JP4385255B2 - ボロメータ型赤外線検出器及び残像の低減方法 - Google Patents
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Description
まず、残像が赤外線カメラの動作に起因するかを確認するために、赤外線カメラの電源をOFFにした状態で1000Kの黒体を3分間観察し(すなわち、赤外線検出素子に1000Kの黒体輻射を入射し)、その後、赤外線カメラ電源をONにして残像が発生するかを確認した。その結果、赤外線カメラの電源がOFFの状態で高温物体を見せても残像が生じた。もし残像が赤外線カメラの動作に起因するのであれば電源OFFの状態で高温物体を観察しても残像が生じないと考えられることから、残像は赤外線検出器1自体に起因すると考えることができる。
次に、残像が赤外線検出器1のいずれかの部分に発生した熱に関係しているかを調べるために、ペルチェ素子3の制御温度(赤外線検出素子2の温度とほぼ同等)を10、20、30、40、50℃の各温度に設定して、505Kの黒体を撮像したときの残像のサイズの変化を調べた。その結果、505Kの黒体撮像時及び黒体除去後の残像観察時を通じて、残像のサイズは変わらなかった。
実験2では、赤外線の入射によって発生した熱が回路基板11に蓄積されたとしても、熱が回路基板11の厚み方向(ペルチェ素子3方向)に伝導するために回路基板11の面方向には広がりにくい。そこで、ペルチェ素子3の温度制御を停止し、回路基板11の厚み方向の熱の流れを遮断して同様に残像のサイズの変化を調べた。その結果、やはり残像のサイズは変わらなかった。もし、残像が回路基板11のような熱が拡散しやすい部分に発生した熱に起因するのであれば、時間の経過と共に残像のサイズが変化していくと考えられることから、実験2及び実験3の結果より、残像は熱が拡散しにくい部分(例えば、回路基板11から熱分離された温度検出部19)に関係していると考えることができる。
実験2及び実験3の結果から、残像のサイズは時間が経過しても変化しないことが確認されたが、残像の温度が時間の経過と共にどのように変化するかを確認するために、実験2と同様に、ペルチェ素子3の制御温度を10、20、30、40、50℃の各温度に設定し、505Kの黒体を3分間撮像した後の残像の温度換算値の時間変化を測定した。その結果を図11に示す。また、黒体撮像時及び30秒、240秒後の実際の赤外線画像を図12乃至図14(各々(a)は全体画像、(b)は黒体部(図の白い部分)の拡大画像)に、この赤外線画像の75番目のラインに沿った輝度分布を図15に示す。また、各時間における残像の温度換算値をT=T0×e(−t/τ)でフィッティングした時のフィッティングカーブの定数(残像の温度換算値(T0)と残像の時定数(τ))を計算した。その結果を表1に示す。なお、この残像の温度換算値と時定数は、残像の時間依存性の内、時定数が大きい成分をフィッティングした時のt=0の外挿値を用いているため、t=0の実験値よりも小さい値になっている。
次に、残像が赤外線検出素子2の温度上昇に関係しているとすると、赤外線検出素子2周囲の雰囲気が大気か真空かによって熱の放散状態が変わることから、残像に差が生じることが予想される。そこで、赤外線検出素子2の雰囲気を大気又は真空にした場合における505K黒体撮像時と残像観察時における残像の程度を測定した。その結果を表2に示す。
次に、室温や低温の被写体でも同様に残像が発生するか否かを確認するために、人を被写体とし残像観察時に冷却した背景を観察したときと、液体窒素で冷却した物体を被写体とし残像観察時に室温の背景を観察したときで残像が発生するかを確認した。その結果を表3に示す。
以上の結果を総合的に判断すると、実験1から、残像は赤外線カメラの動作によって生じるのではなく、また、実験2、3、5及び6から、熱が伝導しやすい回路基板11よりも回路基板11から熱分離されたダイアフラム(温度検出部19)の温度上昇の影響が大きいと考えられる。また、実験4から、残像は赤外線入射により生じる温度差よりも温度検出部19の温度自体に関係していると推測される。従って、温度検出部19の温度、すなわち、ペルチェ素子3の制御温度を変えれば残像の温度換算値や時定数が変化することから、残像発生時に制御温度を変えることによって残像を低減することができると考えられる。そこで、505Kの黒体を3分間撮像した後、ペルチェ素子3の制御温度を変えて残像がどのように変化するかを測定した。その結果を図16及び表4に示す。
ダイアフラム(温度検出部19)や回路基板11表面、回路基板11とダイアフラムの間のいずれかの部分に熱が蓄積し、残像が発生している画素が常に温度のオフセット状態になっている。
高温物体撮像時にダイアフラムに熱が蓄積し、ホッピング伝導に伴うキャリアトラップや準安定ポテンシャルへの熱的、光的励起などにより、ダイアフラムを構成するボロメータ薄膜(酸化バナジウム)の物性が変化する。そして、変化した物性は、高温物体除去後にペルチェ素子3の制御温度を低く設定したり、大気解放して熱を逃がしても直ぐには元に戻らない。
高温物体撮像時の熱により反りが発生し、酸化バナジウムやシリコン窒化膜などの赤外線検出素子2の構成要素に内部歪みが生じて物性値が変化する。
酸化バナジウムの抵抗、酸化バナジウムやシリコン窒化膜の誘電率、酸化バナジウムとシリコン窒化膜の界面準位のヒステリシスにより、高温物体を除去してもこれらの物性値が直ぐには元に戻らない。
上述した推測1〜4を複合した要因による。
2 赤外線検出素子
3 ペルチェ素子
4 パッケージ
5 キャップ
6 赤外線透過窓
7 排気管
8 ピン
9 外部回路
11 回路基板
11a 読出回路
11b コンタクト
12 赤外線反射膜
13 保護膜
14 空洞部
15 保護膜
16 ボロメータ薄膜
17 電極
18 梁
19 温度検出部
21 駆動手段
22 信号処理手段
23 高温物体検出手段
24 温度制御素子駆動手段
25 制御温度設定手段
26 パルスバイアス設定手段
Claims (10)
- ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持されてなる赤外線検出素子を少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器において、
