кремниевых, каждая из которых несет на себе необходимые элементы и функциональные узлы. Собранные в стопы устройства разделяют после или, что предпочтительно, до заделки в кожух. Разделение производят, например, пилением, эрозией или подобными способами. Разделенные устройства по отдельности заделывают в кожух.
Заявляемое устройство можно использовать в качестве датчика движения, датчика присутствия или тепловизора. В первом случае достаточно устройства с одиночным датчиком. Для использования в качестве датчика присутствия устройство может быть оснащено несколькими датчиками. Тепловизору требуется значительное число датчиков, например 320×240 согласно требованиям стандарта QVGZ. Этого можно достичь использованием простых и компактных способов разводки электрических цепей датчиков.
Таким образом, в качестве преимуществ настоящего изобретения можно указать:
- Устройство для обнаружения теплового излучения имеет малые габариты.
- Слоеная конструкция позволяет компактно подключить множество датчиков.
- Выводы для присоединения электродов датчика к считывающему контуру имеют малую длину. Индуктивные и емкостные помехи, которые приводят к падению чувствительности датчиков, заметно ниже, чем в случае проволочных выводов.
- Применяемый способ изготовления контактов позволяет параллельно изготавливать множество устройств.
- Герметичное неразъемное соединение позволяет без труда вакуумировать полости, что влечет за собой повышение чувствительности и улучшенную защиту датчика.
Ниже описаны примерные варианты осуществления устройства для обнаружения теплового излучения и соответствующие чертежи. Прилагаемые чертежи схематичны и выполнены не в масштабе.
Фиг.1 показывает поперечный разрез устройства для обнаружения теплового излучения.
Фиг.2 показывает вид на устройство с фиг.1 в разрезе по линии В-В в направлении крышки.
Фиг.3 показывает вид на устройство с фиг.1 в разрезе по линии А-А в направлении подложки датчика.
Фиг.4 показывает вид на устройство с фиг.1 в разрезе по линии А-А в направлении подложки контура.
Фиг.5 показывает датчик на подложке в разрезе.
Устройство 1 для обнаружения теплового излучения выполнено в виде стопы 10 из подложки 11 датчика с матрицей 110 датчиков, преобразующих тепловое излучение в электрический сигнал,
- подложки 12 контура со считывающим контуром 121 для считывания электрического сигнала,
- по меньшей мере одной крышки 13, накрывающей датчики,
и при этом подложка датчика и крышка расположены друг относительно друга так, что между датчиками на подложке и крышкой имеется первая полость 14, ограниченная подложкой датчика и крышкой,
а подложка контура и подложка датчика расположены друг относительно друга так, что между ними имеется по меньшей мере одна вторая полость 15, ограниченная этими подложками,
и при этом первая и/или вторая полости вакуумированы.
Датчики представляют собой пироэлектрические датчики тонкослойной конструкции с двумя электродными слоями 112 и пироэлектрическим слоем 113 между ними (фиг.5). Пироэлектрический слой толщиной порядка 1 мкм изготовлен из титаноцирконата свинца и обладает пироэлектрическими свойствами. Электродные слои толщиной порядка 20 нм изготовлены из платины и хромоникелевого сплава.
Считывающий контур имеет считывающий элемент 122, размещенный на подложке контура в виде СИС. В непоказанном варианте осуществления контур заделан в свою подложку.
Подложка датчика, подложка контура и крышка представляют собой кремниевые пластины. Датчики размещены во второй полости против апертуры 124 в подложке контура. В области N апертуры в подложке контура расположено общее окно 17 для прохода излучения, сквозь которое тепловое излучение проходит к датчикам. Излучение проходит с лицевой стороны. В непоказанном варианте осуществления излучение проходит с тыльной стороны. По этой причине соответствующие окна для прохода излучения предусмотрены как в крышке, так и в подложке датчика.
В крышке 14 предусмотрена апертура 131. Однако такая апертура в крышке необязательна, как показано пунктиром на фиг.1.
К подложке датчика герметичными неразъемными соединениями 16 прикреплены подложка контура и крышка. Согласно первому варианту осуществления неразъемное соединение выполнено припоем. В другом варианте соединение выполнено на клею.
Разводка 123 электрических целей датчиков неразъемно смонтирована между подложкой датчика и подложкой контура. Электрический сигнал с датчиков считывают с разводки считывающего контура. Как вариант, разводку выполняют способом монтажа с перевернутым кристаллом.
В ходе выполнения неразъемных соединений создают вакуум, в результате чего вакуум образуется в образуемых полостях. То есть, полости в стопе вакуумируются при сборке стопы. Как вариант, полости вакуумируют после выполнения неразъемного соединения.
Готовую стопу заделывают в кожух 20. Синтетический материал без поперечных связей наносят на стопу способом литья под давлением, а затем поперечно сшивают. Как вариант, можно использовать обычное литье. При этом следует принять меры к тому, чтобы окно для прохода излучения оставалось не закрытым.
Для изготовления устройства изготавливают подложку датчика с матрицей датчиков, подложку контура со считывающим контуром и крышку и соединяют их вместе, как описано выше. Также возможно изготовление устройств в виде схем на общих пластинах. На кремниевых общих пластинах выполняют необходимые функциональные узлы (матрицы датчиков, считывающие контуры, апертуры). Подложки датчиков, подложки контуров и крышки выполняют в виде общих пластин. Такие функциональные пластины соединяют вместе, как описано выше. Так получают стопу пластин, содержащую несколько устройств. Соединенные пластины распиливают на отдельные устройства, каждое из которых заключают в кожух.
Устройство применимо в качестве датчика движения или присутствия. Для использования его в качестве тепловизора используют несколько устройств, каждое в виде стопы.