継続して撮像される被写体の中から、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像が生じるような温度に対応する高温物体を検出する手段と、
前記手段により前記高温物体が検出された場合に、前記赤外線検出素子の温度を上昇させ、少なくとも一定時間、上昇させた状態で保持する手段とを少なくとも備えることを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持されてなる赤外線検出素子と、該赤外線検出素子の温度を制御する温度制御手段とを少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器において、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像が生じるような温度に対応する高温物体を検出する高温物体検出手段と、
前記高温物体検出手段により前記高温物体が検出された場合に、前記温度制御手段の制御温度を予め定められた温度だけ上昇させる制御を行う制御温度設定手段とを少なくとも備えることを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持されてなる赤外線検出素子と、該赤外線検出素子の温度を制御する温度制御手段とを少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器において、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像が生じるような温度に対応する高温物体を検出する高温物体検出手段と、
前記高温物体検出手段により前記高温物体が検出された場合に、前記温度制御手段の制御温度を予め定められた温度だけ上昇させ、一定時間経過後に、該制御温度を元の温度に戻す制御を行う制御温度設定手段とを少なくとも備えることを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持され、パルス状のバイアス電圧により駆動される赤外線検出素子を少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器において、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像が生じるような温度に対応する高温物体を検出する高温物体検出手段と、
前記高温物体検出手段により前記高温物体が検出された場合に、前記パルスの幅を予め定められた時間だけ長くし、一定時間経過後に、該パルスの幅を元の幅に戻す制御を行うパルスバイアス設定手段とを少なくとも備えることを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持され、パルス状のバイアス電圧により駆動される赤外線検出素子を少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器において、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像が生じるような温度に対応する高温物体を検出する高温物体検出手段と、
前記高温物体検出手段により前記高温物体が検出された場合に、前記パルスのピーク電圧を予め定められた電圧だけ大きくし、一定時間経過後に、該パルスのピーク電圧を元の電圧に戻す制御を行うパルスバイアス設定手段とを少なくとも備えることを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持されてなる赤外線検出素子を少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器を用いた、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像の低減方法であって、
継続して撮像される被写体の中から、予め定められた温度以上又は該温度に対応する値以上の出力電圧の高温物体を検出するステップと、
前記高温物体を検出した後に、前記赤外線検出素子の温度を上昇させ、少なくとも一定時間、上昇させた状態で保持するステップとをこの順に少なくとも1回実行することを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器を用いた残像の低減方法。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持されてなる赤外線検出素子と、該赤外線検出素子を所定の温度に制御する温度制御手段とを少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器を用いた、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像の低減方法であって、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、予め定められた温度以上又は該温度に対応する値以上の出力電圧の高温物体を検出するステップと、
前記高温物体を検出した後に、前記温度制御手段の制御温度を予め定められた温度だけ上昇させるステップとをこの順に少なくとも1回実行することを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器を用いた残像の低減方法。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持されてなる赤外線検出素子と、該赤外線検出素子を所定の温度に制御する温度制御手段とを少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器を用いた、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像の低減方法であって、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、予め定められた温度以上又は該温度に対応する値以上の出力電圧の高温物体を検出するステップと、
前記高温物体を検出した後に、前記温度制御手段の制御温度を予め定められた温度だけ上昇させるステップと、