Claims (15)

1. Устройство (1) для обнаружения теплового излучения в виде стопы (10) из:
по меньшей мере одной подложки (11) датчика, содержащей датчик (111) для преобразования теплового излучения в электрический сигнал;
по меньшей мере одной подложки (12) контура с по меньшей мере одним считывающим контуром (121, 122) для считывания электрического сигнала;
по меньшей мере одной крышки (13), покрывающей датчик;
в котором
для каждого из указанных элементов: крышка (13), подложка (12) контура
и подложка (11) датчика используется соответствующая пластина;
причем подложка датчика помещена между подложкой контура и крышкой;
причем указанная стопа (10) представляет собой слоистую структуру;
причем подложка датчика и крышка расположены относительно друг друга так, что между датчиком на подложке и крышкой имеется по меньшей мере одна первая полость (14), ограниченная подложкой датчика и крышкой;
подложка контура и подложка датчика расположены относительно друг друга так, что между ними имеется по меньшей мере одна вторая полость (15), ограниченная этими подложками;
первая и/или вторая полости вакуумированы или выполнены с возможностью их вакуумирования.
2. Устройство по п.1, в котором для прохода теплового излучения к датчику в подложке датчика, подложке контура и/или крышке имеется по меньшей мере одно окно (17) с высокой прозрачностью для теплового излучения.
3. Устройство по п.1 или 2, в котором подложка датчика, подложка контура и/или крышка изготовлены из кремния.
4. Устройство по п.1 или 2, в котором датчик расположен напротив апертуры (124) в подложке контура или напротив апертуры (131) в крышке.
5. Устройство по п.1 или 2, в котором подложка контура и/или крышка прикреплены к подложке датчика материалом, образующим неразъемное соединение (16), в частности герметичное.
6. Устройство по п.5, в котором материал, используемый в неразъемном соединении, является электропроводным.
7. Устройство по любому из пп.1-2, 6, в котором имеется по меньшей мере одна матрица (110) из нескольких датчиков.
8. Способ изготовления устройства для обнаружения теплового излучения, предусматривающий следующие этапы:
a) берут
по меньшей мере одну подложку (11) датчика с по меньшей мере одним датчиком (111) для преобразования теплового излучения в электрический сигнал,
по меньшей мере одну подложку (12) контура с по меньшей мере одним считывающим контуром (121) для считывания электрического сигнала,
по меньшей мере одну крышку (13) для покрытия датчика;
b) собирают и соединяют подложку контура, подложку датчика и крышку в стопу (10), такую, что:
подложка датчика расположена между подложкой контура и крышкой,
подложка датчика и крышка расположены относительно друг друга так, что между датчиком на подложке и крышкой образована по меньшей мере одна первая полость (14), ограниченная подложкой датчика и крышкой;
подложка контура и подложка датчика расположены относительно друг друга так, что между ними образована по меньшей мере одна вторая полость (15), ограниченная этими подложками;
первая и/или вторая полости вакуумированы или выполнены с возможностью их вакуумирования.
9. Способ по п.8, в котором для присоединения подложки контура и/или крышки к подложке датчика выполняют неразъемное соединение.
10. Способ по п.9, в котором неразъемное соединение выполняют способом, выбранным из группы: склейка, пайка, сварка.
11. Способ по любому из пп.8-10, в котором во время и/или после выполнения соединения первую и/или вторую полости вакуумируют.
12. Способ по п.10, в котором стопу заключают в кожух (20).
13. Способ по п.12, в котором подачу связующего материала в зону неразъемного соединения производят литьем или литьем под давлением.
14. Способ по любому из пп.10, 12, 13, в котором несколько устройств для обнаружения теплового излучения изготавливают в виде схем на общих пластинах, а затем отдельные готовые устройства разделяют.
15. Использование устройства по любому из пп.1-7 в качестве датчика движения, датчика присутствия и/или тепловизора.
RU2009144002/28A 2007-05-29 2008-05-28 Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования RU2465685C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007024903A DE102007024903B4 (de) 2007-05-29 2007-05-29 Vorrichtung mit Sandwichstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung
DE102007024903.0 2007-05-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009144002A RU2009144002A (ru) 2011-07-10
RU2465685C2 true RU2465685C2 (ru) 2012-10-27