一定時間経過後に、該制御温度を元の温度に戻すステップとをこの順に少なくとも1回実行することを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器を用いた残像の低減方法。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持され、パルス状のバイアス電圧により駆動される赤外線検出素子を少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器を用いた、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像の低減方法であって、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、予め定められた温度以上又は該温度に対応する値以上の出力電圧の高温物体を検出するステップと、
前記高温物体を検出した後に、前記パルスの幅を予め定められた時間だけ長くするステップと、
一定時間経過後に、該パルスの幅を元の幅に戻すステップとをこの順に少なくとも1回実行することを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器を用いた残像の低減方法。 - ボロメータ薄膜を備えるダイアフラムが梁によって基板に支持され、パルス状のバイアス電圧により駆動される赤外線検出素子を少なくとも備え、当該赤外線検出素子が撮像装置の受光素子となるボロメ−タ型赤外線検出器を用いた、被写体を撮像したときの像が当該被写体を取り除いた後においても観察される残像の低減方法であって、
前記赤外線検出素子からの出力信号を参照して、継続して撮像される被写体の中から、予め定められた温度以上又は該温度に対応する値以上の出力電圧の高温物体を検出するステップと、
前記高温物体を検出した後に、前記パルスのピーク電圧を予め定められた電圧だけ大きくするステップと、
一定時間経過後に、該パルスのピーク電圧を元の電圧に戻すステップとをこの順に少なくとも1回実行することを特徴とするボロメ−タ型赤外線検出器を用いた残像の低減方法。
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JP5194501B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-05-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 撮像素子、障害物検出装置及び方法 |
DE102007024903B4 (de) * | 2007-05-29 | 2009-05-07 | Pyreos Ltd. | Vorrichtung mit Sandwichstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung |
DE102007024902B8 (de) * | 2007-05-29 | 2010-12-30 | Pyreos Ltd. | Vorrichtung mit Membranstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung |
FR2918746B1 (fr) * | 2007-07-13 | 2009-10-09 | Commissariat Energie Atomique | Capteur electronique a regulation thermique integree |
FR2936870B1 (fr) * | 2008-10-03 | 2014-08-29 | Ulis | Procede et dispositif de commande de la resistance d'un element sensible de detecteur bolometriqe |
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JP2014235144A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
US10054495B2 (en) | 2013-07-02 | 2018-08-21 | Exergen Corporation | Infrared contrasting color temperature measurement system |
US10425559B2 (en) * | 2015-06-15 | 2019-09-24 | Flir Systems, Inc. | Corner mounted tip-off tube for vacuum package |
JP7232978B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2023-03-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線センサのボロメータ赤外線受光部を冷却する方法 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
JPH09126898A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出器 |
US6133572A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Infrared detector system with controlled thermal conductance |
JP3303786B2 (ja) * | 1998-08-13 | 2002-07-22 | 日本電気株式会社 | ボロメータ型赤外線センサ |
JP3460810B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2003-10-27 | 日本電気株式会社 | 熱分離構造を有する熱型赤外線検出器 |
US6953932B2 (en) * | 1999-10-07 | 2005-10-11 | Infrared Solutions, Inc. | Microbolometer focal plane array with temperature compensated bias |
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