Family

ID=39627771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009144002/28A RU2465685C2 (ru) 2007-05-29 2008-05-28 Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8487257B2 (ru)
EP (1) EP2153188B1 (ru)
JP (1) JP5455239B2 (ru)
KR (1) KR101496673B1 (ru)
CN (1) CN101688811B (ru)
AU (1) AU2008256414A1 (ru)
BR (1) BRPI0812098B1 (ru)
DE (1) DE102007024903B4 (ru)
RU (1) RU2465685C2 (ru)
WO (1) WO2008145354A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217150U1 (ru) * 2022-09-05 2023-03-21 Олег Викторович Сохраннов Теплоотражающий кожух тепловизора

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007062688B3 (de) * 2007-12-17 2009-02-05 Pyreos Ltd. Vorrichtung mit einer abgeschirmten Sandwichstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung und Verwendung der Vorrichtung
DE102009013336A1 (de) * 2009-03-16 2010-09-23 Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg Pyroelektrisches Material, Strahlungssensor, Verfahren zur Herstellung eines Strahlungssensors und Verwendung von Lithiumtantalat und Lithiumniobat
US9118132B2 (en) * 2011-09-08 2015-08-25 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Vacuum compatible high-density electrical interconnect system
DE102012216618A1 (de) * 2012-09-18 2014-03-20 Robert Bosch Gmbh Anordnung von mindestens zwei Wafern zum Detektieren von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Herstellen der Anordnung
DE102015208701A1 (de) * 2015-05-11 2016-11-17 Infratec Gmbh Vorrichtung zur gleichzeitigen Bestimmung mehrerer unterschiedlicher Stoffe und/oder Stoffkonzentrationen
FR3080705B1 (fr) * 2018-04-27 2020-10-30 Tn Int Emballage de transport et/ou d'entreposage de matieres radioactives permettant une fabrication facilitee ainsi qu'une amelioration de la conduction thermique

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2180098C2 (ru) * 2000-02-29 2002-02-27 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им. С.П. Королева" Устройство определения интенсивности инфракрасного облучения
WO2002043154A1 (de) * 2000-11-27 2002-05-30 Siemens Aktiengesellschaft Pyroelektrischer bildensor und verfahren zu seiner herstellung
DE102004020685B3 (de) * 2004-04-28 2005-09-01 Robert Bosch Gmbh Infrarotsensor mit Getterschicht
WO2007000172A1 (en) * 2005-06-27 2007-01-04 Hl-Planar Technik Gmbh Device for the detection of electromagnetic waves and method for producing such a device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0219725A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 焦電形赤外検出素子アレイ、焦電形赤外検出器およびそれらの製法
AU631734B2 (en) * 1990-04-18 1992-12-03 Terumo Kabushiki Kaisha Infrared ray sensor and method of manufacturing the same
JP3181363B2 (ja) 1992-04-17 2001-07-03 テルモ株式会社 赤外線センサおよびその製造方法
US5397897A (en) * 1992-04-17 1995-03-14 Terumo Kabushiki Kaisha Infrared sensor and method for production thereof
DE19525071A1 (de) 1995-07-10 1997-01-16 Siemens Ag Pyroelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US5729019A (en) 1995-12-29 1998-03-17 Honeywell Inc. Split field-of-view uncooled infrared sensor
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
JP2000298063A (ja) * 1999-04-14 2000-10-24 Tdk Corp 赤外線検出器
DE19932308C2 (de) * 1999-07-10 2001-10-25 Bosch Gmbh Robert Sensor, insbesondere Thermosensor
JP2001174324A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Tdk Corp 赤外線検出器および赤外線検出装置
DE10004216C2 (de) 2000-02-01 2002-09-19 Siemens Ag Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung und Verwendung der Vorrichtung
US6890834B2 (en) 2001-06-11 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic device and method for manufacturing the same
JP3519720B2 (ja) * 2001-06-11 2004-04-19 松下電器産業株式会社 電子デバイス
WO2004015764A2 (en) * 2002-08-08 2004-02-19 Leedy Glenn J Vertical system integration
JP4385255B2 (ja) * 2004-06-10 2009-12-16 日本電気株式会社 ボロメータ型赤外線検出器及び残像の低減方法
US7204737B2 (en) * 2004-09-23 2007-04-17 Temic Automotive Of North America, Inc. Hermetically sealed microdevice with getter shield

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2180098C2 (ru) * 2000-02-29 2002-02-27 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им. С.П. Королева" Устройство определения интенсивности инфракрасного облучения
WO2002043154A1 (de) * 2000-11-27 2002-05-30 Siemens Aktiengesellschaft Pyroelektrischer bildensor und verfahren zu seiner herstellung
DE102004020685B3 (de) * 2004-04-28 2005-09-01 Robert Bosch Gmbh Infrarotsensor mit Getterschicht
WO2007000172A1 (en) * 2005-06-27 2007-01-04 Hl-Planar Technik Gmbh Device for the detection of electromagnetic waves and method for producing such a device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217150U1 (ru) * 2022-09-05 2023-03-21 Олег Викторович Сохраннов Теплоотражающий кожух тепловизора

Also Published As

Publication number Publication date
US8487257B2 (en) 2013-07-16
US20100264311A1 (en) 2010-10-21
CN101688811A (zh) 2010-03-31
JP5455239B2 (ja) 2014-03-26
DE102007024903A1 (de) 2008-12-11
AU2008256414A1 (en) 2008-12-04
CN101688811B (zh) 2013-10-23
BRPI0812098B1 (pt) 2018-06-19
KR101496673B1 (ko) 2015-02-27
RU2009144002A (ru) 2011-07-10
WO2008145354A1 (de) 2008-12-04
BRPI0812098A2 (pt) 2014-11-25
EP2153188A1 (de) 2010-02-17
EP2153188B1 (de) 2012-05-16
JP2010528301A (ja) 2010-08-19
DE102007024903B4 (de) 2009-05-07
KR20100023008A (ko) 2010-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2468346C2 (ru) Устройство с мембранной конструкцией для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования
RU2465685C2 (ru) Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования
US9960094B2 (en) Packaged semiconductor components having substantially rigid support members and methods of packaging semiconductor components
JP2003198897A (ja) 光モジュール、回路基板及び電子機器
TW200933761A (en) Molded sensor package and assembly method
JP2008130738A (ja) 固体撮像素子
US6528857B1 (en) Chip size image sensor bumped package
US6509560B1 (en) Chip size image sensor in wirebond package with step-up ring for electrical contact
KR100769587B1 (ko) 비접촉식 적외선 온도 센서
US20060267168A1 (en) Hollow package and semiconductor device using the same
KR101479963B1 (ko) 스크린된 샌드위치 구조를 갖는 열 방출을 감지하기 위한 장치, 및 상기 장치의 사용
KR20070090379A (ko) 비접촉식 적외선 온도 센서 및 이의 제조 방법
US11422105B2 (en) Humidity sensor
US6629633B1 (en) Chip size image sensor bumped package fabrication method
KR100502212B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
US20160049434A1 (en) Digital radiation sensor package
US6620646B1 (en) Chip size image sensor wirebond package fabrication method
US20230207713A1 (en) Image sensor package
US20230026571A1 (en) Thermal sensor package
JPH06509912A (ja) 電子部品およびそのパッケージ内への装着方法
TWI224841B (en) Film ball grid array package structure of an image sensor
TW202306057A (zh) 熱感測封裝
JP2012037394A (ja) 赤外線センサの製造方法
JP2011252724A (ja) 赤外線センサおよびその製造方法
KR20170133825A (ko) 온도 센서 및 이를 포함하는 온도 감지 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190529